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      一種曝光機(jī)的制作方法

      文檔序號:10768331閱讀:223來源:國知局
      一種曝光機(jī)的制作方法
      【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種曝光機(jī),用以解決現(xiàn)有技術(shù)測得的CD bias不穩(wěn)定的問題。曝光機(jī)包括若干不同曝光距離的基臺,每一所述基臺包括基臺本體和基臺突起,所述基臺本體用于放置待曝光的基板,所述基臺突起用于確定曝光距離,所述曝光距離為所述待曝光的基板與掩膜板之間的距離。
      【專利說明】
      一種曝光機(jī)
      技術(shù)領(lǐng)域
      [0001]本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種曝光機(jī)。
      【背景技術(shù)】
      [0002]液晶顯示面板(Liquid Crystal Display,LCD)是目前常用的平板顯示器,LCD的制程包括膜層的沉積以及膜層的曝光,其中曝光過程在整個LCD制程中起著關(guān)鍵的作用,而曝光機(jī)的性能直接影響LCD的品質(zhì)。目前通過檢測顯影后像素條的線寬與掩膜板上線寬的差值(⑶bias),測得的⑶bias越穩(wěn)定,表示曝光機(jī)的性能越好。
      [0003]如圖1所示,SI表示顯影后像素條的線寬,S2表示掩膜板上的線寬,CDbias = Sl_S2,圖中10表示襯底基板,11表示黑矩陣,12表示紅色(R)、綠色(G)和藍(lán)色(B)彩膜層,13表示覆蓋彩膜層的保護(hù)層。
      [0004]現(xiàn)有技術(shù)曝光過程的示意圖如圖2所示,曝光機(jī)包括基臺22,以及位于基臺22上方的燈罩21。曝光時,將待曝光的基板23放置在基臺22上,在基板23的正上方放置掩膜板24,通過位于燈罩21中的燈發(fā)出的光線照射掩膜板24進(jìn)行曝光。曝光過程中,基板23與掩膜板24之間的距離設(shè)置直接影響曝光的精確度,若基板23與掩膜板24之間的距離不準(zhǔn)確,則會導(dǎo)致顯影后像素條的線寬發(fā)生偏移,使得測得的CD bias不穩(wěn)定。
      [0005]現(xiàn)有技術(shù)在確定基板23與掩膜板24之間的距離時,采用設(shè)置在基臺22上的墊片25進(jìn)行確定,在曝光時,基臺22向上移動,在放置掩膜板24的位置處設(shè)置一感應(yīng)裝置,當(dāng)感應(yīng)裝置感應(yīng)到墊片25與掩膜板24接觸時,基臺22停止運(yùn)動,按照此時基板23與掩膜板24之間的距離進(jìn)行曝光。在曝光過程中,通過調(diào)節(jié)墊片25的高度調(diào)節(jié)基板23與掩膜板24之間的距離,但由于墊片25使用過程中容易發(fā)生磨損,會導(dǎo)致基板23與掩膜板24之間的距離不準(zhǔn)確,會導(dǎo)致顯影后像素條的線寬發(fā)生偏移,使得測得的CD bias不穩(wěn)定。
      [0006]綜上所述,現(xiàn)有技術(shù)的曝光機(jī)在曝光時存在待曝光的基板與掩膜板之間的距離不準(zhǔn)確的問題,使得測得的CD bias不穩(wěn)定。
      【實(shí)用新型內(nèi)容】
      [0007]本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種曝光機(jī),用以解決現(xiàn)有技術(shù)測得的CDbias不穩(wěn)定的問題。
      [0008]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種曝光機(jī),包括若干不同曝光距離的基臺,每一所述基臺包括基臺本體和基臺突起,所述基臺本體用于放置待曝光的基板,所述基臺突起用于確定曝光距離,所述曝光距離為所述待曝光的基板與掩膜板之間的距離。
      [0009]由本實(shí)用新型實(shí)施例提供的曝光機(jī),包括若干不同曝光距離的基臺,每一基臺包括基臺本體和基臺突起,基臺本體用于放置待曝光的基板,基臺突起用于確定曝光距離。本實(shí)用新型實(shí)施例通過基臺突起代替現(xiàn)有技術(shù)中較易磨損的墊片,能夠準(zhǔn)確的確定待曝光的基板與掩膜板之間的距離,進(jìn)而使得測得的CD bias較穩(wěn)定。
      [0010]較佳地,所述基臺本體與所述基臺突起一體設(shè)置。[0011 ]較佳地,基臺還包括連接部,所述基臺突起通過所述連接部與所述基臺本體連接。
      [0012]較佳地,還包括與所述連接部相連的控制器,所述控制器用于通過控制所述連接部運(yùn)動,控制所述基臺突起所在平面與所述基臺本體所在平面之間的距離。
      [0013]較佳地,所述基臺突起關(guān)于所述基臺本體的中心軸線呈對稱分布。
      [0014]較佳地,所述基臺突起的截面形狀為矩形或三角形。
      【附圖說明】
      [0015]圖1為現(xiàn)有技術(shù)測量⑶bias的不意圖;
      [0016]圖2為現(xiàn)有技術(shù)提供的曝光機(jī)的部分結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0017]圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的一種曝光機(jī)的部分結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0018]圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例二提供的一種曝光機(jī)的部分結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0019]圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例三提供的一種曝光機(jī)的部分結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0020]圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種曝光機(jī)的曝光方法流程圖。
      【具體實(shí)施方式】
      [0021]本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種曝光機(jī),用以解決現(xiàn)有技術(shù)測得的CDbias不穩(wěn)定的問題。
      [0022]為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚,下面將結(jié)合附圖對本實(shí)用新型作進(jìn)一步地詳細(xì)描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實(shí)施例,都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
      [0023]下面結(jié)合附圖詳細(xì)介紹本實(shí)用新型具體實(shí)施例提供的曝光機(jī)。
      [0024]如圖3所示,本實(shí)用新型具體實(shí)施例提供了一種曝光機(jī),包括若干不同曝光距離的基臺30(圖中僅示出了一個曝光距離的基臺),每一基臺30包括基臺本體31和基臺突起32,基臺本體31用于放置待曝光的基板23,基臺突起32用于確定曝光距離,曝光距離為待曝光的基板23與掩膜板24之間的距離。
      [0025]本實(shí)用新型具體實(shí)施例在確定待曝光的基板與掩膜板之間的距離時,采用基臺突起代替現(xiàn)有技術(shù)中的墊片,基臺突起在使用過程中不易磨損,能夠準(zhǔn)確的確定待曝光的基板與掩膜板之間的距離,進(jìn)而使得測得的CD bias較穩(wěn)定。
      [0026]下面具體介紹本實(shí)用新型具體實(shí)施例基臺的具體設(shè)置。
      [0027]實(shí)施例一:
      [0028]如圖3所示,本實(shí)用新型具體實(shí)施例中的基臺本體31與基臺突起32—體設(shè)置。本實(shí)用新型具體實(shí)施例不同曝光距離的基臺30的基臺突起32所在的平面與基臺本體31所在的平面之間的距離不同。
      [0029]這種設(shè)置方式在曝光過程中,若待曝光的基板與掩膜板之間所需的距離的值為N個,則曝光機(jī)中需要預(yù)先安裝N個不同的基臺,在曝光過程中,根據(jù)所需的距離選擇其中一個基臺,采用該基臺進(jìn)行曝光,其中,N為正整數(shù)。若N的值較多時,需要設(shè)定的基臺的數(shù)量也較多,在一定程度上增加了曝光機(jī)的設(shè)計難度。
      [0030]實(shí)施例二:
      [0031]如圖4所示,本實(shí)用新型具體實(shí)施例中的基臺還包括連接部41,基臺突起32通過連接部41與基臺本體31連接。優(yōu)選地,本實(shí)用新型具體實(shí)施例基臺突起32與基臺本體31的材料相同,當(dāng)基臺突起32與基臺本體31的材料相同時,在實(shí)際選材方面更加方便、簡單。在實(shí)際設(shè)計中,基臺突起32的材料也可以與基臺本體31的材料不同,可以選擇其它耐磨的材料。
      [0032]這種方式雖然在設(shè)置基臺突起時更加靈活,并在選擇基臺突起的材料時更加多樣化,但這種方式與本實(shí)用新型具體實(shí)施例一類似,在曝光過程中,曝光機(jī)需要設(shè)定的基臺的數(shù)量也較多,在一定程度上也增加了曝光機(jī)的設(shè)計難度。
      [0033]實(shí)施例三:
      [0034]如圖5所示,本實(shí)用新型具體實(shí)施例還包括與連接部41相連的控制器51,控制器51用于通過控制連接部41運(yùn)動,控制基臺突起32所在平面與基臺本體31所在平面之間的距離。
      [0035]具體地,本實(shí)用新型具體實(shí)施例可以通過控制器51控制連接部41沿著基臺本體31運(yùn)動,進(jìn)而控制基臺突起32與基臺本體31之間的垂直距離,對于同一個基臺,能夠得到多個基臺突起32與基臺本體31之間的垂直距離。
      [0036]與本實(shí)用新型具體實(shí)施例一和實(shí)施例二相比,在曝光過程中,曝光機(jī)需要設(shè)定的基臺的數(shù)量減小,在一定程度上降低了曝光機(jī)的設(shè)計難度。
      [0037]如圖3、圖4和圖5所示,本實(shí)用新型具體實(shí)施例中的基臺突起32關(guān)于基臺本體31的中心軸線呈對稱分布,基臺突起32的截面形狀為矩形或三角形,圖中僅示出了基臺突起32的截面形狀為矩形,在實(shí)際設(shè)計中,基臺突起的截面形狀還可以設(shè)計為其它形狀,如設(shè)計為多邊形,本實(shí)用新型具體實(shí)施例并不對基臺突起的截面形狀做限定。
      [0038]如圖6所示,采用本實(shí)用新型具體實(shí)施例提供的上述曝光機(jī)進(jìn)行曝光的方法,包括:
      [0039]S601、根據(jù)預(yù)先設(shè)置的曝光參數(shù),選擇所需曝光距離的基臺,將該基臺固定在掩膜板的正下方;所述曝光距離為待曝光的基板與所述掩膜板之間的距離;
      [0040]S602、當(dāng)基臺突起與所述掩膜板接觸時,按照所述預(yù)先設(shè)置的曝光參數(shù)進(jìn)行曝光。
      [0041]下面以本實(shí)用新型具體實(shí)施例在曝光過程中所需的曝光距離分別為250μπι、150μπι和75μπι為例,介紹對待曝光的基板進(jìn)行曝光的方法。
      [0042]對所需的曝光距離為250μπι的待曝光的基板進(jìn)行曝光時,本實(shí)用新型具體實(shí)施例以待曝光的基板的厚度為500μπι為例進(jìn)行介紹,首先,曝光機(jī)根據(jù)預(yù)先設(shè)置的待曝光的基板與掩膜板之間的距離為250μπι的曝光參數(shù),選擇基臺突起部分所在平面與基臺本體所在平面之間的距離為750μηι的基臺,將該基臺固定在掩膜板的正下方;接著,曝光機(jī)自動調(diào)節(jié)基臺的高度,當(dāng)基臺突起與掩膜板接觸時,基臺停止上升,此時待曝光的基板與掩膜板之間的距離為250μπι;最后按照預(yù)先設(shè)置的曝光參數(shù)對待曝光的基板進(jìn)行曝光。
      [0043]采用上述方法對多片所需的曝光距離為250μπι的待曝光的基板進(jìn)行曝光,并對曝光后的基板進(jìn)行顯影,測試每一個待曝光的基板顯影后的CD bias。通過測得結(jié)果可以得到采用本實(shí)用新型具體實(shí)施例的曝光機(jī)進(jìn)行曝光時,測得的CD bias穩(wěn)定,能夠很好的保證后續(xù)制作得到的LCD面板的品質(zhì)。
      [0044]對所需的曝光距離為150μπι的待曝光的基板進(jìn)行曝光時,本實(shí)用新型具體實(shí)施例以待曝光的基板的厚度為500μπι為例進(jìn)行介紹,首先,曝光機(jī)根據(jù)預(yù)先設(shè)置的待曝光的基板與掩膜板之間的距離為150μπι的曝光參數(shù),選擇基臺突起部分所在平面與基臺本體所在平面之間的距離為650μηι的基臺,將該基臺固定在掩膜板的正下方;接著,曝光機(jī)自動調(diào)節(jié)基臺的高度,當(dāng)基臺突起與掩膜板接觸時,基臺停止上升,此時待曝光的基板與掩膜板之間的距離為150μπι;最后按照預(yù)先設(shè)置的曝光參數(shù)對待曝光的基板進(jìn)行曝光。
      [0045]同樣地,采用上述方法對多片所需的曝光距離為150μπι的待曝光的基板進(jìn)行曝光,并對曝光后的基板進(jìn)行顯影,測試每一個待曝光的基板顯影后的CD bias。通過測得結(jié)果可以得到采用本實(shí)用新型具體實(shí)施例的曝光機(jī)進(jìn)行曝光時,測得的CD bias穩(wěn)定。
      [0046]對所需的曝光距離為75μπι的待曝光的基板進(jìn)行曝光時,本實(shí)用新型具體實(shí)施例以待曝光的基板的厚度為500μπι為例進(jìn)行介紹,首先,曝光機(jī)根據(jù)預(yù)先設(shè)置的待曝光的基板與掩膜板之間的距離為75μπι的曝光參數(shù),選擇基臺突起部分所在平面與基臺本體所在平面之間的距離為575μηι的基臺,將該基臺固定在掩膜板的正下方;接著,曝光機(jī)自動調(diào)節(jié)基臺的高度,當(dāng)基臺突起與掩膜板接觸時,基臺停止上升,此時待曝光的基板與掩膜板之間的距離為75μπι;最后按照預(yù)先設(shè)置的曝光參數(shù)進(jìn)行曝光。
      [0047]同樣地,采用上述方法對多片所需的曝光距離為75μπι的待曝光的基板進(jìn)行曝光,并對曝光后的基板進(jìn)行顯影,測試每一個待曝光的基板顯影后的CD bias。通過測得結(jié)果可以得到采用本實(shí)用新型具體實(shí)施例的曝光機(jī)進(jìn)行曝光時,測得的CD bias穩(wěn)定。
      [0048]綜上所述,本實(shí)用新型具體實(shí)施例提供一種曝光機(jī),包括若干不同曝光距離的基臺,每一基臺包括基臺本體和基臺突起,基臺本體用于放置待曝光的基板,基臺突起用于確定曝光距離,曝光距離為待曝光的基板與掩膜板之間的距離。本實(shí)用新型具體實(shí)施例通過基臺突起代替現(xiàn)有技術(shù)中較易磨損的墊片,能夠準(zhǔn)確的確定待曝光的基板與掩膜板之間的距離,進(jìn)而使得測得的⑶bias較穩(wěn)定。
      [0049]顯然,本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本實(shí)用新型進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍。這樣,倘若本實(shí)用新型的這些修改和變型屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi),則本實(shí)用新型也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
      【主權(quán)項(xiàng)】
      1.一種曝光機(jī),其特征在于,包括若干不同曝光距離的基臺,每一所述基臺包括基臺本體和基臺突起,所述基臺本體用于放置待曝光的基板,所述基臺突起用于確定曝光距離,所述曝光距離為所述待曝光的基板與掩膜板之間的距離。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光機(jī),其特征在于,所述基臺本體與所述基臺突起一體設(shè)置。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光機(jī),其特征在于,所述基臺還包括連接部,所述基臺突起通過所述連接部與所述基臺本體連接。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的曝光機(jī),其特征在于,還包括與所述連接部相連的控制器,所述控制器用于通過控制所述連接部運(yùn)動,控制所述基臺突起所在平面與所述基臺本體所在平面之間的距離。5.根據(jù)權(quán)利要求2或4所述的曝光機(jī),其特征在于,所述基臺突起關(guān)于所述基臺本體的中心軸線呈對稱分布。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的曝光機(jī),其特征在于,所述基臺突起的截面形狀為矩形或三角形。
      【文檔編號】G03F7/20GK205450559SQ201521142679
      【公開日】2016年8月10日
      【申請日】2015年12月31日
      【發(fā)明人】凡明明
      【申請人】阜陽欣奕華材料科技有限公司
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