一種橄欖種植穴的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種橄欖種植穴，包括用于栽種橄欖的穴體，所述穴體為一上部開(kāi)口的槽型結(jié)構(gòu)，橄欖從該開(kāi)口處栽入所述穴體內(nèi)，所述穴體具有變化的種植深度，能夠適于不同主根長(zhǎng)度的橄欖。本申請(qǐng)所述的橄欖種植穴，在不需埋施綠肥的情況下，就能夠顯著提高橄欖苗成活率，且省時(shí)省力。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
一種橄欖種植穴
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及樹(shù)木的種植領(lǐng)域，具體地，涉及一種橄欖種植穴。
【背景技術(shù)】
[0002]橄欖(Canarium album Raeusch)，屬植物界，被子植物門(mén)，雙子葉植物綱，唇形目，橄欖科，橄欖屬。我國(guó)栽培的橄欖，屬橄欖科橄欖屬，本屬約100多種，作為果樹(shù)栽培的有橄欖和烏欖兩種。橄欖也叫青欖(普寧市稱(chēng)青欖，與橄欖同)、黃欖、白欖，是我國(guó)南方特有的南亞熱帶樹(shù)種。橄欖的果肉中含有豐富的營(yíng)養(yǎng)物質(zhì)，據(jù)分析:每10g果肉含有1.2g蛋白質(zhì)、Ig脂肪、12g碳水化合物、204mg鈣、21mg維生素C。特別是含鈣多，橄欖果肉中水溶性鈣和醋酸溶鈣含量占果實(shí)總鈣含量的58.7%，這兩種鈣是人體可以吸收利用的高含量組分鈣，對(duì)兒童骨骼發(fā)育大有裨益。
[0003]橄欖是一種種植成活率較低的果樹(shù)，其樹(shù)體高大，主根發(fā)達(dá)，須根少。傳統(tǒng)的種植方法是挖種植大穴并埋施綠肥，然后種植。往往因種植后，苗木主根無(wú)法接觸實(shí)土，以致橄欖苗木根際產(chǎn)生空隙而死亡;或因回填土沉實(shí)后遇雨季，植穴里邊積水，苗木因浸水爛根而死亡。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]針對(duì)以上不足，本實(shí)用新型提供一種橄欖種植穴，在不需埋施綠肥的情況下，就能夠顯著提高橄欖苗成活率，且省時(shí)省力。
[0005]本實(shí)用新型通過(guò)以下方案達(dá)到上述目的:
[0006]—種橄欖種植穴，包括用于栽種橄欖的穴體，所述穴體為一上部開(kāi)口的槽型結(jié)構(gòu)，橄欖從該開(kāi)口處栽入所述穴體內(nèi)，所述穴體具有變化的種植深度，能夠適于不同主根長(zhǎng)度的橄欖。
[0007]進(jìn)一步地，所述穴體包括一相對(duì)水平面呈傾斜狀態(tài)的底壁，所述底壁的周緣沿豎向方向延伸形成所述穴體的側(cè)壁，且所述側(cè)壁遠(yuǎn)離所述底壁的一端在同一水平高度。
[0008]進(jìn)一步地，所述底壁具有一較低端以及一較高端，所述較低端的水平高度低于所述較高端的水平高度，且所述較低端與所述較高端之間圓滑過(guò)渡。
[0009]進(jìn)一步地，所述較低端與所述較高端之間的高度差為40_62cm。
[0010]進(jìn)一步地，所述側(cè)壁的最小高度為28-35cm，所述側(cè)壁的最大高度為75-90cmo
[0011 ] 進(jìn)一步地，所述底壁為長(zhǎng)方形，所述側(cè)壁包括第一側(cè)壁、第二側(cè)壁、第三側(cè)壁以及第四側(cè)壁，所述第一側(cè)壁與所述第二側(cè)壁相對(duì)應(yīng)，所述第三側(cè)壁與所述第四側(cè)壁相對(duì)應(yīng)，所述底壁的四邊分別與所述第一側(cè)壁、所述第二側(cè)壁、所述第三側(cè)壁以及所述第四側(cè)壁相連接，所述第一側(cè)壁的高度低于所述第二側(cè)壁。
[0012]進(jìn)一步地，所述第一側(cè)壁11的高度為28-35cm，所述第二側(cè)壁12的高度為75-90cmo
[0013]—種橄欖種植穴，包括實(shí)土層，所述實(shí)土層上開(kāi)設(shè)有用于栽種苗木的穴體，所述穴體為一上部開(kāi)口的槽型結(jié)構(gòu)，且所述穴體具有變化的種植深度，能夠適于不同主根長(zhǎng)度的橄欖，所述苗木插入所述穴體內(nèi)，且所述苗木的主根尾部與所述穴體的底壁相抵持，所述穴體內(nèi)填充赤紅壤細(xì)松表土層。
[0014]綜上所述，本申請(qǐng)所述的橄欖種植穴，在不需埋施綠肥的情況下，就能夠顯著提高橄欖苗成活率，且省時(shí)省力。
【附圖說(shuō)明】
[0015]此處所說(shuō)明的附圖用來(lái)提供對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分，并不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例的限定。在附圖中:
[0016]圖1為本實(shí)用新型第一實(shí)施例所示橄欖種植穴的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖2為本實(shí)用新型第二實(shí)施例所示橄欖種植穴的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0018]以下結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步說(shuō)明。
[0019]實(shí)施例1
[0020]如圖1所示，本實(shí)用新型第一實(shí)施例所示橄欖種植穴，包括用于栽種橄欖的穴體10，所述穴體10為一上部開(kāi)口的槽型結(jié)構(gòu)，橄欖從該開(kāi)口處栽入所述穴體10內(nèi)。
[0021]所述穴體10包括一相對(duì)水平面呈傾斜狀態(tài)的底壁15，所述底壁15的周緣沿豎向方向延伸形成所述穴體10的側(cè)壁，且所述側(cè)壁遠(yuǎn)離所述底壁15的一端在同一水平高度。如此，本實(shí)施例中提供一種種植深度變化的穴體10，能夠適于不同主根長(zhǎng)度的橄欖。本實(shí)施例中，所述底壁15具有一較低端以及一較高端，所述較低端的水平高度低于所述較高端的水平高度，且所述較低端與所述較高端之間圓滑過(guò)渡。更具體地，所述較低端與所述較高端之間的尚度差為40-62cmo
[0022]可以理解，在本申請(qǐng)另一實(shí)施例中，所述側(cè)壁的最小高度為28-35cm，所述側(cè)壁的最大高度為75-90cm。則，所述底壁15的較低端與較高端之間的高度差也為40-62cmo
[0023]本申請(qǐng)所示結(jié)構(gòu)的穴體10，根據(jù)橄欖苗木主根長(zhǎng)短，選擇適當(dāng)?shù)姆N植深度，S卩，將苗木插入穴體10的適宜位置，以使苗木能夠接觸所述底壁15。避免苗木與底壁15之間預(yù)留空隙。具體地，如當(dāng)苗木的主根比較長(zhǎng)時(shí)，苗木放于所述穴體10靠近較低端的位置;而當(dāng)苗木較小或主根較短時(shí)，則放于靠近較高端的位置。而且本申請(qǐng)所示結(jié)構(gòu)的穴體10內(nèi)不需埋施綠肥，再種植入苗木，也能達(dá)到提高苗木成活率的目的。本
【申請(qǐng)人】通過(guò)實(shí)驗(yàn)，發(fā)現(xiàn)采用本申請(qǐng)所述穴體10種植的橄欖苗成活率能夠達(dá)到95.5%。而傳統(tǒng)的長(zhǎng)方體形種植穴成活率僅為30.8%，同時(shí)，本申請(qǐng)所述的種植穴比傳統(tǒng)種植穴更容易開(kāi)挖，省工省本。每個(gè)種植穴節(jié)約工錢(qián)0.5元，每畝可節(jié)約開(kāi)挖費(fèi)約10元。
[0024]可以理解，所述底壁為長(zhǎng)方形，所述側(cè)壁包括第一側(cè)壁11、第二側(cè)壁12、第三側(cè)壁13以及第四側(cè)壁14。
[0025]所述第一側(cè)壁11與所述第二側(cè)壁12相對(duì)應(yīng)，所述第三側(cè)壁13與所述第四側(cè)壁14相對(duì)應(yīng)，所述底壁15的四邊分別與所述第一側(cè)壁11、所述第二側(cè)壁12、所述第三側(cè)壁13以及所述第四側(cè)壁14相連接，所述第一側(cè)壁11的高度低于所述第二側(cè)壁12。對(duì)應(yīng)地，所述第一側(cè)壁11的高度為28-35cm，所述第二側(cè)壁12的高度為75-90cmo
[0026]實(shí)施例2
[0027]如圖2所示為本實(shí)用新型第二實(shí)施例所示橄欖種植穴，包括實(shí)土層20，所述實(shí)土層20上開(kāi)設(shè)有用于栽種苗木30的穴體10，所述穴體10的結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例中所述的穴體10結(jié)構(gòu)一致，在此不再一一贅述。所述苗木30插入所述穴體10內(nèi)，且所述苗木30的主根尾部與所述穴體10的底壁相抵持。所述穴體10內(nèi)填充赤紅壤細(xì)松表土層40，用于固定所述苗木30，并且消除所述苗木30的主根與側(cè)根分支處的空隙。
[0028]綜上所述，本申請(qǐng)所述的橄欖種植穴，在不需埋施綠肥的情況下，就能夠顯著提高橄欖苗成活率，且省時(shí)省力。
[0029]以上所述，僅為本實(shí)用新型的較佳的具體實(shí)施例，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，根據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)方案及其構(gòu)思加以等同替換或改變，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種橄欖種植穴，其特征在于，包括用于栽種橄欖的穴體，所述穴體為一上部開(kāi)口的槽型結(jié)構(gòu)，橄欖從該開(kāi)口處栽入所述穴體內(nèi)，所述穴體具有變化的種植深度，能夠適于不同主根長(zhǎng)度的橄欖。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的橄欖種植穴，其特征在于，所述穴體包括一相對(duì)水平面呈傾斜狀態(tài)的底壁，所述底壁的周緣沿豎向方向延伸形成所述穴體的側(cè)壁，且所述側(cè)壁遠(yuǎn)離所述底壁的一端在同一水平高度。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的橄欖種植穴，其特征在于，所述底壁具有一較低端以及一較高端，所述較低端的水平高度低于所述較高端的水平高度，且所述較低端與所述較高端之間圓滑過(guò)渡。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的橄欖種植穴，其特征在于，所述較低端與所述較高端之間的高度差為40-62cmo5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的橄欖種植穴，其特征在于，所述側(cè)壁的最小高度為28-35cm，所述側(cè)壁的最大高度為75-90cmo6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的橄欖種植穴，其特征在于，所述底壁為長(zhǎng)方形，所述側(cè)壁包括第一側(cè)壁、第二側(cè)壁、第三側(cè)壁以及第四側(cè)壁，所述第一側(cè)壁與所述第二側(cè)壁相對(duì)應(yīng)，所述第三側(cè)壁與所述第四側(cè)壁相對(duì)應(yīng)，所述底壁的四邊分別與所述第一側(cè)壁、所述第二側(cè)壁、所述第三側(cè)壁以及所述第四側(cè)壁相連接，所述第一側(cè)壁的高度低于所述第二側(cè)壁。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的橄欖種植穴，其特征在于，所述第一側(cè)壁11的高度為28-35cm，所述第二側(cè)壁12的高度為75-90cmo8.一種橄欖種植穴，其特征在于，包括實(shí)土層，所述實(shí)土層上開(kāi)設(shè)有用于栽種苗木的穴體，所述穴體為一上部開(kāi)口的槽型結(jié)構(gòu)，且所述穴體具有變化的種植深度，能夠適于不同主根長(zhǎng)度的橄欖，所述苗木插入所述穴體內(nèi)，且所述苗木的主根尾部與所述穴體的底壁相抵持，所述穴體內(nèi)填充赤紅壤細(xì)松表土層。
【文檔編號(hào)】A01G9/02GK205454883SQ201620261701
【公開(kāi)日】2016年8月17日
【申請(qǐng)日】2016年3月31日
【發(fā)明人】羅慶發(fā), 吳和原
【申請(qǐng)人】廣東利泰農(nóng)業(yè)開(kāi)發(fā)有限公司