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      一種適合芋栽培的新型地膜

      文檔序號(hào):39613371發(fā)布日期:2024-10-11 13:23閱讀:16來(lái)源:國(guó)知局
      一種適合芋栽培的新型地膜

      本技術(shù)涉及農(nóng)業(yè),特別是涉及一種適合芋栽培的新型地膜。


      背景技術(shù):

      1、現(xiàn)有技術(shù)中,芋等芋屬類植物葉片大而柔嫩、根系淺、生長(zhǎng)周期長(zhǎng),在栽培中易受雜草、干旱、病蟲害影響;且在早春種植時(shí),由于地溫低,芋屬類植物的萌芽和苗期生長(zhǎng)較為緩慢,需要采取覆土的措施促進(jìn)球莖膨大形成。覆蓋透明地膜可以提高地溫,促進(jìn)芋屬類植物的萌芽和生長(zhǎng),同時(shí)保持土壤濕度,減少干旱對(duì)芋的影響,以及降低病蟲害的發(fā)生。然而,這種覆蓋方式卻無(wú)法有效抑制雜草生長(zhǎng);另一方面,常規(guī)的黑色地膜覆蓋雖然可以有效抑制雜草,但卻無(wú)法提高地溫,甚至?xí)?dǎo)致地溫下降,對(duì)芋的幼苗出土和破膜形成產(chǎn)生不利影響。

      2、例如專利文件cn?204498954u包括塑料薄膜層,塑料薄膜層下面覆蓋有稻殼層,稻殼層均勻覆蓋在播種后的畦面上,稻殼層下面還覆蓋一層草木灰;顯然,專利文件cn204498954u中的結(jié)構(gòu)具有良好的保溫保濕性能,能促進(jìn)種植物的生長(zhǎng),但該專利文件無(wú)法抑制雜草的生長(zhǎng),而雜草生長(zhǎng)不受到抑制,將與種植物爭(zhēng)奪營(yíng)養(yǎng)物質(zhì),導(dǎo)致種植物無(wú)法茁壯生長(zhǎng)。

      3、故如何抑制雜草生長(zhǎng),降低雜草與種植物的競(jìng)爭(zhēng),促進(jìn)種植物的生長(zhǎng)成為了本領(lǐng)域技術(shù)人員亟需解決的技術(shù)問(wèn)題。


      技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

      1、本實(shí)用新型的目的是提供一種適合芋栽培的新型地膜,以解決上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問(wèn)題,從而有效抑制雜草生長(zhǎng),降低雜草與芋類的競(jìng)爭(zhēng),促進(jìn)芋的生長(zhǎng)。

      2、為實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型提供了如下方案:

      3、本實(shí)用新型提供一種適合芋栽培的新型地膜,包括用于遮光并抑制雜草生長(zhǎng)的防草布,所述防草布上分布有多個(gè)種植孔,所述種植孔的分布與待鋪設(shè)地膜的土壤上的種植孔分布相同,任意一所述種植孔的兩側(cè)均設(shè)有透光、防水和保溫的薄膜,且芋苗能從所述薄膜內(nèi)伸出。

      4、優(yōu)選的,所述地膜包括用于覆蓋在種植孔上方的種植區(qū),以及用于覆蓋在非種植孔區(qū)域上方的非種植區(qū),所述種植區(qū)的強(qiáng)度小于所述非種植區(qū)的強(qiáng)度。

      5、優(yōu)選的,相鄰兩排的所述種植孔錯(cuò)位排列。

      6、優(yōu)選的,所述防草布為黑色防草布或透明防草布;所述種植孔為圓形種植孔、方形種植孔、橢圓形種植孔或長(zhǎng)條形種植孔;所述薄膜為能觀察種植物幼苗生長(zhǎng)的可視化薄膜;所述防草布為透氣透水防草布,所述薄膜為透明防水薄膜。

      7、優(yōu)選的,同一排的所述種植孔之間的間距為10cm-50cm,以防止相鄰所述種植孔內(nèi)的種植物交叉生長(zhǎng)。

      8、優(yōu)選的,同一排的所述種植孔之間的間距為30cm。

      9、優(yōu)選的,相鄰兩排所述種植孔之間的間距為40cm-80cm,以保證每個(gè)所述種植孔內(nèi)的種植物均能接收到充足的陽(yáng)光。

      10、優(yōu)選的,相鄰兩排所述種植孔之間的間距為60cm。

      11、優(yōu)選的,所述防草布的上表面和下表面均設(shè)有置蓖麻油型聚氨酯/芐基魔芋葡苷聚糖半互穿網(wǎng)絡(luò)再生膜生物基涂層。

      12、優(yōu)選的,所述防草布與所述薄膜遠(yuǎn)離土壤的一側(cè)均設(shè)有用于降低紫外線損壞的uv層。

      13、本實(shí)用新型相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)取得了以下技術(shù)效果:

      14、本實(shí)用新型通過(guò)防草布遮擋陽(yáng)光抑制雜草生長(zhǎng),減少雜草與芋的競(jìng)爭(zhēng),促進(jìn)芋的生長(zhǎng),同時(shí),地膜過(guò)度提高雜草區(qū)域內(nèi)的溫度,甚至使得雜草被烤死,限制雜草生長(zhǎng),從而進(jìn)一步促進(jìn)了芋的生長(zhǎng)。



      技術(shù)特征:

      1.一種適合芋栽培的新型地膜,其特征在于,包括用于遮光并抑制雜草生長(zhǎng)的防草布,所述防草布上分布有多個(gè)種植孔,所述種植孔的分布與待鋪設(shè)地膜的土壤上的種植孔分布相同,任意一所述種植孔的兩側(cè)均設(shè)有透光、防水、和保溫的薄膜,且芋苗能從所述薄膜內(nèi)伸出。

      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型地膜,其特征在于,所述地膜包括用于覆蓋在種植孔上方的種植區(qū),以及用于覆蓋在非種植孔區(qū)域上方的非種植區(qū),所述種植區(qū)的強(qiáng)度小于所述非種植區(qū)的強(qiáng)度。

      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型地膜,其特征在于,相鄰兩排的所述種植孔錯(cuò)位排列。

      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型地膜,其特征在于,所述防草布為黑色防草布或白色防草布;所述種植孔為圓形種植孔、方形種植孔、橢圓形種植孔或長(zhǎng)條形種植孔;所述薄膜為能觀察種植物幼苗生長(zhǎng)的可視化薄膜;所述防草布為透氣透水防草布,所述薄膜為透明防水薄膜。

      5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型地膜,其特征在于,同一排的所述種植孔之間的間距為10cm-50cm,以防止相鄰所述種植孔內(nèi)的種植物交叉生長(zhǎng)。

      6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的新型地膜,其特征在于,同一排的所述種植孔之間的間距為30cm。

      7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型地膜,其特征在于,相鄰兩排所述種植孔之間的間距為40cm-80cm,以保證每個(gè)所述種植孔內(nèi)的種植物均能接收到充足的陽(yáng)光。

      8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的新型地膜,其特征在于,相鄰兩排所述種植孔之間的間距為60cm。

      9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的新型地膜,其特征在于,所述防草布的上表面和下表面均設(shè)有置蓖麻油型聚氨酯/芐基魔芋葡苷聚糖半互穿網(wǎng)絡(luò)再生膜生物基涂層。

      10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型地膜,其特征在于,所述防草布與所述薄膜遠(yuǎn)離土壤的一側(cè)均設(shè)有用于降低紫外線損壞的uv層。


      技術(shù)總結(jié)
      本技術(shù)公開(kāi)一種適合芋栽培的新型地膜,涉及地膜技術(shù)領(lǐng)域,包括用于遮光并抑制雜草生長(zhǎng)的防草布,防草布上分布有多個(gè)種植孔,種植孔的分布與待鋪設(shè)地膜的土壤上的種植孔分布相同,防草布用于與土壤接觸的一面設(shè)有用于保溫,抑制雜草生長(zhǎng)的地膜,且每個(gè)種植孔處均覆蓋有薄膜,且芋苗能從薄膜內(nèi)伸出,雜草無(wú)法從薄膜內(nèi)伸出;本技術(shù)通過(guò)防草布遮擋陽(yáng)光抑制雜草生長(zhǎng),減少雜草與芋類作物的競(jìng)爭(zhēng),促進(jìn)種植物的生長(zhǎng),同時(shí),地膜過(guò)度提高雜草區(qū)域內(nèi)的溫度,甚至使得雜草被烤死,限制雜草生長(zhǎng),從而進(jìn)一步促進(jìn)了種植物的生長(zhǎng)。

      技術(shù)研發(fā)人員:朱強(qiáng)龍,賈芯碧,肖遙,汪生林,孫靜宇,單楠,羅莎,周慶紅,黃英金
      受保護(hù)的技術(shù)使用者:江西農(nóng)業(yè)大學(xué)
      技術(shù)研發(fā)日:20240123
      技術(shù)公布日:2024/10/10
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