專利名稱：石斛栽培墻的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種植物的栽培裝置，主要是一種石斛栽培墻。
背景技術(shù)：
石斛忌干燥、怕積水，特別在新芽開始萌發(fā)至新根形成時需充足水分。但過于潮 濕，如遇低溫，很容易引起腐爛；天晴干熱時，除澆水外，要往地面多噴水，保持較高的空氣 濕度。因此，石斛不易栽培，栽培條件要求高，為了便于栽培的好，又能簡便，節(jié)省材料，可以 采用墻體栽培。

實用新型內(nèi)容本實用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種石斛栽培墻，其既簡便，節(jié)省材料，又 有利于石斛的根生長朝外，栽培效果好。為解決上述技術(shù)問題，本實用新型采用的技術(shù)方案是一種石斛栽培墻，包括有墻體，所述墻體上開有多個孔，所述的孔穿透墻體的兩端 壁，所述孔內(nèi)有石斛培育料。本實用新型的優(yōu)點是本實用新型栽培裝置簡便，節(jié)省材料，又有利于石斛的根生長朝外，栽培效果好。
圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
參見圖1 一種石斛栽培墻，包括有墻體1，所述墻體1上開有多個孔2，所述的孔2 穿透墻體的兩端壁，所述孔2內(nèi)有石斛培育料3。
權(quán)利要求1. 一種石斛栽培墻，包括有墻體，其特征在于所述墻體上開有多個孔，所述的孔穿透 墻體的兩端壁，所述孔內(nèi)有石斛培育料。
專利摘要本實用新型公開了一種石斛栽培墻，包括有墻體，墻體上開有多個孔，孔穿透墻體的兩端壁，孔內(nèi)有石斛培育料。本實用新型栽培裝置簡便，節(jié)省材料，又有利于石斛的根生長朝外，栽培效果好。
文檔編號A01G31/02GK201898772SQ20102055489
公開日2011年7月20日 申請日期2010年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月30日
發(fā)明者馮偉, 王丹丹, 王順利, 邵丹 申請人:安徽千億藥業(yè)有限公司