專利名稱：一種晶圓缺陷的修復(fù)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體工藝，尤其涉及一種晶圓缺陷的修復(fù)方法。
技術(shù)背景在半導(dǎo)體工藝中，苯并環(huán)丁烯(Benzo-cyclo-bu;ene， BCB )應(yīng)用^艮廣泛， 其具有低的介電常數(shù)、低的吸濕率、高的熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性，以及高的薄 膜平整度(一般〉95%),尤其適用于高性能介電薄膜材料和微電子器件的生產(chǎn) 應(yīng)用。然而，苯并環(huán)丁烯單體有硅原子(silicon atomic),其4艮容易被氧化成氧化 硅，這些氧化硅會(huì)很容易引起苯并環(huán)丁烯斷裂。在半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中，當(dāng)苯并 環(huán)丁烯在固化過程中，由于混入氧氣濃度異常等原因，很容易造成苯并環(huán)丁烯 斷裂，現(xiàn)有技術(shù)對這種現(xiàn)象無法進(jìn)行修復(fù)，只能報(bào)廢該晶圓，從而降低了晶圓 的良率。顯然，現(xiàn)需要一種修復(fù)此類缺陷的方法。 發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種晶圓缺陷的修復(fù)方法，其可以修復(fù)由于苯并環(huán) 丁烯造成的晶圓缺陷。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種晶圓缺陷的修復(fù)方法，修復(fù)由于苯并環(huán) 丁烯氧化形成的氧化硅附著在晶圓表面產(chǎn)生的晶圓缺陷，首先將晶圓置入一個(gè) 封閉的真空腔體，充入氬氣，氬氣在壓力作用下產(chǎn)生電漿形態(tài)的蝕刻物種，并 在強(qiáng)電場加速作用下轟擊晶圓表面的氧化硅，從而去除晶圓表面的氧化硅。氬氣在壓力作用下分解為氬離子。氬離子受強(qiáng)電場加速，形成高能量的離子流轟擊晶圓表面的氧化硅，使氬 離子與氧化硅發(fā)生物理碰撞，從而去除晶圓表面的氧化硅。與現(xiàn)有技術(shù)相比， 一旦發(fā)現(xiàn)苯并環(huán)丁烯受到氧化時(shí)就采用本發(fā)明的修復(fù)方 法，避免由于苯并環(huán)丁烯斷裂造成晶圓報(bào)廢，有效提高晶圓的良率。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明的方法是針對已經(jīng)出現(xiàn)缺陷的晶圓進(jìn)行補(bǔ)救，產(chǎn)生這種缺陷的根源 是由于苯并環(huán)丁烯受到氧化時(shí)形成的氧化硅附著在晶圓表面。本發(fā)明采用了賊射刻蝕(sputter etch)的方法進(jìn)行4務(wù)復(fù)。首先，將出現(xiàn)缺陷的晶圓置入一個(gè)封閉的真空腔體，打開等離子光源發(fā)生 器，調(diào)整真空腔體的壓力，將氬氣作為反應(yīng)氣體充入反應(yīng)腔體，氬氣分解為電 漿形態(tài)的蝕刻物種，如離子及自由基(Radicals)。在本發(fā)明較佳實(shí)施例中，氬氣在壓力作用下產(chǎn)生的氬離子，氬離子受強(qiáng)電 場加速，形成高能量的離子流轟擊晶圓表面的氧化硅，使氬離子與氧化硅發(fā)生 物理碰撞，從而去除晶圓表面的氧化硅。被氬離子轟擊的氧化硅脫離晶圓表面， 并擴(kuò)散至氣體中并排出。本發(fā)明通過氬離子撞擊的作用有二 一是將氧化硅的原子鍵結(jié)破壞；二是 將再沉積于晶圓的產(chǎn)物或聚合物(Polymer)打掉。在本發(fā)明較佳實(shí)施例中，真空腔體內(nèi)的反應(yīng)參數(shù)分別為氬氣的速率為4sccm (每分鐘一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)立方厘米)，等離子光源的功率為800w (瓦)，反應(yīng)腔體壓力 為9 x 10—4mbar (毫巴)，反應(yīng)時(shí)間為60s (秒)。
權(quán)利要求
1、一種晶圓缺陷的修復(fù)方法，修復(fù)由于苯并環(huán)丁烯氧化形成的氧化硅附著在晶圓表面產(chǎn)生的晶圓缺陷，其特征在于將晶圓置入一個(gè)封閉的真空腔體，充入氬氣，氬氣在壓力作用下產(chǎn)生電漿形態(tài)的蝕刻物種，并在強(qiáng)電場加速作用下轟擊晶圓表面的氧化硅，從而去除晶圓表面的氧化硅。
2、 如權(quán)利要求1所述的一種晶圓缺陷的修復(fù)方法，其特征在于氬氣在壓力作 用下分解為氬離子。
3、 如權(quán)利要求2所述的一種晶圓缺陷的修復(fù)方法，其特征在于氬離子受強(qiáng)電 場加速，形成高能量的離子流轟擊晶圓表面的氧化硅，使氬離子與氧化硅發(fā)生 物理碰撞，從而去除晶圓表面的氧化硅。
全文摘要
本發(fā)明提供一種晶圓缺陷的修復(fù)方法，修復(fù)由于苯并環(huán)丁烯氧化形成的氧化硅附著在晶圓表面產(chǎn)生的晶圓缺陷，首先將晶圓置入一個(gè)封閉的真空腔體，充入氬氣，氬氣在壓力作用下產(chǎn)生電漿形態(tài)的蝕刻物種，并在強(qiáng)電場加速作用下轟擊晶圓表面的氧化硅，從而去除晶圓表面的氧化硅。其中，氬氣在壓力作用下分解為氬離子。氬離子受強(qiáng)電場加速，形成高能量的離子流轟擊晶圓表面的氧化硅，使氬離子與氧化硅發(fā)生物理碰撞，從而去除晶圓表面的氧化硅。與現(xiàn)有技術(shù)相比，一旦發(fā)現(xiàn)苯并環(huán)丁烯受到氧化時(shí)就采用本發(fā)明的修復(fù)方法，避免由于苯并環(huán)丁烯斷裂造成晶圓報(bào)廢，有效提高晶圓的良率。
文檔編號H01L21/02GK101330020SQ200710042410
公開日2008年12月24日 申請日期2007年6月22日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月22日
發(fā)明者王孝遠(yuǎn), 靳永剛 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司