專利名稱：磁帶盒、磁帶卷盤及磁帶的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及適用于磁帶盒的磁帶卷盤及磁帶，詳細(xì)地說涉及在卷盤盤心的上下端具有上下法蘭的磁帶卷盤以及卷繞在該卷盤上的磁帶。
背景技術(shù)：
迄今，在磁帶盒中，包括有錄像用、錄音用、計(jì)算機(jī)用等各種形式。例如，在錄像用磁帶盒中，其構(gòu)成為將具有卷盤盤心以及上下法蘭的一對磁帶卷盤，在將磁帶卷繞在上述卷盤盤心外周上的狀態(tài)下，轉(zhuǎn)動(dòng)自如地收容在由上下各一半盒構(gòu)成的盒殼內(nèi)。
圖5為表示上述卷盤盤心的基本構(gòu)造。如該圖所示，卷盤盤心110包括將磁帶120卷繞在其外周上的圓筒狀的卷盤盤心111、固定卷盤盤心111的上端的圓板狀的上法蘭112、在卷盤盤心111的下端與該卷盤盤心一體形成的圓板狀的下法蘭113。在此，與卷盤盤心111的軸方向垂直的面上，上法蘭112的下面形成為其半徑方向外側(cè)向圖中的上方向傾斜的喇叭面，下法蘭113的上面形成為其半徑方向外側(cè)向圖中的下方向傾斜的喇叭面。
上法蘭112和下法蘭113之間的間隔，要設(shè)定為比磁帶120的寬度適當(dāng)?shù)卮笠恍Ｔ诖?，將磁?20卷繞在卷盤盤心111上時(shí)，讓在下法蘭113的上面和磁帶120的寬度方向端部之間形成有間隙。根據(jù)情況，也可以讓下法蘭113的上面和磁帶120的寬度方向端部接觸，將磁帶120卷繞在卷盤盤心111上。
近年，隨著磁記錄裝置的數(shù)字化以及小型化，需要將龐大的信息數(shù)據(jù)記錄在小空間中以提高記錄密度。在磁帶中，為了提高體積記錄密度而需讓磁帶薄層化，為了提高面記錄密度，需要將軌跡窄小化。
但是，隨著磁帶的薄層化，磁帶寬度方向容易產(chǎn)生變形，例如，在記錄播放裝置內(nèi)高速運(yùn)轉(zhuǎn)和增減速度時(shí)，磁帶容易在寬度方向變形，磁帶在局部與導(dǎo)引輪等強(qiáng)接觸，結(jié)果有可能產(chǎn)生磁帶彎曲，即橫向擺動(dòng)的情況。還有，由于磁帶變形，磁帶的寬度方向端部與上法蘭的下面和下法蘭的上面接觸，產(chǎn)生磨損粉，具有增加失落的傾向。
另一方面，隨著磁帶軌跡的窄小化，容易產(chǎn)生磁帶變形部分的播放輸出比直線部分的播放輸出低的所謂線性度不良的情況，即使是微小的磁帶變形也會產(chǎn)生線性度不良的情況。因此，上述磁帶的彎曲將引起線性度不良即播放輸出變動(dòng)增大。
還有，隨著磁帶的薄層化，在將磁帶卷繞在磁帶卷盤的卷盤盤心上時(shí)，產(chǎn)生所謂的卷亂，如將圖5的A部放大透視圖的圖6所示，結(jié)果磁帶端部的一部分從磁帶120端部所形成的面上跑出。如圖6所示，磁帶端部的跑出部分120a彎曲變形，就象裙帶菜一樣。如果磁帶象這樣變形為裙帶菜狀，就不能期望正常的記錄與播放，因此，抑制卷亂是極其重要的課題。
作為卷亂的產(chǎn)生原因雖然可以認(rèn)為有各種各樣，當(dāng)在磁帶卷盤110的卷盤盤心111上卷繞磁帶120時(shí)，鄰近的磁帶之間進(jìn)入了空氣，在空氣擠出時(shí)按壓磁帶，可以認(rèn)為是產(chǎn)生的原因之一。先前，磁帶的厚度，例如在厚度為10μm左右的磁帶中，通過在磁帶卷盤的卷盤盤心111上設(shè)置槽等可以抑制卷亂。這是由于磁帶厚度大，磁帶剛性比較高，通過這樣的處理后，不會卷入空氣，所以可以卷繞磁帶。
但是，隨著磁帶的薄層化的進(jìn)行，即使在卷盤盤心上設(shè)置槽，也不能抑制卷亂，特別是當(dāng)磁帶厚度在7μm以下時(shí)，容易發(fā)生卷亂的情況。
另一方面，磁帶的端部與上法蘭的下面以及下法蘭的上面接觸產(chǎn)生的磨損粉，基本上是背層的磨損產(chǎn)生的磨損粉。如圖6所示，這之前，磁帶120的截面為平行四邊形。將寬幅的磁記錄介質(zhì)用旋轉(zhuǎn)刀裁斷后形成磁帶120時(shí)，必然會是這樣的形狀。然后，背層的端部，從由磁性層以及非磁性層的端部向磁帶的寬度方向脫出的部分B，產(chǎn)生大量的磨損粉。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明正是針對上述問題的發(fā)明，其目的在于提供一種抑制輸出變動(dòng)或者失落、可以進(jìn)行更正確地記錄和播放的磁帶盒、磁帶卷盤以及磁帶。特別是本發(fā)明的第1方案的目的在于提供一種可以將磁帶圓滑地卷繞在磁帶卷盤上并且抑制磁帶在寬度方向的變形以及卷亂的發(fā)生、可以進(jìn)行更正確地記錄和播放的磁帶卷盤。本發(fā)明的第2方案的目的在于提供一種降低在磁帶的寬度方向端部與上法蘭的下面以及下法蘭的上面接觸產(chǎn)生的磨損粉量、可以進(jìn)行更正確地記錄和播放的磁帶。
根據(jù)本發(fā)明者等的銳意研究結(jié)果，發(fā)現(xiàn)通過將卷盤盤心中的上法蘭和下法蘭之間的間隔縮小制成給定間隔，可以顯著地抑制磁帶的寬度方向的變形以及卷亂。先前，如果縮小上法蘭以及下法蘭之間的間隔，被認(rèn)為不能圓滑地將磁帶卷繞在磁帶卷盤上。但是，如果將該上法蘭以及下法蘭之間的間隔設(shè)定為考慮了磁帶寬度的給定的間隔時(shí)，可以圓滑地將磁帶卷繞在磁帶卷盤上，并且可以抑制磁帶的寬度方向的變形以及卷亂情況的發(fā)生。
即，本發(fā)明的第1方案，是在卷繞磁帶的圓筒狀的卷盤盤心的上下端上分別設(shè)置上法蘭以及下法蘭所構(gòu)成的磁帶卷盤中，其特征是從所述上法蘭以及下法蘭到所述磁帶的寬度方向的端部之間的間隔的最大值為在0.5mm以上而不到1.0mm，并且所述下法蘭由在丙烯腈-丁二烯-苯乙烯樹脂中主要含有磷酸酯系化合物的合成樹脂形成。
此外，如果所述磁帶的厚度在6μm以上而不到11μm，可以進(jìn)一步抑制磁帶的寬度方向的變形以及卷亂情況的發(fā)生。
在此，當(dāng)上法蘭的下面和下法蘭的上面分別形成為喇叭面時(shí)，從卷繞在磁帶卷盤上的最外周的磁帶的端部到上法蘭的下面以及下法蘭的上面之間的間隔為[從上法蘭以及下法蘭到所述磁帶的寬度方向的端部之間的間隔的最大值]。當(dāng)上法蘭的下面和下法蘭的上面相互平行時(shí)，從上法蘭以及下法蘭到所述磁帶的寬度方向的端部之間的間隔為一定值。
進(jìn)一步，根據(jù)本發(fā)明者等的銳意研究結(jié)果，發(fā)現(xiàn)通過采用讓背層的端部在磁帶寬度方向不要比磁性層或者非磁性層的端部超出的構(gòu)成，可以顯著降低磨損粉的產(chǎn)生量。
即，本發(fā)明的第2方案，在具有在非磁性支撐體的一方的面上設(shè)置磁性層、另一方的面上設(shè)置背層的構(gòu)成，在圓筒狀的卷盤盤心的上下端上分別具有上法蘭以及下法蘭的磁帶卷盤上卷繞的磁帶中，其特征是在卷繞在所述磁帶卷盤上的狀態(tài)下，從所述上法蘭以及下法蘭到背層的寬度方向的端部之間的間隔比從所述上法蘭以及下法蘭到所述非磁性支撐體的寬度方向的端部之間的間隔，或者到所述磁性層的寬度方向的端部之間的間隔要大。
此外，從所述上法蘭以及下法蘭到所述背層的寬度方向的端部之間的間隔比從所述上法蘭以及下法蘭到所述非磁性支撐體的寬度方向的端部之間的間隔以及到所述磁性層的寬度方向的端部之間的間隔雙方都要大。


圖1為表示本發(fā)明的實(shí)施例中的主要部位的部分剖視圖。
圖2為表示本發(fā)明的另一實(shí)施例中的主要部位的部分剖視圖。
圖3為表示可以適用本發(fā)明的實(shí)施例的磁帶以及磁帶卷盤的磁帶盒的一半構(gòu)成的俯視圖。
圖4為表示磁帶盒構(gòu)成的主要部位的剖視圖。
圖5為表示現(xiàn)有的磁帶卷盤的圖。
圖6為表示現(xiàn)有的、處于卷繞狀態(tài)的磁帶的圖。
實(shí)施發(fā)明的最佳方案圖1為表示本發(fā)明的實(shí)施例中的磁帶卷盤10以及磁帶20。磁帶卷盤10包括將磁帶20卷繞在其外周上的圓筒狀的卷盤盤心11、固定卷盤盤心11的上端的圓板狀的上法蘭12、在卷盤盤心11的下端與該卷盤盤心一體形成的圓板狀的下法蘭13。在此，與卷盤盤心11的軸方向垂直的面上，上法蘭12的下面形成為其半徑方向外側(cè)向圖中的上方向傾斜的喇叭面，下法蘭13的上面形成為其半徑方向外側(cè)向圖中的下方向傾斜的喇叭面。
然后，在將磁帶20卷繞在磁帶卷盤10的卷盤盤心11上時(shí)，在上法蘭12的下面和磁帶20的寬度方向的一方端部(圖中上方)之間，以及在下法蘭13的上面和磁帶20的寬度方向的另一方端部(圖中下方)之間分別形成有間隙。
在此，磁帶20的寬度W1為12.65mm，厚度為10μm。這時(shí)，上下法蘭12、13的半徑方向的、卷繞在卷盤盤心11的最外周的磁帶的位置處，上法蘭12的下面和下法蘭13的上面之間的間隔W2設(shè)定為13.15mm以上而不到13.65mm。
磁帶20，如圖1中的點(diǎn)虛線所包圍的部分所示，在其剖視圖中，背層23的寬度方向端部在磁帶20的寬度方向沒有超出磁性層22以及非磁性層21的寬度方向端部。即從上下法蘭12、13到背層23之間的間隔(上法蘭12的下面和背層23的圖中上方的端部之間的間隔U1、以及下法蘭13的上面和背層23的圖中下方的端部之間的間隔D1之和)比從上述上下法蘭到磁性層22的端部之間的間隔(上法蘭12下面和磁性層22的圖中上方的端部之間的間隔U2、以及下法蘭13的上面和磁性層22的圖中下方的端部之間的間隔D2之和)要大。
這樣截面形狀的磁帶20，例如，是將寬幅的磁記錄介質(zhì)用旋轉(zhuǎn)刀切斷時(shí)，通過調(diào)整磁記錄介質(zhì)的傳送速度以及旋轉(zhuǎn)刀的轉(zhuǎn)速可以形成。
依據(jù)以上構(gòu)成的磁帶卷盤10以及磁帶20，當(dāng)在卷盤盤心11卷繞磁帶20時(shí)，磁帶20的寬度方向的變形由相隔給定間隔的上法蘭12的下面和下法蘭13的上面限制。還有，由于背層23的寬度方向端部與下法蘭13不接觸，不會從背層23上產(chǎn)生磨損粉。因此，可以確實(shí)地降低線性度不良以及失落的情況。
圖2為表示本發(fā)明的另一實(shí)施例中的磁帶卷盤30。此外，對于已經(jīng)說明了的部件，由于在圖中采用相同的符號或者相當(dāng)?shù)姆?，所以在此簡化或省略其說明。
該磁帶卷盤30，也是在上法蘭32的下面形成為其半徑方向外側(cè)向圖中的上方向傾斜的喇叭面，在下法蘭33的上面形成為其半徑方向外側(cè)向圖中的下方向傾斜的喇叭面。而在磁帶卷盤30中，讓下法蘭33的上面與磁帶40的寬度方向的一方端部(圖中下方)接觸的情況下卷繞磁帶40。
在此，磁帶40的寬度W1為6.35mm，厚度為6.7+0/-0.4μm(換句話說，厚度是以6.7μm為基準(zhǔn)，正方向的公差為0，負(fù)方向具有最大為-0.4μm的公差)。這時(shí)，上法蘭32的傾斜量T1為0～0.15mm，下法蘭33的傾斜量T2為0.25～0.5mm。卷盤盤心31的高度，即在卷盤盤心31附近上法蘭32的下面和下法蘭33的上面之間的間隔設(shè)定為6.75mm。還有，上下法蘭32、33的直徑約為60mm，卷盤盤心31的外周徑約為19mm。
在此所謂的上法蘭32的傾斜量T1是指當(dāng)上法蘭32的下面形成為向其半徑方向外側(cè)向圖中上方向傾斜的喇叭面時(shí)，以卷盤盤心31的根部P1的高度為0時(shí)的上法蘭32的外周端部Q1的高度。在此所謂的下法蘭33的傾斜量T2是指當(dāng)下法蘭33的上面形成為向其半徑方向外側(cè)向圖中下方向傾斜的喇叭面時(shí)，以卷盤盤心31的根部P2的高度為0時(shí)的下法蘭33的外周端部Q2的高度。
在該磁帶卷盤30上卷繞磁帶40時(shí)，如圖2所示，如果要卷繞的磁帶40a在寬度方向變形與上法蘭32的下面接觸時(shí)，該磁帶40a不會產(chǎn)生磨損粉而由上法蘭下面被推向下法蘭側(cè)。然后該磁帶40a在與已經(jīng)卷繞的最外周的磁帶40接觸時(shí)與下法蘭33的上面接觸。
在依次將磁帶卷繞在磁帶卷盤30上時(shí)，已經(jīng)卷繞的最外周的磁帶的圖中上方的端部與上法蘭32下面之間的間隔在不到1mm之間，通過上述的作用，磁帶40a被壓向下法蘭33側(cè)，確實(shí)地與下法蘭33的上面接觸。這樣可以顯著抑制卷亂的發(fā)生。
實(shí)施例以下根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，說明本發(fā)明的顯著效果。
采用具有表1所示的磁帶厚度以及磁帶寬度的磁帶，構(gòu)成圖1所示狀態(tài)的、表1所示法蘭寬度的卷盤盤心(實(shí)施例1～3，比較例1～4)，采用這些卷盤盤心做成磁帶盒。測定這樣做成的磁帶盒的輸出變動(dòng)以及失落(D0)的增加。其測定結(jié)果如表1所示。
此外，輸出變動(dòng)，當(dāng)RF輸出的包絡(luò)的幅度為正常時(shí)為0％，沒有信號時(shí)為100％。失落的增加，由錄像機(jī)讓磁帶進(jìn)行300次FF/REW之后正常走帶，分別測定進(jìn)行前和進(jìn)行后，在0.2μ秒以上的失落數(shù)進(jìn)行計(jì)數(shù)。
表1

表1表明，在采用從上下法蘭到磁帶端部之間的間隔的最大值為0.5mm以上而不到1.0mm的磁帶卷盤的磁帶盒中其輸出變動(dòng)小。還有，在采用從上下法蘭到背層端部之間的間隔比從上下法蘭到非磁性層支撐體端部之間的間隔以及到磁性層之間的間隔要大的磁帶卷盤的磁帶盒中，可以顯著抑制失落的增加。
以下說明適合于本發(fā)明的實(shí)施例以及另一實(shí)施例中的磁帶卷盤的成形材料。
磁帶卷盤30的上法蘭32，從能確認(rèn)磁帶殘量的觀點(diǎn)看最好采用透明的樹脂形成。還有，與卷繞磁帶20的卷盤盤心31一體形成的下法蘭33采用以下的樹脂材料成形構(gòu)成。
(1)考慮到滑動(dòng)性(互磨性)采用POM(聚縮醛)樹脂成形，(2)考慮到價(jià)格性能比采用在PS(聚苯乙烯)中添加Si(硅)后樹脂成形，(3)考慮到強(qiáng)度采用ABS(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯)樹脂、在ABS中添加PC(聚碳酸酯)的樹脂、PC、或者在PC中添加玻璃纖維增強(qiáng)的樹脂形成。
但是，根據(jù)本發(fā)明者等的銳意研究結(jié)果，發(fā)現(xiàn)在本發(fā)明的實(shí)施例以及另一實(shí)施例的磁帶卷盤的下法蘭與下半盒的開口部的邊緣部擋接，有可能相互摩擦產(chǎn)生削粉，粘附在磁帶上引起信號失落的情況發(fā)生，因此還有改善的余地。以下詳細(xì)說明本發(fā)明者等發(fā)現(xiàn)的改善方案。
在適用于本發(fā)明的實(shí)施例以及另一實(shí)施例的磁帶卷盤10以磁帶20的磁帶盒30中，上半盒82取下時(shí)，如圖3所示，在下半盒83內(nèi)轉(zhuǎn)動(dòng)自由地安裝了一對磁帶卷盤30(在圖中省略了一方的磁帶卷盤)。
如果觀察圖4的剖面構(gòu)造，下法蘭33的中心部嵌合設(shè)置在下半盒83的開口部91內(nèi)，下法蘭33的一部分載置在開口部91的邊緣部(凸?fàn)畹目?91a上的狀態(tài)下被支撐。
將磁帶盒80裝入錄像機(jī)中進(jìn)行記錄和播放時(shí)，一對磁帶卷盤32轉(zhuǎn)動(dòng)，磁帶20行走，同時(shí)一對磁帶卷盤30浮上，不讓下法蘭33與邊緣部91a接觸。但是，作為商品，由于搬運(yùn)等原因，有可能產(chǎn)生圖中所示的擋接，相互摩擦產(chǎn)生削粉。
為此，在本改進(jìn)方案中，包含構(gòu)成一對磁帶卷盤10的卷盤盤心31的下法蘭33采用下述的樹脂材料成形。
即，在ABS樹脂中含有磷酸酯系的化合物，優(yōu)選含有0.2～1.2％的磷酸酯系的乙烯二磷酸酯樹脂材料形成下法蘭33。
選擇ABS的理由是因?yàn)槠鋸?qiáng)度、尺寸的穩(wěn)定性、生產(chǎn)成本、在運(yùn)送時(shí)可以防止在環(huán)境溫度80℃時(shí)的尺寸變化。然后，選擇磷酸酯系的乙烯二磷酸酯作為添加材料是因?yàn)槠湔駝?dòng)適應(yīng)性，即光滑性良好，具有耐熱性。進(jìn)一步，為了防止添加材料對模具的污染，通過實(shí)驗(yàn)獲得添加比例。
實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，當(dāng)磷酸酯系的乙烯二磷酸酯的含有率小于0.2％時(shí)，沒有上述振動(dòng)適應(yīng)性的效果，當(dāng)比1.2％大時(shí)，有可能在連續(xù)成形時(shí)對模具產(chǎn)生污染，因此優(yōu)選上述比例。
根據(jù)以上說明，依據(jù)有關(guān)本改進(jìn)方案的磁帶卷盤，下法蘭由在ABS樹脂中主要含有磷酸酯系化合物的合成樹脂形成。
選擇ABS的理由是因?yàn)槠鋸?qiáng)度、尺寸的穩(wěn)定性、生產(chǎn)成本、在運(yùn)送時(shí)可以防止在環(huán)境溫度80℃時(shí)的尺寸變化，作為具有振動(dòng)適應(yīng)性以及耐熱性的添加材料，選擇磷酸酯系化合物，優(yōu)選磷酸酯系的乙烯二磷酸酯。進(jìn)一步，添加材料的添加比例，為了防止在成形時(shí)對模具的污染，通過實(shí)驗(yàn)獲得。
因此，在磁帶卷盤連續(xù)成形時(shí)不會對模具產(chǎn)生污染，可以提高生產(chǎn)效率。還有，由于提高了卷盤的強(qiáng)度以及振動(dòng)適應(yīng)性，所以在運(yùn)送產(chǎn)品時(shí)或在生產(chǎn)工序中，都不會發(fā)生由于摩擦產(chǎn)生削粉的情況，可以防止因粘附在磁帶上引起的信號失落等問題，以及割裂、缺損等問題。
并且，可以獲得尺寸穩(wěn)定性優(yōu)良，在運(yùn)送時(shí)不會由于環(huán)境溫度變形，而且不會增加制造成本等各種效果。
產(chǎn)業(yè)上利用的可能性如以上說明的那樣，本發(fā)明的磁帶卷盤，從上下法蘭到磁帶的寬度方向端部之間的間隔的最大值為0.5mm以上而不到1.0mm，這樣可以顯著抑制輸出變動(dòng)以及失落，防止亂卷。
還有，本發(fā)明的磁帶，在卷繞在磁帶卷盤的狀態(tài)下，從上下法蘭到背層的寬度方向端部之間的間隔比從上下法蘭到非磁性層支撐體的寬度方向端部之間的間隔以及到磁性層的寬度方向端部之間的間隔要大，這樣可以進(jìn)一步顯著抑制失落。
進(jìn)一步，至少具有上述磁帶卷盤以及上述磁帶中的一方的磁帶盒，可以顯著抑制輸出變動(dòng)以及失落，進(jìn)行更正確地記錄和播放。
權(quán)利要求
1.一種磁帶，在具有在非磁性支撐體的一方的面上設(shè)置磁性層、另一方的面上設(shè)置背層的構(gòu)成，在圓筒狀的卷盤盤心的上下端上分別具有上法蘭以及下法蘭的磁帶卷盤上卷繞，其特征是在卷繞在所述磁帶卷盤上的狀態(tài)下，從所述上法蘭以及下法蘭到所述背層的寬度方向的端部之間的間隔比從所述上法蘭以及下法蘭到所述非磁性支撐體的寬度方向的端部之間的間隔，或者到所述磁性層的寬度方向的端部之間的間隔要大。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁帶，其特征是在卷繞在所述磁帶卷盤上的狀態(tài)下，從所述上法蘭以及下法蘭到所述背層的寬度方向的端部之間的間隔比從所述上法蘭以及下法蘭到所述非磁性支撐體的寬度方向的端部之間的間隔以及到所述磁性層的寬度方向的端部之間的間隔雙方都要大。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁帶，其特征是所述磁帶的厚度在6μm以上而不到11μm。
全文摘要
本發(fā)明的磁帶卷盤(10)在卷繞磁帶(20)圓筒狀的盤心(11)的上下端上分別設(shè)置由上法蘭(12)以及下法蘭(13)構(gòu)成，從上法蘭(12)以及下法蘭(13)到磁帶(20)的端部之間的間隔的最大值設(shè)定為0.5mm以上而不到1.0mm，并且，所述下法蘭由在丙烯腈—丁二烯—苯乙烯樹脂中主要含有磷酸酯系化合物的合成樹脂形成。還有，本發(fā)明的磁帶(20)是在非磁性支撐體(21)的一方的面上設(shè)置磁性層(22)，另一方的面上設(shè)置背層(23)，在卷繞在磁帶卷盤(10)的狀態(tài)下，從上法蘭(12)以及下法蘭(13)到背層(23)端部之間的間隔(U1)+(D1)比從上法蘭(12)以及下法蘭(13)到非磁性支撐體(21)的端部之間的間隔以及到磁性層(22)的端部之間的間隔(U2)+(D2)要大。
文檔編號G11B23/037GK1558418SQ20041007162
公開日2004年12月29日 申請日期2000年2月15日 優(yōu)先權(quán)日1999年2月16日
發(fā)明者村尾直人, 佐藤信, 山岸貢, 森田清夫, 夫 申請人:富士膠片株式會社