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      一種勛章菊高效快速育苗方法

      文檔序號(hào):330186閱讀:289來源:國知局
      專利名稱:一種勛章菊高效快速育苗方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及一種菊科植物無性繁殖的育苗方法,特別涉及一種勛章菊扦插高效快 速育苗的方法。
      背景技術(shù)
      勛章菊具有四季常綠、三季現(xiàn)花的特性,既可觀葉也可觀花,是既能地植也可盆栽 的多年生地被植物。其繁殖方法在文獻(xiàn)“勛章菊的栽培”(趙庚義、北京農(nóng)業(yè),2005年9期 11-12頁)、“風(fēng)姿浪漫勛章花”(王意成,花木盆景,2003年4期22-23頁)和“勛章菊的栽培 管理”(劉桂云,花木盆景,2009年11期15-15頁)中,介紹了采用播種、扦插、分株和組織培 養(yǎng)等,但這些方法都存在著從播種到開花需85 100天較長時(shí)間的不足;對(duì)勛章菊進(jìn)行分 株繁殖時(shí),文獻(xiàn)“勛章菊栽培技術(shù)要點(diǎn)”(楊俊杰、付紅梅,農(nóng)業(yè)工程技術(shù),2008年6期61-62 頁)中記載了每1分株必須帶有頂芽和根系才能成苗的技術(shù)方案;在文獻(xiàn)“勛章菊時(shí)片再生 技術(shù)的探討”(盛亞丹,安徽農(nóng)業(yè)科學(xué),2010年38期8317-8320頁)中,采用在組織培養(yǎng)的 條件下,以葉片為外植體,從植床到組培苗生根至少需要50天。顯然,這樣的繁殖方式數(shù)量 少、速度慢。采用上述文獻(xiàn)中公開的扦插繁殖技術(shù),雖然成苗周期較上述方法縮短,但插后 仍需要20 25天生根,也達(dá)不到高效快速育苗的要求。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有育苗技術(shù)存在的不足,為觀賞園藝、花卉栽培、綠化工 程提供一種勛章菊高效快速育苗方法。實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的的技術(shù)方案是一種勛章菊育苗方法,包括如下順序的步驟
      (1)4月至11月,在勛章菊植株上剪下健壯莖蔓或叢生枝,選取適當(dāng)位置剪成插穗,每 個(gè)插穗保留2 5片葉;
      (2)以完全炭化的礱糠或草木灰為扦插基質(zhì),扦插基質(zhì)厚度為5cm以上,將其裝入滲 水性好的框、籃或盤中做成移動(dòng)插床,或?qū)⑵渲苯友b入扦插池內(nèi)作為固定插床;
      (3)對(duì)插床上的扦插基質(zhì)淋水,使其充分濕潤;
      (4)將插穗插入基質(zhì)中,扦插深度為3 km,密度為4 5cm/株;
      (5)插后立即用稀釋濃度為500 800倍的多菌靈殺菌劑水溶液噴灑插穗;
      (6)10 15分鐘后將插穗移入全日照噴霧裝置下,任其發(fā)根生長;
      (7)2 3周后將生根的扦插苗移栽于假植缽或泥盆中;
      (8)6周后,假植缽中的扦插苗根系伸出滲水孔時(shí),即可移入花臺(tái)建植或進(jìn)行地栽 ’泥 盆中的菊苗可直接培育成盆花。本發(fā)明對(duì)所剪成的插穗保留其頂芽或花蕾,以利生根和早花;對(duì)所剪成的沒有頂 芽的莖段插穗,保留其葉片,扦插前用濃度為1000mg/L的吲哚丁酸浸插穗基部數(shù)秒鐘,促 進(jìn)生根;對(duì)所剪成的插穗葉面積過大的插穗,剪去插穗葉的部分葉片,以減弱蒸騰作用的耗 水。
      本發(fā)明所述的全日照噴霧裝置的工作狀態(tài)為完全自然光照;連續(xù)噴霧或夜間不 噴霧,連續(xù)噴霧的噴霧頻率為5分鐘/每小時(shí);當(dāng)天氣條件為連續(xù)5 7天溫度> 32°C時(shí), 用兩層遮陽網(wǎng)復(fù)蓋插床上部。本發(fā)明利用勛章菊植株的地上部分如莖、枝、芽等作為插穗,插入完全炭化的基質(zhì) 中,在全日照噴霧條件下,7 10天后開始生根,第14 20天即可成苗上盆,40 45天后 即可建植花臺(tái)或景觀應(yīng)用,且扦插密度可達(dá)400株以上/m2。由于上述技術(shù)方案的運(yùn)用,本發(fā)明技術(shù)方案的優(yōu)點(diǎn)在于勛章菊育苗方法操作簡 便,成活率高,育苗周期短,不僅可以高,而且可以不受季節(jié)影響進(jìn)行室內(nèi)周年扦插,實(shí)現(xiàn)了 高效快速育苗。
      具體實(shí)施例方式下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案作進(jìn)一步描述。實(shí)施例一
      本實(shí)施例技術(shù)方案適用于以勛章菊莖蔓為插穗,扦插后14天成苗后移植于假植營養(yǎng) 缽,40天移入花臺(tái)建植。其具體步驟如下
      (1)5月下旬,在“紅紋”品種(黃色花)的植株上剪下健壯側(cè)蔓,選取適當(dāng)位置剪成插 穗,每個(gè)插穗保留2 5片葉,保留頂芽或花蕾,葉面積過大的插穗剪去1/3葉片;
      (2)在40CmX40CmX5Cm的塑料盤中裝入厚度為5cm的礱糠為基質(zhì);
      (3)對(duì)礱糠淋水,使其充分濕潤;
      (4)將步驟1準(zhǔn)備好的插穗插入基質(zhì)中,扦插深度為3 km、密度為4 5cm/株;
      (5)用稀釋濃度為500倍的多菌靈水溶液噴灑插穗后,移入全日照間歇噴霧裝置下任 其發(fā)根生長。白天自然光照期間(7 :00至17 :00),噴霧的頻率為每小時(shí)噴水5分鐘,夜間 不噴水;
      (6)7天后開始生根,待插穗根系從塑料盤底部或周邊伸出時(shí)(約14天),將扦插苗從 基質(zhì)中挖出(可少帶礱糠),移栽于假植(營養(yǎng))缽或泥盆中,澆足定根水后任其生長,后期進(jìn) 行常規(guī)肥水管理;
      (7)待扦插苗的根系伸出假植缽的滲水孔時(shí)(約40天),取出帶苗的假植土球,移入花 臺(tái)建植或進(jìn)行地栽;而泥盆中的菊苗可直接培育成盆花。實(shí)施例二
      本實(shí)施例技術(shù)方案適用于以勛章菊莖蔓為插穗,扦插后20天移植于假植營養(yǎng)缽,45天 移入花臺(tái)。其具體步驟如下
      (1)6月下旬,在“星白”品種(白色花)的植株上剪下健壯叢生枝,選取適當(dāng)位置剪成 插穗,每個(gè)插穗保留2 5片葉,保留頂芽或花蕾,葉面積過大的插穗剪去1/3葉片,以減 弱蒸騰作用的耗水;也可采用沒有頂芽的莖段剪成插穗,則應(yīng)保留其葉片,扦插前用濃度為 1000mg/L的吲哚丁酸浸插穗基部數(shù)秒鐘,促進(jìn)生根;
      (2)在510_X250_X47_的穴盤中裝入5cm厚的礱糠;
      (3)對(duì)礱糠淋水,使其充分濕潤;
      (4)將準(zhǔn)備好的插穗插入濕潤的礱糠中,扦插深度為3 km,每穴插1株,每盤插32
      株;(5)插好后用稀釋濃度為800倍的多菌靈水溶液噴灑插穗,再移入全日照噴霧裝置下 任其發(fā)根生長。白天自然光照期間(7 :00至18 :00)進(jìn)行連續(xù)噴霧(水閥不關(guān)),夜間不噴 水;
      (6)10天后開始生根,待插穗的根系從穴盤底部的滲水孔伸出時(shí)(約20天),將苗從穴 盤中連根帶糠一并取出,移栽于假植(營養(yǎng))缽或泥盆中,澆足定根水后任其生長,后期進(jìn)行 常規(guī)肥水管理;
      (7)待菊苗的根系伸出假植缽的滲水孔時(shí)(約45天),取出帶苗的假植土球,移入花臺(tái) 建植或進(jìn)行地栽;而泥盆中的菊苗可直接培育成盆花。 本發(fā)明操作簡便,成活率達(dá)到90%以上,40 45天即可成苗,育苗期短;育苗成本 約為0. 1元/株,成本較低。按本發(fā)明技術(shù)方案提供的勛章菊菊苗,不僅能在400 625株 /m2的高密度條件下扦插,且可以不受季節(jié)限制進(jìn)行室內(nèi)周年扦插,因此,具有推廣應(yīng)用的 前景。
      權(quán)利要求
      1.一種勛章菊育苗方法,其特征在于包括如下順序的步驟(1)4月至11月,在勛章菊植株上剪下健壯莖蔓或叢生枝,選取適當(dāng)位置剪成插穗,每 個(gè)插穗保留2 5片葉;(2)以完全炭化的礱糠或草木灰為扦插基質(zhì),扦插基質(zhì)厚度為5cm以上,將其裝入滲 水性好的框、籃或盤中做成移動(dòng)插床,或?qū)⑵渲苯友b入扦插池內(nèi)作為固定插床;(3)對(duì)插床上的扦插基質(zhì)淋水,使其充分濕潤;(4)將插穗插入基質(zhì)中,扦插深度為3 4cm,密度為4 5cm/株;(5)插后立即用稀釋濃度為500 800倍的多菌靈殺菌劑水溶液噴灑插穗;(6)10 15分鐘后將插穗移入全日照噴霧裝置下,任其發(fā)根生長;(7)2 3周后將生根的扦插苗移栽于假植缽或泥盆中;(8)6周后,假植缽中的扦插苗根系伸出滲水孔時(shí),即可移入花臺(tái)建植或進(jìn)行地栽 ’泥 盆中的菊苗可直接培育成盆花。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種勛章菊育苗方法,其特征在于對(duì)所剪成的插穗保留其 頂芽或花蕾,以利生根和早花;對(duì)所剪成的插穗為沒有頂芽的莖段插穗,保留其葉片,扦插 前用濃度為1000mg/L的吲哚丁酸浸插穗基部數(shù)秒鐘,促進(jìn)生根。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種勛章菊育苗方法,其特征在于對(duì)所剪成的插穗其插穗 葉面積過大的,剪去插穗葉的部分葉片,以減弱蒸騰作用的耗水。
      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種勛章菊育苗方法,其特征在于所述的全日照噴霧裝置的 工作狀態(tài)為完全自然光照;連續(xù)噴霧或夜間不噴霧,連續(xù)噴霧的噴霧頻率為5分鐘/每小 時(shí);當(dāng)天氣條件為連續(xù)5 7天、溫度> 32°C時(shí),用兩層遮陽網(wǎng)復(fù)蓋插床上部。
      全文摘要
      本發(fā)明公開了一種勛章菊高效快速育苗方法。在勛章菊植株上剪下健壯莖蔓或叢生枝,剪成插穗,每個(gè)插穗保留2~5片葉;在滲水性好的框籃或扦插池內(nèi)中裝入厚度為5cm以上的基質(zhì)并使其充分濕潤;將插穗以3~4cm的深度、4~5cm/株的密度插入基質(zhì)中,用稀釋濃度為500~800倍的多菌靈殺菌劑溶液噴灑后移入全日照噴霧裝置下任其發(fā)根生長;2~3周后移栽于假植缽或泥盆,6周后,即可移入花臺(tái)建植或地栽,而泥盆中的菊苗可直接培育成盆花。本發(fā)明提供的勛章菊育苗方法操作簡便,成活率高,育苗期短,培苗成本低;菊苗不僅可以高密度扦插,而且不受季節(jié)限制進(jìn)行室內(nèi)周年扦插,具有推廣應(yīng)用的前景。
      文檔編號(hào)A01G1/00GK102144486SQ20111002054
      公開日2011年8月10日 申請(qǐng)日期2011年1月18日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月18日
      發(fā)明者徐建峰, 李葉峰, 李強(qiáng), 楊蘇平, 王寧, 王彩晨, 王永忠, 王波, 王謹(jǐn), 皇甫興成, 盛亞丹, 陸小平 申請(qǐng)人:蘇州大學(xué)
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