專利名稱：面內(nèi)切換模式液晶顯示器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種面內(nèi)切換(in-plane switching, IPS)模式液晶顯示器(LCD) 及其制造方法，并且更具體地，涉及一種能夠提高開口率、提高生產(chǎn)合格率及 改進(jìn)其他特征的IPS模式LCD及其制造方法。
背景技術(shù)：
隨著用戶對(duì)于信息顯示器興趣的增長以及對(duì)于便攜式(可移動(dòng)的)信息設(shè) 備要求的增加，對(duì)輕薄的平面顯示器(FPD)的研究和商業(yè)化也在增加。
在FPD中，液晶顯示器(LCD)是一種利用液晶的光學(xué)各向異性來顯示 圖像的設(shè)備。因?yàn)長CD設(shè)備展示出優(yōu)越的分辨率以及色彩和畫面質(zhì)量，所以 它被廣泛地應(yīng)用于筆記本電腦或桌上型顯示器等。
LCD包括濾色鏡基板、第一基板、陣列基板、第二基板和形成于濾色鏡 基板和陣列基板之間的液晶層。濾色鏡基板包括具有多個(gè)子濾色鏡(實(shí)施紅、 綠和藍(lán)色光過濾)的濾色鏡、用于區(qū)分子濾色鏡并阻止光透過液晶層的黑色矩 陣以及用于將電壓施加至液晶層的透明公共電極。陣列基板包括垂直和水平 地排列以限定多個(gè)像素區(qū)的柵極線和數(shù)據(jù)線、形成在柵極線和數(shù)據(jù)線的各交叉 處的TFT (薄膜晶體管)開關(guān)元件以及形成在像素區(qū)上的像素電極。
濾色鏡基板和陣列基板由形成在圖像顯示區(qū)邊緣的密封劑以相互面對(duì)的 方式附接以形成液晶面板，并且濾色鏡基板和陣列基板的附接由形成在濾色鏡 基板或陣列基板上的附接栓(attachmentkey)實(shí)施。
上述LCD稱為扭曲向列(TN)模式LCD，在扭曲向列模式LCD中，向 列相液晶分子在垂直于基板的方向上被驅(qū)動(dòng)，缺點(diǎn)在于其視角十分狹窄，大約 卯°。這源于液晶分子的折射各向異性，因?yàn)樵陔妷罕皇┘拥揭壕э@示面板時(shí)， 水平于基板排列的液晶分子變成基本上排列在垂直于基板的方向上。
因此，人們提出了面內(nèi)切換(IPS)模式LCD，在面內(nèi)切換模式LCD中， 液晶分子在水平于基板的方向被驅(qū)動(dòng)，從而使視角提高到超過170°。 IPS模式圖1是示出相關(guān)技術(shù)的IPS模式LCD的陣列基板的一部分的平面視圖。 N條柵極線和M條數(shù)據(jù)線彼此交叉地形成，以在陣列基板上限定MxN個(gè)像素。 然而，為了簡便，僅在附圖中示出一個(gè)像素。圖2是示出沿圖1中的陣列基板 的I-I，線截取的截面的示意性視圖，其中陣列基板和附接至陣列基板的濾色鏡 基板被一起示出。
如圖1和2中所示，柵極線16和數(shù)據(jù)線17垂直和水平地形成以在透明陣 列基板10上限定像素區(qū)，并且TFT(T)開關(guān)元件形成在柵極線16和數(shù)據(jù)線17 的交叉處。TFT(T)包括與柵極線16連接的柵極21、與數(shù)據(jù)線17連接的源極 22和通過像素電極線181與像素電極18連接的漏極23。 TFT還包括用于使 柵極21與源極22、漏極23絕緣的第一絕緣膜15a;以及用于通過施加至柵極 21的柵極電壓在源極22和漏極23之間形成導(dǎo)電溝道的有源圖案(active pattern) 24。作為參考，參考標(biāo)號(hào)25表示允許有源圖案24的源極區(qū)和漏極區(qū) 與源極22和漏極23進(jìn)行歐姆接觸的歐姆接觸層。
在像素區(qū)，公共線81和存儲(chǔ)電極18s排列在與柵極線16平行的方向上， 并且多個(gè)公共電極8和多個(gè)像素電極18排列成與數(shù)據(jù)線17平行。此時(shí)，存儲(chǔ) 電極18s和公共電極8產(chǎn)生面內(nèi)場90以轉(zhuǎn)換液晶分子30。多個(gè)公共電極8與 柵極線16同時(shí)形成，并與公共線81連接，而多個(gè)像素電極18與數(shù)據(jù)線17同 時(shí)形成，并與像素電極線181和存儲(chǔ)電極18s連接。此外，與像素電極線181 連接的像素電極18通過像素電極線181電連接到TFT(T)的漏極23。存儲(chǔ)電極 18s與下方的公共線81的一部分交疊，利用插入在存儲(chǔ)電極18s和下方的公共 線81之間的第一絕緣膜15a形成存儲(chǔ)電容器Cst。
在透明濾色鏡基板5上，形成有防止光泄漏至TFT(T)、柵極線16和數(shù)據(jù) 線17的黑色矩陣6，以及實(shí)現(xiàn)紅、綠和藍(lán)色光過濾的濾色鏡7。決定液晶分子 30的初始排列方向的對(duì)準(zhǔn)膜(未示出)涂覆在陣列基板10和濾色鏡基板5的 相互面對(duì)的表面上。
在具有這樣一種結(jié)構(gòu)的相關(guān)技術(shù)的面內(nèi)模式LCD中，公共電極8和像素 電極18形成在相同的陣列基板10上以產(chǎn)生面內(nèi)場，因此可以改善視角。
然而，因?yàn)樵谙袼貐^(qū)中布置的是由不透明材料制成的公共電極8和像素電 極18，另外，提供的公共線81由不透明導(dǎo)電材料構(gòu)成，所以開口率被降低，因而降低了亮度。
此外，因?yàn)楣簿€81形成在其上形成有柵極線16的層上，靠近柵極線16， 所以公共線81可能與柵極線16發(fā)生短路。
發(fā)明內(nèi)容
因此，為了解決以上問題，提出在此描述的各種特征。示例性實(shí)施方式的 一個(gè)方面在于提供一種面內(nèi)切換(IPS)模式液晶顯示器(LCD)及其制造方 法，通過利用透明導(dǎo)電材料形成多個(gè)公共電極和像素電極以及形成基本上平行 于多條數(shù)據(jù)線的多條公共線，能夠提高開口率。
本發(fā)明的另一方面在于提供一種IPS模式LCD及其制造方法，通過在多 條數(shù)據(jù)線的方向上形成短于整個(gè)柵極線的多條公共線而減小多條公共線的總 電阻，能夠穩(wěn)定公共電壓。
本發(fā)明的再一方面在于提供一種IPS模式LCD及其制造方法，通過排列 多條公共線使其橫貫多條柵極線并且將絕緣膜插入在公共線和柵極線之間，能 夠防止多條柵極線與多條公共線短路。
本說明書提供了用于IPS模式LCD的本發(fā)明的實(shí)施方式，其包括排列
在陣列基板的第一方向的多條柵極線；排列在基本上垂直于第一方向的第二方 向的多條數(shù)據(jù)線，多條柵極線和多條數(shù)據(jù)線在所述陣列基板上限定多個(gè)像素 區(qū)；設(shè)置在陣列基板上的至少一個(gè)存儲(chǔ)電極；延伸通過每個(gè)像素區(qū)的多個(gè)公共 電極；排列成基本上平行于多個(gè)公共電極的多個(gè)像素電極，多個(gè)公共電極和多 個(gè)像素電極交替地排列以在每個(gè)像素區(qū)中產(chǎn)生面內(nèi)場；設(shè)置在多條柵極線和多 條數(shù)據(jù)線的交叉區(qū)的多個(gè)薄膜晶體管(TFT)，每個(gè)TFT包括連接至對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù) 線的源極、連接至對(duì)應(yīng)像素電極的漏極、以及柵極；以及位于像素區(qū)中的各公 共電極之下的至少一條公共線，公共線基本上平行于多條數(shù)據(jù)線。
針對(duì)IPS模式LCD的制造方法，本說明書還提供了本發(fā)明的另一實(shí)施方 式，其包括形成排列于第一方向的多條柵極線以及排列在基本上垂直于第一 方向的第二方向的多條數(shù)據(jù)線，多條柵極線和多條數(shù)據(jù)線在陣列基板上限定多 個(gè)像素區(qū)；在陣列基板上形成存儲(chǔ)電極；形成延伸通過每個(gè)像素區(qū)的多個(gè)公共 電極；形成基本上平行于多個(gè)公共電極排列的多個(gè)像素電極，多個(gè)公共電極和 多個(gè)像素電極交替地排列以在每個(gè)像素區(qū)中產(chǎn)生面內(nèi)場；在多條柵極線和多條數(shù)據(jù)線的交叉區(qū)形成薄膜晶體管(TFT),每個(gè)TFT包括連接至對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)線的 源極、連接至對(duì)應(yīng)像素電極的漏極、以及柵極；以及在像素區(qū)中的多個(gè)公共電 極中的一個(gè)公共電極之下形成公共線，公共線基本上平行于多條數(shù)據(jù)線。
針對(duì)IPS模式LCD的制造方法，本說明書還提供了本發(fā)明的又一實(shí)施方 式，其包括在第一基板上形成柵極和柵極線；在第一基板上形成第一絕緣層; 在第一基板上形成有源圖案；在第一基板上形成源極和漏極，并形成與柵極線 相交的數(shù)據(jù)線以限定像素區(qū)；在第一基板上形成存儲(chǔ)電極；在第一基板的像素 區(qū)中沿基本上平行于數(shù)據(jù)線的方向形成至少一條公共線；在第一基板上形成第 二絕緣層；以及形成交替地布置在第一基板的像素區(qū)中的多個(gè)公共電極和像素 電極以產(chǎn)生面內(nèi)場，使得至少一個(gè)公共電極位于公共線的上部。
當(dāng)結(jié)合附圖閱讀本發(fā)明的下列詳細(xì)說明時(shí)，本發(fā)明的前述和其他目的、特 征、方面和優(yōu)點(diǎn)將變得更加顯而易見。
由下文給出的詳細(xì)描述和附圖，本發(fā)明將得到更充分的理解，但是所述附 圖僅僅作為示例給出，并非用于限制本發(fā)明，其中
圖1是示出相關(guān)技術(shù)的面內(nèi)切換(IPS)模式液晶顯示器(LCD)的陣列 基板的一部分的平面視圖2是示意性示出相關(guān)技術(shù)的IPS模式LCD結(jié)構(gòu)的剖視圖3是根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施方式示出IPS模式LCD的陣列基板 的一部分的平面視圖4A至4D是順序示出沿圖3中的陣列基板的線nia-IIIa'-ma"、 IIIb-IIIb 和IIIc-IIIc截取的制造工藝的剖視圖5A至5D是順序示出圖3中的陣列基板的制造工藝的平面視圖6A至6F是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式具體示出在圖4B和5B的陣列 基板上形成的第二掩模工藝的剖視圖7是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式繼續(xù)示出IPS模式LCD中的視角補(bǔ)償原理 的視圖8是根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式繼續(xù)示出IPS模式LCD的陣列基板的 一部分的平面視圖；以及圖9是根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施方式繼續(xù)示出IPS模式LCD的陣列基板的 一部分的平面視圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將參照附圖詳細(xì)地描述面內(nèi)切換(IPS)模式液晶顯示器(LCD)及 其制造方法。盡管以某些具體的方式來描述本發(fā)明，但很顯然本發(fā)明可以很多 方式變化。這些變化不應(yīng)視為背離了本發(fā)明的精神和范圍，并且對(duì)于所屬技術(shù) 領(lǐng)域的技術(shù)人員顯而易見的是，所有這樣的修改均涵蓋在所附權(quán)利要求的范圍 內(nèi)。
圖3是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式示出IPS模式LCD的陣列基板的一部 分的平面視圖。N條柵極線和M條數(shù)據(jù)線彼此交叉地形成以在陣列基板上限 定MxN個(gè)像素。然而，為了簡潔，僅在附圖上示出了唯一的一個(gè)像素。
如圖3中所示，當(dāng)公共電極和像素電極具有彎曲結(jié)構(gòu)時(shí)，因?yàn)橐壕Х肿优?列在兩個(gè)方向上以形成二維，所以在與排列形成一維的液晶分子比較時(shí)視角可 以進(jìn)一步增大。本發(fā)明不限于二維結(jié)構(gòu)的IPS模式LCD,還可以適用于具有 超過二維的多維結(jié)構(gòu)的IPS模式LCD。形成二維或更多維(多維)的IPS結(jié) 構(gòu)被稱為S (超)-IPS結(jié)構(gòu)。形成多維結(jié)構(gòu)的公共電極和像素電極的形狀不限 于圖3中所示的描述。例如，公共電極和像素電極可以具有弧形結(jié)構(gòu)或者可以 具有在多個(gè)位置彎曲的結(jié)構(gòu)。
如圖所示，在本發(fā)明的第一實(shí)施方式中，柵極線116和數(shù)據(jù)線117形成為 垂直和水平地排列以在陣列基板110上限定像素區(qū)，并且作為開關(guān)元件的 TFT(T)形成在柵極線116和數(shù)據(jù)線117的交叉處。
TFT(T)包括形成柵極線116的一部分的柵極121、與數(shù)據(jù)線117連接的"U" 形的源極122以及連接至像素電極118的漏極123。 TFT(T)還包括用于使柵 極121與源極122和漏極123絕緣的第一絕緣層(未示出)，以及通過施加至 柵極121的柵極電壓在源極122和漏極123之間形成導(dǎo)電溝道的有源圖案(未 示出)。在這種情況中，雖然源極122為"U"形以使得溝道形成為"U"形， 但是本發(fā)明不限于"U"形溝道，具有不同形狀的TFT的任何類型的溝道都可 適用。
公共電極108、 108a、 108a'和像素電極118交替地形成以在像素區(qū)中產(chǎn)生面內(nèi)場，并且一對(duì)最外部公共電極108a和108a'形成在像素區(qū)的邊緣。在公共 電極108、 108a、 108a'中，最外部公共電極108a和108a'分別與一對(duì)下方的存 儲(chǔ)電極118a和118a'交疊，以利用插入在最外部公共電極108a、 108a'與下方 的存儲(chǔ)電極118a、 118a'之間的第一和第二絕緣層(未示出)形成第一存儲(chǔ)電 容器Cstl和第二存儲(chǔ)電容器Cst2。進(jìn)一步地，公共電極108、 108a、 108a，和 像素電極118基本上平行于數(shù)據(jù)線117排列。
第一存儲(chǔ)電容器Cstl和第二存儲(chǔ)電容器Cst2用于一致地維持施加至液晶 電容器的電壓，直至接收到下一個(gè)信號(hào)。除了維持信號(hào)之外，第一存儲(chǔ)電容器 Cstl和第二存儲(chǔ)電容器Cst2還可以具有穩(wěn)定灰度顯示、減少閃爍、減少余像 的形成等效果。
在根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的IPS模式LCD中，最外部公共電極108a 和108a'以及存儲(chǔ)電極118a和118a，形成在像素區(qū)的左右邊緣以形成第一存儲(chǔ) 電容器Cstl和第二存儲(chǔ)電容器Cst2，但是本發(fā)明不限于最外部公共電極108a 和108a'以及存儲(chǔ)電極118a和118a'的這種排列。例如，本發(fā)明可以應(yīng)用于存 儲(chǔ)電極僅僅形成在像素區(qū)的一個(gè)邊緣以形成單一存儲(chǔ)電容器的情況。
這里，第一連接線108L布置在公共電極108、 108a和108a'的一端，基本 上平行于柵極線116并連接公共電極108、 108a和108a'的一端。第二連接線 118L形成在像素電極118的一端，連接像素電極118的一端，并通過形成在 第二絕緣層的第一接觸孔140a和一對(duì)第二接觸孔140b和140b，分別電連接到 與漏極123以及一對(duì)存儲(chǔ)電極118a和118a'。
根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的公共線1081形成在像素區(qū)中的任意公共電 極108的下部，使得公共線1081基本上平行于數(shù)據(jù)線117。在這種情況中，公 共線1081由與數(shù)據(jù)線117相同的導(dǎo)電材料制成，并且形成在其上形成有數(shù)據(jù) 線117的層上。另外，公共線1081通過形成在第二絕緣層的第三接觸孔140c 電連接第一連接線108L，以提供公共電壓至第一連接線108L和公共電極108、 108a、 108a，。
進(jìn)一步地，在陣列基板110的邊緣部分，形成有分別與柵極線116和數(shù)據(jù) 線117電連接并將由外部驅(qū)動(dòng)電路單元施加的掃描信號(hào)和數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸至柵 極線116和數(shù)據(jù)線117的柵極焊盤電極126p和數(shù)據(jù)焊盤電極127p。 g卩，數(shù)據(jù) 線117和柵極線116延伸至驅(qū)動(dòng)電路單元以分別與數(shù)據(jù)焊盤線117p和柵極焊盤線116p連接，并且數(shù)據(jù)焊盤線117p和柵極焊盤線116p通過分別經(jīng)由第四 接觸孔140d和第五接觸孔140e電連接的數(shù)據(jù)焊盤電極127p和柵極焊盤電極 126p接收來自驅(qū)動(dòng)電路單元的數(shù)據(jù)信號(hào)和掃描信號(hào)。
在根據(jù)如上所述構(gòu)造的本發(fā)明的第一實(shí)施方式的IPS模式LCD中，因?yàn)?公共電極108、 108a、 108a，、像素電極118、第一連接線108L和第二連接線 118L由透明導(dǎo)電材料例如ITO (銦錫氧化物)或者IZO (銦鋅氧化物)構(gòu)成， 所以能夠提高開口率。
此外，因?yàn)楣簿€1081形成為基本上平行于數(shù)據(jù)線117，所以公共線1081 的線寬可以減小，并且因而，像素區(qū)的開口率可以被提高大約8%至30%。
另外，因?yàn)樵跀?shù)據(jù)線117方向上延伸通過整個(gè)IPS模式LCD的公共線108
的總長度短于延伸通過整個(gè)IPS模式LCD的柵極線116的總長度，所以公共 線1081的總電阻可以減小。結(jié)果，能夠穩(wěn)定公共電壓以防止畫面質(zhì)量的下降， 例如波紋或閃爍。在這種情況下，公共線1081的總長度可以是柵極線116的 總長度的大約0.56倍。作為參考，在相關(guān)技術(shù)的IPS模式LCD中，因?yàn)楣?線形成在水平于液晶面板的方向上，即，基本上平行于柵極線的方向上，增加 了RC延遲，而使液晶面板兩端之間的公共電壓改變大約200mV，從而引起波 紋和閃爍。
再者，在根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的IPS模式LCD中，將公共線1081 形成為橫貫柵極線116，其中第一絕緣層插入在公共線1081和柵極線116之間。 即，公共線1081既沒有形成為靠近于柵極線116，也沒有形成在其上形成有柵 極線116的相同的層上。而是將公共線1081形成為橫貫柵極線116，其中第一 絕緣層插入在公共線1081和柵極線116之間，并且公共線1081布置在與其上 形成有數(shù)據(jù)線117的層相同的層上，從而防止柵極線116和公共線1081出現(xiàn) 短路故障，因而提高了生產(chǎn)合格率。
在這里，在根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的IPS模式LCD中，數(shù)據(jù)布線(其 包括源極、漏極、數(shù)據(jù)線和數(shù)據(jù)焊盤線，公共線和有源圖案)利用半色調(diào)掩模 或槽掩模(衍射掩模)通過單掩模工藝同時(shí)形成(下文中，提及的半色調(diào)掩模 也包括衍射掩模)，從而可以通過執(zhí)行四道掩模工藝制造陣列基板。這將通過 IPS模式LCD的下列制造方法詳細(xì)描述。然而，本發(fā)明不受限于掩模工藝的 數(shù)量。例如，還可以通過執(zhí)行多于四個(gè)或少于四個(gè)工藝制造陣列基板。圖4A至4D是順序示出沿圖3中的陣列基板的線nia-IIIa，-ina"、 IIIb-IIIb 和IIIc-IIIc截取的制造工藝的剖視圖。
左側(cè)(nia-nia'-nia")示出包括數(shù)據(jù)線區(qū)的像素部的陣列基板的制造工藝，
而右側(cè)(nib-nib和nic-nic)接著示出數(shù)據(jù)焊盤部分和柵極焊盤部分的制造工藝。
圖5A至5D是順序示出圖3中的陣列基板的制造工藝的平面視圖。
如圖4A和5A中所示，柵極121、柵極線116、第一存儲(chǔ)電極118a、第 二存儲(chǔ)電極118a'和柵極焊盤線116p形成在由諸如玻璃的絕緣材料制成的陣 列基板110的像素部。第一存儲(chǔ)電極118a和第二存儲(chǔ)電極118a'形成為分別向 像素區(qū)的左邊緣和右邊緣彎曲，并且排列成基本上垂直于柵極線116。通過在 陣列基板110的整個(gè)表面上沉積第一導(dǎo)電膜以及通過光刻工藝(第一掩模工 藝)選擇性地將其圖案化，形成柵極121、柵極線116、第一存儲(chǔ)電極118a、 第二存儲(chǔ)電極118a鄰柵極焊盤線116p。在這里，第一導(dǎo)電膜可以由低電阻導(dǎo) 電材料例如鋁(Al)、鋁合金、鎢(W)、銅(Cu)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、 鉬合金等構(gòu)成。同樣，第一導(dǎo)電膜可以由兩種或更多的低電阻導(dǎo)電材料疊加而 成的多層結(jié)構(gòu)構(gòu)成。
接著，如圖4B和5B中所示，在其上形成有柵極121、柵極線116、第一 存儲(chǔ)電極118a、第二存儲(chǔ)電極118a，和柵極焊盤線116p的陣列基板上的整個(gè) 表面上形成第一絕緣層115a、非晶硅薄膜、n+非晶硅薄膜和第二導(dǎo)電膜，并 且接著經(jīng)由光刻工藝(第二掩模工藝)選擇性地去除第一絕緣層115a、非晶 硅薄膜、n+非晶硅薄膜和第二導(dǎo)電膜，以形成由非晶硅薄膜構(gòu)成的有源圖案 124以及由第二導(dǎo)電膜構(gòu)成的源極122和漏極123。源極122和漏極123電連 接到位于陣列基板110的像素部處的有源圖案124的源極區(qū)和漏極區(qū)。
此時(shí)，通過第二掩模工藝，在陣列基板110的數(shù)據(jù)線區(qū)形成由第二導(dǎo)電膜 構(gòu)成的數(shù)據(jù)線117，而在陣列基板110的數(shù)據(jù)焊盤部形成由第二導(dǎo)電膜構(gòu)成的 數(shù)據(jù)焊盤線117p。進(jìn)一步地，通過第二掩模工藝，在像素區(qū)中形成由第二導(dǎo) 電膜構(gòu)成的公共線1081，并且公共線1081形成為基本上平行于數(shù)據(jù)線117。另 外，在有源圖案124上形成歐姆接觸層125n，其由n+非晶硅薄膜構(gòu)成并被圖 案化為與源極122和漏極123相同的形狀。
由非晶硅薄膜和n+非晶硅薄膜構(gòu)成的第一非晶硅薄膜圖案124，、第二n十非晶硅薄膜圖案125"、第二非晶硅薄膜圖案124"、第三n+非晶硅薄膜圖案 125，"、第三非晶硅薄膜圖案124"，以及第四n+非晶硅薄膜圖案125""被圖案化 為與公共線1081、數(shù)據(jù)線117和數(shù)據(jù)焊盤線117p相同的形狀，并且形成在公 共線1081、數(shù)據(jù)線117和數(shù)據(jù)焊盤線117p的下方。
在這里，在本發(fā)明的第一實(shí)施方式中，有源圖案124、源極122和漏極123、 數(shù)據(jù)線117、數(shù)據(jù)焊盤線117p以及公共線i081利用半色調(diào)掩模通過單掩模工 藝(第二掩模工藝)同時(shí)形成。下面將參照附圖詳細(xì)描述第二掩膜工藝。
圖6A至6F是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式具體示出在圖4B和5B的陣列 基板上的第二掩模工藝的剖視圖。
如圖6A中所示，在其上形成有柵極121、柵極線U6、第一存儲(chǔ)電極118a、 第二存儲(chǔ)電極118a'和柵極焊盤線116p的陣列基板110的整個(gè)表面上形成柵極 絕緣層115a、非晶硅薄膜120、 n+非晶硅薄膜125、第二導(dǎo)電膜130。第二導(dǎo) 電膜130可以由低電阻導(dǎo)電材料例如鋁(Al)、鋁合金、鎢(W)、銅(Cu)、 鉻(Cr)、鉬(Mo)、鉬合金等制成，以形成源極、漏極、數(shù)據(jù)線、數(shù)據(jù)悍 盤線和公共線。
接著，如圖6中所示，由諸如光刻膠的感光材料制成的感光膜170形成在 陣列基板110的整個(gè)表面上，光經(jīng)由根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的半色調(diào)掩模180 選擇性地照射至感光膜170。
半色調(diào)掩模180包括允許照射光全部透過的第一透射區(qū)(I)、僅僅允許照射 光中的一些透過而阻擋剩余光的第二透射區(qū)(II)以及完全阻擋照射光的阻擋區(qū) (III)。只有透過半色調(diào)掩模180的光可以照射到感光膜170上。
隨后，當(dāng)通過半色調(diào)掩模180曝光的感光膜170被顯影時(shí)，如圖6C中所 示，第一至第六感光膜圖案170a至170f殘留在光被阻擋區(qū)(III)和第二透射區(qū) (n)被全部阻擋或者部分阻擋的區(qū)域，并且感光膜在光完全透過的第一透射區(qū) (I)的區(qū)域被全部去除，以暴露第二導(dǎo)電膜130的表面。此時(shí)，形成在阻擋區(qū)(ffl) 的第一至第五感光膜圖案170a至170e厚于通過第二透射區(qū)(II)形成的第六感 光膜圖案170c。另外，感光膜在光全部透過的第一透射區(qū)(I)的區(qū)域被全部去 除。這是因?yàn)槭褂昧苏怨庵驴刮g劑，但是本發(fā)明并不限于使用正性光致抗蝕 劑來完成該工藝。例如，負(fù)性光致抗蝕劑也可以用于本發(fā)明。
接著，如圖6D中所示，利用第一至第六感光膜圖案170a至170f，選擇性地去除下方的非晶硅薄膜、n+非晶硅薄膜和第二導(dǎo)電膜，以在陣列基板IIO 的像素部形成有源圖案124以及在陣列基板110的數(shù)據(jù)線區(qū)形成由第二導(dǎo)電膜 構(gòu)成的數(shù)據(jù)線117。此外，由第二導(dǎo)電膜構(gòu)成的數(shù)據(jù)焊盤線117p形成在陣列 基板110的數(shù)據(jù)焊盤部，而由第二導(dǎo)電膜構(gòu)成的公共線1081形成在陣列基板 的像素區(qū)。
在本發(fā)明的第一實(shí)施方式中，僅僅一條公共線1081形成在像素區(qū)，但是 本發(fā)明不受其限制，可以形成兩條或更多條公共線。
此時(shí)，在有源圖案124上形成分別由n+非晶硅薄膜和第二導(dǎo)電膜構(gòu)成并 被圖案化為與有源圖案124相同的形狀的第一非晶硅薄膜圖案125'和第二導(dǎo) 電膜圖案130，。進(jìn)一步地，由非晶硅薄膜和n+非晶硅薄膜構(gòu)成的第一非晶硅 薄膜圖案124'、第二n+非晶硅薄膜圖案125"、第二非晶硅薄膜圖案124"、第 三n+非晶硅薄膜圖案125'"、第三非晶硅薄膜圖案124"，以及第四n+非晶硅薄 膜圖案125""被圖案化為與公共線1081、數(shù)據(jù)線117和數(shù)據(jù)焊盤線117p相同 的形狀，并形成在公共線1081、數(shù)據(jù)線117和數(shù)據(jù)焊盤線117p之下。
隨后，執(zhí)行灰化工藝以部分地去除第一至第六感光膜圖案170a至170f。 于是，如圖6E中所示，第二透射區(qū)(II)的第六感光膜圖案170f被全部去除， 暴露出第二透射區(qū)(II)的第二導(dǎo)電圖案130'。
接著，在將第一至第六感光膜圖案170a至170f部分地去除第六感光膜圖 案的厚度之后，僅僅在對(duì)應(yīng)于阻擋區(qū)(in)的源極區(qū)和漏極區(qū)、公共線1081、數(shù) 據(jù)線117以及數(shù)據(jù)焊盤線117p上保留第一至第五感光膜圖案，作為第七至第 "I^一感光膜圖案170a，至170e，。
之后，如圖6F中所示，利用剩余的第七至第十一感光膜圖案170a，至170e， 作為掩模，選擇性地去除第一 n+非晶硅薄膜圖案和第二導(dǎo)電膜圖案的多個(gè)部 分，以在陣列基板110的像素部形成由第二導(dǎo)電膜構(gòu)成的源極122和漏極123。 此時(shí)，在有源圖案124上形成歐姆接觸層125n，其由n+非晶硅薄膜構(gòu)成并允 許有源圖案124的源極區(qū)、漏極區(qū)與源極122、漏極123彼此歐姆接觸。
以這種方式，在本發(fā)明的第一實(shí)施方式中，利用半色調(diào)掩模通過單掩模工 藝就能夠形成有源圖案124、源極122和漏極123、數(shù)據(jù)線117、數(shù)據(jù)焊盤線 117p以及公共線1081。
之后，如圖4C和5C中所示，在其上形成有有源圖案124、源極122和漏極123、數(shù)據(jù)線117、數(shù)據(jù)焊盤線117p和公共線1081的陣列基板110的整個(gè) 表面上形成第二絕緣層115b。
然后，利用光刻工藝(第三掩模工藝)選擇性地去除第二絕緣層115b的 多個(gè)部分，以形成使漏極123的一部分暴露的第一接觸孔140a以及使第一存 儲(chǔ)電極118a和第二存儲(chǔ)電極118a'的多個(gè)部分暴露的一對(duì)第二接觸孔140b和 140b，。另外，利用第三掩模工藝選擇性地去除第二絕緣層115b的多個(gè)部分， 以形成分別使公共線1081、數(shù)據(jù)焊盤線117p和柵極焊盤線116p的一部分暴露 的第三接觸孔140c、第四接觸孔140d和第五接觸孔140e。
之后，如圖4D和5D中所示，在其上形成有第一至第五接觸孔140a至 140e的陣列基板110的整個(gè)表面上形成由透明導(dǎo)電膜制成的第三導(dǎo)電膜。接 著，通過光刻工藝(第四掩模工藝)選擇性地去除第三導(dǎo)電膜，以形成經(jīng)由第 一接觸孔140a電連接漏極123并經(jīng)由一對(duì)第二接觸孔140b和140b，電連接第 一存儲(chǔ)電極118a和第二存儲(chǔ)電極118a，的第二連接線118L。另夕卜，通過第四 掩模工藝選擇性地去除第三導(dǎo)電膜，在第二絕緣層115b上形成多個(gè)公共電極 108、 108a、 108a，和像素電極118，使其交替地布置在像素區(qū)中以產(chǎn)生面內(nèi)場。 進(jìn)一步地，通過第四掩模工藝選擇性地去除第三導(dǎo)電膜，將數(shù)據(jù)焊盤電極127p 和柵極焊盤電極126p形成為分別經(jīng)由第四接觸孔140d和第五接觸孔140e電 連接數(shù)據(jù)焊盤線117p和柵極焊盤線116p。
在這種情況下，第一最外部公共電極108a和第二最外部公共電極108a， 形成在像素區(qū)的邊緣。在公共電極108、 108a和108a，中，第一最外部公共電 極108a和第二最外部公共電極108a'分別與下方的第一存儲(chǔ)電極118a和第二 存儲(chǔ)電極118a'交疊，以利用插入在最外部公共電極108a、 108a'與下方的存儲(chǔ) 電極118a、 118a，之間的第一絕緣層115a和第二絕緣層115b形成第一存儲(chǔ)電 容器Cstl和第二存儲(chǔ)電容器Cst2。進(jìn)一步地，通過第四掩模工藝，將第一連 接線108L形成在公共電極108、 108a和108a'的一端，使得其基本上平行于柵 極線116并連接公共電極108、 108a和108a'的一端。
本發(fā)明的第一實(shí)施方式中的公共線1081形成在像素區(qū)中任意公共電極 108之下，使得公共線1081基本上平行于數(shù)據(jù)線117。公共線1081經(jīng)由形成在 第二絕緣層115b的第三接觸孔140c電連接第一連接線108L，以提供公共電 壓至第一連接線108L和公共電極108、 108a和108a'。此外，第三導(dǎo)電膜包括具有良好透光度的透明導(dǎo)電材料，例如ITO (氧化銦錫)或IZO (氧化銦鋅)， 以形成公共電極108、 108a、 108a，、第一連接線108L、第二連接線118L和像 素電極H8。
如上所述，在根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的IPS模式LCD中，公共電極 108、 108a、 108a，、像素電極118、第一連接線108L和第二連接線118L由透 明導(dǎo)電材料制成，并且公共線1081形成為基本上平行于數(shù)據(jù)線117，由此公共 線1081的線寬可以減小，從而像素區(qū)的開口率可以提高大約8%至30%。另夕卜， 因?yàn)楣簿€1081形成為在公共電極108的下側(cè)平行于公共電極108，所以開口 區(qū)可以延伸至其最大程度。
此外，如上所述，因?yàn)樵跀?shù)據(jù)線117的方向上延伸通過整個(gè)IPS模式LCD 的公共線1081的總長度小于延伸通過整個(gè)IPS模式LCD的柵極線116的總長 度，所以公共線1081的總電阻可以減小。結(jié)果，能夠穩(wěn)定公共電壓以防止畫 面質(zhì)量下降，例如出現(xiàn)波紋或閃爍。在這種情況下，公共線1081的總長度可 以大約是柵極線116的總長度的0.56倍。
另外，因?yàn)楣簿€1081形成為橫貫柵極線116，并且第一絕緣層插入在公 共線1081和柵極線116之間，所以可以防止柵極線116和公共線1081短路， 提高生產(chǎn)合格率。
在根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的IPS模式LCD中，因?yàn)楣搽姌O108、 108a、 108a'、像素電極118、數(shù)據(jù)線117彎曲成具有允許液晶分子被勻稱驅(qū)動(dòng) 的多維結(jié)構(gòu)，所以可以消除由液晶的雙折射特性引起的異常光，使色移現(xiàn)象最 小化。也就是說，因?yàn)橐壕Х肿拥碾p折射特性，隨著觀察液晶分子的視野的變 化會(huì)發(fā)生色移現(xiàn)象，并且尤其是，在液晶分子的短軸方向上可觀察到黃光色移， 在液晶分子的長軸方向上可觀察到藍(lán)光色移。因而，通過適當(dāng)?shù)卦O(shè)置液晶分子 的短軸和長軸來減少或去除色移，可以補(bǔ)償雙折射值。
例如，在液晶分子對(duì)稱排列的二維結(jié)構(gòu)的情況中，如圖7中所示，第一液 晶分子190a的雙折射值al由第二液晶分子190b的雙折射值a2補(bǔ)償，產(chǎn)生雙 折射值0，其中第二液晶分子190b具有與第一液晶分子190a的方向相反的分 子排列。此外，雙折射值cl由c2補(bǔ)償。從而，可以最小化因?yàn)橐壕Х肿拥碾p 折射特性產(chǎn)生的色移現(xiàn)象，以防止隨著視角的變化畫面質(zhì)量的惡化。
這里，在根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的IPS模式LCD中，在像素區(qū)中形成一條公共線，但是本發(fā)明不受限于此。即，可以根據(jù)公共線的電阻設(shè)計(jì)兩條
或更多條公共線。下面將參照?qǐng)D8詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的具有 兩條公共線的IPS模式LCD。
圖8是根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式繼續(xù)示出IPS模式LCD的陣列基板的 一部分的平面視圖，除了包括兩條公共線之外，其包括與根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí) 施方式的IPS模式LCD的陣列基板相同的元件。
如圖所示，在本發(fā)明的第二實(shí)施方式中，柵極線216和數(shù)據(jù)線217形成為 分別垂直和水平地排列，以在陣列基板210上限定像素區(qū)，并且在柵極線216 和數(shù)據(jù)線217的交叉處形成TFT(T)開關(guān)元件。
TFT(T)包括形成柵極線216的一部分的柵極221、與數(shù)據(jù)線217連接的源 極222以及連接至像素電極218的漏極223。 TFT(T)還包括用于使柵極221與 源極222和漏極223絕緣的第一絕緣層(未示出)、以及通過提供至柵極221 的柵極電壓在源極222和漏極223之間形成導(dǎo)電溝道的有源圖案(未示出)。
公共電極208、 208a、 208a，和像素電極218交替地形成以在像素區(qū)中產(chǎn)生 面內(nèi)場，并且一對(duì)最外部公共電極208a和208a'形成在像素區(qū)的邊緣。在公共 電極208、 208a、 208a，中，最外部公共電極208a和208a，分別與一對(duì)下方的存 儲(chǔ)電極218a和218a'交疊，以利用插入在最外部公共電極208a、 208a'與下方 的存儲(chǔ)電極218a、 218a'之間的第一和第二絕緣層(未示出)形成第一存儲(chǔ)電 容器Cstl和第二存儲(chǔ)電容器Cst2。進(jìn)一步地，公共電極208、 208a、 208a，和 像素電極218基本上平行于數(shù)據(jù)線217排列。
這里，第一連接線208L布置在公共電極208、 208a和208a'的一端，基本 上平行于柵極線216并連接公共電極208、 208a和208a'的一端。第二連接線 218L形成在像素電極218的一端，連接像素電極218的一端，并分別通過形 成在第二絕緣層的第一接觸孔240a和一對(duì)第二接觸孔240b和240b'電連接漏 極223以及一對(duì)存儲(chǔ)電極218a和218a'。根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的第一公 共線2081和第二公共線2081'形成在像素區(qū)中的任意公共電極208的下部，使 得第一公共線2081和第二公共線2081，基本上平行于數(shù)據(jù)線217。在這種情況 中，第一公共線2081和第二公共線2081'由與數(shù)據(jù)線217相同的導(dǎo)電材料制成， 并且形成在其上形成有數(shù)據(jù)線217的層上。此外，第一公共線2081和第二公 共線2081，分別通過形成在第二絕緣層的第三接觸孔240c和240c，電連接第一連接線208L，以提供公共電壓至第一連接線208L和公共電極208、208a、208a，。 進(jìn)一步地，在陣列基板210的邊緣部分，形成有分別與柵極線216和數(shù)據(jù) 線217電連接并將由外部驅(qū)動(dòng)電路單元施加的掃描信號(hào)和數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸至柵 極線216和數(shù)據(jù)線217的柵極焊盤電極226p和數(shù)據(jù)焊盤電極227p。 g卩，數(shù)據(jù) 線217和柵極線216延伸至驅(qū)動(dòng)電路單元以分別與數(shù)據(jù)焊盤線2Hp和柵極焊 盤線216p連接，并且數(shù)據(jù)焊盤線217p和柵極焊盤線216p通過經(jīng)由第四接觸 孔240d和第五接觸孔240e電連接的數(shù)據(jù)焊盤電極227p和柵極焊盤電極226p 來接收來自驅(qū)動(dòng)電路單元的數(shù)據(jù)信號(hào)和掃描信號(hào)。
另外，如上所述，根據(jù)本發(fā)明的第一和第二實(shí)施方式的IPS模式LCD， 第一和第二最外部公共電極以及第一和第二存儲(chǔ)電極形成在像素區(qū)的左右邊 緣部分以形成第一存儲(chǔ)電容器和第二存儲(chǔ)電容器，但是不受限于此，本發(fā)明可 以應(yīng)用于一個(gè)存儲(chǔ)電極僅僅形成在像素區(qū)的一個(gè)邊緣部分以僅僅形成單一存 儲(chǔ)電容器的情況。
圖9是根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施方式繼續(xù)示出IPS模式LCD的陣列基板的 一部分的平面視圖，除了存儲(chǔ)電極中的一個(gè)僅僅形成在像素區(qū)的一個(gè)邊緣部分 以形成單一存儲(chǔ)電容器之外，其包括與根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的IPS模式 LCD中的陣列基板相同的元件。
如圖所示，在本發(fā)明的第三實(shí)施方式中，柵極線316和數(shù)據(jù)線317形成為 垂直和水平地排列，以在陣列基板310上限定像素區(qū)，并且在柵極線316和數(shù) 據(jù)線317的交叉處形成TFT(T)開關(guān)元fK
TFT(T)包括形成柵極線316的一部分的柵極321、與數(shù)據(jù)線317連接的源 極322以及連接至像素電極318的漏極323。 TFT(T)還包括用于使柵極321 與源極322和漏極323絕緣的第一絕緣層(未示出)；以及通過施加至柵極321 的柵極電壓在源極322和漏極323之間形成導(dǎo)電溝道的有源圖案(未示出)。
公共電極308、 308a、 308a'和像素電極318交替地形成以在像素區(qū)中產(chǎn)生 面內(nèi)場，并且最外部公共電極308a形成在像素區(qū)的左邊緣。在公共電極308、 308a、 308a，中，最外部公共電極308a與下方的存儲(chǔ)電極318a交疊，以利用插 入在最外部公共電極308a以及下方的存儲(chǔ)電極318a之間的第一和第二絕緣層 (未示出)形成存儲(chǔ)電容器Cst。
在根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施方式的IPS模式LCD中，因?yàn)榇鎯?chǔ)電極318a僅僅形成在像素電極的一個(gè)邊緣，所以可以進(jìn)一步地提高像素區(qū)的開口率。
這里，第一連接線308L布置在公共電極308、 308a和308a'的一端，基本 上平行于柵極線316并連接公共電極308、 308a和308a，的一端。第二連接線 318L形成在像素電極318的一端，連接像素電極318的一端，并通過形成在 第二絕緣層的第一接觸孔340a和第二接觸孔340b電連接漏極323以及存儲(chǔ)電 極318a。
根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施方式的公共線3081形成在像素區(qū)中的任意公共電 極308的下部，使得公共線3081基本上平行于數(shù)據(jù)線317。在這種情況下，公 共線3081通過形成在第二絕緣層的第三接觸孔340c與第一連接線308L電連 接，以提供公共電壓至第一連接線308L和公共電極308、 308a、 308a，。
進(jìn)一步地，在陣列基板310的邊緣部分，形成有分別與柵極線316和數(shù)據(jù) 線317電連接并將由外部驅(qū)動(dòng)電路單元施加的掃描信號(hào)和數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸至柵 極線316和數(shù)據(jù)線317的柵極悍盤電極326p和數(shù)據(jù)焊盤電極327p。 g卩，數(shù)據(jù) 線317和柵極線316延伸至驅(qū)動(dòng)電路單元以分別與數(shù)據(jù)焊盤線317p和柵極焊 盤線316p連接，并且數(shù)據(jù)焊盤線317p和柵極焊盤線316p通過經(jīng)由第四接觸 孔340d和第五接觸孔340e電連接的數(shù)據(jù)焊盤電極327p和柵極焊盤電極326p 來接收來自驅(qū)動(dòng)電路單元的數(shù)據(jù)信號(hào)和掃描信號(hào)。
根據(jù)本發(fā)明的第一至第三實(shí)施方式的陣列基板可以借助涂覆至圖像顯示 部分的外部邊緣的密封劑以相互面對(duì)的方式與濾色鏡基板附接。于是，濾色鏡 基板包括用于防止光泄漏至TFT、柵極線和數(shù)據(jù)線的黑色矩陣、以及用于實(shí)現(xiàn)> 紅、綠和藍(lán)色光過濾的濾色鏡。然而，本發(fā)明不限于如上所述應(yīng)用濾色鏡基板， 其他的方法或結(jié)構(gòu)也可以用來產(chǎn)生彩色光。濾色鏡基板和陣列基板的附接可以 通過形成在濾色鏡基板或陣列基板上的附接栓實(shí)現(xiàn)。但是，也可以通過其他方 法或部件實(shí)現(xiàn)濾色鏡基板和陣列基板的附接。
本發(fā)明還可以應(yīng)用至通過使用TFT制造的各種其他設(shè)備，例如其中OLED (有機(jī)發(fā)光二極管)與驅(qū)動(dòng)晶體管連接的OLED (有機(jī)發(fā)光二極管)顯示設(shè)備。
本發(fā)明可以具體化為多種形式而不背離其特征，因此應(yīng)該理解，除非另外 說明，否則上述實(shí)施方式不受前述說明書的任何細(xì)節(jié)的限制，而應(yīng)將其廣義理 解為涵蓋在所附權(quán)利要求所限定的范圍內(nèi)。因此，落在權(quán)利要求范圍、邊界或 其等效范圍、邊界內(nèi)的所有變化和改型由所附權(quán)利要求所涵蓋。
權(quán)利要求
1. 一種面內(nèi)切換IPS模式液晶顯示器LCD，其包括多條柵極線，其排列在陣列基板的第一方向上；多條數(shù)據(jù)線，其排列在基本上垂直于所述第一方向的第二方向上，所述多條柵極線和所述多條數(shù)據(jù)線在所述陣列基板上限定多個(gè)像素區(qū)；一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)電極，其設(shè)置在所述陣列基板上；多個(gè)公共電極，其延伸通過每個(gè)像素區(qū)；多個(gè)像素電極，其基本上平行于所述多個(gè)公共電極排列，所述多個(gè)公共電極和所述多個(gè)像素電極交替地排列以在每個(gè)像素區(qū)中產(chǎn)生面內(nèi)場；多個(gè)薄膜晶體管TFT，其設(shè)置在所述多條柵極線和所述多條數(shù)據(jù)線的交叉區(qū)，每個(gè)TFT包括連接至對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)線的源極、連接至對(duì)應(yīng)像素電極的漏極、以及柵極；以及至少一條公共線，其位于像素區(qū)中的各公共電極之下，所述公共線基本上平行于所述多條數(shù)據(jù)線。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的IPS模式LCD，其中，所述公共線和所述數(shù)據(jù) 線由相同導(dǎo)電材料制成，并且所述公共線設(shè)置在其上形成有所述多條數(shù)據(jù)線的 層上。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的IPS模式LCD，其中，所述公共線橫貫對(duì)應(yīng)的 柵極線，并且在所述公共線和柵極線之間插入絕緣層以防止對(duì)應(yīng)的柵極線與所 述公共線短路。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的IPS模式LCD，其中，延伸通過所述IPS模式 LCD的整個(gè)區(qū)域的公共線的長度短于延伸通過所述IPS模式LCD的整個(gè)區(qū)域 的至少一條柵極線的長度。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的IPS模式LCD，其中，所述多個(gè)公共電極和所 述多個(gè)像素電極在一個(gè)或多個(gè)部分被彎曲。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的IPS模式LCD，其中，所述多個(gè)公共電極與第 一連接線連接，所述第一連接線基本上平行于所述多條柵極線。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的IPS模式LCD，其中，所述多個(gè)像素電極與第 二連接線連接，所述第二連接線電連接到所述漏極和存儲(chǔ)電極。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的IPS模式LCD,其中，所述第二連接線通過第 一接觸孔和第二接觸孔分別與所述漏極和所述多個(gè)存儲(chǔ)電極電連接。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的IPS模式LCD,其中，所述多個(gè)公共電極、所 述多個(gè)像素電極、所述第一連接線和所述第二連接線中的至少之一由透明導(dǎo)電 材料制成。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的IPS模式LCD,其中，所述多個(gè)公共電極包 括設(shè)置在每個(gè)像素區(qū)的邊緣的多個(gè)最外部公共電極。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的IPS模式LCD，其中，所述多個(gè)最外部公共 電極與所述多個(gè)存儲(chǔ)電極交疊，以利用插置在所述多個(gè)最外部公共電極和所述 多個(gè)存儲(chǔ)電極之間的第一絕緣層和第二絕緣層來形成多個(gè)存儲(chǔ)電容器。
12. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的IPS模式LCD，其中，所述公共線通過設(shè)置 在第二絕緣層的第三接觸孔電連接到所述第一連接線，以向所述第一連接線和 所述多個(gè)公共電極提供公共電壓。
13. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的IPS模式LCD，其中，所述至少一條公共線 包括設(shè)置在對(duì)應(yīng)像素區(qū)中的各公共電極之下的第一公共線和第二公共線，所述 第一公共線和所述第二公共線基本上平行于所述多條數(shù)據(jù)線。
14. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的IPS t莫式LCD,其中，所述一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ) 電極構(gòu)成設(shè)置在像素區(qū)的一個(gè)邊緣部分處的單一存儲(chǔ)電極，以形成單一存儲(chǔ)電 容器。
15. —種面內(nèi)切換IPS型液晶顯示器LCD設(shè)備的制造方法，其包括 形成排列于第一方向上的多條柵極線以及排列于基本上垂直于所述第一方向的第二方向上的多條數(shù)據(jù)線，所述多條柵極線和所述多條數(shù)據(jù)線在陣列基 板上限定多個(gè)像素區(qū)；在所述陣列基板上形成存儲(chǔ)電極；形成延伸通過每個(gè)像素區(qū)的多個(gè)公共電極；形成基本上平行于所述多個(gè)公共電極排列的多個(gè)像素電極，所述多個(gè)公共 電極和所述多個(gè)像素電極交替地排列以在每個(gè)像素區(qū)中產(chǎn)生面內(nèi)場；在所述多條柵極線和所述多條數(shù)據(jù)線的交叉區(qū)形成薄膜晶體管TFT，每個(gè) TFT包括連接至對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)線的源極、連接至對(duì)應(yīng)像素電極的漏極、以及柵極； 以及在像素區(qū)中的多個(gè)公共電極中的一個(gè)公共電極之下形成公共線，所述公共 線基本上平行于所述多條數(shù)據(jù)線。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，通過在所述陣列基板的表面上 沉積第一導(dǎo)電膜并通過第一光刻工藝選擇性地圖案化該第一導(dǎo)電膜，形成所述 多條柵極線、所述存儲(chǔ)電極和柵極焊盤線。
17. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，通過在其上形成有所述柵極、 所述柵極線、所述存儲(chǔ)電極和柵極焊盤線的陣列基板的表面上形成第一絕緣 層、非晶硅薄膜、n+非晶硅薄膜和第二導(dǎo)電膜，以及接著通過第二光刻工藝選 擇性地去除所述非晶硅薄膜、n+非晶硅薄膜和所述第二導(dǎo)電膜，形成所述源極 和漏極、所述公共線、所述數(shù)據(jù)線和數(shù)據(jù)焊盤線。
18. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，通過在其上形成有有源圖案、 所述源極和漏極、所述數(shù)據(jù)線、數(shù)據(jù)焊盤線和所述公共線的陣列基板的表面上 形成第二絕緣層，以及接著通過第三光刻工藝選擇性地去除所述第二絕緣層， 形成暴露所述漏極、所述存儲(chǔ)電極、所述公共線、數(shù)據(jù)焊盤線和柵極焊盤線的 多個(gè)部分的多個(gè)接觸孔。
19. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，通過在其上形成有第一至第五 接觸孔的陣列基板的表面上形成由透明導(dǎo)電膜制成的第三導(dǎo)電膜，以及接著通 過第四光刻工藝選擇性地去除所述第三導(dǎo)電膜，在第二絕緣層上形成所述多個(gè) 公共電極、所述多個(gè)像素電極、第一連接線和第二連接線、數(shù)據(jù)焊盤電極以及 柵極焊盤電極。
20. —種IPS模式LCD的制造方法，其包括在第一基板上形成柵極和柵極線； 在所述第一基板上形成第一絕緣層； 在所述第一基板上形成有源圖案；在所述第一基板上形成源極和漏極，并形成與所述柵極線相交的數(shù)據(jù)線以 限定像素區(qū)；在所述第一基板上形成存儲(chǔ)電極；在所述第一基板的像素區(qū)中沿基本上平行于所述數(shù)據(jù)線的方向形成至少 一條公共線；在所述第一基板上形成第二絕緣層；以及形成交替地布置在所述第一基板的像素區(qū)中的多個(gè)公共電極和像素電極， 以產(chǎn)生面內(nèi)場，其中使得至少一個(gè)公共電極位于所述公共線的上部。
21. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，還包括形成第一連接線，使得所述第一連接線基本上平行于所述柵極線排列并連接所述多個(gè)公共電極的一端；以及形成第二連接線，使得所述第二連接線基本上平行于所述柵極線排列并連 接所述多個(gè)像素電極的一端。
22. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中，所述第二連接線經(jīng)由第一接觸 孔電連接到所述漏極以及經(jīng)由第二接觸孔電連接到所述存儲(chǔ)電極。
23. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中，所述柵極、所述柵極線和所述 存儲(chǔ)電極由第一導(dǎo)電膜構(gòu)成，并且其中，所述源極和漏極、所述數(shù)據(jù)線和所述公共線由第二導(dǎo)電膜構(gòu)成。
24. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中，在所述第一基板的像素區(qū)的邊 緣沿基本上平行于所述數(shù)據(jù)線的方向形成所述存儲(chǔ)電極，并且所述存儲(chǔ)電極與 所述公共電極交疊，并且所述第一絕緣層和所述第二絕緣層插入在所述存儲(chǔ)電 極和所述公共電極之間以形成存儲(chǔ)電容器。
全文摘要
提供面內(nèi)切換模式液晶顯示器及其制造方法。根據(jù)實(shí)施方式的面內(nèi)切換模式液晶顯示器包括排列在陣列基板的第一方向的多條柵極線；排列在基本上垂直于第一方向的第二方向的多條數(shù)據(jù)線；設(shè)置在陣列基板上的一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)電極；延伸通過每個(gè)像素區(qū)的多個(gè)公共電極；基本上平行于多個(gè)公共電極排列的多個(gè)像素電極，多個(gè)公共電極和多個(gè)像素電極交替地排列以在每個(gè)像素區(qū)中產(chǎn)生面內(nèi)場；設(shè)置在多條柵極線和多條數(shù)據(jù)線的交叉區(qū)的多個(gè)薄膜晶體管(TFT)，每個(gè)TFT包括連接至對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)線的源極、連接至對(duì)應(yīng)像素電極的漏極、以及柵極；以及位于像素區(qū)中的各公共電極之下的至少一條公共線，公共線基本上平行于多條數(shù)據(jù)線。
文檔編號(hào)H01L21/70GK101414082SQ200810171110
公開日2009年4月22日 申請(qǐng)日期2008年10月15日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月17日
發(fā)明者吳載映, 李俊燁, 李敏職, 陳賢哲 申請(qǐng)人:樂金顯示有限公司