1.一種用于電磁繼電器的可調(diào)浪涌負(fù)載試驗(yàn)裝置，其特征在于，該裝置包括：試驗(yàn)操作終端(1)、與所述試驗(yàn)操作終端(1)連接的多個(gè)控制/采集電路(2)，以及與所述控制/采集電路(2)連接的多個(gè)浪涌負(fù)載發(fā)生單元(3)，所述浪涌負(fù)載發(fā)生單元(3)與電磁繼電器一一對(duì)應(yīng)連接，其中，
所述試驗(yàn)操作終端(1)用于向所述控制/采集電路(2)下發(fā)實(shí)驗(yàn)控制命令，并通過(guò)所述控制/采集電路(2)和所述浪涌負(fù)載發(fā)生單元(3)接收電磁繼電器的觸點(diǎn)電流采樣信息；
所述控制/采集電路(2)用于根據(jù)所述實(shí)驗(yàn)控制命令調(diào)節(jié)所述浪涌負(fù)載發(fā)生單元(3)的電阻阻值從而向電磁繼電器輸出浪涌電流；
所述浪涌負(fù)載發(fā)生單元(3)用于在所述控制/采集電路(2)的控制下向電磁繼電器輸出預(yù)定大小的浪涌電流，并采樣電磁繼電器的所述觸點(diǎn)電流采樣信息通過(guò)所述控制/采集電路(2)反饋給所述試驗(yàn)操作終端(1)。
2.如權(quán)利要求1所述的用于電磁繼電器的可調(diào)浪涌負(fù)載試驗(yàn)裝置，其特征在于，所述試驗(yàn)操作終端(1)具體包括：
上位機(jī)(11)，用于設(shè)置浪涌實(shí)驗(yàn)參數(shù)并顯示觸點(diǎn)電流波形；以及
處理器(12)，與所述上位機(jī)(11)連接，用于根據(jù)所述浪涌實(shí)驗(yàn)參數(shù)生成實(shí)驗(yàn)控制命令。
3.如權(quán)利要求2所述的用于電磁繼電器的可調(diào)浪涌負(fù)載試驗(yàn)裝置，其特征在于，所述上位機(jī)(11)為個(gè)人電腦；所述處理器(12)為STM32單片機(jī)。
4.如權(quán)利要求2所述的用于電磁繼電器的可調(diào)浪涌負(fù)載試驗(yàn)裝置，其特征在于，所述控制/采集電路(2)具體包括：板選電路(21)、主控單元(22)、數(shù)據(jù)采集電路(23)和線圈驅(qū)動(dòng)電路(24)，其中，
所述板選電路(21)的使能信號(hào)輸入端與所述處理器(12)的電路選擇信號(hào)輸出引腳連接；
所述主控單元(22)的數(shù)據(jù)采集控制I/O口與所述數(shù)據(jù)采集電路(23)的數(shù)據(jù)輸出引腳連接，所述主控單元(22)的線圈驅(qū)動(dòng)控制I/O口與所述線圈驅(qū)動(dòng)電路(24)的控制輸入端口連接，所述主控單元(22)的CS端口、IN端口和OUT端口與所述處理器(12)的控制與數(shù)據(jù)采集I/O口連接；
所述主控單元(22)、所述數(shù)據(jù)采集電路(23)和所述線圈驅(qū)動(dòng)電路(24)的電源輸入端均與所述板選電路(21)連接。
5.如權(quán)利要求4所述的用于電磁繼電器的可調(diào)浪涌負(fù)載試驗(yàn)裝置，其特征在于，所述板選電路(21)進(jìn)一步包括：
第一繼電器(211)，具有線圈(2111)和常開(kāi)觸點(diǎn)(2112)，所述線圈(2111)的一端與所述常開(kāi)觸點(diǎn)(2112)的一端短接后與電源正極連接；
三極管(212)，其集電極與所述線圈(2111)的另一端連接，其發(fā)射極接地；
第一電阻(213)，一端與所述三極管(212)的基極連接，另一端與所述處理器(12)的電路選擇信號(hào)輸出引腳連接；以及
第二電阻(214)，一端與所述三極管(212)的發(fā)射極連接，另一端與所述處理器(12)的電路選擇信號(hào)輸出引腳連接。
6.如權(quán)利要求4所述的用于電磁繼電器的可調(diào)浪涌負(fù)載試驗(yàn)裝置，其特征在于，所述浪涌負(fù)載發(fā)生單元(3)具體包括：
第三電阻(31)，其第一端與電磁繼電器的動(dòng)合靜觸點(diǎn)連接；
第四電阻(32)，其第一端與所述第三電阻(31)的第二端連接，第二端接地；
第五電阻(33)，其第一端與電磁繼電器的動(dòng)合靜觸點(diǎn)連接；
MOS管(34)，其漏極與所述第五電阻(33)的第二端連接，基極與所述控制/采集電路(2)的Ci端口連接，源極與所述控制/采集電路(2)的Ei端口連接；
第六電阻(35)，其第一端與所述MOS管(34)的漏極連接，第二端與所述MOS管(34)的源極連接；以及
第七電阻(36)，其第一端與所述MOS管(34)的源極連接，第二端接地。
7.如權(quán)利要求6所述的用于電磁繼電器的可調(diào)浪涌負(fù)載試驗(yàn)裝置，其特征在于，所述第三電阻(31)的阻值為7500歐姆；所述第四電阻(32)的阻值為1000歐姆；所述第五電阻(33)的阻值為5.6歐姆；所述第六電阻(35)的阻值為22歐姆；所述第七電阻(36)的阻值為0.1歐姆。
8.如權(quán)利要求6所述的用于電磁繼電器的可調(diào)浪涌負(fù)載試驗(yàn)裝置，其特征在于，所述主控單元(22)為FPGA芯片；所述線圈驅(qū)動(dòng)電路(24)為晶體管陣列，所述晶體管陣列的控制輸入端與所述主控單元(22)的線圈驅(qū)動(dòng)控制I/O口連接，所述晶體管陣列的輸出端口通過(guò)所述浪涌負(fù)載發(fā)生單元(3)與電磁繼電器線圈(W)連接。
9.如權(quán)利要求6所述的用于電磁繼電器的可調(diào)浪涌負(fù)載試驗(yàn)裝置，其特征在于，所述數(shù)據(jù)采集電路(23)進(jìn)一步包括：分壓電路(231)、跟隨電路(232)及A/D轉(zhuǎn)換芯片(233)，其中，
所述浪涌負(fù)載發(fā)生單元(3)的E端口通過(guò)所述分壓電路、所述跟隨電路連接到所述A/D轉(zhuǎn)換芯片的輸入引腳，所述A/D轉(zhuǎn)換芯片的輸出引腳與所述主控單元(22)的數(shù)據(jù)采集控制I/O口連接。
10.如權(quán)利要求6所述的用于電磁繼電器的可調(diào)浪涌負(fù)載試驗(yàn)裝置，其特征在于，所述第四電阻(32)的第一端與所述主控單元(22)連接。