一種四相位射頻器件的制作方法
【專利說明】
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)、通信系統(tǒng)、雷達(dá)系統(tǒng)。尤其適用于衛(wèi)星導(dǎo)航的全方位接收天線。
【【背景技術(shù)】】
[0002]對(duì)于靜態(tài)或移動(dòng)中的接收設(shè)備，希望全方位(360度)接收信號(hào)，為了達(dá)到全方位接收，即O度相位、90度相位、180度相位和270度相位的接收，需要四個(gè)移相器或多個(gè)耦合器，其成本高，體積大，工作頻率帶受限，很難同時(shí)滿足體積小、成本低、等功率、工作頻帶寬的要求。
【【實(shí)用新型內(nèi)容】】
[0003]為實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的目的，提供一種四相位射頻器件，旨在解決現(xiàn)有的射頻器件工作頻率帶受限，很難同時(shí)滿足體積小、成本低、等功率、工作頻帶寬的要求的問題。
[0004]本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案是:一種四相位射頻器件，其包括:晶體芯片，以及制作在該晶體芯片上的巴倫、兩個(gè)耦合器和兩個(gè)負(fù)載，該巴倫的兩個(gè)輸出端分別與該兩個(gè)耦合器的輸入端相連接，該兩個(gè)耦合器的隔離端分別接有一個(gè)負(fù)載。
[0005]進(jìn)一步地，該巴倫的輸入端作為本四相位射頻器件的輸入端，其中一個(gè)所述耦合器的直通端、耦合端分別作為該四相位射頻器件的兩個(gè)輸出端，另一個(gè)所述耦合器的直通端、該耦合器的耦合端作為該四相位射頻器件的另外兩個(gè)輸出端，該四相位射頻器件相鄰的輸出端的相位相差90度。
[0006]進(jìn)一步地，親合器是3dB親合器。
[0007]進(jìn)一步地，該負(fù)載是50歐姆負(fù)載。
[0008]進(jìn)一步地，該晶體芯片經(jīng)封裝前或封裝后的管腳順序按四個(gè)相位大小順序順時(shí)針或逆時(shí)針排列。
[0009]本實(shí)用新型的有益效果是:可以獲得一個(gè)等功率，四個(gè)相位(O度、90度、180度、270度)的輸出端的四相位射頻器件，其集成度高、體積小工作頻帶寬、尤其適用于全方位信號(hào)接收或發(fā)射天線，不需外接負(fù)載。
[0010]因此本實(shí)用新型提供的四相位射頻器件具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0011](I)可用于全方位接收/發(fā)射天線；
[0012](2)集成度高，體積?。?br>[0013](3)可四相位輸出(O度，90度，180度，270度)；
[0014](4)相位精度不隨輸入頻率的改變而改變，相位精度高；
[0015](5)成本低。
【【附圖說明】】
[0016]圖1是本實(shí)用新型第一實(shí)施例一種四相位射頻器件的電路結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]圖2是一個(gè)將該四相位射頻器件(該晶體芯片)封裝后的射頻集成電路的底視圖(從底部向上看的示意圖)。
【【具體實(shí)施方式】】
[0018]請(qǐng)參閱圖1，它是本實(shí)用新型第一實(shí)施例一種四相位射頻器件的電路結(jié)構(gòu)示意圖。四相位射頻器件上的晶體芯片制作有一個(gè)巴倫1，兩個(gè)耦合器2、3，以及兩個(gè)負(fù)載4-1、4-2。該巴倫I的輸入端1-1作為本四相位射頻器件的輸入端1-1，該巴倫I的兩個(gè)平衡輸出端1-2和1-3分別連接到該耦合器2、3的輸入端2-1、3-1，比如，該巴倫I的O度的輸出端1_2連接到該耦合器2的輸入端2-1，該巴倫I的180度的輸出端1-3連接到該耦合器3的輸入端3-1 ;該耦合器2的直通端2-3、該耦合器2的耦合端2-4作為該四相位射頻器件的兩個(gè)輸出端。直通端2-3與耦合端2-4的相位相差90度；該耦合器3的直通端3-3、該耦合器3的耦合端3-4作為該四相位射頻器件的另外兩個(gè)輸出端。同樣，該直通端3-3與耦合端
3-4的相位相差也是90度。該耦合器2的隔離端2-2與該負(fù)載4-1的一端相連接，該負(fù)載
4-1的另一端是接地端5-2，該耦合器3的隔離端3-2與該負(fù)載4-2的一端相連接，該負(fù)載4-2的另一端是接地端5-3。這樣設(shè)計(jì)和制作的該晶體芯片就是一個(gè)四相位射頻器件，每?jī)蓚€(gè)相鄰的輸出端的相位相差90度。該晶體芯片經(jīng)封裝后就是一個(gè)集成度高、體積小、不需要再外接負(fù)載的四相位射頻器件的射頻集成電路(IC)。
[0019]該巴倫的接地端5-1、該負(fù)載的接地端5-2和5-3最后與應(yīng)用設(shè)備的接地端相連接。耦合器2和3的類型選用3dB耦合器(有時(shí)可稱為90度電橋)，即該耦合器2的直通端2-3與該耦合器2的耦合端2-4的相位相差90度，耦合器3的直通端3_3與該耦合器3的耦合端3-4的相位相差90度，而巴倫I的輸出端1-2和1-3的相位相差180度，這樣就可以得到一個(gè)四相位(輸出端)的射頻器件，相鄰輸出端的相位相差90度。該負(fù)載選用50歐姆負(fù)載。當(dāng)然，該耦合器2和3也可以選用定向耦合器，但要求其直通端與耦合端的相位差是90度或接近90度為佳。該負(fù)載4-1和4-2也不限于50歐姆負(fù)載，但通常選用50歐姆負(fù)載為佳。
[0020]考慮到使用方便，在設(shè)計(jì)該晶體芯片時(shí)，將輸出端的管腳按相鄰輸出端相位差90度的方法，將輸出端的相位差順序按順時(shí)針或逆時(shí)針來布線設(shè)計(jì)，即O度(360度)，-90度，-180度，-270度的順序順時(shí)針布線設(shè)計(jì)管腳，或逆時(shí)針來布線設(shè)計(jì)，即-270度，-180度，-90度，O度(360度)的順序逆時(shí)針布線設(shè)計(jì)管腳。即該晶體芯片經(jīng)封裝前或封裝后的管腳順序按四個(gè)相位大小順序順時(shí)針或逆時(shí)針排列，除接地端外，每個(gè)相鄰輸出端的相位差是90度。
[0021]該晶體芯片就成為一種四相位射頻器件，將該四相位射頻器件封裝后的射頻集成電路的管腳易于使用安裝。
[0022]圖2是一個(gè)將該四相位射頻器件封裝后的射頻集成電路的底視圖(從底部向上看的示意圖)。在一個(gè)實(shí)施例中，該封裝后的四相位射頻器件的尺寸為3mm(長(zhǎng))*3mm(寬)*0.8mm(厚)，其中該封裝后的四相位射頻器件的管腳P15，是該四相位射頻器件的輸入端1-1，該管腳P4是該四相位射頻器件的輸出端2-3，該管腳P6是該輸出端2-4，該管腳P7是該輸出端3-3，該管腳P9是該輸出端3_4，其它管腳是接地端，與外部公共地相連接。這樣的布線，每個(gè)相鄰輸出端的相位差是90度，便于使用。在其他實(shí)施例中，封裝后的四相位射頻器件的尺寸根據(jù)實(shí)際情況設(shè)定。
[0023]S卩，該晶體芯片封裝前或經(jīng)封裝后的管腳順序按四個(gè)相位大小順序順時(shí)針或逆時(shí)針排列。
[0024]以上所述，僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并非用于限定本實(shí)用新型的保護(hù)范圍，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種四相位射頻器件，其包括:晶體芯片，以及制作在該晶體芯片上的巴倫、兩個(gè)耦合器和兩個(gè)負(fù)載，其特征在于:該巴倫的兩個(gè)輸出端分別與該兩個(gè)耦合器的輸入端相連接，該兩個(gè)耦合器的隔離端分別接有一個(gè)負(fù)載。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的四相位射頻器件，其特征在于:該巴倫的輸入端作為本四相位射頻器件的輸入端，其中一個(gè)所述耦合器的直通端、耦合端分別作為該四相位射頻器件的兩個(gè)輸出端，另一個(gè)所述耦合器的直通端、該耦合器的耦合端作為該四相位射頻器件的另外兩個(gè)輸出端，該四相位射頻器件相鄰的輸出端的相位相差90度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的四相位射頻器件，其特征在于:耦合器是3dB耦合器。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的四相位射頻器件，其特征在于:該負(fù)載是50歐姆負(fù)載。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的四相位射頻器件，其特征在于:該晶體芯片經(jīng)封裝前或封裝后的管腳順序按四個(gè)相位大小順序順時(shí)針或逆時(shí)針排列。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種四相位射頻器件，其包括：晶體芯片，以及制作在該晶體芯片上的巴倫、兩個(gè)耦合器和兩個(gè)負(fù)載，該巴倫的兩個(gè)輸出端分別與該兩個(gè)耦合器的輸入端相連接，該兩個(gè)耦合器的隔離端分別接有一個(gè)負(fù)載。該巴倫的輸入端作為該四相位射頻器件的輸入端，該兩個(gè)耦合器的直通端和耦合端分別作為該四相位射頻器件的四個(gè)輸出端。
【IPC分類】H01P5-12, H01P1-18, H01Q3-34
【公開號(hào)】CN204441427
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520142514
【發(fā)明人】閻躍軍, 彭志珊
【申請(qǐng)人】深圳市研通高頻技術(shù)有限公司
【公開日】2015年7月1日
【申請(qǐng)日】2015年3月12日