一種免扦插環(huán)節(jié)的菊花栽培方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及植物栽培，尤其涉及一種免扦插環(huán)節(jié)的菊花栽培方法。
【背景技術】
[0002]菊花是一種應用廣泛的花卉材料，其應用涉及到園林、制藥、茶業(yè)、香料等產業(yè)，應用廣泛，栽培面積極大，需要大量菊花種苗。
[0003]目前，菊花的繁殖一般以扦插為主。傳統(tǒng)菊花扦插一般需配備專門的扦插床，整個過程大體上分為扦插與移栽兩部分，其中扦插階段歷時約15-20天，且生根后移栽過程中不可避免地有一定比例的損失，且存在較長時間的緩苗期，其扦插程序復雜多樣，在繁育的過程中受到較多不可控因素影響，增加了菊花繁育成本。

【發(fā)明內容】

[0004]鑒于上述現(xiàn)有技術的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種免扦插環(huán)節(jié)的菊花栽培方法，以省去繁瑣的扦插過程與移栽緩苗期，提高菊花繁育的成活率。
[0005 ]為解決上述技術問題，本發(fā)明方案包括:
[0006]—種免扦插環(huán)節(jié)的菊花栽培方法，其包括以下步驟:
[0007]A、采集插穗:當菊花之采穗母株周圍的孽芽長至15cm時，剪取孽芽上部帶頂芽且長度為1cm的枝條作為插穗；
[0008]B、整地做畦:選擇去年入冬前深耕的砂質壤土，在3月中下旬做高畦，畦高25-30cm，畦面寬30cm，兩畦間距90-1 OOcm，做單行栽植；
[0009]C、畦面開溝:在畦面開溝，溝深15cm，溝底部夾角為30° -45°，往溝的中心部位澆水，并以沖不倒兩側溝堰為準；
[0010]D、溝底定植:當溝底水完全滲下后，選擇直徑粗于插穗的木棍，在溝底插孔，將插穗直接插入孔內，插穗入土深度約占插穗長度的2/3，株間距為1cm;
[0011]E、覆膜:在畦面覆蓋塑料薄膜，薄膜的兩端及兩側壓實；
[0012]F、揭膜:插穗定植與覆蓋塑料薄膜10天后，在塑料薄膜上用木棍進行不規(guī)則打孔，當70%以上插穗頂部葉片達到塑料薄膜下表面時，則漸次揭掉塑料薄膜，此時菊花幼苗根系已經發(fā)育完整；
[0013]G、平溝壅土:當菊花苗頂端葉片高于溝堰以上5cm時，向內平溝壅土，即轉入菊花正常的田間管理。
[0014]所述的菊花栽培方法，其中，在步驟A之前還包括:菊花開花期間標記對應采穗母株，待花謝后，距土面15cm處，將采穗母株平茬，平茬母株可原地不動，澆足一次冬水，以落葉、草簾、薄膜或糠灰覆蓋防凍保暖，僅莖桿上端3cm外露，要保持對應采穗母株不干不濕、不熱不凍、不抽嫩芽的正常休眠狀態(tài)。
[0015]本發(fā)明提供的一種免扦插環(huán)節(jié)的菊花栽培方法，在菊花栽植過程中將扦插階段與移栽過程合二為一，通過對以未生根菊花插穗直接大田定植，可以解決菊花種苗生長周期長、移栽緩苗期長、移栽過程出現(xiàn)機械損傷的問題，既節(jié)省了時間，又可保證菊花苗全苗旺，省去了繁瑣的扦插過程，沒有移栽緩苗期，成苗率達到98%以上，比傳統(tǒng)扦插-移栽方式繁育菊花的成活率提高5%_10%，保證了苗全苗壯，而且由于沒有專門的扦插過程，節(jié)省了時間，節(jié)約了生產成本。
【附圖說明】
[0016]圖1為本發(fā)明中菊花栽培高畦的示意圖；
[0017]圖2為本發(fā)明中是畦面開溝及澆水的示意圖；
[0018]圖3是本發(fā)明中未生根插穗直接定植溝底的示意圖；
[0019]圖4為本發(fā)明中70%以上幼苗頂部葉片到達薄膜漸行揭膜的示意圖；
[0020]圖5為本發(fā)明中是平溝壅土的示意圖；
[0021 ]圖6為本發(fā)明中是轉入正常田間管理的示意圖。
【具體實施方式】
[0022]本發(fā)明提供了一種免扦插環(huán)節(jié)的菊花栽培方法，為使本發(fā)明的目的、技術方案及效果更加清楚、明確，以下對本發(fā)明進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0023]本發(fā)明提供了一種免扦插環(huán)節(jié)的菊花栽培方法，其包括以下步驟:
[0024]采集插穗:當菊花之采穗母株周圍的孽芽長至15cm時，剪取孽芽上部帶頂芽且長度為1cm的枝條作為插穗；
[0025]整地做畦:選擇去年入冬前深耕的砂質壤土，在3月中下旬做高畦，畦高25-30cm，畦面寬30cm，兩畦間距90-1 OOcm，做單行栽植；
[0026]畦面開溝:在畦面開溝，溝深15cm，溝的底部夾角為30° -45°，往溝的中心部位澆水，并以沖不倒兩側溝堰為準；
[0027]溝底定植:當溝底水完全滲下后，選擇直徑粗于插穗的木棍，在溝底插孔，將插穗直接插入孔內，插穗入土深度約占插穗長度的2/3，株間距為1cm;
[0028]覆膜:在畦面覆蓋塑料薄膜，薄膜的兩端及兩側壓實；
[0029]揭膜:插穗與覆蓋塑料薄膜10天后，在塑料薄膜上用木棍進行不規(guī)則打孔，當70%以上插穗頂部葉片達到塑料薄膜下表面時，則漸次揭掉塑料薄膜，此時菊花幼苗根系已經發(fā)育完整；
[°03°] 平溝壅土:當菊花苗頂端葉片高于溝堰以上5cm時，向內平溝壅土，即轉入菊花正常的田間管理。
[0031 ]當然在插穗采集時，更為具體的是:菊花開花期間標記對應采穗母株，待花謝后，距土面15cm處，將采穗母株平茬，平茬母株可原地不動，澆足一次冬水，以落葉、草簾、薄膜或糠灰覆蓋防凍保暖，僅莖桿上端3cm外露，要保持對應采穗母株不干不濕、不熱不凍、不抽嫩芽的正常休眠狀態(tài)，等待采穗母株之孽芽的生長。
[0032]為了更進一步的描述本發(fā)明，以下列舉更為詳盡的說明。
[0033](I)準備采穗母株:
[0034]采穗母株的選擇與保存如常法。菊花開花期間根據(jù)品種要求選擇采穗母株進行掛牌標記，不采花，花謝后，距土面15cm處，將采穗母株平茬。平茬母株可原地不動，澆足一次冬水，以落葉、草簾、薄膜、糠灰等覆蓋防凍保暖，僅莖桿上端3cm外露，有利于植株呼吸;也可將整個根系全部挖出，將腐爛枯焦須根修剪清理干凈，移入大棚中集中越冬。越冬期間注意溫度要在5°C以下，要保持不干不濕、不熱不凍、不抽嫩芽的正常休眠狀態(tài)，最忌棚溫過高，土壤積水。
[0035](2)整地做畦:
[0036]如圖1所示的，選擇砂質壤土，于去年入冬前施入足量充分腐熟有機肥并深耕，翌年3月中下旬做高畦，畦高25-30cm，畦面寬30cm，兩畦距離90_100cm，做單行栽植，畦長任意。要求畦面平整，無磚頭瓦爍，無大的土坷垃。(亦可畦面寬50cm，兩畦距離120cm，每畦做雙行栽植。)
[0037](3)畦面開溝:
[0038]如圖2所示的，在畦面開溝，溝深15cm，溝呈“V”字形，用塑料軟管向溝底部中心部位澆水，盡量避免沖垮兩側溝堰，待水完全滲下后即可定植未生根插穗。
[0039](4)采集插穗:
[0040]當采穗母株周圍的孽芽長至15cm，剪取孽芽上部帶頂芽1cm作為插穗，剪去穗條下部2/3以下的葉子，僅保留頂芽及上部1/3處以上的葉子。每100條穗條捆扎后置于800倍可溶性百菌清溶液中浸泡5分鐘，后將穗條基部1/3浸入IBA I 500yL/L+NAA 800yL/L溶液中浸泡5s，瀝干水分備用。
[0041 ] (5)溝底定植:
[0042]如圖3所示的，當溝底水完全滲下后，選擇直徑稍粗于穗條的木棍，在溝底插孔，將穗條直接插入孔中，穗條入土深度約占穗條長度的2/3，輕輕按壓穗條周圍土壤，以使其與土壤顆粒充分接觸。株距1cm(亦可根據(jù)品種以產品類型而定)。
[0043](6)覆膜:
[0044]用塑料薄膜覆蓋，兩端及兩側壓實。并每隔0.5米左右，在薄膜上放少許土，以防薄膜吹起。
[0045](7)揭膜:
[0046]如圖4所示的，10天后，穗條開始生根。在塑料薄膜上用木棍不規(guī)則打孔，以防膜內溫度過高導致灼傷。當70%以上插穗頂部葉片達到薄膜，此時菊花幼苗根系已經發(fā)育完整，即可漸次揭掉薄膜。不可一次性揭膜，否則易導致幼苗枯萎。視土壤墑情，若土壤偏干，則宜在溝內補水如。
[0047](8)平溝壅土:
[0048]如圖5與圖6所示的，當菊花苗高于土堰以上5cm，向內平溝壅土，即轉入正常管理。平溝壅土前，可追施緩釋肥，以在較長時間內保證菊花苗生長過程中的應分供應充足。此后菊花即可轉入正常管理。
[0049]當然，以上說明僅僅為本發(fā)明的較佳實施例，本發(fā)明并不限于列舉上述實施例，應當說明的是，任何熟悉本領域的技術人員在本說明書的教導下，所做出的所有等同替代、明顯變形形式，均落在本說明書的實質范圍之內，理應受到本發(fā)明的保護。
【主權項】
1.一種免扦插環(huán)節(jié)的菊花栽培方法，其包括以下步驟: A、采集插穗:當菊花之采穗母株周圍的孽芽長至15cm時，剪取孽芽上部帶頂芽且長度為1cm的枝條作為插穗； B、整地做畦:選擇去年入冬前深耕的砂質壤土，在3月中下旬做高畦，畦高25-30cm，畦面寬30cm，兩畦間距90-100cm，做單行栽植； C、畦面開溝:在畦面開溝，溝深15cm，溝底部夾角為30°-45°，往溝的中心部位澆水，并以沖不倒兩側溝堰為準； D、溝底定植:當溝底水完全滲下后，選擇直徑粗于插穗的木棍，在溝底插孔，將插穗直接插入孔內，插穗入土深度約占插穗長度的2/3，株間距為1cm; E、覆膜:在畦面覆蓋塑料薄膜，薄膜的兩端及兩側壓實； F、揭膜:插穗定植與覆蓋塑料薄膜10天后，在塑料薄膜上用木棍進行不規(guī)則打孔，當70%以上插穗頂部葉片達到塑料薄膜下表面時，則漸次揭掉塑料薄膜，此時菊花幼苗根系已經發(fā)育完整； G、平溝壅土:當菊花苗頂端葉片高于溝堰以上5cm時，向內平溝壅土，即轉入菊花正常的田間管理。2.根據(jù)權利要求1所述的菊花栽培方法，其特征在于，在步驟A之前還包括:菊花開花期間標記對應采穗母株，待花謝后，距土面15cm處，將采穗母株平茬，平茬母株可原地不動，澆足一次冬水，以落葉、草簾、薄膜或糠灰覆蓋防凍保暖，僅莖桿上端3cm外露，要保持對應采穗母株不干不濕、不熱不凍、不抽嫩芽的正常休眠狀態(tài)。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種免扦插環(huán)節(jié)的菊花栽培方法，主要包括準備插穗母株、整地做畦、畦面開溝、插穗采集、溝底定植、覆膜揭膜、平溝壅土，用于滿足簡化菊花繁殖流程、節(jié)約成本、節(jié)約生產時間的需要，該菊花栽植過程中，扦插階段與移栽過程合二為一方面均有獨到之處，通過對以未生根菊花插穗直接大田定植，可以解決菊花種苗生長周期長、移栽緩苗期長、移栽過程出現(xiàn)機械損傷的問題，既節(jié)省了時間，又可保證菊花苗全苗旺，該栽植過程方便、簡單、經濟，能夠節(jié)省大量時間，是一種簡單高效的菊花栽培方法。
【IPC分類】A01G1/00
【公開號】CN105660127
【申請?zhí)枴緾N201610055569
【發(fā)明人】王奎玲, 郭霄, 劉慶超
【申請人】青島農業(yè)大學
【公開日】2016年6月15日
【申請日】2016年1月27日