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      一種利用冬季育苗地熱溝進行扦插育苗的方法

      文檔序號:10579522閱讀:617來源:國知局
      一種利用冬季育苗地熱溝進行扦插育苗的方法
      【專利摘要】一種利用冬季育苗地熱溝進行扦插育苗的方法,在溝底埋有地熱線的地熱溝內(nèi)進行扦插育苗,增溫保溫效果好,育苗速度快,育苗效率高。
      【專利說明】
      一種利用冬季育苗地熱溝進行扦插育苗的方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      [0001]—種利用冬季育苗地熱溝進行扦插育苗的方法,涉及農(nóng)作物冬季育苗技術(shù)領(lǐng)域,更具體地說是一種利用冬季育苗地熱溝進行農(nóng)作物扦插育苗的方法。
      【背景技術(shù)】
      [0002]冬季植物育苗的增溫和保溫是制約育苗質(zhì)量和成敗的關(guān)鍵因素,即使在一些保護地的設(shè)施內(nèi),如何給幼苗增溫保溫也是一件麻煩的事。農(nóng)用地熱線的出現(xiàn),使得土壤的加溫有所改善。目前地熱線的使用都是將其埋在地下,將地面整平后進行育苗,在地面之上架設(shè)小弓棚進行保護。這種做法的缺點是地上的弓棚較高,一般都在50cm左右,棚內(nèi)空間大,土壤散熱快,保溫效果差,不利于幼苗根系的生長;同時,由于棚內(nèi)空間大,地面以上空氣加溫也慢,升溫保溫的效果都不好,也不利于育苗地上部分的生長。如何利用現(xiàn)有的農(nóng)用地熱線發(fā)揮更大的土壤增溫保溫作用,同時提高幼苗地上部分的氣溫是農(nóng)作物冬季育苗亟待解決的問題。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0003]為了解決上述問題,我們提出了一種利用冬季育苗地熱溝進行扦插育苗的方法。本發(fā)明是這樣實現(xiàn)的:
      一種利用冬季育苗地熱溝進行扦插育苗的方法,包括以下步驟:
      (1)開溝埋線:在育苗地開出土溝,將農(nóng)用地熱線鋪入溝底上覆2cm細土;土溝的規(guī)格為深 12-15cm,上口寬 20cm;
      (2)在地熱溝內(nèi)進行農(nóng)作物的扦插育苗;
      (3)在土壤中澆透水;
      (4)給地熱線通電;
      (5)在溝的上口處覆蓋塑料薄膜;
      (6)在塑料薄膜的上方覆蓋泡沫保溫被,夜晚覆蓋,白天揭開。
      [0004]本發(fā)明的有益效果
      本發(fā)明將地熱線埋設(shè)在地熱溝的溝底,距離溝底只有2cm,在其上進行播種或扦插育苗,植物根系離地熱線近,加溫快,熱量傳輸損失少,地溫提高快,幼苗根系生長好;幼苗在地熱溝的溝底生長,地熱線產(chǎn)生的熱量在土壤中傳導,使得溝壁的土壤也得以加熱升溫,整個溝體都成了發(fā)熱體,可以給溝內(nèi)的空氣加溫。而且地熱溝內(nèi)的空間狹小,受熱面相對較大,因此容易提高溝內(nèi)空間小環(huán)境的溫度,與埋設(shè)地熱線平地小弓棚育苗相比,地熱溝內(nèi)的增溫保溫效果更好,更有利于幼苗健康生長。
      【附圖說明】
      [0005]圖1為一種利用冬季育苗地熱溝的橫截面圖。
      [0006]圖中:1.為地熱溝溝體,2為地熱線,3為塑料薄膜,4為保溫被。
      【具體實施方式】
      [0007]一種利用冬季育苗地熱溝進行萵筍育苗的方法,包括以下步驟:
      (1)開溝埋線:在育苗地開出土溝,將農(nóng)用地熱線鋪入溝體I的底部,上覆2cm細土;土溝的規(guī)格為深12cm,上口寬20cm;
      (2)在地熱溝內(nèi)扦插甜葉菊莖段;
      (3)在土壤中澆透水;
      (4)給地熱線2通電;
      (5)在溝的上口處覆蓋塑料薄膜3;
      (6)在塑料薄膜的上方覆蓋泡沫保溫被4,夜晚覆蓋,白天揭開。
      【主權(quán)項】
      1.一種利用冬季育苗地熱溝進行扦插育苗的方法,其特征在于,它包括以下步驟: (I)開溝埋線:在育苗地開出土溝,將農(nóng)用地熱線鋪入溝底上覆2cm細土; 土溝的規(guī)格為深 12-15cm,上口 寬 20cm; (2 )在地熱溝內(nèi)進行農(nóng)作物扦插; (3)在土壤中澆透水; (4)給地熱線通電; (5)在溝的上口處覆蓋塑料薄膜; (6)在塑料薄膜的上方覆蓋保溫被,夜晚覆蓋,白天揭開。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種利用冬季育苗地熱溝進行扦插育苗的方法,其特征在于,所述的保溫被是泡沫保溫被或水泥養(yǎng)生毯。
      【文檔編號】A01G17/00GK105940927SQ201610360462
      【公開日】2016年9月21日
      【申請日】2016年5月28日
      【發(fā)明人】林晶
      【申請人】林晶
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