專利名稱：立體種植石斛的裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬植物栽培裝置結(jié)構(gòu)技術(shù)領(lǐng)域，尤其是石斛栽培裝置技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
石斛是一種極其珍貴的藥物，由于其具有增強(qiáng)免疫功能，抗腫瘤和抗衰老的獨(dú)特功效，其市場需求量近年速猛增，因野生石斛稀少，加之自然生長緩慢，產(chǎn)量低，遠(yuǎn)不能滿足市場需求，所以石斛的工人栽培已經(jīng)興起，現(xiàn)有的石斛人工栽培方法通常是采取平面種植，這種栽培技術(shù)與石斛本身的生長特性有著較大的差別。由于石斛適宜生長在遮陽，避風(fēng)溫暖，潮濕的地方，而且善于隨樹或巖石陡壁爬附生長，常與苔蘚植物伴生，既具有寄生特性，又具備空中生長的特性，因此其根莖應(yīng)具有良好的通風(fēng)透氣性和開放性，但平面種植沒有考慮到適合石斛生長的這些特性，其根部十分容易在培植土內(nèi)腐爛，而且根部埋于培植土內(nèi)后透氣性很差，使人工種植的石斛成活率不高，生長也較緩慢。

發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的正是為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在的不足之處而提供一種滿足石斛生長特性，透氣性好，能充分保持濕潤度，使其能沿墻面攀緣立體生長的立體種植石斛的裝置。
本實(shí)用新型的目的是通過如下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。
一種立體種植石斛的裝置，它包括有墻體和布設(shè)在墻體上的孔洞，并在墻體的頂部設(shè)置有滴灌設(shè)施。
墻體高度為1500～2500mm，厚度為100～400mm，開設(shè)在墻體上的孔洞每一橫排與上、下相鄰排等距離錯(cuò)位排列，每一橫排孔洞之間的中心間距為240～280mm，每相鄰兩排孔洞中心線的垂直間距為120～180mm，孔洞最大公稱尺寸為30～120mm；每堵墻體與相鄰墻體的間距為800～2000mm。
本實(shí)用新型采用間隔一定距離的一堵一堵墻體，將培植的石斛株苗栽入開設(shè)在墻體上的孔洞內(nèi)，并在墻體頂部安裝放置滴灌裝置，能保證墻面經(jīng)常處于濕潤的狀態(tài)。在種植期間定期施以一定的營養(yǎng)液后，殘留在墻面上的營養(yǎng)液與濕潤的墻面結(jié)合逐步生成苔蘚。本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)既營造了適宜石斛生長所需的遮陽、避風(fēng)溫暖、潮濕的環(huán)境，又創(chuàng)造了適宜石斛寄生生長特性的條件，更有利于石斛的生長，株苗成活率很高，具有明顯的經(jīng)濟(jì)價(jià)值。
下面結(jié)合說明書附圖進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型的內(nèi)容。


圖1為本實(shí)用新型磚石墻體的結(jié)構(gòu)示意圖，圖2為圖1的A-A剖視示意圖，圖3為本實(shí)用新型夾層木板墻體的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
如圖1、圖2所示，墻體1材料主要選擇普通燒制的粘土磚作為基材，也可以用經(jīng)加工切割的石材六面矩形體為基材。以一塊磚的寬度作為墻體厚度，靠每一橫排磚與磚的錯(cuò)位放置形成孔洞2。本實(shí)施例采用長×寬×厚為230×115×56mm的普通磚壘砌墻體1，墻體1的厚度為磚的寬度115mm，孔洞2為矩形孔，長×寬為70×80mm，在每堵墻體1頂部設(shè)置管式的滴灌裝置3，以保濕為目的，適時(shí)進(jìn)行滴灌。墻體與墻體之間的距離最好為800～2000mm，墻體視長度需要在每4000mm處建筑一個(gè)磚墩7用以增加墻體的強(qiáng)度。墻體高度以1500～2500mm、厚度以100～40mm為宜，每一橫排孔洞之間的中心間距最好在240～280mm，每相鄰兩排孔洞中心線的垂直間距最好為120～180mm，孔洞可為圓孔或矩形孔，孔洞的最大公稱尺寸限制在30～120mm。本實(shí)用新型也可如圖3所示，采用夾層木板作為墻體1，在木板墻體1上按錯(cuò)位方式每排以中心距為180mm均布開設(shè)圓形孔洞2，將壁厚為5mm的經(jīng)燒制而成的陶瓷筒8插入夾層兩面的木板上對(duì)應(yīng)開設(shè)的孔洞2內(nèi)，在孔洞2內(nèi)填放培植土4。
利用本實(shí)用新型種植石斛時(shí)，將培植土4填滿孔洞2，石斛株苗5采用經(jīng)培植6～8個(gè)月的組培苗，在每一孔洞2的下方左右兩邊各種植一棵石斛苗，然后采用透光率為25％的遮陽網(wǎng)6將種植面積全部覆蓋起來。石斛生長期間，適時(shí)進(jìn)行滴灌，并定期對(duì)株苗噴施以營養(yǎng)液或其他對(duì)石斛生長有利的物質(zhì)，靠濕潤的墻面和殘留在墻體表面的營養(yǎng)液使墻面逐步生成苔蘚，使石斛的根系爬附在苔蘚上，促進(jìn)株苗生長，待生長至花期約4～8個(gè)月，果期6～10個(gè)月便可采集成熟石斛。
權(quán)利要求1.立體種植石斛的裝置，其特征是，它包括有墻體(1)和布設(shè)在墻體(1)上的孔洞(2)，并在墻體(1)的頂部設(shè)置有滴灌設(shè)施(3)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的立體種植石斛的裝置，其特征是，墻體(1)高度為1500～2500mm，厚度為100～40mm，開設(shè)在墻體(1)上的孔洞(2)每一橫排與上、下相鄰排等距離錯(cuò)位排列，每一橫排孔洞之間的中心間距為240～280mm，每相鄰兩排孔洞中心線的垂直間距為120～180mm，孔洞最大公稱尺寸為30～120mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的立體種植石斛的裝置，其特征是，每堵墻體與相鄰墻體的間距為800～2000mm。
專利摘要立體種植石斛的裝置，它包括有墻體(1)和布設(shè)在墻體(1)上的孔洞(2)，并在墻體(1)的頂部設(shè)置有滴灌設(shè)施(3)。本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)能充分滿足石斛生長特性，其透氣性好并能充分保持濕潤度，使石斛能沿墻面攀緣立體生長，而且成活率高，十分利于石斛生長。
文檔編號(hào)A01G25/00GK2717204SQ200420060620

公開日2005年8月17日 申請(qǐng)日期2004年8月2日 優(yōu)先權(quán)日2004年8月2日
發(fā)明者蔡仲玉, 王躍峰, 徐繼宏 申請(qǐng)人:蔡仲玉, 王躍峰, 徐繼宏