專利名稱：有機(jī)發(fā)光器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及高效率的有機(jī)發(fā)光器件(OLED)，其包含作為電致發(fā)磷光發(fā)射體的過渡金屬絡(luò)合物，其中該過渡金屬絡(luò)合物、或其幾何異構(gòu)體，包含兩個(gè)二齒NN-型配體、或兩個(gè)二齒NO型配體、或四齒NNNN型配體、或四齒NOON型配體和過渡金屬原子。本發(fā)明還涉及制備薄膜OLED的方法和它們的應(yīng)用如用于液晶顯示器、等離子體平板顯示器和發(fā)光二極管。
背景技術(shù)：
有機(jī)發(fā)光器件(OLED)正應(yīng)用作為下一代平板顯示器(FPD)、液晶顯示器(LCD)、和等離子體顯示板(PDP)。這是由它們有利的性能帶來的，這些性能包括重量輕、視頻響應(yīng)快和能耗低。所以，顯示電致發(fā)光的有機(jī)金屬化合物對(duì)于電致發(fā)磷光的應(yīng)用來說特別有吸引力，因?yàn)榭梢酝瑫r(shí)改變配體結(jié)構(gòu)和中心金屬原子，由此使用這些化合物來改進(jìn)器件的性能。
有機(jī)發(fā)光器件(OLED)是一種當(dāng)施加電流時(shí)發(fā)光的能量轉(zhuǎn)換器件。多層OLED通常由空穴和電子注入層、空穴和電子傳輸層、發(fā)光層、金屬氧化物層和金屬電極組成。在發(fā)光層中使用有機(jī)小分子和聚合物由于它們?cè)谌噬蟪叽缙桨屣@示器中的潛在前途而吸引了大量的關(guān)注。Tang和VanSlyke首次公開了可以通過真空沉積法將有機(jī)小分子制成薄膜，由此形成多層有機(jī)發(fā)光器件(OLED)(參見Tang等人，Appl.Phys.Lett.51913(1987))。
為了改進(jìn)OLED的性能，已對(duì)有機(jī)小分子進(jìn)行了研究。通常，使用熒光和磷光材料作為OLED發(fā)光層中的發(fā)光體。由于電致發(fā)光器件的發(fā)光層中形成了單譜線激子而從熒光化合物中發(fā)出光。US 6,310,360公開了在電致發(fā)光器件的發(fā)光層中空穴和電子復(fù)合之后，理論上形成了25％的單譜線激子和75％的三譜線激子。單譜線激子將它們的能量轉(zhuǎn)移到單譜線激發(fā)態(tài)，而三譜線激子將它們的能量轉(zhuǎn)移到三譜線激發(fā)態(tài)。多數(shù)有機(jī)小分子顯示熒光；因此，僅僅利用25％所生成的激子導(dǎo)致器件的外部效率較低。
與熒光化合物不同的是，University of Southern California的Thompson等人和Princeton University的Forrest等人共同報(bào)道了一系列具有不同顏色發(fā)光的高效磷光銥絡(luò)合物(參見US專利No.6,515,298B2；US專利申請(qǐng)公報(bào)NO.20020182441 A1；Lamansky等人，J.Am.Chem.Soc.，1234304(2001)；和Xie等人，AdV.Mat.，131245(2001)).Che等人也證實(shí)了使用利用各種金屬中心如鉑(II)、銅(I)、金(I)、和鋅(II)的有機(jī)金屬絡(luò)合物作為OLED發(fā)光體(參見US專利申請(qǐng)公報(bào)No.23205707A1；US專利申請(qǐng)公報(bào)No.22179885A1；Y.Y.Lin等人，Chem.Eur.J.，91263(2003)；Lu等人，Chem.Commun.，206(2002)；Ma等人，New J.Chem.，263(1999)；Ma等人，Appl.Phys.Lett.，741361(1999)；Ho等人，Chem.Commun.，2101(1998)；和Ma等人，Chem.Commun.，2491(1998))。
已研究各種發(fā)光化合物、尤其是發(fā)紅光的化合物作為多種器件結(jié)構(gòu)中的活性發(fā)光體。US專利No.6,048,630公開了基于磷光Pt(OEP)絡(luò)合物(H2OEP＝辛基乙基卟啉)的OLED，其發(fā)射飽和的紅色電致發(fā)光。Thompson和Forrest等人報(bào)道了高效(ηext＝7.0±0.5％)的紅色磷光材料(雙(2-(2’-苯并[4，5-a]噻吩基)吡啶-N，C3)銥(乙酰丙酮化合物)[Btp2Ir(acac)])(參見Adachi等人，Appl.Phys.Lett.，781622(2001))。另外，也報(bào)道了使用銪絡(luò)合物作為OLED中的紅色發(fā)光摻雜劑(Eu(TTA)3phen，TTA＝噻吩甲酰三氟丙酮；phen＝1，10-菲咯啉)，其顯示靈敏(sharp)的紅色電致發(fā)光(參見Adachi等人，J.Appl.Phys.，878049，(2000))。
開發(fā)用于OLED的高效紅色磷光發(fā)光體方面的努力在轉(zhuǎn)向針對(duì)全彩色平板顯示器應(yīng)用。雖然已獲得了顯著的進(jìn)展，但是商業(yè)化之前仍必須面對(duì)諸如穩(wěn)定性優(yōu)化和OLED效率的挑戰(zhàn)。因此，特別期望開發(fā)出磷光材料，其顯示可見光區(qū)域中的電致發(fā)光(EL)，具有高效率和良好穩(wěn)定性。
發(fā)明概述本發(fā)明的主要目的是，提供含有發(fā)光層的有機(jī)發(fā)光器件(OLED)，其使用至少一種摻雜絡(luò)合物作為電致發(fā)磷光的發(fā)光體。該器件應(yīng)顯示低的接通電壓、高亮度、高效率、和期望的色彩。
本發(fā)明的另一目的是，提供一種OLED結(jié)構(gòu)體，其使用了含有至少一種電致發(fā)磷光的摻雜絡(luò)合物和至少一種主體材料(host material)的發(fā)光層。
又另一目的是，提供了通過在不同外加電壓下改變發(fā)光層中摻雜絡(luò)合物濃度來發(fā)出期望的顏色的OLED。其與所選摻雜絡(luò)合物的效率相關(guān)，該摻雜絡(luò)合物可以以較低濃度水平用于OLED。
一種實(shí)施方式中，本發(fā)明涉及一種異質(zhì)結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光器件，其包括基材，其上放置第一電極；空穴傳輸層；至少一個(gè)發(fā)光層，其包含至少一種主體材料和至少一種摻雜絡(luò)合物，該摻雜絡(luò)合物、或者其幾何異構(gòu)體包含至少一種與兩個(gè)二齒NN-型配體、或兩個(gè)二齒NO-型配體、或四齒NNNN-型配體、或四齒NOON-型配體配位的過渡金屬；空穴阻隔層；電子傳輸層；電荷注入層；和第二電極，使空穴傳輸層、發(fā)光層、空穴阻隔層、電子傳輸層和電荷注入層夾在第一和第二電極之間。
優(yōu)選實(shí)施方式中，本發(fā)明涉及包括含有至少一種過渡金屬絡(luò)合物的發(fā)光層的OLED。該過渡金屬絡(luò)合物、或者其幾何異構(gòu)體含有兩個(gè)二齒NN-型配體、或兩個(gè)二齒NO-型配體、或四齒NNNN-型配體、或四齒NOON-型配體和過渡金屬，其作為電致發(fā)磷光摻雜絡(luò)合物。
優(yōu)選實(shí)施方式中，本發(fā)明涉及一種異質(zhì)結(jié)構(gòu)的OLED，其包含一種或多種下列分子式的摻雜絡(luò)合物
或其混合物，其中M為選自于Ni、Pd和Pt的過渡金屬；R1～R10中的每一個(gè)獨(dú)立地為-H、-OH、-NH2、-鹵素、-CN、-NO2、-R13、-OR14、NHR14、或-N(R14)2；R11為-(C(R15)2)n-、
或 每個(gè)R12獨(dú)立地為-H、-(C1～C6)烷基、-苯基、-萘基、-鹵素、或-CN；R13為-(C1～C6)烷基、-苯基、或-萘基，其每一個(gè)均為未取代的或者由一個(gè)或多個(gè)-(C1-C6)烷基、-苯基、或-萘基取代的；R14如上對(duì)R13的定義；R15如上對(duì)R1的定義；x獨(dú)立地為碳或氮原子；和n為整數(shù)1～6。
另一實(shí)施方式中，本發(fā)明涉及一種用于制備異質(zhì)結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光器件的方法，該發(fā)光器件發(fā)黃色、橙色或紅色光。該方法包括步驟提供基材，在其上設(shè)置第一電極；在第一電極之上提供空穴傳輸層；在空穴傳輸層之上形成發(fā)光層，該發(fā)光層包含至少一種主體材料和至少一種摻雜絡(luò)合物，該摻雜絡(luò)合物、或者其幾何異構(gòu)體包含至少一種與兩個(gè)二齒NN-型配體、或兩個(gè)二齒NO-型配體、或四齒NNNN-型配體、或四齒NOON-型配體配位的過渡金屬；在發(fā)光層之上提供空穴阻隔層；在空穴阻隔層之上提供電子傳輸層；在電子傳輸層之上提供電荷注入層；在電荷注入層之上提供第二電極。
在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式中，包括、但并不限定于包含用于產(chǎn)生紅色、橙色或黃色電致發(fā)光的異質(zhì)結(jié)構(gòu)的OLED；該器件含有陽極(ITO玻璃物質(zhì))、空穴傳輸層(N，N’-二苯基-N，N’-雙(2-萘)聯(lián)苯胺(β-NPB))、含有主體材料(4，4’-雙(咔唑-9-基)聯(lián)苯(CBP))和電致發(fā)磷光的摻雜絡(luò)合物(如本文中式I、II、IH或IV所示)、空穴阻隔層(2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(BCP))、電子傳輸層(三(8-羥基喹啉合)鋁(Alq3))、電荷注入層(氟化鋰)和陰極(金屬鋁)。
更優(yōu)選地，當(dāng)施加電流時(shí)，利用了如本文中式I、II、III或IV所示電致發(fā)磷光的摻雜絡(luò)合物的OLED證實(shí)發(fā)紅色、橙色或黃色光。
依據(jù)本發(fā)明，可以將高效OLED應(yīng)用于電子平板顯示器、信號(hào)燈顯示板或光源的領(lǐng)域。


圖1摻雜絡(luò)合物1在CH3CN中的吸收、激發(fā)和發(fā)射光譜圖2摻雜絡(luò)合物2在CH3CN中的吸收、激發(fā)和發(fā)射光譜圖3摻雜絡(luò)合物4在CH3CN中的吸收、激發(fā)和發(fā)射光譜圖4本發(fā)明中OLED的示意58V下不同摻雜濃度下具有4.0wt％摻雜劑1的OLED A的EL光譜圖6不同外加電壓下具有4.0wt％摻雜劑1的OLED A的EL光譜圖7具有4.0wt％摻雜劑1的OLED A的V-I-B曲線圖8具有4.0wt％摻雜劑1的OLED A的外部量子效率和發(fā)光效率圖98V下不同摻雜濃度下具有5wt％摻雜劑2的OLED B的EL光譜圖10不同外加電壓下具有5wt％摻雜劑2的OLED B的EL光譜圖11具有5wt％摻雜劑2的OLED B的V-I-B曲線圖12具有5.0wt％摻雜劑2的OLED B的外部量子效率和發(fā)光效率圖138V下不同摻雜濃度下具有3wt％摻雜劑19的OLED C的EL光譜圖14不同外加電壓下具有3wt％摻雜劑19的OLED C的EL光譜圖15具有3wt％摻雜劑19的OLED C的V-I-B曲線圖16具有3wt％摻雜劑19的OLED C的外部量子效率和發(fā)光效率圖178V下不同摻雜濃度下具有4wt％摻雜劑51的OLED D的EL光譜圖18不同外加電壓下具有4wt％摻雜劑51的OLED D的EL光譜圖19具有4wt％摻雜劑51的OLED D的V-I-B曲線圖20具有4wt％摻雜劑51的OLED D的外部量子效率和發(fā)光效率圖218V下不同摻雜濃度下具有1.5wt％摻雜劑99的OLED E的EL光譜圖22不同外加電壓下具有1.5wt％摻雜劑99的OLED E的EL光譜圖23具有1.5wt％摻雜劑99的OLED E的V-I-B曲線圖24具有1.5wt％摻雜劑99的OLED E的外部量子效率和發(fā)光效率圖258V下不同摻雜濃度下具有1.6wt％摻雜劑107的OLED F的EL光譜圖26不同外加電壓下具有1.6wt％摻雜劑107的OLED F的EL光譜圖27具有1.6wt％摻雜劑104的OLED F的V-I-B曲線圖28具有1.6wt％摻雜劑104的OLED F的外部量子效率和發(fā)光效率發(fā)明詳述下面給出了用于描述本發(fā)明的一些定義如本文中所使用的那樣，短語“二齒NN-型配體”表示含有亞胺基與吡咯基、吡唑基、咪唑基或三唑基的分子，該配體通過這些基團(tuán)中的氮原子與金屬配位。
如本文中所使用的那樣，短語“二齒NO-型配體”表示含有亞胺基和苯氧基的分子，該配體通過這些基團(tuán)中的氮原子和氧原子與金屬配位。
如本文中所使用的那樣，短語“四齒NNNN-型配體”表示含有兩個(gè)亞胺基與兩個(gè)吡咯基、兩個(gè)吡唑基、兩個(gè)咪唑基或兩個(gè)三唑基的分子，該配體通過這些基團(tuán)中的氮原子與金屬配位。
如本文中所使用的那樣，短語“四齒NOON-型配體”表示含有兩個(gè)亞胺基與兩個(gè)苯氧基的分子，該配體通過這些基團(tuán)中的氮原子和氧原子與金屬配位。
如本文中所使用的那樣，短語“發(fā)光器件”表示對(duì)電流呈現(xiàn)不對(duì)稱阻抗的結(jié)構(gòu)。通常，當(dāng)正向偏置時(shí)，這類器件能使電流在一個(gè)方向上更容易地流動(dòng)。但是，在本發(fā)明的一些器件中，大量的電流可以在反向偏置態(tài)下流動(dòng)，以及產(chǎn)生光。
本發(fā)明涉及一種含有發(fā)光層的異質(zhì)結(jié)構(gòu)的OLED，其中該發(fā)光層包含至少一種主體材料和至少一種發(fā)光材料。優(yōu)選地，該發(fā)光材料為摻雜絡(luò)合物、或者其幾何異構(gòu)體，其包含與兩個(gè)二齒NN-型配體、或兩個(gè)二齒NO-型配體、或四齒NNNN-型配體、或四齒NOON-型配體配位的過渡金屬。該摻雜絡(luò)合物可以以單體、二聚體、低聚物、或其混合物形式存在。
一種實(shí)施方案中，本發(fā)明涉及一種異質(zhì)結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光器件，其包括基材，其上放置第一電極；空穴傳輸層；至少一個(gè)發(fā)光層，其包含至少一種主體材料和至少一種摻雜絡(luò)合物，該摻雜絡(luò)合物、或者其幾何異構(gòu)體包含至少一種與兩個(gè)二齒NN-型配體、或兩個(gè)二齒NO-型配體、或四齒NNNN-型配體、或四齒NOON-型配體配位的過渡金屬；空穴阻隔層；電子傳輸層；電荷注入層；和第二電極，使空穴傳輸層、發(fā)光層、空穴阻隔層、電子傳輸層和電荷注入層夾在第一和第二電極之間。
優(yōu)選地，該發(fā)光材料為摻雜絡(luò)合物、或者其幾何異構(gòu)體，其含有兩個(gè)二齒NN-型配體、或兩個(gè)二齒NO-型配體、或四齒NNNN-型配體、或四齒NOON-型配體和過渡金屬原子。更優(yōu)選地，該發(fā)光材料包括下列式的摻雜絡(luò)合物
或其混合物，其中M為選自于Ni、Pd和Pt的過渡金屬；R1～R10中的每一個(gè)獨(dú)立地為-H、-OH、-NH2、-鹵素、-CN、-NO2、-R13、-OR14、NHR14、或-N(R14)2；R11為-(C(R15)2)n-、
或 每個(gè)R12獨(dú)立地為-H、-(C1～C6)烷基、-苯基、-萘基、-鹵素、或-CN；R13為-(C1～C6)烷基、-苯基、或-萘基，其每一個(gè)均為未取代的或者由一個(gè)或多個(gè)-(C1～C6)烷基、-苯基、或-萘基取代的；R14如上對(duì)R13的定義；R15如上對(duì)R1的定義；x獨(dú)立地為碳或氮原子；和n為整數(shù)1～6。
一些實(shí)施方式中，式(I)、(II)、(IH)或(IV)化合物可以含有為電子給體的R1～R10基團(tuán)。電子給體基團(tuán)的非限定性實(shí)例為胺(包括-N(R14)2)和-OR14。
一些實(shí)施方式中，式(I)、(II)、(HI)或(Iv)化合物可以含有為電子受體的R1～R10基團(tuán)。電子受體基團(tuán)的非限定性實(shí)例包括-F、-Cl、-Br、-I、-NO2、-C(O)(C1-C6)、-C(O)O(C1-C6)、-SCN、-SO3F和-CN。
一些式(I)和(II)的示意性實(shí)例和示例性化合物列于下面表1中
表1




一些式(III)和(IV)的示意性實(shí)例和示例性化合物列于下面表2中
表2





二齒NN-型配體的非限定性實(shí)例包括如上所述的摻雜絡(luò)合物3和14～18。例如，NN-型配體選自由至少一個(gè)未取代的5元或6元環(huán)或者取代的5元或6元環(huán)組成的配體；其中取代的5元或6元環(huán)包括至少一個(gè)選自于下列基團(tuán)的取代基氫、鹵素、羥基、烷基、環(huán)烷基、芳基、?；?、烷氧基、酸基、氨基、?；被?、芳烷基、氰基、羧基、硫基、乙烯基、苯乙烯基、氨基羰基、羰基、aranyl基團(tuán)、芳氧基羰基、二甲苯氧基羰基、苯氧基羰基或烷氧基羰基以及公認(rèn)的給體或受體基團(tuán)；其中，取代基(例如芳基)可以一起結(jié)合形成取代的或未取代的、飽和的或不飽和的、具有任意單元數(shù)的環(huán)。優(yōu)選實(shí)施方式中，過渡金屬為Pt。
二齒NO-型配體的非限定性實(shí)例包括如上所述的摻雜絡(luò)合物67～98。例如，NO-型配體選自由至少一個(gè)未取代的5元或6元環(huán)或者取代的5元或6元環(huán)組成的配體；其中取代的5元或6元環(huán)包括至少一個(gè)選自于下列基團(tuán)的取代基氫、鹵素、羥基、烷基、環(huán)烷基、芳基、?；⑼檠趸?、酸基、氨基、?；被?、芳烷基、氰基、羧基、硫基、乙烯基、苯乙烯基、氨基羰基、羰基、aranyl基團(tuán)、芳氧基羰基、二甲苯氧基羰基、苯氧基羰基或烷氧基羰基以及公認(rèn)的給體或受體基團(tuán)；其中，取代基(例如芳基)可以一起結(jié)合形成取代的或未取代的、飽和的或不飽和的、具有任意單元數(shù)的環(huán)。優(yōu)選實(shí)施方式中，過渡金屬為Pt。
NNNN-型配體的非限定性實(shí)例包括如上所述的摻雜絡(luò)合物1～2和4～13。例如，NNNN-型配體選自由至少一個(gè)未取代的5元或6元環(huán)或者取代的5元或6元環(huán)組成的配體；其中那些取代的5元或6元環(huán)包括至少一個(gè)選自于下列基團(tuán)的取代基氫、鹵素、羥基、烷基、環(huán)烷基、芳基、?；?、烷氧基、酸基、氨基、?；被?、芳烷基、氰基、羧基、硫基、乙烯基、苯乙烯基、氨基羰基、羰基、aranyl基團(tuán)、芳氧基羰基、二甲苯氧基羰基、苯氧基羰基或烷氧基羰基以及公認(rèn)的給體或受體基團(tuán)；其中，取代基(例如芳基)可以一起結(jié)合形成取代的或未取代的、飽和的或不飽和的、具有任意單元數(shù)的環(huán)。優(yōu)選實(shí)施方式中，過渡金屬為Pt。
NOON-型配體的非限定性實(shí)例包括如上所述的摻雜絡(luò)合物19～66和99～178。例如，NOON-型配體選自由至少一個(gè)未取代的5元或6元環(huán)或者取代的5元或6元環(huán)組成的配體；其中那些取代的5元或6元環(huán)包括至少一個(gè)選自于下列基團(tuán)的取代基氫、鹵素、羥基、烷基、環(huán)烷基、芳基、?；⑼檠趸?、酸基、氨基、?；被⒎纪榛?、氰基、羧基、硫基、乙烯基、苯乙烯基、氨基羰基、羰基、aranyl基團(tuán)、芳氧基羰基、二甲苯氧基羰基、苯氧基羰基或烷氧基羰基以及公認(rèn)的給體或受體基團(tuán)；其中，取代基(例如芳基)可以一起結(jié)合形成取代的或未取代的、飽和的或不飽和的、具有任意單元數(shù)的環(huán)。優(yōu)選實(shí)施方式中，過渡金屬為Pt。
本發(fā)明也涉及用于制備OLED的方法，該OLED可以通過氣相沉積法來制備。
一種實(shí)施方式中，OLED包含陽極、空穴傳輸層、含有至少一種主體材料和至少一種摻雜絡(luò)合物的發(fā)光層、空穴阻隔層、電子傳輸層、電荷注入層和陰極。
適用于OLED的陽極的非限定性實(shí)例為銦錫氧化物(ITO)和摻雜型聚苯胺。
適用于本發(fā)明的空穴傳輸材料的非限定性實(shí)例為雙(2-(2’-羥基苯基)吡啶鈹、4，4’-雙(咔唑-9-基)聯(lián)苯(CBP)、N，N’-二苯基-N，N’-雙(1-萘)聯(lián)苯胺(α-NPB)、N，N’-二苯基-N，N’-雙(2-萘)聯(lián)苯胺(β-NPB)、N，N’-雙(3-甲基苯基)-N，N’-雙(苯基)聯(lián)苯胺(TPD)、4，4’，4”-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯基胺(m-TDATA)和四(二芳基氨基)-9，9’-螺聯(lián)芴。
適用于本發(fā)明的主體材料的非限定性實(shí)例為雙(2-(2’-羥基苯基)吡啶鈹、4，4’-雙(咔唑-9-基)聯(lián)苯(CBP)、N，N’-二苯基-N，N’-雙(1-萘)聯(lián)苯胺(α-NPB)、N，N’-二苯基-N，N’-雙(2-萘)聯(lián)苯胺(β-NPB)、N，N’-雙(3-甲基苯基)-N，N’-雙(苯基)聯(lián)苯胺(TPD)、4，4’，4”-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯基胺(m-TDATA)、四(二芳基氨基)-9，9’-螺聯(lián)芴、雙(2-(2’-羥基苯基)吡啶鈹(Bepp2)、3-苯基-4-(1’-萘基)-5-苯基-1，2，4-三唑(TAZ)、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(BCP)、1，3-雙(N，N-叔丁基-苯基)-1，3，4-二唑(OXD7)、和1，3，5-三(3-甲基聯(lián)苯基氨基)苯(m-MTDAB)。
本發(fā)明中，將至少一種適宜的主體材料和至少一種摻雜絡(luò)合物一起用于發(fā)光層中。
摻雜絡(luò)合物、或者其幾何異構(gòu)體包含與兩個(gè)二齒NN-型配體、或兩個(gè)二齒NO-型配體、或四齒NNNN-型配體、或四齒NOON-型配體配位的過渡金屬，其非限定性實(shí)例包括如上表1和2中所述的摻雜絡(luò)合物1～178。優(yōu)選實(shí)施方式中，摻雜絡(luò)合物選自于摻雜絡(luò)合物1-18、19、22、24-25、27、30、32-33、35、38、40-41、43、46、48-49、51、54、56-57、59、62、64-65、99、102、104-105、107、110、112-113、115、118、120-121、123、126、128-129和其混合物。更優(yōu)選地，摻雜絡(luò)合物為1、2、4、19、35、51、99和104。
適用于本發(fā)明的空穴阻隔層的非限定性實(shí)例包括3，4，5-三苯基-1，2，4-三唑、3-(聯(lián)苯基-4-基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1，2，4-三唑(TAZ)、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(BCP)和1，3，5-三[5-(4-(1，1-二甲基乙基)苯基)-1，3，4-二唑-2-基]苯(TBOP)。
用于本發(fā)明的電子傳輸層的非限定性實(shí)例包括三(8-羥基喹啉合)鋁(Alq3)和2-(4-聯(lián)苯基)-5-(對(duì)-叔丁基苯基)-1，3，4-二唑。
適用于本發(fā)明的電荷注入層的非限定性實(shí)例包括氟化鋰、氟化銫和苯甲酸鋰。
用作本發(fā)明中陰極的低功函材料的非限定性實(shí)例包括鋁、鉀、鋰、鎂、銀、金、銣、鈹和銫。
一種優(yōu)選實(shí)施方式中，本文中所述的OLED包含用于產(chǎn)生電致發(fā)光的異質(zhì)結(jié)構(gòu)，其含有陽極(ITO玻璃物質(zhì))、空穴傳輸層(N，N’-二苯基-N，N’-雙(2-萘)聯(lián)苯胺(β-NPB))、含有主體材料(4，4’-雙(咔唑-9-基)聯(lián)苯(CBP))和電致發(fā)磷光的摻雜絡(luò)合物(如本文中式I、II、III或IV所示)、空穴阻隔層(2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(BCP))、電子傳輸層(三(8-羥基喹啉合)鋁(Alq3))、電荷注入層(氟化鋰)和陰極(金屬鋁)。
優(yōu)選地，本發(fā)明中，含有本文中式I、II、III或IV所示摻雜絡(luò)合物的OLED顯示紅色、橙色或黃色電致發(fā)光。發(fā)光層中摻雜絡(luò)合物的濃度范圍可以為0.5～8.0wt％，基于摻雜絡(luò)合物與主體材料之間的能量轉(zhuǎn)換效率和參照絡(luò)合物的分子結(jié)構(gòu)。但是，可以采用其它濃度。
給出下列實(shí)施例以幫助理解本發(fā)明，但是其并非且不應(yīng)當(dāng)被認(rèn)為是以任意方式來限定所要求保護(hù)的發(fā)明。
實(shí)施例1實(shí)施例1顯示了摻雜絡(luò)合物1的合成方法。該四齒NNNN-型配體是依據(jù)文獻(xiàn)方法的改進(jìn)來制備的(參見Bacchi等人，Inorganica ChimicaActa.342229，(2003)；Male等人，J.Chem.Soc.，Dalton Trans.2487，(1997))。
摻雜絡(luò)合物1的合成將乙酸鈉(0.077g，0.94mmol)懸浮在二齒配體N，N-雙(1H-吡咯-2基亞甲基)-乙烷-1，2-二胺(0.1g，0.47mmol)的DMF(10mL)溶液中。將溶解于DMSO(1mL)的K2PtCl4(0.19g，0.47mmol)在80℃下以逐滴滴加到懸浮液中。在80℃下攪拌4小時(shí)之后所獲得的黃色溶液變?yōu)槌?紅色。冷卻之后，隨后將蒸餾水(50mL)加入到橙-紅色混合物中，獲得橙-棕色沉淀物。將固體產(chǎn)物過濾并用H2O(2×10mL)洗滌，由此獲得橙-棕色固體，隨后通過硅膠層析法純化該固體，其中使用CH2Cl2作為洗提液。除去溶劑后得到橙色固體。通過緩慢蒸發(fā)該橙色固體的乙腈溶液獲得橙紅色晶體。產(chǎn)率42mg(22％)。1H NMR(CDCl3)δ＝7.67(s，2H，HC＝N)，7.10(m，2H，吡咯)，6.71(d，J＝3.3 Hz，2H，吡咯)，6.29(dd，J＝3.9，1.8Hz，2H，吡咯)，4.18(s，4H，CH2)。13C NMR(CDCl3)δ＝155.7，145.4，137.7，119.0，110.7，59.4.FAB-MS(m-NBA)(m/z)407{M+}.IR(KBr)v＝3107，3095，3028，2998，2913，1582，1570cm-1。對(duì)C12H12N4Pt的Anal.Calcd(％)C，35.38；H，2.97；N，13.75.發(fā)現(xiàn)C，34.89；H，2.98；N，13.29。
實(shí)施例2實(shí)施例2顯示了相當(dāng)于本發(fā)明摻雜絡(luò)合物1、2和4的非限定性示例發(fā)光材料的光物理性能。摻雜絡(luò)合物的吸收與光致發(fā)光性能在表3中給出。摻雜絡(luò)合物1、2和4的UV/vis吸收、激發(fā)和發(fā)射光譜分別示于圖1～3中。光致發(fā)光(PL)光譜基本上不受激發(fā)波長300～450nm的支配。室溫下，在CH3CN中獲得了量子產(chǎn)率(Φ)高達(dá)0.110的強(qiáng)PL發(fā)射。摻雜絡(luò)合物的發(fā)射壽命范圍為0.57～4.25μs。
表3.摻雜絡(luò)合物1、2和4的物理特性

a在乙腈(CH3CN)中測量UV/vis和PL發(fā)射b最大峰處測量壽命圖1顯示了摻雜絡(luò)合物1在CH3CN溶液中的代表性UV/vis吸收、激發(fā)和發(fā)射光譜。該溶液顯示范圍為278～388nm的強(qiáng)吸收帶(ε＝1.52～1.85×10-4dm3mol-1cm-1)和438～459nm的中等強(qiáng)度吸收帶(ε＝0.45～0.36×10-4dm3mol-1cm-1)。在459nm激發(fā)時(shí)，獲得λmax566nm和613nm的橙色光致發(fā)光(PL)。絡(luò)合物1的PL量子產(chǎn)率(Φ)為0.097。
圖2描述了摻雜絡(luò)合物2在CH3CN溶液中的UV/vis吸收、激發(fā)和發(fā)射光譜。該溶液顯示范圍為279～383nm的幾個(gè)電子振動(dòng)吸收躍遷(ε＝1.45～1.82×10-4dm3mol-1cm-1)和431～448nm的中等強(qiáng)度吸收帶(ε＝0.48～0.41×10-4dm3mol-1cm-1)。激發(fā)波長在431nm時(shí)，摻雜絡(luò)合物2顯示在λmax563nm和656nm的橙色PL發(fā)射帶。絡(luò)合物2的PL量子產(chǎn)率(Φ)為0.110.
圖3顯示了摻雜絡(luò)合物4在CH3CN溶液中的UV/vis吸收、激發(fā)和發(fā)射光譜.UV/vis吸收光譜顯示范圍為246～390nm的電子振動(dòng)吸收躍遷(ε＝1.19～1.80×10-4dm3mol-1cm-1)和478～520nm的中等強(qiáng)度吸收帶(ε＝1.20～1.06×10-4dm3mol-1cm-1)。絡(luò)合物4在CH3CN中的PL光譜顯示在λmax680nm和740nm的深紅色發(fā)射。絡(luò)合物4的PL量子產(chǎn)率(Φ)為0.001。
實(shí)施例3實(shí)施例3闡述了用于制備本發(fā)明OLED的非限定性方法。在薄膜電阻為20Ω/平方的圖案化銦錫氧化物(ITO)玻璃上制備該電致發(fā)光器件。依次用清潔劑溶液、去離子水、乙醇和丙酮清洗該玻璃。濕法清潔處理之后，將ITO玻璃在130℃下干燥1小時(shí)，并在UV臭氧清潔器中處理10分鐘。在實(shí)施該實(shí)施例的本發(fā)明時(shí)，該器件構(gòu)型為ITO/NPB(40nm)/CBPX wt.％如式(I)、(II)、(III)或(IV)所示的摻雜絡(luò)合物(30nm)/BCP(20nm)/Alq3(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)；全部層是在1×10-6Torr的真空下通過熱沉積法以約0.2/秒或約5/秒的沉積速率依次生長的。
圖4中示意地顯示了本發(fā)明中OLED的構(gòu)型。該器件具有所示的多個(gè)層。特別地，將優(yōu)選含有銦錫氧化物的陽極層410沉積在基材層405上?；目梢允遣ＡЩ蚱渌镔|(zhì)，電致發(fā)光可以通過其橫穿。將含有NPB的空穴傳輸層415置于層410之上。使采用CBP基材和摻雜絡(luò)合物的發(fā)光層420與空穴傳輸層415接觸。將含有BCP的空穴阻隔層425沉積在發(fā)光層420上。相鄰于空穴阻隔層425，電子傳輸層430、優(yōu)選Alq3置于其上。隨后將含有LiF的電荷注入層435沉積在層430之上。在層435之上，制備陰極層440。優(yōu)選地，NPB厚度為40nm(空穴傳輸層415)，且發(fā)光層420為約30nm厚；空穴阻隔層425為20nm和電子傳輸層430為30nm。電荷傳輸層435為0.5nm厚且陰極440優(yōu)選為約150nm厚。器件的發(fā)光面積為3×3mm2，其通過陰極和陽極之間的重疊面積來界定。雖然并未顯示，但是在本發(fā)明所有實(shí)施方式中玻璃基材405不必是平整的。一種實(shí)施方式中，玻璃基材405例如形成凹形，以聚焦發(fā)光層420中生成的光線，這樣甚至能在小區(qū)域中提供較大的光強(qiáng)度。另一實(shí)施方式中，玻璃基材405例如形成凸形，其使生成的光線更擴(kuò)散地傳播。
實(shí)施例4實(shí)施例4顯示了紅色OLED A，其利用了摻雜絡(luò)合物1作為CBP宿主中的摻雜劑。器件A的構(gòu)型為ITO/NPB(40nm)/CBP4wt.％摻雜劑1(30nm)/BCP(20nm)/Alq3(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm).在4wt％摻雜濃度下，存在紅色EL發(fā)射，其中在8V下獲得了620nm處的最大峰，對(duì)應(yīng)于1931Commission Internationale deL′Eclairage(CIE_1931)中的坐標(biāo)x＝0.62和y＝0.38.該器件的最大外部量子效率(ηext)、發(fā)光效率(ηL)、能量效率(ηP)和亮度分別為6.5％、9.0cd/A、4.0lm/W和11000cd/m2。
圖5顯示了8V下不同摻雜濃度下具有4.0wt％摻雜劑1的OLED A的EL光譜。
圖6顯示了不同外加電壓下具有4.0wt％摻雜劑1的OLED A的EL光譜。
圖7描述了具有4.0wt％摻雜劑1的OLED A的V-I-B曲線。
圖8顯示了具有4.0wt％摻雜劑1的OLED A的外部量子效率和發(fā)光效率。
表4顯示了不同摻雜濃度下具有4.0wt％摻雜劑1的OLED A的EL性能。
表4.不同摻雜濃度下具有摻雜劑1的OLED A的EL性能

實(shí)施例5實(shí)施例5闡述了橙色OLED B，其利用了摻雜絡(luò)合物2作為CBP宿主中的摻雜劑。器件構(gòu)型為ITO/NPB(40nm)/CBP5wt.％摻雜劑2(30nm)/BCP(20nm)/Alq3(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm).在5wt％摻雜濃度下，存在具有最大峰的橙色EL發(fā)射，并且在8V下獲得了在568和616nm處的肩峰(shoulder)，對(duì)應(yīng)于1931 CommissionInternationale de L′Eclairage(CIE_1931)中的坐標(biāo)x＝0.52和y＝0.48。該器件的最大外部量子效率(ηext)、發(fā)光效率(ηL)、能量效率(ηP)和亮度分別為4.9％、13.1cd/A、5.9lm/W和10120cd/m2。
圖9顯示了8V下不同摻雜濃度下具有5wt％摻雜劑2的OLED B的EL光譜。
圖10顯示了不同外加電壓下具有5wt％摻雜劑2的OLED B的EL光譜。
圖11顯示了具有5wt％摻雜劑2的OLED B的V-I-B曲線。
圖12顯示了具有5.0wt％摻雜劑2的OLED B的外部量子效率和發(fā)光效率。
表5顯示了不同摻雜濃度下具有摻雜劑2的OLED B的EL性能。
表5.不同摻雜濃度下具有摻雜劑2的OLED B的EL性能

實(shí)施例6實(shí)施例6顯示了黃色OLED C，其利用了摻雜絡(luò)合物19作為CBP宿主中的摻雜劑。器件C的構(gòu)型為ITO/NPB(40nm)/CBP3wt.％摻雜劑19(30nm)/BCP(20nm)/Alq3(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。在3wt％摻雜濃度下，存在黃色EL發(fā)射，其中在8V下獲得了620nm處的最大峰，對(duì)應(yīng)于1931 Commission Internationale deL′Eclairage(CIE_1931)中的坐標(biāo)x＝0.49和y＝0.50.該器件的最大外部量子效率(ηext)、發(fā)光效率(ηL)、能量效率(ηP)和亮度分別為2.3％、6.1cd/A、2.4lm/W和9370cd/m2。
圖13顯示了8V下不同摻雜濃度下具有3wt％摻雜劑19的OLED C的EL光譜。
圖14顯示了不同外加電壓下具有3wt％摻雜劑19的OLED C的EL光譜。
圖15描述了具有3wt％摻雜劑19的OLED C的V-I-B曲線。
圖16顯示了具有3wt％摻雜劑19的OLED C的外部量子效率和發(fā)光效率。
表6顯示了不同摻雜濃度下具有摻雜劑19的OLED C的EL性能。
表6.不同摻雜濃度下具有摻雜劑19的OLED C的EL性能

實(shí)施例7實(shí)施例7顯示了黃色OLED D，其利用了摻雜絡(luò)合物51作為CBP宿主中的摻雜劑。器件D的構(gòu)型為ITO/NPB(40nm)/CBP4wt.％摻雜劑51(30nm)/BCP(20nm)/Alq3(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。在4wt％摻雜濃度下，存在具有最大峰的黃色EL發(fā)射，并且在8V下獲得了在550和590nm處的肩峰(shoulder)，對(duì)應(yīng)于1931 CommissionInternationale de L′Eclairage(CIE_1931)中的坐標(biāo)x＝0.48和y＝0.52。該器件的最大外部量子效率(ηext)、發(fā)光效率(ηL)、能量效率(ηP)和亮度分別為11％、31cd/A、14lm/W和23000cd/m2。
圖17顯示了8V下不同摻雜濃度下具有4wt％摻雜劑51的OLED D的EL光譜。
圖18顯示了不同外加電壓下具有4wt％摻雜劑51的OLED D的EL光譜。
圖19顯示了具有4wt％摻雜劑51的OLED D的V-I-B曲線。
圖20顯示了具有4wt％摻雜劑51的OLED D的外部量子效率和發(fā)光效率。
表7顯示了不同摻雜濃度下具有摻雜劑51的OLED D的EL性能。
表7.不同摻雜濃度下具有摻雜劑51的OLED D的EL性能

實(shí)施例8實(shí)施例8顯示了紅色OLED E，其利用了摻雜絡(luò)合物99作為CBP宿主中的摻雜劑。器件E的構(gòu)型為ITO/NPB(40nm)/CBP1.5wt.％摻雜劑99(30nm)/BCP(20nm)/Alq3(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm).在1.5wt％摻雜濃度下，存在紅色EL發(fā)射，其中在8V下獲得了636nm處的最大峰，對(duì)應(yīng)于1931 Commission Internationale deL′Eclairage(CIE_1931)中的坐標(biāo)x＝0.65和y＝0.35.該器件的最大外部量子效率(ηext)、發(fā)光效率(ηL)、能量效率(ηP)和亮度分別為9.4％、11cd/A、4.9lm/W和17900cd/m2。
圖21顯示了8V下不同摻雜濃度下具有1.5wt％摻雜劑99的OLEDE的EL光譜。
圖22顯示了不同外加電壓下具有1.5wt％摻雜劑99的OLED E的EL光譜。
圖23描述了具有1.5wt％摻雜劑99的OLED E的V-I-B曲線。
圖24顯示了具有1.5wt％摻雜劑99的OLED E的外部量子效率和發(fā)光效率。
表8顯示了不同摻雜濃度下具有摻雜劑99的OLED E的EL性能。
表8.不同摻雜濃度下具有摻雜劑99的OLED E的EL性能

實(shí)施例9實(shí)施例9顯示了紅色OLED F，其利用了摻雜絡(luò)合物104作為CBP宿主中的摻雜劑。器件F的構(gòu)型為ITO/NPB(40nm)/CBP1.6wt.％摻雜劑104(30nm)/BCP(20nm)/Alq3(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。在1.6wt％摻雜濃度下，存在紅色EL發(fā)射，其中在8V下獲得了628nm處的最大峰，對(duì)應(yīng)于1931 Commission Internationale deL′Eclairage(CIE_1931)中的坐標(biāo)x＝0.64和y＝0.35.該器件的最大外部量子效率(ηext)、發(fā)光效率(ηL)、能量效率(ηP)和亮度分別為6.4％、7.5cd/A、3.4lm/W和13600cd/m2。
圖25顯示了8V下不同摻雜濃度下具有1.6wt％摻雜劑104的OLED F的EL光譜。
圖26顯示了不同外加電壓下具有1.6wt％摻雜劑104的OLED F的EL光譜.
圖27描述了具有1.6wt％摻雜劑104的OLED F的V-I-B曲線。
圖28顯示了具有1.6wt％摻雜劑104的OLED F的外部量子效率和發(fā)光效率.
表9顯示了不同摻雜濃度下具有摻雜劑104的OLED F的EL性能。
表9.不同摻雜濃度下具有摻雜劑104的OLED F的EL性能

出于闡述和解釋的目的，給出了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式的前述說明。前述說明中的各種引用參考和文獻(xiàn)的全部內(nèi)容在此全部引入作為參考。該說明并非是詳盡的或者并非將本發(fā)明限定于所公開的精確形式。如預(yù)期的那些，各種改進(jìn)和變化對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說將是顯然的，因?yàn)樗x和所描述的實(shí)施方式是為了闡述本發(fā)明和其實(shí)際應(yīng)用的原理，由此使本領(lǐng)域其他人能理解本發(fā)明。例如，本發(fā)明的OLED的優(yōu)點(diǎn)在于，可以在制備期間通過改變摻雜絡(luò)合物的濃度來調(diào)節(jié)發(fā)光顏色。在其它實(shí)施方式中，如本領(lǐng)域中所公知的那樣，可以通過使用濾光器來改變本發(fā)明OLED的發(fā)光顏色和/和強(qiáng)度。各種適合于特定應(yīng)用的預(yù)期替換實(shí)施方式和改進(jìn)都在本發(fā)明范圍之內(nèi)。本發(fā)明的范圍應(yīng)由所附權(quán)利要求和它們的等效形式來界定。
權(quán)利要求
1.一種異質(zhì)結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光器件，其包含至少一個(gè)含有至少一種主體材料和至少一種摻雜絡(luò)合物的發(fā)光層，其中摻雜絡(luò)合物包含與兩個(gè)二齒NN配體、或兩個(gè)二齒NO配體、或四齒NNNN配體、或四齒NOON配體配位的過渡金屬原子。
2.權(quán)利要求1的異質(zhì)結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光器件，其中發(fā)光層包含一種摻雜絡(luò)合物，該摻雜絡(luò)合物摻雜主體材料。
3.權(quán)利要求2的異質(zhì)結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光器件，其中摻雜絡(luò)合物在幾何學(xué)上為順式-構(gòu)型。
4.權(quán)利要求2的異質(zhì)結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光器件，其中摻雜絡(luò)合物在幾何學(xué)上為反式-構(gòu)型。
5.權(quán)利要求1的異質(zhì)結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光器件，其中發(fā)光層為升華、真空沉積、氣相沉積或旋涂的層。
6.權(quán)利要求1的異質(zhì)結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光器件，其中摻雜絡(luò)合物為 或其混合物，其中M為選自于Ni、Pd和Pt的過渡金屬；R1～R10中的每一個(gè)獨(dú)立地為-H、-OH、-NH2、-鹵素、-CN、-NO2、-R13、-OR14、NHR14、或-N(R14)2；R11為-(C(R15)2)n-、 或 每個(gè)R12獨(dú)立地為-H、-(C1～C6)烷基、-苯基、-萘基、-鹵素、或-CN；R13為-(C1～C6)烷基、-苯基、或-萘基，其每一個(gè)均為未取代的或者由一個(gè)或多個(gè)-(C1～C6)烷基、-苯基、或-萘基取代的；R14如上對(duì)R13的定義；R15如上對(duì)R1的定義；每個(gè)x獨(dú)立地為碳或氮原子；和n為整數(shù)1～6。
7.權(quán)利要求6的異質(zhì)結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光器件，其中M為Pt。
8.權(quán)利要求7的異質(zhì)結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光器件，其具有結(jié)構(gòu)I或II。
9.權(quán)利要求7的異質(zhì)結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光器件，其具有結(jié)構(gòu)III或IV。
10.權(quán)利要求7的異質(zhì)結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光器件，其中摻雜絡(luò)合物選自于下列化合物 或其混合物。
11.權(quán)利要求1的異質(zhì)結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光器件，其中發(fā)光層包含基于主體材料重量為0.5～8.0wt％的摻雜絡(luò)合物。
12.權(quán)利要求1的異質(zhì)結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光器件，其中發(fā)光層包含顯示可見色彩的電致發(fā)光的摻雜絡(luò)合物。
13.權(quán)利要求1的異質(zhì)結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光器件，其中發(fā)光層包含顯示紅色、橙色或黃色的電致發(fā)光的摻雜絡(luò)合物。
14.權(quán)利要求1的異質(zhì)結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光器件，其中主體材料選自于雙(2-(2’-羥基苯基)吡啶鈹、4，4’-雙(咔唑-9-基)聯(lián)苯(CBP)、N，N’-二苯基-N，N’-雙(1-萘)聯(lián)苯胺(α-NPB)、N，N’-二苯基-N，N’-雙(2-萘)聯(lián)苯胺(β-NPB)、N，N’-雙(3-甲基苯基)-N，N’-雙(苯基)聯(lián)苯胺(TPD)、4，4’，4”-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯基胺(m-TDATA)或四(二芳基氨基)-9，9’-螺聯(lián)芴。
15.一種制備異質(zhì)結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光器件的方法，其包括提供發(fā)光層，其中該發(fā)光層包含至少一種主體材料和至少一種摻雜絡(luò)合物，該摻雜絡(luò)合物包含與兩個(gè)二齒NN配體、或兩個(gè)二齒NO配體、或四齒NNNN配體、或四齒NOON配體配位的過渡金屬。
16.權(quán)利要求15的方法，其中發(fā)光層中的摻雜絡(luò)合物為 或其混合物，其中M為選自于Ni、Pd和Pt的過渡金屬；R1～R10中的每一個(gè)獨(dú)立地為-H、-OH、-NH2、-鹵素、-CN、-NO2、-R13、-OR14、NHR14、或-N(R14)2；R11為-(C(R15)2)n-、 或 每個(gè)R12獨(dú)立地為-H、-(C1～C6)烷基、-苯基、-萘基、-鹵素、或-CN；R13為-(C1～C6)烷基、-苯基、或-萘基，其每一個(gè)為未取代的或者由一個(gè)或多個(gè)-(C1～C6)烷基、-苯基、或-萘基取代的；R14如上對(duì)R13的定義；R15如上對(duì)R1的定義；每個(gè)x獨(dú)立地為碳或氮原子；和n為整數(shù)1～6。
17.權(quán)利要求15的方法，其中M為Pt。
18.權(quán)利要求17的方法，其中發(fā)光層中的摻雜絡(luò)合物選自于下列化合物 或其混合物。
19.權(quán)利要求15的方法，其中發(fā)光層包含基于主體材料重量為0.5～8.0wt％的摻雜絡(luò)合物。
20.權(quán)利要求15的方法，其中發(fā)光層包含顯示可見色彩的電致發(fā)光的摻雜絡(luò)合物。
21.權(quán)利要求20的方法，其中發(fā)光層包含顯示紅色、橙色或黃色的電致發(fā)光的摻雜絡(luò)合物。
全文摘要
本發(fā)明公開了式(I)、(II)、(III)或(IV)、或者其幾何異構(gòu)體的電致發(fā)磷光有機(jī)金屬絡(luò)合物，其含有兩個(gè)二齒NN－型配體、或兩個(gè)NO－型配體、或四齒NNNN－型配體或四齒NOON－型配體，和過渡金屬。這些電致發(fā)磷光的材料可應(yīng)用于有機(jī)發(fā)光器件(OLED)，包括紅－、橙－或黃－光OLED。
文檔編號(hào)H01L51/50GK1981560SQ200580022201
公開日2007年6月13日 申請(qǐng)日期2005年4月18日 優(yōu)先權(quán)日2004年4月30日
發(fā)明者支志明, 陳兆聰 申請(qǐng)人:香港大學(xué)