一種陣列基板及顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種陣列基板，尤其是涉及一種液晶顯示陣列基板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示器制造技術(shù)的發(fā)展，薄膜晶體管液晶顯示器因具有體積小、功耗低、無(wú)輻射等特點(diǎn)，在電子設(shè)備中的到廣泛使用。
[0003]在現(xiàn)有技術(shù)中，顯示器的陣列基板一般包括玻璃基板和依次由下往上覆蓋在玻璃基板上的第一金屬層、第一絕緣層、第二金屬層、第二絕緣層、透明導(dǎo)電層。第一絕緣層和第二絕緣層通過(guò)干法刻蝕或濕法刻蝕分別形成過(guò)孔，以實(shí)現(xiàn)第一金屬層、第二金屬層和透明導(dǎo)電層之間的相互短接。對(duì)于第二金屬層和透明導(dǎo)電層的短接，通常在第二絕緣層刻蝕過(guò)孔，使透明導(dǎo)電層和第二金屬層在過(guò)孔位置直接接觸，以實(shí)現(xiàn)其短接。而對(duì)于第一金屬層和透明導(dǎo)電層的短接，則需要同時(shí)在第一絕緣層和第二絕緣層的相同位置進(jìn)行刻蝕過(guò)孔，以保證第一金屬層的表面露出。在刻蝕第一絕緣層時(shí)，同時(shí)會(huì)刻蝕第二金屬層，以達(dá)到透明導(dǎo)電層和第一金屬層在過(guò)孔位置能夠相互接觸的目的，實(shí)現(xiàn)透明導(dǎo)電層和第一金屬層的短接。最后通過(guò)透明導(dǎo)電層為媒介，實(shí)現(xiàn)第一金屬層和第二金屬層的短接。
[0004]現(xiàn)有陣列基板的過(guò)孔結(jié)構(gòu)導(dǎo)致了第二金屬層在陣列基板刻蝕過(guò)程中受到損害，降低了陣列基板成品的質(zhì)量和顯示性能，致使陣列基板的可靠性不高。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型提供一種陣列基板及使用了該陣列基板的顯示裝置，該陣列基板能避免在制造過(guò)程中由于刻蝕過(guò)孔而對(duì)第二金屬層造成損害，顯示性能更好，成品的質(zhì)量也更高。
[0006]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題通過(guò)以下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn):
[0007]—種陣列基板，包括基板和依次從下往上覆蓋在基板上的第一金屬層、第一絕緣層、第二金屬層，第二絕緣層、透明導(dǎo)電層。所述第一絕緣層上刻蝕有至少第一過(guò)孔，所述第一金屬層和第二金屬層通過(guò)第一絕緣層上的第一過(guò)孔短接；所述第二絕緣層上刻蝕有至少第二過(guò)孔，所述第二金屬層和導(dǎo)電層通過(guò)第二絕緣層上的第二過(guò)孔短接；所述第一金屬層和透明導(dǎo)電層通過(guò)第二金屬層為媒介，實(shí)現(xiàn)短接。
[0008]進(jìn)一步地，所述第一絕緣層和第二絕緣層的過(guò)孔可以完全重疊，也可以部分重疊，還可以完全不重疊。
[0009]進(jìn)一步地，所述第一絕緣層和第二絕緣層的過(guò)孔的刻蝕方法可以是干法刻蝕，也可以是濕法刻蝕。
[0010]進(jìn)一步地，所述基板為玻璃基板，或其它具有光學(xué)屬性的透明基板。
[0011]進(jìn)一步地，所述第一金屬層為柵極金屬層，主要材料為鋁、銅、鉬、鉻之一或其它導(dǎo)電材料。
[0012]進(jìn)一步地，所述第一絕緣層為柵絕緣層，主要材料是氮化硅、氧化硅、氧化鋁之一或其它絕緣材料。
[0013]進(jìn)一步地，所述第二金屬層為源極和漏極金屬層，主要材料為鋁、銅、鉬、鉻之一或其它導(dǎo)電材料。
[0014]進(jìn)一步地，所述第二絕緣層為鈍化層，主要材料是氮化硅、氧化硅、氧化鋁之一或其它絕緣材料。
[0015]本實(shí)用新型還提供一種顯示裝置，包括下偏光片、陣列基板、液晶材料、彩色濾光層和上偏光片，該顯示裝置設(shè)置的陣列基板為所述陣列基板。
[0016]本實(shí)用新型具有如下有益效果:
[0017]本實(shí)用新型通過(guò)先刻蝕第一絕緣層，然后再覆蓋第二金屬層，以實(shí)現(xiàn)第一金屬層和第二金屬層之間短接；然后再刻蝕第二絕緣層，以實(shí)現(xiàn)透明導(dǎo)電層和第二金屬層的短接；通過(guò)第二金屬層為媒介，實(shí)現(xiàn)透明導(dǎo)電層和第一金屬層的短接。因兩次刻蝕的對(duì)象均是針對(duì)絕緣層，刻蝕的絕緣層厚度一致，故不會(huì)對(duì)第二金屬層造成損害，該陣列基板的顯示性能和成品質(zhì)量都得到了提高。
[0018]設(shè)置了所述陣列基板的顯示裝置，其顯示圖像的性能更好，產(chǎn)品質(zhì)量更可靠，維修費(fèi)用更低。
【附圖說(shuō)明】
[0019]圖1為該陣列基板示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0020]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。
[0021]如圖1所示，一種陣列基板，包括基板I和依次從下往上覆蓋在基板I上的第一金屬層2、第一絕緣層3、第二金屬層4，第二絕緣層5、透明導(dǎo)電層6。在基板I上先覆蓋第一金屬層2和第一絕緣層3，在覆蓋第二金屬層4之前先對(duì)第一絕緣層3進(jìn)行刻蝕，形成第一過(guò)孔7 ;在覆蓋第二金屬層4后，第二金屬層4在第一過(guò)孔7的位置會(huì)下沉并與第一金屬層2短接；然后覆蓋第二絕緣層5，并對(duì)其進(jìn)行刻蝕，以形成第二過(guò)孔8 ;最后覆蓋透明導(dǎo)電層6，透明導(dǎo)電層6在第二過(guò)孔8的位置會(huì)下沉并與第二金屬層4短接；通過(guò)第二金屬層4為媒介，第一金屬層2和透明導(dǎo)電層6實(shí)現(xiàn)短接。所述第一絕緣層5的第一過(guò)孔7和所述第二絕緣層5的第二過(guò)孔8可以完全重疊，也可以部分重疊，還可以完全不重疊。
[0022]所述基板I為玻璃材料，也可以是其它光學(xué)透明材料；所述第一金屬層2為柵極金屬層，主要材料為鋁、銅、鉬、鉻之一或其它導(dǎo)電材料；所述第一絕緣層3為柵絕緣層，主要材料是氮化硅、氧化硅、氧化鋁之一或其它絕緣材料；所述第二金屬層4為源極和漏極金屬層，主要材料為鋁、銅、鉬、鉻之一或其它導(dǎo)電材料；所述第二絕緣層5為鈍化層，主要材料是氮化硅、氧化硅、氧化鋁硅之一或其它絕緣材料。
[0023]該陣列基板的刻蝕過(guò)孔過(guò)程在第一絕緣層3和第二絕緣層5上獨(dú)立完成，所刻蝕的第一絕緣層3和第二絕緣層5厚度一致，因此不會(huì)對(duì)第二金屬層4造成損害。
[0024]本實(shí)用新型還提供一種設(shè)置了所述陣列基板的顯示裝置，該顯示裝置包括下偏光片、陣列基板、液晶材料、彩色濾光層和上偏光片。該顯示裝置的圖像顯示性能更好，質(zhì)量更穩(wěn)定，維修費(fèi)用更低。
[0025]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本實(shí)用新型的實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本實(shí)用新型專(zhuān)利范圍的限制，但凡采用等同替換或等效變換的形式所獲得的技術(shù)方案，均應(yīng)落在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種陣列基板，包括基板和依次由下往上覆蓋在基板上的第一金屬層、第一絕緣層、第二金屬層，第二絕緣層、透明導(dǎo)電層，其特征在于，所述第一絕緣層上刻蝕有至少第一過(guò)孔，所述第一金屬層和第二金屬層通過(guò)第一絕緣層上的第一過(guò)孔短接；所述第二絕緣層上刻蝕有至少第二過(guò)孔，所述第二金屬層和導(dǎo)電層通過(guò)第二絕緣層上的第二過(guò)孔短接；所述第一金屬層和透明導(dǎo)電層通過(guò)第二金屬層為媒介，實(shí)現(xiàn)短接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述陣列基板，其特征在于，所述第一絕緣層和第二絕緣層的過(guò)孔完全重疊，或者部分重疊，或者完全不重疊。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述陣列基板，其特征在于，所述第一絕緣層和第二絕緣層的過(guò)孔的刻蝕方法是干法刻蝕，或者是濕法刻蝕。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述陣列基板，其特征在于，所述基板為玻璃基板，或其它具有光學(xué)屬性的透明基板。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述陣列基板，其特征在于，所述第一金屬層為柵極金屬層，主要材料為鋁、銅、鉬、鉻之一或其它導(dǎo)電材料。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述陣列基板，其特征在于，所述第一絕緣層為柵絕緣層，主要材料是氮化硅、氧化硅、氧化鋁之一或其它絕緣材料。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述陣列基板，其特征在于，所述第二金屬層為源極和漏極金屬層，主要材料為鋁、銅、鉬、鉻之一或其它導(dǎo)電材料。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述陣列基板，其特征在于，所述第二絕緣層為鈍化層，主要材料是氮化硅、氧化硅、氧化鋁之一或其它絕緣材料。9.一種顯示裝置，包括下偏光片、陣列基板、液晶材料、彩色濾光層和上偏光片，其特征在于，所述陣列基板為權(quán)利要求1至7中任一陣列基板。
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種陣列基板，包括基板和依次從下往上覆蓋在基板上的第一金屬層、第一絕緣層、第二金屬層，第二絕緣層、透明導(dǎo)電層。所述第一絕緣層上刻蝕有至少一過(guò)孔，所述第一金屬層和第二金屬層通過(guò)第一絕緣層上的過(guò)孔短接；所述第二絕緣層上刻蝕有至少一過(guò)孔，所述第二金屬層和導(dǎo)電層通過(guò)第二絕緣層上的過(guò)孔短接；所述第一金屬層和透明導(dǎo)電層通過(guò)第二金屬層為媒介實(shí)現(xiàn)短接。該陣列基板顯示性能更好，成品質(zhì)量更高。本實(shí)用新型還提供了一種設(shè)置有所述陣列基板的顯示裝置，該顯示裝置圖形成像性能更好，維修成本更低。
【IPC分類(lèi)】G02F1/1333, G02F1/1362
【公開(kāi)號(hào)】CN204945589
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520791311
【發(fā)明人】于春崎, 柳發(fā)霖, 李林, 莊崇營(yíng), 何基強(qiáng), 雷國(guó)獎(jiǎng)
【申請(qǐng)人】信利半導(dǎo)體有限公司
【公開(kāi)日】2016年1月6日
【申請(qǐng)日】2015年10月14日