專利名稱：釔鋁石榴石熒光材料其制法及包含其的發(fā)光二極管裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種釔鋁石榴石熒光材料、其制作方法、及包含其的發(fā)光二極管裝置，尤其指一種摻雜硅的釔鋁石榴石熒光材料、其制作方法、及包含其的發(fā)光二極管裝置。
背景技術(shù)：
隨著能源短缺與氣候暖化的問題逐漸嚴重且環(huán)保意識逐漸抬頭，綠色科技已為現(xiàn)今發(fā)展的主要技術(shù)之一，以期能達到節(jié)約能源的目的。特別是，近年來全世界等先進各國均選擇白光發(fā)光二極管逐漸取代傳統(tǒng)照明設備。相較于傳統(tǒng)的白熾鶴絲燈泡及日光燈,發(fā)光二極管(light emitting diode,LED)具有組件體積小、發(fā)熱量低、耗電量小、壽命長、反應速度快、環(huán)保、可平面封裝易開發(fā)成輕薄短小產(chǎn)品等優(yōu)點。因此，發(fā)光二極管兼具有省電與環(huán)保，而可稱為是二十一世紀照明的新光源。

傳統(tǒng)的發(fā)光二極管封裝，是將熒光粉與高分子樹脂混合，再涂布在發(fā)光二極管芯片上。如圖1所示，一般發(fā)光二極管裝置的結(jié)構(gòu)，包括:一發(fā)光二極管芯片101、一封裝膠體102，其中封裝膠體102中包括有分散的熒光粉103，且封裝膠體102覆蓋于發(fā)光二極管芯片101的出光面上。然而，此種結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管裝置往往面臨到散熱不佳的問題，特別是高功率的發(fā)光二極管裝置散熱問題更加重要。此外，作為封裝膠體102材料的高分子樹脂長時間處在高溫下會發(fā)生黃化，進而影響到發(fā)光二極管裝置的發(fā)光效率，大大縮短了發(fā)光二極管裝置壽命長的優(yōu)勢。因此，若能發(fā)展出一種熒光粉材料，當應用于發(fā)光二極管裝置時，除了具有高光電轉(zhuǎn)換效率外，更可取代現(xiàn)有的發(fā)光二極管封裝技術(shù)，則可解決上述封裝膠體黃化所導致的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種釔鋁石榴石(YAG)熒光材料。本發(fā)明的另一目的在于提供一種釔鋁石榴石熒光材料的制作方法。本發(fā)明的再一目的在于提供一種發(fā)光二極管裝置。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供的釔鋁石榴石熒光材料，如下式(I)所示:(Y3-A) Al5^bSibO12(I)其中，0.01 ≤ a ≤ 0.2,0 < b ≤ 1.2，且 M 為至少一選自由鈰(Ce)、鏑(Dy)、釓(Gd)、銪(Eu)、鋱(Tb)、鑭(La)、鐠(Pr)、釹(Nd)及釤(Sm)所組成的群組。所述的釔鋁石榴石熒光材料，其中，0.06 ≤0.6 所述的釔鋁石榴石熒光材料，其中，0.2 < b < 0.6。所述的釔鋁石榴石熒光材料，其中，M為至少一選自由鈰、鋱、及銪所組成的群組。所述的釔鋁石榴石熒光材料，其中，M為鈰。
所述的釔鋁石榴石熒光材料，其中，該釔鋁石榴石熒光材料為一釔鋁石榴石熒光陶瓷板。本發(fā)明提供的一種釔鋁石榴石熒光材料的制作方法，包括下列步驟:(A)提供一前驅(qū)物粉末，其中該前驅(qū)物粉末中包括釔、鋁及一金屬，且該金屬為至少一選自由鋪、鏑、禮、銪、鋪、鑭、鐠、釹及衫所組成的群組；(B)預燒該前驅(qū)物粉末，以得到一熒光粉前趨物； (C)添加一硅前驅(qū)物于該熒光粉前趨物；以及(D)燒結(jié)該硅前驅(qū)物及該熒光粉前趨物的混合物，以得到一釔鋁石榴石熒光材料。所述的制作方法，其中，于步驟(A)中，是使用化學共沉法、固態(tài)反應法、溶膠凝膠法、噴霧熱解法、燃燒法、水熱合成法、燒結(jié)法或微波輔助燃燒法形成該前驅(qū)物粉末。所述的制作方法，其中，于步驟(A)中，提供一鋁前驅(qū)物、一釔前驅(qū)物、及一金屬前驅(qū)物，且混合該鋁前驅(qū)物、該釔前驅(qū)物及該金屬前驅(qū)物以得到一前驅(qū)物粉末。所述的制作方法，其中，該鋁前驅(qū)物為硝酸鋁或氧化鋁，該釔前驅(qū)物為硝酸釔或氧化釔，且該金屬前驅(qū)物為至少一選自由鈰、鏑、釓、銪、鋱、鑭、鐠、釹及釤所組成的群組的金屬硝酸鹽或金屬氧化物。所述的制作 方法，其中，該金屬為至少一選自由鈰、鋱及銪所組成的群組。所述的制作方法，其中，該金屬為鈰。所述的制作方法，其中，于步驟(A)后包括一步驟(Al):添加一硅前驅(qū)物。所述的制作方法，其中，于步驟(C)后包括一步驟(Cl):將該硅前驅(qū)物及該熒光粉前趨物的混合物壓錠。所述的制作方法，其中，該釔鋁石榴石熒光材料為一釔鋁石榴石熒光陶瓷板。所述的制作方法，其中，該硅前驅(qū)物為一有機硅、一無機硅或其混合物。所述的制作方法，其中，該硅前驅(qū)物為二氧化硅、硅酸四甲酯、硅酸四乙酯、硅酸四丙酯、硅酸四異丙酯、硅酸四丁酯、硅酸四鄰甲酚、四(2-乙基丁基)硅酸酯、四氯化硅、偏硅酸、二硅酸、原硅酸、甲硅烷醇、四甲基硅烷、六甲基二硅烷或其混合物。所述的制作方法，其中，該硅前驅(qū)物為二氧化硅。所述的制作方法，其中，步驟(C)的硅前驅(qū)物添加量占釔鋁石榴石熒光材料總重量的 0.1-1Owt%。本發(fā)明提供的一種發(fā)光二極管裝置，包括:一發(fā)光二極管芯片；以及—釔鋁石榴石熒光陶瓷板，設于該發(fā)光二極管芯片的一出光面，且該釔鋁石榴石熒光陶瓷板的材料如下式(I)所示:(Y3^aMa) Al5^bSibO12(I)其中，0.01 ^ a ^ 0.2,0 < b ^ 1.2，且 M 為至少一選自由鈰(Ce)、鏑(Dy)、釓(Gd)、銪(Eu)、鋱(Tb)、鑭(La)、鐠(Pr)、釹(Nd)及釤(Sm)所組成的群組。所述的發(fā)光二極管裝置，其中，該釔鋁石榴石熒光陶瓷板是通過一黏著層固定于該發(fā)光二極管芯片的該出光面上。所述的發(fā)光二極管裝置，其中，0.06 ^ b ^ 0.6ο所述的發(fā)光二極管裝置，其中，0.2 ^ b ^ 0.6ο
所述的發(fā)光二極管裝置，其中，M為至少一選自由鈰、鋱及銪所組成的群組。所述的發(fā)光二極管裝置，其中，M為鈰。所述的發(fā)光二極管裝置，其中，該發(fā)光二極管芯片為一紫外光發(fā)光二極管芯片或一藍光發(fā)光二極管芯片。本發(fā)明的釔鋁石榴石(YAG)熒光材料，其具有高致密度及高發(fā)光強度。本發(fā)明的釔鋁石榴石熒光材料的制作方法，可在相對較低的溫度下，制作出具有高致密度及高發(fā)光強度的釔鋁石榴石熒光材料。本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置，其無須通過傳統(tǒng)的高分子樹脂封裝技術(shù)，而可達到延長發(fā)光二極管裝置壽命的目的。


圖1是公知發(fā)光二極管裝置的示意圖。圖2是本發(fā)明實施例23的發(fā)光二極管裝置的示意圖。附圖中主要組件符號說明:101，201發(fā)光二極管芯片；102封裝膠體；103熒光粉；202黏著層；203釔鋁石榴石
熒光陶瓷板。
具體實施例方式本發(fā)明的釔鋁石榴石熒光材料，如下式(I)所示:(Y3^aMa) Al5^bSibO12(I)其中，0.01 ^ a ^ 0.2,0 < b ^ 1.2，且 M 為至少一選自由鈰(Ce)、鏑(Dy)、釓(Gd)、銪(Eu)、鋱(Tb)、鑭(La)、鐠(Pr)、釹(Nd)、及釤(Sm)所組成的群組。此外，本發(fā)明亦提供上述釔鋁石榴石熒光材料的制作方法，包括下列步驟:(A)提供一前驅(qū)物粉末，其中此前驅(qū)物粉末中包括釔、鋁及一金屬，且金屬系至少一選自由鋪、鏑、禮、銪、鋪、鑭、鐠、釹、及衫所組成的群組；(B)預燒前驅(qū)物粉末，以得到一熒光粉前趨物；
(C)添加一硅前驅(qū)物于熒光粉前趨物；以及(D)燒結(jié)硅前驅(qū)物及熒光粉前趨物的混合物，以得到一釔鋁石榴石熒光材料。再者，本發(fā)明還提供一種使用上述釔鋁石榴石熒光材料所制成的發(fā)光二極管裝置，包括:一發(fā)光二極管芯片；以及一乾招石槽石突光陶瓷板，系設于發(fā)光二極管芯片的一出光面，且釔鋁石榴石熒光陶瓷板的材料系如前所述。相較于未摻雜有硅的釔鋁石榴石熒光材料，本發(fā)明的釔鋁石榴石熒光材料因摻雜有少量的硅，故可提升熒光材料的發(fā)光強度。此外，于本發(fā)明的釔鋁石榴石熒光材料的制作方法的制作過程中，由添加少量的硅前趨物，可有效幫助摻雜金屬M于釔鋁石榴石熒光材料中的擴散，而提升發(fā)光強度。再者，由添加少量的硅前趨物所產(chǎn)生的液相燒結(jié)現(xiàn)象，亦可有效提升所制得的釔鋁石榴石熒光材料的致密度。由于本發(fā)明的釔鋁石榴石熒光材料具有高致密度，故材料本身孔洞較少，所含的空氣(熱的不良導體)也因此相對較少，故可提升熱傳導特性。因此，當使用本發(fā)明的制作方法所制得的釔鋁石榴石熒光材料于發(fā)光二極管裝置上時，可制作出具有高熱傳導特性的發(fā)光二極管裝置，而提升發(fā)光二極管裝置的使用壽命。于本發(fā)明的釔鋁石榴石熒光材料的制作方法中，步驟(C)的硅前驅(qū)物添加量可占釔鋁石榴石熒光材料總重量的0.l-10wt%。較佳為，硅前驅(qū)物添加量可占釔鋁石榴石熒光材料總重量的3-8wt%。更佳為，硅前驅(qū)物添加量可占釔鋁石榴石熒光材料總重量的
4-6wt%。最佳為，硅前驅(qū)物添加量可占釔鋁石榴石熒光材料總重量的5wt%。隨著硅前驅(qū)物添加量增加，釔鋁石榴石熒光材料的結(jié)晶性也開始提升，且雜相的數(shù)量也逐漸減少。當硅前驅(qū)物添加量為5wt%時，幾乎僅有YAG相存在，故可達到最佳的發(fā)光效率。然而，當硅前驅(qū)物添加量超過10wt%時，釔鋁石榴石熒光材料的結(jié)晶性也開始下降，而許多不知名的雜相也開始產(chǎn)生，而導致發(fā)光效率開始降低。據(jù)此，于本發(fā)明的釔鋁石榴石熒光材料及包含其的發(fā)光二極管裝置中，式(I)的釔鋁石榴石熒光材料的b的范圍，較佳為0.06≤ b ≤ 0.6，更佳為0.2 ≤ b ≤ 0.6，且最佳為 b = 0.3。此外，于本發(fā)明的釔鋁石榴石熒光材料的制作方法中，于步驟(A)后可還包括一步驟(Al):添加一硅前驅(qū)物。然而，步驟(Al)及步驟(C)中所添加的硅前驅(qū)物添加總量較佳不超過IOwt%，以免造成發(fā)光效率降低。再者，于本發(fā)明的釔鋁石榴石熒光材料的制作方法中，前趨物粉末中的金屬較佳為至少一選自由鈰、鋱、及銪所組成的群組，且更佳為鈰。據(jù)此，于本發(fā)明的釔鋁石榴石熒光材料及包含其的發(fā)光二極管裝置中，式(I)的M較佳為至少一選自由鈰、鋱、及銪所組成的群組，且更佳為鈰。由摻雜不同的金屬M，可制得具有不同放射光顏色的熒光材料。例如，當摻雜鈰時(YAG = Ce3+)則可得到發(fā)黃光的熒光粉；當摻雜鋱(YAG = Tb3+)時則可得到發(fā)綠光的熒光粉；而當摻雜銪(YAG = Eu3+)時則可得到發(fā)紅光的熒光粉。由于YAG = Ce3+受到藍光激發(fā)會產(chǎn)生黃光，故當藍光與黃光混色時，則可產(chǎn)生白光。于本發(fā)明的釔鋁石榴石熒光材料的制作方法中，于步驟(A)中，可使用本領(lǐng)域已知的任何釔鋁石榴石熒光材料合成方法形成前驅(qū)物粉末，例如化學共沉法、固態(tài)反應法、溶膠凝膠法、噴霧熱解法或噴霧干燥法(可參考美國專利第6712993號)、燃燒法、水熱合成法、燒結(jié)法、微波輔助燃燒法、固態(tài)鋁源合成法。除了上述方法外，亦可參考中國臺灣專利公告第262212號、中國臺灣專利公告第265916號、中國臺灣專利公開第200942597號所揭示的方法。較佳為，于步驟(A)中，是使用化學共沉法、或固態(tài)反應法形成前驅(qū)物粉末。其中，尤其以固態(tài)反應法具有工藝簡單且起始原料成本低廉的優(yōu)點，故于步驟(C)中較佳是使用固態(tài)反應法形成前驅(qū)物粉末。更具體而言，于本發(fā)明的釔鋁石榴石熒光材料的制作方法的步驟(A)中，提供一鋁前驅(qū)物、一釔前驅(qū)物、及一金屬前驅(qū)物，并混合鋁前驅(qū)物、釔前驅(qū)物、及金屬前驅(qū)物，并通過上述方法制得一前驅(qū)物粉末。其中，鋁前驅(qū)物的具體例子可為硝酸鋁或其水合物、或氧化鋁，釔前驅(qū)物可為硝酸釔或其水合物、或氧化釔，而金屬前驅(qū)物可依需求選擇至少一選自由鈰、鏑、釓、銪、鋱、鑭、鐠、釹、及釤所組成的群組的金屬硝酸鹽(或其水合物)或金屬氧化物。此外，于本發(fā)明的釔鋁石榴石熒光材料的制作方法中，硅前驅(qū)物選擇并無特殊限制，可為一有機硅、一無機硅、或其混合物，只要能與YAG具有共晶效果的硅材料即可。硅前驅(qū)物的具體例子包括:二氧化硅(SiO2)、硅酸四甲酯(Tetramethylorthosilicate, C4H12O4Si)、娃酸四乙酯(TetraethylorthosiIicate, C8H20O4Si)、娃酸四丙酯(Tetrapropyl orthosilicate, C12H28O4Si)、娃酸四異丙酯(Tetraisopropylorthosilicate, C12H28O4Si)、娃酸四丁酯(Tetrabutyl orthosilicate, C16H36O4Si)、娃酸四鄰甲酌.(Tetra-o-cresolorthosilicate, C28H28O4Si)、四(2-乙基丁基)娃酸酯(Tetra (2-Ethyl Butyl) silicate, C24H52O4Si)、四氯化娃(Silicon tetrachloride, SiCl4) >偏娃酸(Metasilicate, H2SiO3)、二娃酸(Disilicate, H2Si2O5)、原娃酸(Silicic acid,H4SiO4)、甲硅烷醇(Silanol, H40Si)、四甲基硅烷(Tetramethylsilane，C4H12Si)、及六甲基二娃燒(Hexamethyldisiloxane, C6H18OSi2)。較佳為，娃前驅(qū)物為二氧化娃。再者，于本發(fā)明的釔鋁石榴石熒光材料的制作方法中，于步驟(C)后可還包括一步驟(Cl):將硅前驅(qū)物及熒光粉前趨物的混合物壓錠。更具體而言，此步驟(Cl)是以單軸加壓或冷均壓加壓方式，將·硅前驅(qū)物及熒光粉前趨物的混合物制作成生胚，以進行后續(xù)步驟(D)的燒結(jié)步驟。由此，所得到的釔鋁石榴石熒光材料則為一釔鋁石榴石熒光陶瓷板。當本發(fā)明的釔鋁石榴石熒光陶瓷板應用于發(fā)光二極管裝置上時，可通過一黏著層將釔鋁石榴石熒光陶瓷板固定于發(fā)光二極管芯片的出光面上，而無須經(jīng)過傳統(tǒng)的封裝工藝即可制作本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置。因此，使用釔鋁石榴石熒光陶瓷板所制得的發(fā)光二極管裝置，不但可達到減少使用高分子樹脂的目的，并且可在封裝前即先測量出釔鋁石榴石熒光陶瓷板產(chǎn)生黃光的色溫，如此一來可減少生產(chǎn)成本并提升產(chǎn)品良率。此外，于本發(fā)明的釔鋁石榴石熒光材料的制作方法中，于步驟⑶中是于900-1800°C (較佳為1200-1500°C )下預煅燒前驅(qū)物粉末10-30小時(較佳為12-24小時)，再降溫至室溫則可得到具有YAG相的熒光粉前趨物?；蛘?，于步驟(B)中，當使用化學共沉法制備熒光粉前趨物時，則可于300-800°C下預燒前趨物粉末1-5小時，再降溫至室溫以得到一熒光粉前趨物。再者，于本發(fā)明的釔鋁石榴石熒光材料的制作方法的步驟(C)中，添加硅前驅(qū)物于熒光粉前趨物后，可先以磨球(如:氧化鋁磨球)干式或濕式球磨硅前驅(qū)物及熒光粉前趨物的混合物，以縮小混合物的顆粒大小。此外，于步驟⑶中，可于900-1800°C (較佳為1200-1500°C )下燒結(jié)硅前驅(qū)物及熒光粉前趨物的混合物10-30小時(較佳為12-24小時)，以得到釔鋁石榴石熒光材料。此外，若需要，可重復進行多次的步驟(D)燒結(jié)步驟。于本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置中，發(fā)光二極管芯片可為一紫外光發(fā)光二極管芯片或一藍光發(fā)光二極管芯片。較佳為，發(fā)光二極管芯片為一藍光發(fā)光二極管芯片。以下由特定的具體實施例說明本發(fā)明的實施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點與功效。本發(fā)明亦可由其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節(jié)亦可針對不同觀點與應用，在不悖離本發(fā)明的精神下進行各種修飾與變更。實施例1-5及比較例1-以化學共沉法制備釔鋁石榴石熒光材料首先，將含水硝酸鋁23.4457g、含水硝酸釔14.3820g和含水硝酸鈰0.0543g計量比(制得Y2.99CeQ.Q1Al5012的計量比)混合物，溶于的125ml去離子水中，使其完全溶解。緩慢滴定加入42.5ml的三乙胺，攪拌數(shù)分鐘后即有白色膠狀物產(chǎn)生,抽氣過濾后得到白色膠體。接著，在90°C下烘干20小時除去多余的水分，得到其干燥膠體，再以5°C /分鐘升溫速率升到500°C預燒3小時將有機物燒掉，接著5°C /分鐘降至室溫即得到前驅(qū)物。而后，依照下表I所示的重量比，添加SiO2粉末(硅前驅(qū)物)于前驅(qū)物中，再以直徑5mm的氧化鋁磨球與粉末以重量3克比2.5克的比例球磨5小時，以得到顆粒較細的粉末。取出粉末后利用單軸加壓或冷均壓加壓，制作成直徑2.56cm的生胚，持壓時間為10分鐘，壓力為25 35kg/cm2。接著，將所得的生胚以5°C /分鐘升溫速率上升至1400°C，持溫8小時，最后以自然降溫的方式降至室溫，則可制得釔鋁石榴石熒光陶瓷板。表I
權(quán)利要求
1.一種釔鋁石榴石熒光材料，如下式(I)所示: (Y3-A) AUSibO12 (I) 其中，0.01 ^ a ^ 0.2,0 < b ^ 1.2，且M為至少一選自由鈰、鏑、釓、銪、鋱、鑭、鐠、釹及釤所組成的群組。
2.如權(quán)利要求1所述的釔鋁石榴石熒光材料，其中，0.06 ^ 0.60
3.如權(quán)利要求1所述的釔鋁石榴石熒光材料，其中，0.2 < b < 0.6。
4.如權(quán)利要求1所述的釔鋁石榴石熒光材料，其中，M為至少一選自由鈰、鋱及銪所組成的群組。
5.如權(quán)利要求4所述的釔鋁石榴石熒光材料，其中，M為鈰。
6.如權(quán)利要求1所述的釔鋁石榴石熒光材料，其中，該釔鋁石榴石熒光材料為一釔鋁石榴石熒光陶瓷板。
7.一種釔鋁石榴石熒光材料的制作方法，包括下列步驟: (A)提供一前驅(qū)物粉末，其中該前驅(qū)物粉末中包括釔、鋁及一金屬，且該金屬為至少一選自由鋪、鏑、禮、銪、鋪、鑭、鐠、釹及衫所組成的群組； (B)預燒該前驅(qū)物粉末，以得到一熒光粉前趨物； (C)添加一硅前驅(qū)物于該熒光粉前趨物；以及 (D)燒結(jié)該硅前驅(qū)物及該熒光粉前趨物的混合物，以得到一釔鋁石榴石熒光材料。
8.如權(quán)利要求7所述的制作方法，其中，于步驟(A)中，是使用化學共沉法、固態(tài)反應法、溶膠凝膠法、噴霧熱解法、燃燒法、水熱合成法、燒結(jié)法或微波輔助燃燒法形成該前驅(qū)物粉末。
9.如權(quán)利要求7所述的制作方法，其中，于步驟㈧中，提供一鋁前驅(qū)物、一釔前驅(qū)物、及一金屬前驅(qū)物，且混合該鋁前驅(qū)物、該釔前驅(qū)物及該金屬前驅(qū)物以得到一前驅(qū)物粉末。
10.如權(quán)利要求8所述的制作方法，其中，該鋁前驅(qū)物為硝酸鋁或氧化鋁，該釔前驅(qū)物為硝酸釔或氧化釔，且該金屬前驅(qū)物為至少一選自由鋪、鏑、禮、銪、鋪、鑭、鐠、釹及衫所組成的群組的金屬硝酸鹽或金屬氧化物。
11.如權(quán)利要求7所述的制作方法，其中，該金屬為至少一選自由鈰、鋱及銪所組成的群組。
12.如權(quán)利要求11所述的制作方法，其中，該金屬為鈰。
13.如權(quán)利要求7所述的制作方法，其中，于步驟(A)后包括一步驟(Al):添加一硅前驅(qū)物。
14.如權(quán)利要求7所述的制作方法，其中，于步驟(C)后包括一步驟(Cl):將該硅前驅(qū)物及該熒光粉前趨物的混合物壓錠。
15.如權(quán)利要求14所述的制作方法，其中，該釔鋁石榴石熒光材料為一釔鋁石榴石熒光陶瓷板。
16.如權(quán)利要求7所述的制作方法,其中，該娃前驅(qū)物為一有機娃、一無機娃或其混合物。
17.如權(quán)利要求15所述的制作方法，其中，該硅前驅(qū)物為二氧化硅、硅酸四甲酯、硅酸四乙酯、娃酸四丙酯、娃酸四異丙酯、娃酸四丁酯、娃酸四鄰甲酹、四(2-乙基丁基)娃酸酯、四氯化硅、偏硅酸、二硅酸、原硅酸、甲硅烷醇、四甲基硅烷、六甲基二硅烷或其混合物。
18.如權(quán)利要求16所述的制作方法，其中，該硅前驅(qū)物為二氧化硅。
19.如權(quán)利要求7所述的制作方法，其中，步驟(C)的硅前驅(qū)物添加量占釔鋁石榴石熒光材料總重量的0.l-10wt%。
20.一種發(fā)光二極管裝置，包括: 一發(fā)光二極管芯片；以及 一宇乙招石槽石突光陶瓷板，設于該發(fā)光二極管芯片的一出光面，且該乾招石槽石突光陶瓷板的材料如下式(I)所示: (Y3-A) AUSibO12 (I) 其中，0.01 ^ a ^ 0.2,0 < b ^ 1.2，且M為至少一選自由鈰、鏑、釓、銪、鋱、鑭、鐠、釹及釤所組成的群組。
21.如權(quán)利要求20所述的發(fā)光二極管裝置，其中，該釔鋁石榴石熒光陶瓷板是通過一黏著層固定于該發(fā)光二極管芯片的該出光面上。
22.如權(quán)利要求20所述的發(fā)光二極管裝置，其中，0.06 < b < 0.6。
23.如權(quán)利要求20所述的發(fā)光二極管裝置，其中，0.2 < b < 0.6。
24.如權(quán)利要求20所述的發(fā)光二極管裝置，其中，M為至少一選自由鈰、鋱及銪所組成的群組。
25.如權(quán)利要求24所 述的發(fā)光二極管裝置，其中，M為鈰。
26.如權(quán)利要求20所述的發(fā)光二極管裝置，其中，該發(fā)光二極管芯片為一紫外光發(fā)光二極管芯片或一藍光發(fā)光二極管芯片。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種釔鋁石榴石熒光材料、其制作方法、及包含其的發(fā)光二極管裝置，其中釔鋁石榴石熒光材料如下式(I)所示(Y3-aMa)Al5-bSibO12 (I)其中，0.01≤a≤0.2，0＜b≤1.2，且M至少一選自由鈰(Ce)、鏑(Dy)、釓(Gd)、銪(Eu)、鋱(Tb)、鑭(La)、鐠(Pr)、釹(Nd)、及釤(Sm)所組成的群組。
文檔編號H01L33/50GK103160280SQ20121052871
公開日2013年6月19日 申請日期2012年12月7日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月8日
發(fā)明者陳引幹, 粘永堂, 呂學榮, 馬家偉 申請人:陳引幹