專利名稱：在平面化過程中保護磁位的方法
在平面化過程中保護磁位的方法
背景技術(shù)：
如果將碳用作平面化的填料材料，回蝕(etch-back)工藝可將碳填料材料蝕刻至低于位線的位置由此損傷磁位。有效的回蝕停止將在平面化過程中保護磁位不受低于位線蝕刻的影響。附圖
簡述圖I示出一個實施例的、在碳域平面化過程中保護磁位的方法的總覽的方框圖。圖2示出一個實施例的、在碳域平面化過程中保護磁位的方法的總覽流程圖的方框圖。圖3僅為示例目的示出一個實施例的、在布圖疊層上的氮化硅止蝕層汽相沉積工 藝的一個例子。圖4A僅為示例目的示出一個實施例的經(jīng)沉積的薄氮化硅止蝕層的一個例子。圖4B僅為示例目的示出一個實施例的具有增加厚度的經(jīng)沉積的薄氮化硅止蝕層的一個例子。圖5A僅為示例目的示出一個實施例的經(jīng)沉積的碳填充層的一個例子。圖5B僅為示例目的示出一個實施例的碳域的平面化蝕刻的一個例子。圖6A僅為示例目的示出一個實施例的、當將碳域蝕刻至位線時磁位的氮化硅止蝕層保護的一個例子。圖6B僅為示例目的示出一個實施例的、當將碳域蝕刻至低于位線時磁位的氮化硅止蝕層保護的一個例子。圖7僅為示例目的示出一個實施例的、隨著平面化工藝的結(jié)束將氮化硅止蝕層去除直至位線的一個例子。詳細說明在后面的說明書中，參照構(gòu)成說明書一部分的附圖，在附圖中以示例方式示出本發(fā)明可投入實踐的特例。要理解，可利用其它實施例并作出結(jié)構(gòu)性改變而不脫離本發(fā)明的范圍。總覽應(yīng)當注意，下面例如針對在碳域平面化過程中保護磁位的方法的描述是以示例性目的描述的，并且其下層系統(tǒng)可應(yīng)用任何數(shù)量和多種類型的經(jīng)布圖疊層和平面化工藝。在一個實施例中，磁位保護可配置成氮化硅止蝕層。在其他實施例中，止蝕層材料可包括其他材料，例如硅、氧化硅、碳化硅或氧氮化硅。止蝕層可配置成包括可調(diào)整的沉積厚度。圖I示出一個實施例的、在碳域平面化過程中保護磁位的方法的總覽的方框圖?？蓤?zhí)行用碳材料對經(jīng)布圖疊層100區(qū)域的回填以在經(jīng)布圖的疊層100(例如經(jīng)位布圖的疊層)上形成光滑的保護表面。沉積碳材料以填充在凸起磁位周圍的凹陷。碳材料可包括例如類金剛石碳(DLC)，DLC可沉積至高于磁位頂部的高度。用碳材料對這些區(qū)域的回填形成碳填充層130。碳填充層130延伸高過磁位或位線的頂部直至碳填充層130頂表面的部分形成擬受到平面化的碳域135。在碳域平面化過程中保護磁位的方法將薄氮化硅止蝕層110沉積在經(jīng)布圖疊層100的地形上，所述經(jīng)布圖疊層100的地形包括經(jīng)布圖的磁位120和磁膜。在一個實施例中，薄氮化硅止蝕層Iio的沉積是在碳回填材料沉積之前完成的?？墒褂靡恍┕に噥沓练e薄氮化硅止蝕層110，這些工藝例如可包括化學(xué)汽相沉積(CVD)、等離子體增強化學(xué)汽相沉積(PECVD)和反應(yīng)性離子束沉積(RBID)、離子束沉積(IBD)、原子層沉積(ALD)或其他工藝。沉積工藝在經(jīng)布圖的疊層100的整個布圖表面上施加薄氮化硅止蝕層110。在一個實施例中，可控制薄氮化硅止蝕層110的厚度以匹配用于碳填充層130的碳材料的類型。碳填充層130在平面化工藝140中將一部分填充材料、碳域135去除。平面化工藝140用來使表面平滑至經(jīng)布圖的磁位120或位線的頂部。平面化工藝140可包括一些工藝，例如化學(xué)機械工藝，其中化學(xué)工藝包括蝕刻碳填充層130以去除高于位線的碳域135或碳材料，或包括其他工藝，例如其他工藝可包括反應(yīng)性離 子蝕刻(RIE)或反應(yīng)性離子束蝕刻(RIBE)。在一個實施例中，機械工藝可包括拋光工藝以減小蝕刻的高度差，從而形成光滑表面。通過薄氮化硅止蝕層110來防止碳材料的化學(xué)蝕刻或回蝕影響經(jīng)布圖的磁位120。薄氮化硅止蝕層110不與在回蝕工藝中可使用的化學(xué)藥劑起反應(yīng)，并且磁位在回蝕150過程中受到保護。由薄氮化硅止蝕層110提供的保護保留了經(jīng)布圖的磁位120和磁膜的磁完整性以及它們的磁性質(zhì)在經(jīng)布圖的疊層100上的預(yù)期使用。在碳域平面化過程中保護磁位的方法允許使用碳回填的平面化而不損害磁位并因此提高了經(jīng)布圖疊層100的質(zhì)量，例如在一個實施例中是位布圖的或離散的磁道介質(zhì)。詳細說明圖2示出一個實施例中在碳域平面化過程中保護磁位的方法的總覽流程圖的方框圖。這種在碳域平面化過程中保護磁位的方法開始于經(jīng)布圖的疊層100，例如位布圖的或離散的磁道介質(zhì)，以及薄氮化硅止蝕層110的沉積。一個或多個沉積工藝可用來將氮化硅沉積到經(jīng)布圖的疊層100上以形成薄氮化硅止蝕層110。在一個實施例中，沉積薄氮化硅止蝕層Iio的沉積工藝可包括反應(yīng)性離子束沉積(RIBD)。反應(yīng)性離子束沉積(RIBD)工藝將氣體化合物注入離子束流以沉積氮化硅。經(jīng)沉積的氮化硅在烘干步驟中固化，該烘干步驟使用適合被選擇用于使薄氮化硅止蝕層110硬化的化學(xué)性質(zhì)的溫度。在另一實施例中，可使用例如化學(xué)汽相沉積(CVD)沉積薄氮化硅止蝕層110。化學(xué)汽相沉積(CVD)工藝可包括將經(jīng)布圖的疊層100置于沉積工藝腔室200內(nèi)。該工藝可包括使用例如被注入到沉積工藝腔室200內(nèi)的氣體化合物將氮化硅沉積在經(jīng)布圖的地形210上。經(jīng)布圖的疊層100被加熱并且注入的氣體化合物以薄膜形式沉積在包含磁位的經(jīng)布圖疊層100地形的表面上。對氮化硅膜厚度220的沉積工藝控制是通過控制氣體化合物的流速、沉積工藝腔室200內(nèi)的溫度和壓力來達成的。在一個實施例中，經(jīng)沉積的薄氮化硅止蝕層110在經(jīng)布圖的疊層100上形成蝕刻掩模。可使用一個或多個工藝在經(jīng)布圖的疊層100的薄氮化硅止蝕層110上沉積碳填充層230材料。碳填充材料可包括一種或多種類金剛石碳。純類金剛石碳具有例如硬度接近天然金剛石的性質(zhì)。其他類型的類金剛石碳包括可調(diào)節(jié)例如硬度和耐磨性的性質(zhì)的其他元素或化合物。這種在碳域平面化過程中保護磁位的方法允許調(diào)整薄氮化硅止蝕層110的厚度和組成，從而針對各種類型的碳填充材料提供一定范圍的磁位保護。
碳填充層230的沉積可高于磁位的位線和薄氮化硅止蝕層110。使用一個或多個平面化工藝140使碳填充層230平滑并減薄其厚度至位線。平面化工藝140通過使材料的階變高度最小化而形成經(jīng)布圖的疊層100地形表面的輪廓的平滑性。平面化工藝140可包括化學(xué)機械拋光平面化。化學(xué)機械拋光平面化工藝通過化學(xué)力和機械力兩者的結(jié)合來使表面變得平滑。在一個實施例中，平面化化學(xué)力可包括化學(xué)蝕刻。平面化化學(xué)蝕刻或回蝕工藝240可用來減小碳域135的厚度至位線?；匚g工藝240可導(dǎo)致碳域被蝕刻至或高于位線250，或者碳域被蝕刻至低于位線260。在一個實施例中，平面化回蝕工藝240可包括例如使用諸如氧氣(O2)之類的化學(xué)制品作為反應(yīng)試劑對碳域135進行反應(yīng)性離子束蝕刻。在碳域平面化過程中保護磁位的方法提供一種結(jié)構(gòu)，其中回蝕工藝在薄氮化硅止蝕層270處停止。由于回蝕工藝240的化學(xué)成分不與薄氮化硅止蝕層110起反應(yīng)，因此回蝕工藝停止。在回蝕過程中磁位通過薄氮化硅止蝕層110受到保護150。在一個實施例中，由薄氮化硅止蝕層110提供的對圖I經(jīng)布圖磁位120的保護消除了對磁位的損害并保持它們的設(shè)計磁場性質(zhì)和預(yù)定功能。 氮化硅的沉積:圖3僅為示例目的示出一個實施例的、在經(jīng)布圖的疊層上的氮化硅止蝕層汽相沉積工藝的一個例子。氮化硅是硅和氮的化學(xué)化合物。在一個實施例中，它是一種硬陶瓷，這種硬陶瓷在很寬的溫度范圍內(nèi)具有高強度、適中的導(dǎo)熱性、低熱膨脹系數(shù)、適當高的彈性模量并通常對陶瓷而言具有高的斷裂韌性。圖3示出經(jīng)布圖的磁位120的一個例子的示圖。經(jīng)布圖的磁位120可以是例如經(jīng)布圖疊層100 (諸如位布圖或離散的磁道介質(zhì))的經(jīng)布圖的磁位120。在碳域135平面化過程中保護磁位的方法中，在一個實施例中例如使用化學(xué)汽相沉積(CVD)來沉積圖I的薄氮化硅止蝕層120?；瘜W(xué)汽相沉積(CVD)工藝可包括將經(jīng)布圖的疊層100放置在沉積工藝腔室200內(nèi)，作為在經(jīng)布圖的地形210上沉積氮化硅的工藝的一部分?；瘜W(xué)汽相沉積(CVD)工藝可包括將經(jīng)布圖的疊層100定位在兩個電極300之間。兩個電極300可用來將經(jīng)布圖的疊層100加熱至適于針對一個實施例的處理所選擇的化學(xué)性質(zhì)的溫度?；瘜W(xué)反應(yīng)可包括通過氣體化合物傳送管310注入的氣態(tài)化合物320。氣態(tài)化合物320可包括硅烷(SiH4)、氨(NH3)、四氯化硅(SiC14)和二氯甲硅烷(SiC12H2)。注入氣體的壓力可用來調(diào)節(jié)流速。氣體化合物的壓力、溫度、濃度及其流速和泄漏時間可用來控制氮化硅膜沉積的厚度。在一個實施例中，氣態(tài)化合物320與加熱的經(jīng)布圖疊層100的接觸產(chǎn)生一種化學(xué)反應(yīng)，這種化學(xué)反應(yīng)沉積氮化硅膜以形成止蝕層。薄氮化硅Ih蝕層:圖4A僅為示例目的示出一個實施例的經(jīng)沉積的薄氮化硅止蝕層的一個例子。圖4A示出在經(jīng)布圖疊層100的地形上沉積的薄氮化硅止蝕層110。氮化硅沉積物覆蓋包括經(jīng)布圖的磁位120的經(jīng)布圖疊層100的整個地形表面。薄氮化硅止蝕層110的厚度上升至高于經(jīng)布圖的磁位120的位線400。在一個實施例中，薄氮化硅止蝕層110在圖2的回蝕工藝240中提供對布圖的磁位120的保護，該回蝕工藝240可能發(fā)生在平面化工藝140過程中?？烧{(diào)整的氮化硅Ih蝕層厚度:
圖4B僅為示例目的示出一個實施例的、具有增加厚度的沉積的薄氮化硅止蝕層的一個例子。圖4B示出對具有增加的厚度410的薄氮化硅止蝕層的沉積。氮化硅沉積的厚度在沉積工藝中可受到控制。在諸如等離子體增強化學(xué)汽相沉積(PECVD)之類的化學(xué)汽相沉積工藝中，氣體化合物的壓力、濃度以及工藝中的流速、溫度和時間可用來調(diào)整氮化硅膜的厚度。圖I的薄氮化硅止蝕層110的厚度可包括調(diào)整以適應(yīng)用于圖I的碳填充層130的材料的類型。一些類金剛石碳化合物具有例如增加量的氫。沉積在經(jīng)布圖的疊層100上的圖I的薄氮化硅止蝕層110的厚度可受到調(diào)整以提供對經(jīng)布圖的磁位120的所設(shè)計的保護。氮化硅膜沉積物的厚度的增加使得位線400之上的保護也增加。在一個實施例中，對于特定類型的類金剛石碳，該增加的厚度可包括在回蝕工藝240過程中將被去除的一部分。碳域:圖5A僅為示例目的示出一個實施例的沉積的碳填充層的一個例子。圖5A示出可使用類金剛石碳(DLC)沉積物500構(gòu)造成的圖I的碳填充層130。類金剛石碳(DLC)沉積 物500圖示為透明的以使圖I的下層布圖的磁位120和涂覆以氮化硅止蝕層110的經(jīng)布圖的疊層100的其他地形能夠被觀察到。類金剛石碳(DLC)沉積物500已被沉積在經(jīng)布圖的疊層100和經(jīng)沉積的薄氮化硅止蝕層110之上。類金剛石碳沉積物(DLC) 500的厚度可延伸至位線400之上?？墒褂脠DI的平面化工藝140將DLC中沉積在位線400之上的形成碳域135的部分去除。圖I的平面化工藝140可包括圖2的回蝕工藝240。圖I的平面化工藝140中使用的步驟可包括調(diào)整化學(xué)蝕刻化合物以提供與多種碳填充材料的反應(yīng)。圖I的碳填充層130可包括類金剛石碳(DLC)，該類金剛石碳(DLC)例如包括純類金剛石碳(DLC)或可包括碳化合物的其他類型DLC，所述碳化合物包括例如氫、石墨sp2碳和金屬。碳化合物的硬度、耐磨性和光滑性(DLC膜摩擦系數(shù))是可變的。這類類金剛石碳(DLC)的性質(zhì)也會因添加的材料而有所不同，例如為了降低生產(chǎn)成本而添加稀釋劑的量和種類。這類類金剛石碳(DLC)的性質(zhì)的其他區(qū)別可包括氫的百分含量。類金剛石碳(DLC)生產(chǎn)方法可包括將氫或甲烷用作催化劑。這可導(dǎo)致殘留在完工的DLC材料中的不同百分比的氫。在一個實施例中，可通過薄氮化硅止蝕層110的厚度調(diào)整來適應(yīng)類金剛石碳(DLC) 500沉積中使用的碳材料中可包含的變例。平面化回蝕:圖5B僅為示例目的示出一個實施例的碳域的平面化蝕刻的一個例子。圖5B示出圖I的平面化工藝140的回蝕工藝240。圖I的碳填充層130可包括類金剛石碳(DLC)沉積物500。高于位線400的類金剛石碳(DLC)沉積物500形成碳域135，該碳域可使用回蝕工藝240被移去?；匚g工藝240可包括將氧氣(O2)用作反應(yīng)試劑的反應(yīng)性離子束蝕刻工藝。以離子束形式存在的氧氣(O2)反應(yīng)試劑去除了類金剛石碳(DLC)沉積物500的碳域135部分。薄氮化硅止蝕層110在反應(yīng)性離子束蝕刻工藝中不與氧氣(O2)起反應(yīng)。這阻止了在薄氮化硅止蝕層110處的反應(yīng)性離子束蝕刻，從而在一個實施例中不使蝕刻損害經(jīng)布圖的疊層100的布圖磁位120。氮化硅Ih蝕層位線保護
圖6A僅為示例目的示出一個實施例的當將碳域蝕刻至位線時磁位的氮化硅止蝕層保護的一個例子。圖6A示出位線蝕刻碳填充層600，其中圖2的回蝕工藝240已將圖5A的類金剛石碳(DLC)沉積物500的一些部分去除直至位線400。薄氮化硅止蝕層110在高于經(jīng)布圖的磁位120的區(qū)域已阻止圖2的回蝕工藝240。在一個實施例，在對經(jīng)布圖疊層100的布圖磁位120造成損害之前停止圖2的回蝕工藝240保護了布圖磁位120的磁場性質(zhì)。氮化硅止蝕層低于位線保護:圖6B僅為示例目的示出一個實施例的、當碳域被蝕刻至低于位線時磁位的氮化硅止蝕層保護的一個例子。圖6B示出在磁位的側(cè)邊和頂部上保護布圖磁位120的薄氮化硅止蝕層110。在圖2的布圖地形上沉積氮化硅210包括在布圖的磁位120和磁膜的所有露出表面上形成薄氮化娃止蝕層110。
該新增的保護覆蓋防止圖2的回蝕工藝240的低于位線蝕刻的碳域610結(jié)果所造成的損害。損害任何布圖的磁位120的表面，包括那些低于位線400的表面，可能消極地影響到一個實施例的布圖疊層100上的磁場性質(zhì)。氮化硅止蝕層平面化:圖7僅為示例目的示出一個實施例的、隨著平面化工藝的結(jié)束將氮化硅止蝕層去除直至位線的一個例子。薄氮化硅止蝕層Iio已在位線400蝕刻的碳填充層600的圖2的回蝕工藝240期間對布圖磁位120予以保護。這已保持了布圖疊層100的磁場性質(zhì)。在一個實施例中，圖I的平面化工藝140可包括蝕刻表面的機械拋光。機械拋光可包括將經(jīng)布圖的磁位120的頂部上的薄氮化硅止蝕層110的部分700去除直至位線400。這將為布圖疊層100的表面提供平滑度。薄氮化硅止蝕層110已防止對布圖的磁位120的損害。在一個實施例中，在碳域平面化過程中保護磁位的方法已提供了一種使用圖I的碳填充層130制造布圖疊層100產(chǎn)品的節(jié)省成本且高效的手段，該產(chǎn)品可包括例如經(jīng)位布圖和離散的磁道介質(zhì)。前面內(nèi)容已描述了操作的一些原理、實施例和模式。然而，本發(fā)明不應(yīng)解釋為局限于所描述的特定實施例。前述實施例應(yīng)當被認為是解說性的而非限定性的，并應(yīng)當理解，本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員可對這些實施例作出多種變型而不脫離下面理念書定義的范圍。本文描述的所有要素、部件和步驟是優(yōu)選包括的。要理解，這些要素、部件和步驟中的任何一個可由其他要素、部件和步驟代替或者一起被省卻，如本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員清楚知道的那樣。廣泛地說，這篇文章給出一種在碳域平面化過程中保護磁位的方法，包括在經(jīng)布圖疊層的磁位和磁膜上沉積止蝕層，在止蝕層上沉積碳填充層并在碳域平面化和回蝕過程中使用止蝕層以在碳域平面化過程中保護經(jīng)布圖的疊層磁位。理念這篇文章也給出了至少下列理念。理念I(lǐng). 一種在碳域平面化過程中保護磁位的方法，包括在經(jīng)布圖的疊層的磁位和磁膜上沉積止蝕層；在所述止蝕層上沉積填充層；以及在填充層平面化和回蝕過程中使用所述止蝕層以在所述碳域平面化過程中保護經(jīng)布圖的疊層磁位。
理念2.如理念I(lǐng)所述的方法，其中沉積所述止蝕層包括可調(diào)整地控制氮化硅止蝕層的厚度以防止與平面化回蝕工藝起反應(yīng)。理念3.如理念I(lǐng)或2所述的方法，其中所述止蝕層包含一種或多種化合物，所述化合物包括氮化硅、硅、氧化硅、碳化硅或氧氮化硅中的至少一種。理念4.如理念3所述的方法，其中所述止蝕層的組成是可調(diào)整的以防止與回蝕工藝的反應(yīng)性試劑起化學(xué)反應(yīng)。理念5.如理念1、2、3、4中任何一項所述的方法，其中所述止蝕層的沉積包括使用多個沉積工藝。理念6.如前述任何一項理念所述的方法，其中所述止蝕層在多個碳域平面化工藝中提供對所述磁位的保護，所述碳域平面化工藝包括化學(xué)機械平面化和反應(yīng)性離子束蝕刻。理念7.如前述任何一項理念所述的方法，其中所述止蝕層包括在包含純類金剛石碳或碳化合物中的至少一個的碳域的平面化過程中對所述磁位的保護。理念8.如前述任何一項理念所述的方法，其中所述止蝕層在延伸至位線之下的碳域回蝕工藝中保護所述磁位。理念9.如前述任何一項理念所述的方法，其中所述止蝕層在碳域填充之前被固化。理念10. —種裝置，包括在經(jīng)布圖的疊層的磁位和磁膜上沉積氮化硅止蝕層的裝置；在所述氮化硅止蝕層上沉積填充層的裝置；以及通過在填充層平面化和回蝕過程中使用所述氮化硅止蝕層而在所述碳域平面化過程中保護經(jīng)布圖的疊層磁位的裝置。理念11.如理念10所述的裝置，還包括在經(jīng)布圖的疊層中形成止蝕層結(jié)構(gòu)以在平面化過程中保護磁位的裝置。理念12.如理念10所述的裝置，還包括在經(jīng)布圖的疊層中形成止蝕層結(jié)構(gòu)以在回蝕工藝可能蝕刻至位線之下的平面化過程中保護磁位的裝置。理念13.如理念10、11、12中任何一項所述的裝置，還包括沉積所述氮化硅止蝕層從而以可調(diào)整的沉積厚度在經(jīng)布圖的疊層的磁位和磁膜上形成止蝕層的裝置，所述氮化硅止蝕層包含一種或多種化合物，所述化合物包括氮化硅、硅、氧化硅、碳化硅或氧氮化硅中的至少一種。理念14.如理念10-13中任何一項所述的裝置，還包括使用多個沉積工藝沉積氮化硅止蝕層的裝置。理念15.如理念10-14中任何一項所述的裝置，還包括用于沉積一種或多種具有不同化學(xué)組成的化合物以防止與多種類型的平面化反應(yīng)性回蝕工藝起反應(yīng)的裝置。理念16. —種碳域平面化止蝕層結(jié)構(gòu)，包括氮化硅止蝕層，其中所述止蝕層被沉積在經(jīng)布圖的磁位上以在碳域平面化回蝕工藝中保護經(jīng)布圖的磁位。理念17.如理念16所述的碳域平面化止蝕層結(jié)構(gòu)，其中所述氮化硅止蝕層的沉積厚度是可調(diào)整的。理念18.如理念16或17所述的碳域平面化止蝕層結(jié)構(gòu)，其中所述氮化硅止蝕層包括一種或多種化合物。理念19.如理念16-18中任何一項所述的碳域平面化止蝕層結(jié)構(gòu)，其中所述氮化硅止蝕層被用作碳域平面化的保護，所述碳域包括純類金剛石碳或碳化合物中的至少一個。
理念20.如理念16-19中任何一項所述的碳域平面化止蝕層結(jié)構(gòu)，其中所述止蝕層結(jié)構(gòu)在碳域平面化過程中保護磁位，其中回蝕工藝可回蝕至位線之下。
權(quán)利要求
1.一種在碳域平面化過程中保護磁位的方法，包括 在經(jīng)布圖的疊層的磁位和磁膜上沉積止蝕層； 在所述止蝕層上沉積填充層；以及 在所述填充層的平面化和回蝕過程中使用所述止蝕層以在所述碳域平面化過程中保護經(jīng)布圖的疊層磁位。
2.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，沉積所述止蝕層包括可調(diào)整地控制氮化硅止蝕層的厚度以防止與平面化回蝕工藝起反應(yīng)。
3.如權(quán)利要求I或2所述的方法，其特征在于，所述止蝕層包含一種或多種化合物，所述一種或多種化合物包括氮化硅、硅、氧化硅、碳化硅或氧氮化硅中的至少一種。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述止蝕層的組成是可調(diào)整的以防止與回蝕工藝的反應(yīng)性試劑起化學(xué)反應(yīng)。
5.如權(quán)利要求1、2、3、4中任何一項所述的方法，其特征在于，所述止蝕層的沉積包括使用多個沉積工藝。
6.如前述任何一項權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，所述止蝕層在多個碳域平面化工藝中提供對所述磁位的保護，所述多個碳域平面化工藝包括化學(xué)機械平面化和反應(yīng)性離子束蝕刻。
7.如前述任何一項權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，所述止蝕層包括在包含純類金剛石碳或碳化合物中的至少一種的碳域的平面化過程中對所述磁位的保護。
8.如前述任何一項權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，所述止蝕層在延伸至位線之下的碳域回蝕工藝中保護所述磁位。
9.如前述任何一項權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，所述止蝕層在碳域填充之前被固化。
10.一種裝置，包括 在經(jīng)布圖的疊層的磁位和磁膜上沉積氮化硅止蝕層的裝置； 在所述氮化硅止蝕層上沉積填充層的裝置；以及 在所述填充層平面化和回蝕過程中通過使用所述氮化硅止蝕層而在所述碳域平面化過程中保護經(jīng)布圖的疊層磁位的裝置。
11.如權(quán)利要求10所述的裝置，其特征在于，還包括在經(jīng)布圖的疊層中形成止蝕層結(jié)構(gòu)以在平面化過程中保護磁位的裝置。
12.如權(quán)利要求10所述的裝置，其特征在于，還包括在經(jīng)布圖的疊層中形成止蝕層結(jié)構(gòu)以在回蝕工藝可能蝕刻至位線之下的平面化過程中保護磁位的裝置。
13.如權(quán)利要求10、11、12中任何一項所述的裝置，其特征在于，還包括沉積所述氮化硅止蝕層從而以可調(diào)整的沉積厚度在經(jīng)布圖的疊層的磁位和磁膜上形成止蝕層的裝置，所述氮化硅止蝕層包含一種或多種化合物，所述一種或多種化合物包括氮化硅、硅、氧化硅、碳化硅或氧氮化硅中的至少一種。
14.如權(quán)利要求10-13中任何一項所述的裝置，其特征在于，還包括使用多個沉積工藝沉積氮化硅止蝕層的裝置。
15.如權(quán)利要求10-14中任何一項所述的裝置，其特征在于，還包括用于沉積一種或多種具有不同化學(xué)組成的化合物以防止與多種類型的平面化反應(yīng)性回蝕工藝起反應(yīng)的裝置。
16.一種碳域平面化止蝕層結(jié)構(gòu)，包括 氮化硅止蝕層，其中所述止蝕層被沉積在經(jīng)布圖的磁位上以在碳域平面化回蝕工藝中保護所述經(jīng)布圖的磁位。
17.如權(quán)利要求16所述的碳域平面化止蝕層結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述氮化硅止蝕層的沉積厚度是可調(diào)整的。
18.如權(quán)利要求16或17所述的碳域平面化止蝕層結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述氮化硅止蝕層包括一種或多種化合物。
19.如權(quán)利要求16-18中任何一項所述的碳域平面化止蝕層結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述氮化硅止蝕層被用作碳域平面化的保護，所述碳域包括純類金剛石碳或碳化合物中的至少一個。
20.如權(quán)利要求16-19中任何一項所述的碳域平面化止蝕層結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述止 蝕層結(jié)構(gòu)在碳域平面化過程中保護磁位，其中回蝕工藝可回蝕至位線之下。
全文摘要
各實施例披露了一種在碳域平面化過程中保護磁位的方法，包括在經(jīng)布圖的疊層的磁位和磁膜上沉積止蝕層；在止蝕層上沉積碳填充層；以及在碳域的平面化和回蝕過程中使用止蝕層以在碳域平面化過程中保護經(jīng)布圖的疊層磁位。
文檔編號H01L43/12GK102856490SQ201210208548
公開日2013年1月2日 申請日期2012年6月21日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月30日
發(fā)明者郭曉民, M·R·費爾德鮑姆, P·拉喬拉, H·拉姆 申請人:希捷科技有限公司