技術(shù)總結(jié)
本實(shí)用新型提供一種倒裝發(fā)光二極管，所述發(fā)光二極管包括：生長(zhǎng)襯底；發(fā)光外延結(jié)構(gòu)，形成于所述生長(zhǎng)襯底之上，所述發(fā)光外延結(jié)構(gòu)中形成有N電極臺(tái)階；ITO層，形成于所述發(fā)光外延結(jié)構(gòu)表面，所述ITO層中形成有圖形孔洞結(jié)構(gòu)；Ag反射層，形成所述ITO層及圖形孔洞結(jié)構(gòu)內(nèi)，并同時(shí)與ITO層及發(fā)光外延結(jié)構(gòu)接觸；N焊盤及P焊盤。本實(shí)用新型在濺射或蒸鍍的ITO層上腐蝕或刻蝕出規(guī)則或不規(guī)則圖形以單一或組合形式存在，接著蒸鍍或?yàn)R射Ag反射層使其分別與ITO層與氮化鎵發(fā)光外延接觸，使得部分光線不需要進(jìn)入ITO層就可以被反射出去，提高了發(fā)光二極管的亮度。另外，Ag同時(shí)與氮化鎵及ITO層接觸，提高了導(dǎo)電率，從而提高了電流的效率。

技術(shù)研發(fā)人員：楊杰;常文斌;林宇杰
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海博恩世通光電股份有限公司
文檔號(hào)碼：201620412701
技術(shù)研發(fā)日：2016.05.09
技術(shù)公布日：2016.11.30