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      一種主動利用地?zé)岬娜展鉁厥业闹谱鞣椒?

      文檔序號:256349閱讀:414來源:國知局
      一種主動利用地?zé)岬娜展鉁厥业闹谱鞣椒?br> 【專利摘要】本發(fā)明公開了一種主動利用地?zé)岬娜展鉁厥?,包括后墻、山墻、栽培床、前底腳斜坡、棚架及棚膜;栽培床低于地平面,栽培床埋設(shè)若干根管狀傳導(dǎo)件;管狀傳導(dǎo)件在栽培壟的正下方豎直埋設(shè),栽培壟最南端埋設(shè)1根管狀傳導(dǎo)件,依次向北每隔2m埋設(shè)1根管狀傳導(dǎo)件。本發(fā)明有利于提高地溫,改善冬春低溫季節(jié)日光溫室低溫環(huán)境。
      【專利說明】一種主動利用地?zé)岬娜展鉁厥?br> 【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及一種日光溫室,具體地說,涉及一種主動利用地?zé)岬娜展鉁厥遥瑢儆谑卟嗽耘唷炯夹g(shù)領(lǐng)域】。
      【背景技術(shù)】
      [0002]日光溫室是一種利用太陽能進行自然熱量蓄積與釋放的農(nóng)業(yè)設(shè)施。在冬春低溫季節(jié),地溫低是傳統(tǒng)日光溫室普遍存在的缺陷,如何提高地溫是目前人們共同關(guān)注的技術(shù)課題。目前,有些地區(qū)采用太陽能或鍋爐加熱水溫,在耕作層鋪設(shè)管道以提高溫度的方法,但這些方法都存在一定缺陷:太陽能加熱水溫必須天氣晴朗下有效,在陰雨雪天氣沒有效果,而陰雨雪天氣正是急需提高地溫的關(guān)鍵時候;鍋爐加熱水溫必須消耗大量的煤碳或電能源,不利于環(huán)境保護。太陽能或鍋爐加熱水溫,都必須有水泵等循環(huán)系統(tǒng),也需要消耗電能源。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0003]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是針對以上不足,提供一種主動利用地?zé)岬娜展鉁厥遥欣谔岣叩販?,改善冬春低溫季?jié)日光溫室低溫環(huán)境,促進蔬菜作物生長發(fā)育,提高產(chǎn)量。
      [0004]為解決以上技術(shù)問題,本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:一種主動利用地?zé)岬娜展鉁厥遥ㄔ耘啻?,其特征在于,所述日光溫室提?
      若干根管狀傳導(dǎo)件,該管狀傳導(dǎo)件埋設(shè)在栽培床的底部,用來將深層地溫傳導(dǎo)至土壤耕作層。
      [0005]—種優(yōu)化方案,所述栽培床內(nèi)具有栽培壟;
      進一步地,所述管狀傳導(dǎo)件豎直埋設(shè)在栽培壟的正下方。
      [0006]進一步地,所述管狀傳導(dǎo)件的上端距離栽培床表面10-15cm。
      [0007]進一步地,所述管狀傳導(dǎo)件從栽培壟的一個端部開始埋設(shè),每隔2m埋設(shè)I根。
      [0008]進一步地,所述管狀傳導(dǎo)件為采用常溫?zé)峁?0-250°C)散熱技術(shù)設(shè)計而成的真空封裝的金屬圓柱管,內(nèi)含有沸點低,易揮發(fā)的液體,一端為蒸發(fā)端,另一端為冷凝端,埋入地下后蒸發(fā)端遠離地面。
      [0009]進一步地,所述管狀傳導(dǎo)件長6.5m,粗10cm。
      [0010]進一步地,所述栽培床位于地平面以下0.5-lm。
      [0011]進一步地,所述日光溫室還包括后墻、山墻、前底腳斜坡、棚架及棚膜。
      [0012]進一步地,所述管狀傳導(dǎo)件內(nèi)液體為丙酮。
      [0013]本發(fā)明采用以上技術(shù)方案后,與現(xiàn)有技術(shù)相比,具有以下優(yōu)點:
      (I)本發(fā)明日光溫室栽培床埋設(shè)管狀傳導(dǎo)件,管狀傳導(dǎo)件能夠快速傳遞地?zé)?,引?dǎo)6m以下地溫快速上升至地面,有效地提高土壤耕作層溫度。
      [0014](2)本發(fā)明日光溫室利用地?zé)崽岣咄寥栏鲗訙囟龋皇芴鞖庾兓绊?,不管晴天還是陰雨雪天增溫效果都非常明顯。
      [0015](3)本發(fā)明日光溫室低碳、環(huán)保,有利于節(jié)約能源。
      [0016](4)本發(fā)明日光溫室有利于促進蔬菜作物生長發(fā)育,提高產(chǎn)量。經(jīng)試驗,蔬菜產(chǎn)量較普通日光溫室增產(chǎn)30%以上。
      [0017]下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明進行詳細(xì)說明。
      【專利附圖】

      【附圖說明】
      [0018]附圖1是本發(fā)明實施例中日光溫室縱截面的結(jié)構(gòu)示意圖;
      附圖2是本發(fā)明實施例中日光溫室橫截面的結(jié)構(gòu)示意圖;
      圖中,1-栽培床,2-栽培壟,3-管狀傳導(dǎo)件。
      【具體實施方式】
      [0019]本實施例是為了便于理解本發(fā)明,而不以任何方式限制本發(fā)明的權(quán)利要求和核心內(nèi)容。
      [0020]實施例,如圖1和圖2所示,一種主動利用地?zé)岬娜展鉁厥遥ê髩?、山墻、栽培?、前底腳斜坡、棚架及棚膜,栽培床I位于地平面以下0.5-lm ;栽培床I的底部埋設(shè)有若干根用來將深層地溫傳導(dǎo)至土壤耕作層的管狀傳導(dǎo)件3,管狀傳導(dǎo)件3為真空封裝的金屬圓柱管,長6.5m,粗10cm,內(nèi)含有沸點低,易揮發(fā)的液體,管狀傳導(dǎo)件3—端為蒸發(fā)端,另一端為冷凝端;管狀傳導(dǎo)件3在栽培壟2的正下方豎直埋設(shè),管狀傳導(dǎo)件3的蒸發(fā)端遠離地面,冷凝端距離栽培床I面10-15cm,距離地面的高度也可以根據(jù)栽培的不同作物特性,做適當(dāng)調(diào)整,在栽培壟2最南端埋設(shè)I根管狀傳導(dǎo)件3,依次向北每隔2m埋設(shè)I根管狀傳導(dǎo)件3。
      [0021 ] 本發(fā)明中管狀傳導(dǎo)件3是采用常溫?zé)峁?0-250 V )散熱技術(shù)設(shè)計而成的一種大型熱管,由管殼、吸液芯和端蓋組成,內(nèi)部是被抽成1.3 X IO^1-L 3 X IO^4Pa的負(fù)壓狀態(tài),充入適當(dāng)?shù)囊后w,這種液體沸點低,容易揮發(fā)。管壁有吸液芯,其由毛細(xì)多孔材料構(gòu)成。熱管一端為蒸發(fā)端,另外一端為冷凝端,當(dāng)熱管一端受熱時,毛細(xì)管中的液體迅速蒸發(fā),蒸氣在微小的壓力差下流向另外一端,并且釋放出熱量,重新凝結(jié)成液體,液體再沿多孔材料靠毛細(xì)力的作用流回蒸發(fā)端,如此循環(huán)不止,熱量由熱管一端傳至另外一端。這種循環(huán)是快速進行的,熱量可以被源源不斷地傳導(dǎo)開來。本發(fā)明的創(chuàng)新點不在于熱管結(jié)構(gòu)本身,只要是能夠?qū)崿F(xiàn)所述功能的傳導(dǎo)件即可。
      [0022]試驗,山東省壽光市,將五個種植黃瓜的普通日光溫室一半改造成本發(fā)明結(jié)構(gòu),另一半結(jié)構(gòu)不變,在冬季連續(xù)陰雨雪天超過5天時,進行記錄溫度,本發(fā)明日光溫室栽培床IOcm耕作層的平均最低地溫為13.2°C,而同結(jié)構(gòu)的另一半的平均最低地溫為9.5°C,平均提高了 3.7°C,完全能夠滿足黃瓜作物最低地溫不小于12°C的要求。經(jīng)試驗,本發(fā)明667m2黃瓜平均產(chǎn)量25471kg,普通對照部分667m2黃瓜平均產(chǎn)量19185kg,前者比后者增產(chǎn)32.8%。
      [0023]需要說明的是:每條栽培壟下埋設(shè)管狀傳導(dǎo)件的數(shù)量與溫室的內(nèi)跨有關(guān),本實施例為內(nèi)跨為9m的溫室,每條栽培壟下埋設(shè)5根管狀傳導(dǎo)件;栽培壟的設(shè)置與栽培作物品種有關(guān),相鄰栽培壟的間距60-80m ;管狀傳導(dǎo)件中沸點低、易揮發(fā)的液體多為有機化學(xué)品,本實施例為丙酮,每根管狀傳導(dǎo)件的用量為150ml。
      [0024]以上所述為本發(fā)明最佳實施方式的舉例,其中未詳細(xì)述及的部分均為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員的公知常識。本發(fā)明的保護范圍以權(quán)利要求的內(nèi)容為準(zhǔn),任何基于本發(fā)明的技術(shù)啟示而進行的等效變換,也在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
      【權(quán)利要求】
      1.一種主動利用地?zé)岬娜展鉁厥?,包括栽培?1),其特征在于,所述日光溫室提供: 若干根管狀傳導(dǎo)件(3),該管狀傳導(dǎo)件(3)埋設(shè)在栽培床(I)的底部,用來將深層地溫傳導(dǎo)至土壤耕作層。
      2.如權(quán)利要求1所述的主動利用地?zé)岬娜展鉁厥遥涮卣髟谟?所述栽培床(I)內(nèi)具有栽培壟(2); 所述管狀傳導(dǎo)件(3)豎直埋設(shè)在栽培壟(2)的正下方。
      3.如權(quán)利要求2所述的主動利用地?zé)岬娜展鉁厥?,其特征在?所述管狀傳導(dǎo)件(3)的上端距離栽培床(I)表面10-15cm。
      4.如權(quán)利要求2所述的主動利用地?zé)岬娜展鉁厥?,其特征在?所述管狀傳導(dǎo)件(3)從栽培壟(2)的一個端部開始埋設(shè),每隔2m埋設(shè)I根。
      5.如權(quán)利要求1-4其中之一所述的主動利用地?zé)岬娜展鉁厥?,其特征在?所述管狀傳導(dǎo)件(3)為真空封裝的金屬圓柱管,內(nèi)含有沸點低,易揮發(fā)的液體,一端為蒸發(fā)端,另一端為冷凝端,埋入地下后蒸發(fā)端遠離地面。
      6.如權(quán)利要求5所述的主動利用地?zé)岬娜展鉁厥遥涮卣髟谟?所述管狀傳導(dǎo)件(3)內(nèi)液體為丙酮。
      7.如權(quán)利要求1所述的主動利用地?zé)岬娜展鉁厥?,其特征在?所述管狀傳導(dǎo)件(3)長6.5m,粗 IOcm0
      8.如權(quán)利要求1所述的主動利用地?zé)岬娜展鉁厥遥涮卣髟谟?所述栽培床(I)位于地平面以下0.5-lm。
      9.如權(quán)利要求1所述的主動利用地?zé)岬娜展鉁厥遥涮卣髟谟?所述日光溫室還包括后墻、山墻、前底腳斜坡、棚架及棚膜。
      【文檔編號】A01G9/14GK104012342SQ201410271691
      【公開日】2014年9月3日 申請日期:2014年6月18日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月18日
      【發(fā)明者】田素波, 胡永軍, 朱慧, 潘子龍 申請人:壽光蔬菜產(chǎn)業(yè)控股集團有限公司
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