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      一種濱海鹽堿地樹木栽植方法及樹木栽植結(jié)構(gòu)的制作方法

      文檔序號:251002閱讀:360來源:國知局
      一種濱海鹽堿地樹木栽植方法及樹木栽植結(jié)構(gòu)的制作方法
      【專利摘要】本發(fā)明公開了一種濱海鹽堿地樹木栽植方法及樹木栽植結(jié)構(gòu),其中,樹木栽植方法包括修建圍堰、設(shè)置抬高層、對抬高層壓鹽排堿、挖掘種植坑、鋪設(shè)防水土工布、鋪設(shè)碎石濾水層、鋪設(shè)稻草簾濾水層、回填種植土和栽植樹木步驟;本發(fā)明方法綜合采取上述步驟措施后,減慢了鹽堿土壤的返鹽周期,加之種植土的土壤肥力,為樹木的成活及生長創(chuàng)造了良好的條件,栽植之后易于形成綠化景觀;由于地勢抬高,鹽堿原土相對降低,具體施工時(shí)不必再鋪設(shè)排堿管,既減少了排鹽治堿的周期,又降低了成本。本發(fā)明的樹木栽植方法及樹木栽植結(jié)構(gòu),適合在濱海鹽堿地區(qū)的綠化過程中推廣應(yīng)用。
      【專利說明】一種濱海鹽堿地樹木栽植方法及樹木栽植結(jié)構(gòu)
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及濱海鹽堿地治理【技術(shù)領(lǐng)域】,尤其涉及一種濱海鹽堿地樹木栽植方法及樹木栽植結(jié)構(gòu)。
      【背景技術(shù)】
      [0002]濱海鹽堿地因鹽堿含量高導(dǎo)致土壤較為貧瘠,原來地貌只有少數(shù)耐鹽堿草生長,且多為自然生長,人工栽植樹木較少,原有耐鹽堿草及人工栽植的少量樹木由于氣候、土壤原因,不能形成良好的綠化景觀,景觀結(jié)構(gòu)較為單一,觀賞價(jià)值較低。而且,濱海地區(qū)的河道往往淤塞嚴(yán)重,雜草叢生,水污染嚴(yán)重,土質(zhì)較差,一般觀賞樹木難以正常生長。
      [0003]目前,改善這種現(xiàn)狀常用的方法主要有臺田改堿、暗管排堿、盲溝排堿、深溝條田改堿、風(fēng)力提水改堿等,但這幾種鹽堿地治理方法普遍存在成本較高,工序繁瑣,需耗費(fèi)大量的人力、物力的問題。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0004]本發(fā)明所要解決的一個(gè)技術(shù)問題是:提供一種濱海鹽堿地樹木栽植方法,以解決傳統(tǒng)的排鹽治堿方式所存在的周期長、成本高的問題,并提高樹木的成活率。
      [0005]本發(fā)明所要 解決的另一個(gè)技術(shù)問題是:提供一種濱海鹽堿地樹木栽植結(jié)構(gòu)。
      [0006]為解決上述關(guān)于濱海鹽堿地樹木栽植方法的技術(shù)問題,本發(fā)明的技術(shù)方案是:一種濱海鹽堿地樹木栽植方法,包括以下步驟:
      [0007]a.修建圍堰:在鹽堿地上修建圍堰;
      [0008]b.設(shè)置抬高層:用泥漿泵自所述圍堰外部的河底抽取淤泥,并將抽取的淤泥泵送至所述圍堰內(nèi)部的鹽堿原土表面,經(jīng)晾曬、攤平,形成所述抬高層;
      [0009]c.壓鹽排堿:對所述抬高層進(jìn)行壓鹽排堿處理;
      [0010]d.挖掘種植坑:在所述圍堰內(nèi)部挖掘種植坑;
      [0011]e.鋪設(shè)防水土工布:在所述種植坑的內(nèi)周壁上鋪設(shè)防水土工布,所述防水土工布的上邊至少與所述種植坑的上口平齊,所述防水土工布的下邊與所述種植坑的坑底平齊;
      [0012]f.鋪設(shè)碎石濾水層:在所述種植坑的底部鋪設(shè)碎石濾水層;
      [0013]g.鋪設(shè)稻草簾濾水層:在所述碎石濾水層的上方鋪設(shè)稻草簾濾水層,所述稻草簾上下設(shè)置有至少兩層,相鄰的兩層稻草簾的稻草呈十字交叉狀;
      [0014]h.回填種植土:向所述種植坑內(nèi)回填種植土,所述種植土的含鹽量小于2.5%, PH值不高于8.5 ;所述種植土由砂質(zhì)壤土與腐殖土按6:3-6:4的重量比混拌而成;
      [0015]1.栽植樹木:在所述種植土內(nèi)栽植樹木。
      [0016]在上述技術(shù)方案中,優(yōu)選地,還包括修建蓄水壟步驟,所述步驟i之后,在樹木周圍對應(yīng)于所述種植坑的上口位置修建高出地面的蓄水壟。
      [0017]在上述技術(shù)方案中,優(yōu)選地,所述碎石濾水層的粒徑為2-4cm。
      [0018]在上述技術(shù)方案中,優(yōu)選地,所述步驟g中,所述稻草簾上下設(shè)置有三層,每相鄰的兩層稻草簾的稻草呈十字交叉狀。
      [0019]在上述技術(shù)方案中,優(yōu)選地,所述種植坑的縱剖面呈上大下小的梯形狀。
      [0020]為解決上述關(guān)于濱海鹽堿地樹木栽植結(jié)構(gòu)的技術(shù)問題,本發(fā)明的技術(shù)方案是:一種濱海鹽堿地樹木栽植結(jié)構(gòu),包括:設(shè)置在鹽堿原土表面的抬高層,在所述抬高層或抬高層和鹽堿原土上設(shè)置有種植坑,所述種植坑的內(nèi)周壁上鋪設(shè)有防水土工布,所述防水土工布的上邊至少與所述種植坑的上口平齊,所述防水土工布的下邊與所述種植坑的坑底平齊;在所述種植坑的底部鋪設(shè)有碎石濾水層;在所述碎石濾水層的上方鋪設(shè)有稻草簾濾水層,所述稻草簾上下設(shè)置有至少兩層,相鄰的兩層稻草簾的稻草呈十字交叉狀;所述稻草簾濾水層的上方回填有用于栽植樹木的種植土。
      [0021]在上述技術(shù)方案中,優(yōu)選地,對應(yīng)于所述種植坑的上口位置修建有高出地面的蓄水壟。
      [0022]在上述技術(shù)方案中,優(yōu)選地,所述碎石濾水層的粒徑為2-4cm。
      [0023]在上述技術(shù)方案中,優(yōu)選地,所述稻草簾上下設(shè)置有三層,每相鄰的兩層稻草簾的稻草呈十字交叉狀。
      [0024]在上述技術(shù)方案中,優(yōu)選地,所述種植坑的縱剖面呈上大下小的梯形狀。
      [0025]由于采用了上述技術(shù)方案,本發(fā)明的濱海鹽堿地樹木栽植方法,包括修建圍堰、設(shè)置抬高層、對抬高層壓鹽排堿、挖掘種植坑、鋪設(shè)防水土工布、鋪設(shè)碎石濾水層、鋪設(shè)稻草簾濾水層、回填種植土和栽植樹木步驟;抬高層的設(shè)置抬高了圍堰內(nèi)的地勢,使鹽堿原土相對降低,抬高層因經(jīng)過了晾曬及壓鹽排堿處理,鹽堿含量大幅降低,便于樹木成活生長;種植坑內(nèi)鋪設(shè)防水土工布,起到隔離鹽堿作用,可以防止種植坑外周圍鹽堿土壤內(nèi)的鹽堿橫向滲透入種植坑內(nèi);設(shè)置的碎石濾水層及稻草簾濾水層起到在豎向上防止種植坑下方鹽堿土壤內(nèi)的鹽堿上返入種植坑內(nèi)的作用,同時(shí)又便于澆水或雨水降水通過碎石濾水層及稻草簾濾水層下滲入種植坑下方土壤,防止因水量過大形成澇災(zāi),相鄰的兩層稻草簾的稻草呈十字交叉狀布置還可以提高其承載能力,更好地承載上方的種植土 ;栽植樹木的種植土由砂質(zhì)壤土與腐殖土按6:3-6:4的重量比混拌而成,這種組分及配比的種植土既提高了土壤的肥性又增強(qiáng)了土壤的通透性,同時(shí)種植土的含鹽量小于2.5%,PH值不高于8.5,均適合于樹木的成活及生長。本發(fā)明綜合采取上述步驟措施后,減慢了鹽堿土壤的返鹽周期,加之種植土的土壤肥力,為樹木的成活及生長創(chuàng)造了良好的條件;由于地勢抬高,鹽堿原土相對降低,具體施工時(shí)不必再鋪設(shè)排堿管,既減少了排鹽治堿的周期,又降低了成本。
      【專利附圖】

      【附圖說明】
      [0026]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步非限制性的說明。
      [0027]圖1是采用本發(fā)明實(shí)施例的濱海鹽堿地樹木栽植方法后得到的栽植結(jié)構(gòu)的剖視示意圖;
      [0028]圖中:1_鹽堿原土 ;2_抬高層;3_防水土工布;4_種植土 ;5-樹木;6_稻草簾濾水層;7-碎石濾水層;8-蓄水壟。
      【具體實(shí)施方式】
      [0029]參考圖1所示,本發(fā)明實(shí)施例的濱海鹽堿地樹木栽植方法,包括以下步驟:[0030]a.修建圍堰:在鹽堿地上,先選定欲栽植樹木區(qū)域,再在欲栽植樹木區(qū)域的周圍按照常規(guī)的修建圍堰方法修建圍堰。
      [0031]b.設(shè)置抬高層:利用泥漿泵自圍堰外部的河底抽取淤泥,并將抽取的淤泥泵送至圍堰內(nèi)部的鹽堿原土 I的表面,后經(jīng)充分晾曬、攤平,即形成抬高層2。抬高層2的設(shè)置抬高了圍堰內(nèi)的地勢,從而使鹽堿原土 I相對降低,抬高層2因經(jīng)過了充分晾曬,淤泥所含的鹽堿大部分隨浙液排出,因此抬高層2的鹽堿含量大幅降低,有利于樹木栽植后的成活生長。抬高層2的具體厚度可依據(jù)栽植的不同種類的樹木而有所不同,通常情況下,喬木樹種應(yīng)抬高些,灌木可低些;怕鹽堿澇的樹種應(yīng)高些,耐鹽堿澇的樹種可低些。
      [0032]c.壓鹽排堿:采用主動澆水或降雨降雪等常規(guī)壓鹽排堿方法對抬高層2進(jìn)行壓鹽排堿處理,進(jìn)一步排出抬高層2內(nèi)所含的鹽堿。
      [0033]d.挖掘種植坑:在圍堰內(nèi)部挖掘種植坑,種植坑的大小及深度,依據(jù)不同種類的樹木而有所不同。下面以樹干胸徑較粗的刺槐為例挖掘種植坑,種植坑的縱剖面優(yōu)選為上大下小的梯形狀,種植坑的上口尺寸為5米*5米,坑底尺寸為3米*3米,坑深1.7米。梯形狀的種植坑可以增加后續(xù)防水土工布與種植坑的接觸面積,增大樹穴的空間,便于填充更多的種植土,有利于樹木栽植后的成活生長。
      [0034]e.鋪設(shè)防水土工布:在種植坑的內(nèi)周壁上鋪設(shè)防水土工布3,其中防水土工布3的上邊至少要與種植坑的上口平齊,最好留有余邊,防水土工布3的下邊與種植坑的坑底平齊。本實(shí)施例中,采用的防水土工布3的規(guī)格:克重500g/m2,幅寬2米。防水土工布是以塑料薄膜作為防滲基材,與無紡布復(fù)合而成的土工防滲材料,不怕酸、堿、鹽類的侵蝕,可以防止種植坑外周圍鹽堿土壤內(nèi)的鹽堿橫向滲透入種植坑內(nèi),起到良好的隔離鹽堿作用。
      [0035]f.鋪設(shè)碎石濾水層:在種植坑的內(nèi)周壁上鋪設(shè)防水土工布3之后,在種植坑的底部鋪設(shè)碎石濾水層7,本實(shí)施例中,優(yōu)選碎石濾水層7的粒徑為2-4cm,厚度為50cm。碎石濾水層7起到在豎向上防止種植坑下方鹽堿土壤內(nèi)的鹽堿上返入種植坑內(nèi)的作用,同時(shí)又便于澆水或雨水降水通過碎石濾水層7下滲入種植坑下方土壤,防止因水量過大形成澇災(zāi)。
      [0036]g.鋪設(shè)稻草簾濾水層:在碎石濾水層7的上方鋪設(shè)稻草簾濾水層6,該稻草簾濾水層6至少包括上下設(shè)置的兩層稻草簾,本實(shí)施例中優(yōu)選為三層,每相鄰的兩層稻草簾的稻草呈十字交叉狀,即底層與中間層、中間層與頂層的稻草呈十字交叉狀,本實(shí)施例中,按每鋪設(shè)I Hi2,三層稻草簾的用量為4kg計(jì)算總用量。稻草簾濾水層6起到在豎向上防止種植坑下方鹽堿土壤內(nèi)的鹽堿上返入種植坑內(nèi)的作用,同時(shí)又便于澆水或雨水降水通過碎石濾水層7及稻草簾濾水層6下滲入種植坑下方土壤,防止因水量過大形成澇災(zāi),相鄰的兩層稻草簾的稻草呈十字交叉狀布置還可以提高其承載能力,更好地承載上方的種植土。
      [0037]h.回填種植土:鋪設(shè)稻草簾濾水層6之后,向種植坑內(nèi)回填種植土 4,要求種植土的含鹽量小于2.5%,PH值不高于8.5 ;其中,種植土 4是由砂質(zhì)壤土與腐殖土按6:3-6:4的重量比混拌而成的。砂質(zhì)壤土的特性:雖含砂量仍相當(dāng)多,但因亦含有少量玢粒及粘粒,具有土粒間之結(jié)合性,干時(shí)可成塊,但易破碎,濕時(shí)可感覺粘性,粘土成分約40%。腐殖土是森林中表土層樹木的枯枝殘葉經(jīng)過長時(shí)期腐爛發(fā)酵后而形成。由砂質(zhì)壤土與腐殖土這兩種組分配制的種植土既提高了土壤的肥性又增強(qiáng)了土壤的通透性。
      [0038] 1.栽植樹木:在種植土內(nèi)栽植刺槐、白蠟、黑松等耐鹽堿樹木5。還可在樹木5的周圍對應(yīng)于種植坑的上口位置修建高出地面的蓄水壟8,修建蓄水壟8時(shí),可以順便利用蓄水壟8壓住防水土工布3的余邊。蓄水壟8的設(shè)置,便于對栽植后的樹木進(jìn)行澆灌。
      [0039]樹木栽植之后,根據(jù)實(shí)際情況,后期可將圍堰拆除。
      [0040]本發(fā)明的濱海鹽堿地樹木栽植方法綜合采取上述步驟措施后,減慢了鹽堿土壤的返鹽周期,加之種植土的土壤肥力,為樹木的成活及生長創(chuàng)造了良好的條件,栽植之后易于形成綠化景觀;由于地勢抬高,鹽堿原土相對降低,具體施工時(shí)不必再鋪設(shè)排堿管,既減少了排鹽治堿的周期,又降低了成本。
      [0041]實(shí)施了本發(fā)明實(shí)施例的濱海鹽堿地樹木栽植方法之后,即得到圖1所示的濱海鹽堿地樹木栽植結(jié)構(gòu),該濱海鹽堿地樹木栽植結(jié)構(gòu)包括:設(shè)置在鹽堿原土 I表面的抬高層2,在抬高層2或抬高層2和鹽堿原土 I上設(shè)置有種植坑(即種植坑淺些時(shí),種植坑位于抬高層2內(nèi);種植坑深些時(shí),種植坑挖至鹽堿原土層),該種植坑的內(nèi)周壁上鋪設(shè)有防水土工布3,其中防水土工布3的上邊至少與種植坑的上口平齊(最好留有余邊),防水土工布3的下邊與種植坑的坑底平齊;在種植坑的底部鋪設(shè)有碎石濾水層7 ;在碎石濾水層7的上方鋪設(shè)有稻草簾濾水層6,稻草簾上下設(shè)置有至少兩層,相鄰的兩層稻草簾的稻草呈十字交叉狀;在稻草簾濾水層6的上方回填有用于栽植樹木5的種植土 4。
      [0042]并對該濱海鹽堿地樹木栽植結(jié)構(gòu)進(jìn)一步優(yōu)化設(shè)計(jì):種植坑的縱剖面呈上大下小的梯形狀;碎石濾水層7的粒徑為2-4cm ;稻草簾上下設(shè)置有三層,每相鄰的兩層稻草簾的稻草呈十字交叉狀 ;在對應(yīng)于種植坑的上口位置修建有高出地面的蓄水壟8。
      [0043]以上所述僅是本發(fā)明較佳實(shí)施方式的舉例,其中未詳細(xì)述及的部分均為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員的公知常識。本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求的內(nèi)容為準(zhǔn),任何基于本發(fā)明的技術(shù)啟示而進(jìn)行的等效變換,也在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
      【權(quán)利要求】
      1.一種濱海鹽堿地樹木栽植方法,其特征在于,包括以下步驟: a.修建圍堰:在鹽堿地上修建圍堰; b.設(shè)置抬高層:用泥漿泵自所述圍堰外部的河底抽取淤泥,并將抽取的淤泥泵送至所述圍堰內(nèi)部的鹽堿原土表面,經(jīng)晾曬、攤平,形成所述抬高層; c.壓鹽排堿:對所述抬高層進(jìn)行壓鹽排堿處理; d.挖掘種植坑:在所述圍堰內(nèi)部挖掘種植坑; e.鋪設(shè)防水土工布:在所述種植坑的內(nèi)周壁上鋪設(shè)防水土工布,所述防水土工布的上邊至少與所述種植坑的上口平齊,所述防水土工布的下邊與所述種植坑的坑底平齊; f.鋪設(shè)碎石濾水層:在所述種植坑的底部鋪設(shè)碎石濾水層; g.鋪設(shè)稻草簾濾水層:在所述碎石濾水層的上方鋪設(shè)稻草簾濾水層,所述稻草簾上下設(shè)置有至少兩層,相鄰的兩層稻草簾的稻草呈十字交叉狀; h.回填種植土:向所述種植坑內(nèi)回填種植土,所述種植土的含鹽量小于2.5%, PH值不高于8.5 ;所述種植土由砂質(zhì)壤土與腐殖土按6:3-6:4的重量比混拌而成; i.栽植樹木:在所述種植土內(nèi)栽植樹木。
      2.如權(quán)利要求1所述的濱海鹽堿地樹木栽植方法,其特征在于:還包括修建蓄水壟步驟,所述步驟i之后,在樹木周圍對應(yīng)于所述種植坑的上口位置修建高出地面的蓄水壟。
      3.如權(quán)利要求1或2所述的濱海鹽堿地樹木栽植方法,其特征在于:所述碎石濾水層的粒徑為2-4cm。
      4.如權(quán)利要求3所述的濱海鹽堿地樹木栽植方法,其特征在于:所述步驟g中,所述稻草簾上下設(shè)置有三層,每相鄰的兩層稻草簾的稻草呈十字交叉狀。
      5.如權(quán)利要求4所述的濱海鹽堿地樹木栽植方法,其特征在于:所述種植坑的縱剖面呈上大下小的梯形狀。
      6.一種濱海鹽堿地樹木栽植結(jié)構(gòu),其特征在于,包括:設(shè)置在鹽堿原土表面的抬高層,在所述抬高層或抬高層和鹽堿原土上設(shè)置有種植坑,所述種植坑的內(nèi)周壁上鋪設(shè)有防水土工布,所述防水土工布的上邊至少與所述種植坑的上口平齊,所述防水土工布的下邊與所述種植坑的坑底平齊;在所述種植坑的底部鋪設(shè)有碎石濾水層;在所述碎石濾水層的上方鋪設(shè)有稻草簾濾水層,所述稻草簾上下設(shè)置有至少兩層,相鄰的兩層稻草簾的稻草呈十字交叉狀;所述稻草簾濾水層的上方回填有用于栽植樹木的種植土。
      7.如權(quán)利要求6所述的濱海鹽堿地樹木栽植結(jié)構(gòu),其特征在于,對應(yīng)于所述種植坑的上口位置修建有高出地面的蓄水壟。
      8.如權(quán)利要求6或7所述的濱海鹽堿地樹木栽植結(jié)構(gòu),其特征在于,所述碎石濾水層的粒徑為2_4cm。
      9.如權(quán)利要求8所述的濱海鹽堿地樹木栽植結(jié)構(gòu),其特征在于,所述稻草簾上下設(shè)置有三層,每相鄰的兩層稻草簾的稻草呈十字交叉狀。
      10.如權(quán)利要求9所述的濱海鹽堿地樹木栽植結(jié)構(gòu),其特征在于,所述種植坑的縱剖面呈上大下小的梯形狀。
      【文檔編號】A01G23/00GK103947320SQ201410154690
      【公開日】2014年7月30日 申請日期:2014年4月17日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月17日
      【發(fā)明者】王霞, 王曉慧, 李剛, 李雪, 薛春營, 劉光生, 劉英君, 韓鵬龍, 張泉利, 姜新剛 申請人:山東濰坊東盛園藝有限公司
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