一種電阻加熱晶體生長信號采集控制裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種晶體生長加熱信號采集控制裝置，具體涉及一種對晶體生長爐內(nèi)溫度進行監(jiān)測調(diào)節(jié)的裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]追求高光學質(zhì)量的激光晶體是每個晶體科研工作者的研究方向。傳統(tǒng)的電爐晶體生長方法是利用熱電偶來測量溫度信號并調(diào)節(jié)電源的功率輸出，這種方式控制精度差，容易斷裂，價格昂貴，又由于溫度的滯后性不能及時對爐內(nèi)溫度進行調(diào)節(jié)，所以導致晶體生長界面不穩(wěn)定，從而影響晶體質(zhì)量。
【實用新型內(nèi)容】
[0003]針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，本實用新型的目的在于提供一種電阻加熱晶體生長信號采集控制裝置。
[0004]為了達到上述目的，本實用新型的技術(shù)方案如下:
[0005]—種電阻加熱晶體生長信號采集控制裝置包括:導線、限流電阻、熱偶真空規(guī)管、測量儀表和電源控制卡；其中，所述導線從電阻晶體生長爐的兩個電極引出接入所述熱偶真空規(guī)管的輸入端，在熱偶真空規(guī)管和電極之間接入所述限流電阻，熱偶真空規(guī)管的輸出端接入所述測溫儀表的輸入端，測溫儀表的輸出端連接至所述電源控制卡的輸入端，從而控制電源控制卡的輸出。
[0006]本實用新型的優(yōu)點有:避免了直接測溫帶來的問題，從而解決了因電網(wǎng)波動、溫度波動而引起的晶體缺陷；本實用新型的結(jié)構(gòu)簡單，成本低廉，控制精度高等特點；通過熱偶真空規(guī)管巧妙的將電壓信號的微弱變化變?yōu)閷t內(nèi)的溫度高精度控制，從而有效的保證了晶體生長的穩(wěn)定性和完整性。
【附圖說明】
[0007]圖1為本實用新型電阻加熱晶體生長信號采集控制裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0008]下面結(jié)合附圖，詳細說明本實用新型的【具體實施方式】。
[0009]如圖1所示為本實用新型一種電阻加熱晶體生長信號采集控制裝置的具體實施例，在本實施例中該電阻加熱晶體生長信號采集控制裝置具體包括:導線6、限流電阻2、熱偶真空規(guī)管3、測量儀表4和電源控制卡5 ;其中，導線6從電阻晶體生長爐的兩個電極I引出接入熱偶真空規(guī)管3的輸入端，在熱偶真空規(guī)管3和電極I之間接入限流電阻2，熱偶真空規(guī)管3的輸出端接入測溫儀表4的輸入端，測溫儀表4的輸出端連接至電源控制卡5的輸入端，從而控制電源控制卡5的輸出。
[0010]本實用新型的優(yōu)點有:避免了直接測溫帶來的問題，從而解決了因電網(wǎng)波動、溫度波動而引起的晶體缺陷；本實用新型的結(jié)構(gòu)簡單，成本低廉，控制精度高等特點；通過熱偶真空規(guī)管巧妙的將電壓信號的微弱變化變?yōu)閷t內(nèi)的溫度高精度控制，從而有效的保證了晶體生長的穩(wěn)定性和完整性。
[0011]上述示例只是用于說明本實用新型，本實用新型的實施方式并不限于這些示例，本領(lǐng)域技術(shù)人員所做出的符合本實用新型思想的各種【具體實施方式】都在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種電阻加熱晶體生長信號采集控制裝置，其特征在于，該裝置包括:導線、限流電阻、熱偶真空規(guī)管、測溫儀表和電源控制卡；其中，所述導線從電阻晶體生長爐的兩個電極引出接入所述熱偶真空規(guī)管的輸入端，在熱偶真空規(guī)管和電極之間接入所述限流電阻，熱偶真空規(guī)管的輸出端接入所述測溫儀表的輸入端，測溫儀表的輸出端連接至所述電源控制卡的輸入端，從而控制電源控制卡的輸出。
【專利摘要】本實用新型公開了一種電阻加熱晶體生長信號采集控制裝置，該裝置包括：導線、限流電阻、熱偶真空規(guī)管、測量儀表和電源控制卡；其中，所述導線從電阻晶體生長爐的兩個電極引出接入所述熱偶真空規(guī)管的輸入端，在熱偶真空規(guī)管和電極之間接入所述限流電阻，熱偶真空規(guī)管的輸出端接入所述測溫儀表的輸入端，測溫儀表的輸出端連接至所述電源控制卡的輸入端，從而控制電源控制卡的輸出。本實用新型的結(jié)構(gòu)簡單，成本低廉，控制精度高等特點；通過熱偶真空規(guī)管巧妙的將電壓信號的微弱變化變?yōu)閷t內(nèi)的溫度高精度控制，從而有效的保證了晶體生長的穩(wěn)定性和完整性。
【IPC分類】C30B35/00
【公開號】CN204874832
【申請?zhí)枴緾N201520457166
【發(fā)明人】劉景峰
【申請人】北京奇峰藍達光學科技發(fā)展有限公司
【公開日】2015年12月16日
【申請日】2015年6月30日