用于環(huán)介導等溫擴增的微流控芯片、其制備方法和應(yīng)用的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種用于環(huán)介導等溫擴增的微流控芯片、其制備方法和應(yīng)用，該微流控芯片包括基底層和與所述基底層疊置的功能層，所述功能層設(shè)置至少一個微流控結(jié)構(gòu)單元，每個微流控結(jié)構(gòu)單元包括進樣口、反應(yīng)區(qū)和連接所述進樣口與反應(yīng)區(qū)的微流控管道。本發(fā)明的微流控芯片上集成多個微流控結(jié)構(gòu)單元，每個微流控結(jié)構(gòu)單元都能單獨進行環(huán)介導等溫擴增，因此使用該微流控芯片能夠?qū)Νh(huán)介導等溫擴增進行通量化操作，同時進行多個環(huán)介導等溫擴增反應(yīng)，大大提高了效率。
【專利說明】用于環(huán)介導等溫擴增的微流控芯片、其制備方法和應(yīng)用
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及核酸分析檢測【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種用于環(huán)介導等溫擴增的微流控芯片、及其制備方法和應(yīng)用。
【背景技術(shù)】
[0002]據(jù)統(tǒng)計，目前生物技術(shù)的實際應(yīng)用約60%是在醫(yī)藥衛(wèi)生方面，醫(yī)藥生物技術(shù)對保護人類健康、提高生活質(zhì)量產(chǎn)生巨大推動作用。基因診斷(gene diagnosis)就是根據(jù)核酸分子堿基互補配對及變性、復(fù)性原理，利用現(xiàn)代分子生物學和分子遺傳學的技術(shù)方法(如基因探針雜交、基因體外擴增、電泳、DNA測序、差異顯示等)，在DNA或RNA水平，通過檢測致病基因(內(nèi)源基因或外源病原體基因)的存在、基因結(jié)構(gòu)的缺陷或基因表達的異常，從而對疾病做出判斷的方法。
[0003]引發(fā)疾病的原因即病因，診斷的目的就是要找到病因，其中對感染性疾病的診斷大致經(jīng)歷了臨床學診斷、細胞水平的診斷、免疫學診斷和基因診斷這樣一個過程。尤其是現(xiàn)代生物技術(shù)的發(fā)展將免疫學和分子生物學的技術(shù)運用到了診斷學領(lǐng)域，解決了傳統(tǒng)診斷的難題，使診斷學得到了長足發(fā)展。自1978年美國科學家首次采用DNA限制性片段長度多態(tài)性(restriction fragment length polymorphism, RFLP)技術(shù),通過羊水細胞對胎兒進行鐮刀形細胞貧血癥的產(chǎn)前基因診斷獲得成功以來，以現(xiàn)代分子生物學技術(shù)為依托的基因診斷技術(shù)得到了迅猛發(fā)展。目前，基因診斷已發(fā)展成為在臨床上起重用作用的診斷技術(shù)。與免疫學診斷技術(shù)相比，基因診斷作為最新型的診斷技術(shù)具有鮮明的特點和優(yōu)勢，核酸檢測技術(shù)具有特異性強、敏感性高、不需要操作活的病原體等特點，在傳染病病原體的檢測中應(yīng)用越來越廣泛。恒溫擴增技術(shù)是在一種恒定溫度下進行擴增檢測的技術(shù)，其擴增效率更高、時間短且具有更高的敏感性和特異性，是一種適合現(xiàn)場即時檢測的技術(shù)。環(huán)介導等溫擴增技術(shù)(loop-mediated isothermal amplification, LAMP)是一種恒溫擴增技術(shù)，該技術(shù)中需要由4到6條引物實現(xiàn)對同一個目標物的擴增，從而大大增加了擴增的特異性；敏感性方面，該技術(shù)理論上可以檢測到低至I個拷貝的目標分子。但是，該技術(shù)由于需要多條引物，無法實現(xiàn)同一個反應(yīng)體系中的多重檢測，限制了在通量化檢測方面的應(yīng)用。
[0004]微流控芯片技術(shù)是把生物、化學和醫(yī)學分析過程的樣品制備、反應(yīng)、分離和檢測等基本操作單元集成到一塊微米尺度的芯片上，自動完成分析全過程。由于它在生物、化學和醫(yī)學等領(lǐng)域的巨大潛力，已經(jīng)發(fā)展成為一個生物、化學、醫(yī)學、流體、電子、材料和機械等學科交叉的嶄新研究領(lǐng)域。在微流控芯片上，能夠進行很多連續(xù)的平行的分析，在分析的微型化和通量化方面具有極大的潛力。
[0005]因此，將微流控芯片技術(shù)引入環(huán)介導等溫擴增中具有重要意義，這就需要相應(yīng)的用于環(huán)介導等溫擴增的微流控芯片。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明針對環(huán) 介導等溫擴增難以通量化檢測的缺陷，提供一種用于環(huán)介導等溫擴增的微流控芯片，該微流控芯片上集成了多個微流控結(jié)構(gòu)單元，每個微流控結(jié)構(gòu)單元都能單獨進行環(huán)介導等溫擴增，因此使用該微流控芯片能夠?qū)Νh(huán)介導等溫擴增進行通量化操作，同時進行多個環(huán)介導等溫擴增反應(yīng)，大大提高了效率，推動環(huán)介導等溫擴增技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用。
[0007]本發(fā)明提供一下技術(shù)方案:
[0008]在第一方面，本發(fā)明提供一種用于環(huán)介導等溫擴增的微流控芯片，包括基底層和與所述基底層疊置的功能層，所述功能層設(shè)置至少一個微流控結(jié)構(gòu)單元，每個微流控結(jié)構(gòu)單元包括進樣口、反應(yīng)區(qū)和連接所述進樣口與反應(yīng)區(qū)的微流控管道。
[0009]優(yōu)選地，所述進樣口的數(shù)量為2個，分別設(shè)置在反應(yīng)區(qū)的兩側(cè)，與反應(yīng)區(qū)和微流控管道在一條直線上。
[0010]在本發(fā)明的微流控芯片中，所述反應(yīng)區(qū)的形狀可以是圓柱形、長方體等各種形狀，優(yōu)選圓柱形。
[0011 ] 在本發(fā)明的微流控芯片中，所述微流控管道可以是直線型微流控管道或非直線型微流控管道，優(yōu)選直線型微流控管道。
[0012]在本發(fā)明的微流控芯片中，所述進樣口開口在功能層遠離基底層的一側(cè)的表面上。
[0013]在本發(fā)明的微流控芯片中，所述基底層和/或功能層的材料可以是石英、玻璃、聚碳酸酯(Polycarbonate, PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethyl Methacrylate, PMMA)或聚二甲基硅氧烷(Polydimethylsiloxane, PDMS`基底層與功能層的材料可以相同，也可以不同。還可以對基底層的材料進行活化處理，比如等離子體轟擊和/或酸處理等，使其以共價鍵交聯(lián)生物分子。微流控管道和反應(yīng)區(qū)可以用封閉劑進行表面封閉處理，降低管道的內(nèi)表面對生物分子的吸附性，進而使得樣本中的待檢物質(zhì)可以更少量的被管道吸附，從而提高檢測靈敏度。
[0014]在本發(fā)明的微流控芯片中，所述基底層與所述功能層緊密貼合在一起。具體地，所述基底層與所述功能層可以通過化學鍵或粘結(jié)劑緊密貼合在一起。所述化學鍵可以是通過等離子體轟擊使硅氧鍵打開形成羥基并在界面發(fā)生縮合反應(yīng)生成的化學鍵；所述粘結(jié)劑可以是環(huán)氧樹脂、聚氨酯、聚苯乙烯、聚丙烯酸酯、乙烯-醋酸乙烯共聚物中的一種或多種。
[0015]在本發(fā)明的微流控芯片中，所述功能層可以通過機械加工、模塑或刻蝕的方法制備得到。這些方法都是比較成熟的技術(shù)，比如具體可以參考《微流控分析芯片的加工技術(shù)》，殷學鋒、方群、凌云揚，現(xiàn)代科學儀器，2001年04期。
[0016]在本發(fā)明的微流控芯片中，所述基底層長50-80mm,例如55mm、60mm、65mm、70mm、75mm 或 80mm,優(yōu)選 75mm ；寬 10-30mm,例如 10mm、15mm>20mm>25mm 或 30mm,優(yōu)選 25mm ；厚
l-2mm,例如 1mm、1.2mm、1.5mm、1.8mm 或 1.9mm,優(yōu)選 1mm。
[0017]在本發(fā)明的微流控芯片中，所述直線型微流控管道寬0.1-0.7mm，例如0.1mm、0.2mm、0.3mm、0.4mm、0.5mm、0.6mm 或 0.7mm,優(yōu)選 0.5mm ;深 0.1-0.7mm,例如 0.lmm、0.2mm、0.3mm>0.4mm>0.5mm>0.6mm 或 0.7mm,優(yōu)選 0.5mmn
[0018]在本發(fā)明的微流控芯片中，所述圓柱形反應(yīng)區(qū)半徑0.1-1.0mm,例如0.1mm、0.2mm、0.3mm、0.4mm、0.5mm、0.6mm、0.7mm、0.8mm、0.9mm 或 1.0mm,優(yōu)選 0.5mm ；高 0.5_3mm,例如 0.6mm、0.8mm> 1.0mm> 1.2mm> 1.5mm> 1.8mm>2.2mm>2.5mm 或 2.8mm,優(yōu)選 2mm。[0019]在本發(fā)明的微流控芯片中，所述進樣口底部半徑0.2-0.3mm，例如0.2mm、0.22mm、0.24mm、0.26mm 或 0.28mm,優(yōu)選 0.25mm ;頂部半徑 0.6-1.0mm,例如 0.6mm、0.7mm、0.8mm、0.9mm 或 1.0mm,優(yōu)選 0.8mm。[0020]在第二方面，本發(fā)明提供一種如第一方面所述的微流控芯片的制備方法，包括以下步驟:
[0021](I)通過機械加工、模塑或刻蝕的方法制備得到功能層；
[0022](2)將所述功能層微流控管道面疊置在基底層上，通過等離子體轟擊形成共價鍵連接或通過粘結(jié)劑緊密貼合在一起，形成所述微流控芯片。
[0023]在第三方面，本發(fā)明提供一種使用如第一方面所述的微流控芯片進行環(huán)介導等溫擴增的方法，包括以下步驟:
[0024](a)將環(huán)介導等溫擴增試劑混合均勻后，從微流控芯片的進樣口注入，通過微流控管道進入反應(yīng)區(qū)內(nèi)；
[0025](b)用粘結(jié)劑封住進樣口，將所述微流控芯片置于恒溫設(shè)備內(nèi)反應(yīng)設(shè)定時間，然后檢測并分析反應(yīng)區(qū)的濁度或熒光；
[0026]優(yōu)選地，所述恒溫設(shè)備內(nèi)溫度為60-68°C ；
[0027]優(yōu)選地，所述設(shè)定時間為20_80min。
[0028]在第四方面，本發(fā)明提供一種如第一方面所述的微流控芯片在環(huán)介導等溫擴增中的應(yīng)用。
[0029]需要說明的是:本發(fā)明第三方面和第四方面可能涉及醫(yī)學領(lǐng)域的疾病診斷，也可能涉及非疾病診斷的情況，比如檢測環(huán)境中的微生物等方面，本發(fā)明中該部分內(nèi)容對應(yīng)的權(quán)利要求的保護范圍以非疾病診斷的情況為限，排除疾病診斷的情況。
[0030]本發(fā)明的有益效果為:本發(fā)明的用于環(huán)介導等溫擴增的微流控芯片，包括基底層和與所述基底層疊置的功能層，所述功能層設(shè)置至少一個微流控結(jié)構(gòu)單元，每個微流控結(jié)構(gòu)單元包括進樣口、反應(yīng)區(qū)和連接所述進樣口與反應(yīng)區(qū)的微流控管道。由于該微流控芯片上集成了多個微流控結(jié)構(gòu)單元，每個微流控結(jié)構(gòu)單元都能單獨進行環(huán)介導等溫擴增，因此使用該微流控芯片能夠?qū)Νh(huán)介導等溫擴增進行通量化操作，同時進行多個環(huán)介導等溫擴增反應(yīng)，大大提高了效率，推動環(huán)介導等溫擴增技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0031]圖1為本發(fā)明的用于環(huán)介導等溫擴增的微流控芯片的立體結(jié)構(gòu)示意圖，其中I表示功能層；2表示基底層；11表示進樣口 ；12表示圓柱形反應(yīng)區(qū)，是發(fā)生反應(yīng)和進行檢測的主要區(qū)域；13表示直線型微流控管道，連通進樣口與圓柱形反應(yīng)區(qū)。
[0032]圖2為本發(fā)明的用于環(huán)介導等溫擴增的微流控芯片的俯視圖，多個微流控結(jié)構(gòu)單元并排設(shè)置在功能層上。
[0033]圖3為本發(fā)明的用于環(huán)介導等溫擴增的微流控芯片的微流控結(jié)構(gòu)單元的俯視圖，其中11表示進樣口 ；12表示圓柱形反應(yīng)區(qū)；13表示直線型微流控管道。
[0034]圖4為本發(fā)明的用于環(huán)介導等溫擴增的微流控芯片的微流控結(jié)構(gòu)單元縱截面圖，其中I表不功能層；2表不基底層；11表不進樣口 ；12表不圓柱形反應(yīng)區(qū)；13表不直線型微流控管道。[0035]圖5為本發(fā)明實施例1中環(huán)介導等溫擴增實驗結(jié)果，縱坐標為濁度變化值。
【具體實施方式】
[0036]下面將結(jié)合實施例對本發(fā)明的實施方案進行詳細描述。本領(lǐng)域技術(shù)人員將會理解，以下實施例僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，以便于更好地理解本發(fā)明，因而不應(yīng)視為限定本發(fā)明的范圍。對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換或改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。下述實施例中的實驗方法，如無特殊說明，均為常規(guī)方法；所用的實驗材料，如無特殊說明，均為自常規(guī)生化試劑廠商購買得到的。
[0037]請參考圖1-4，制作用于環(huán)介導等溫擴增的微流控芯片，基底層2采用普通的玻璃載玻片，長75mm、寬25mm、厚Imm ;功能層I采用PDMS材料，通過光刻技術(shù)制作模板，制作功能層I，長60mm、寬20mm、厚3mm ;功能層I上的直線型微流控管道13寬0.5mm、高度0.5mm ；圓柱形反應(yīng)區(qū)12半徑0.5_、高度2_ ;進樣口 11底部半徑0.25_、頂部半徑0.8_?；讓?上表面與功能層I管道面通過等離子體轟擊技術(shù)，通過共價鍵連接，緊密貼合在一起，形成環(huán)介導等溫擴增微流控芯片。
[0038]下面通過環(huán)介導等溫擴增實驗驗證上述方法制備的微流控芯片能夠用于環(huán)介導等溫擴增。
[0039]Thermo Pol緩沖液和聚合酶購自NEB公司，dNTPs、模板核酸片段、引物購自或合成自生工生物工程(上海)股份有限公司，氯化錳購自北京化學試劑公司，甜菜堿購自濟南德高生物科技有限公司。
[0040]實施例1:環(huán) 介導等溫擴增實驗
[0041]查找出檢測豬流感病毒(Swine influence virus，SIV)的NP蛋白基因片段:GGGGCATGTCCCAAGTATGTTAAGCAAAACACTCTGAAGTTGGCAACAGGGATGCGGAATGTACCAGAGAAACAAACTAGAGGCATATTCGGCGCAATAGCAGGTTTCATAGAAAATGGTTGGGAGGGAATGATAGACGGTTGGTACGGTTTCAGGCATCAAAATTCTGAGGGCACAGGACAAGCAGCAGATCTTAAAAGCACTCAAGCAGCCATCG (SEQ ID NO:1,Genbank 登錄號:NM_213976)。
[0042]設(shè)計并合成(生工生物工程(上海)股份有限公司)下列4條引物序列:
[0043]F3:GGGGCATGTCCCAAGTATG (SEQ ID NO:2)；
[0044]FIP:CTGCTATTGCGCCGAATATGCCTCTTTTGTTGGCAACAGGGATGCGG (SEQ ID NO:3)；
[0045]BIP:TGGTTGGGAGGGAATGATAGACGGTTTTGCTGCTTGTCCTGTGCCCTC (SEQ ID NO:4)；
[0046]B3:CGATGGCTGCTTGAGTGC (SEQ ID NO:5)。
[0047]混合以下液體為樣品一:10倍Thermo Pol緩沖液2.5 μ L,8mmol/L硫酸鎂溶液8 μ L, 0.4mmol/L dNTPs I μ L, 0.5mmol/L 氣化猛 1.25 μ L, lmol/L 舌甘菜喊 5.2 μ L, 0.2 μ mol/L 引物 F30.5μ L，0.2ymol/L 引物 Β30.5 μ L，2 μ mol/L 引物 FIP0.5 μ L，2 μ mol/L 引物BIP0.5 μ L，0.32U/ μ L Bst 聚合酶 I μ L，模板核酸片段 0.5 μ L。
[0048]混合以下液體為樣品二:10倍Thermo Pol緩沖液2.5 μ L, 8mmol/L硫酸鎂溶液8 μ L, 0.4mmol/L dNTPs I μ L, 0.5mmol/L 氣化猛 1.25 μ L, lmol/L 舌甘菜喊 5.2 μ L, 0.2 μ mol/L 引物 F30.5μ L，0.2ymol/L 引物 Β30.5 μ L，2 μ mol/L 引物 FIP0.5 μ L，2 μ mol/L 引物BIP0.5 μ L，0.32U/ μ L Bst 聚合酶 I μ L，模板核酸片段 I μ L。[0049]混合以下液體為樣品三:10倍Thermo Pol緩沖液2.5 μ L,8mmol/L硫酸鎂溶液8 μ L, 0.4mmol/L dNTPs I μ L, 0.5mmol/L 氣化猛 1.25 μ L, lmol/L 舌甘菜喊 5.2 μ L, 0.2 μ mol/L 引物 F30.5μ L，0.2ymol/L 引物 Β30.5 μ L，2 μ mol/L 引物 FIP0.5 μ L，2 μ mol/L 引物BIP0.5 μ L，0.32U/ μ L Bst 聚合酶 I μ L，模板核酸片段 1.5 μ L。
[0050]混合以下液體為樣品四:10倍Thermo Pol緩沖液2.5 μ L,8mmol/L硫酸鎂溶液8 μ L, 0.4mmol/L dNTPs I μ L, 0.5mmol/L 氣化猛 1.25 μ L, lmol/L 舌甘菜喊 5.2 μ L, 0.2 μ mol/L 引物 F30.5μ L，0.2ymol/L 引物 Β30.5 μ L，2 μ mol/L 引物 FIP0.5 μ L，2 μ mol/L 引物BIP0.5 μ L，0.32U/ μ L Bst 聚合酶 I μ L，模板核酸片段 2 μ L。
[0051]混合以下液體為空白一:10倍Thermo Pol緩沖液2.5 μ L, 8mmol/L硫酸鎂溶液8 μ L, 0.4mmol/L dNTPs I μ L, 0.5mmol/L 氣化猛 1.25 μ L, lmol/L 舌甘菜喊 5.2 μ L, 0.2 μ mol/L 引物 F30.5μ L，0.2ymol/L 引物 Β30.5 μ L，2 μ mol/L 引物 FIP0.5 μ L，2 μ mol/L 引物BIP0.5 μ L，0.32U/ μ L Bst 聚合酶 I μ L。
[0052]混合以下液體為空白二:10倍Thermo Pol緩沖液2.5 μ L，8mmol/L硫酸鎂溶液8 μ L, 0.4mmol/L dNTPs I μ L, 0.5mmol/L 氣化猛 1.25 μ L, lmol/L 舌甘菜喊 5.2 μ L, 0.2 μ mol/L 引物 F30.5μ L，0.2ymol/L 引物 Β30.5 μ L，2 μ mol/L 引物 FIP0.5 μ L，2 μ mol/L 引物BIP0.5 μ L，0.32U/ μ L Bst 聚合酶 I μ L。
[0053]將樣品一、樣品二、樣品三、樣品四、空白一和空白二分別注入到上述微流控芯片的相應(yīng)圓柱形反應(yīng)區(qū)內(nèi)，在進樣口出加入環(huán)氧樹脂，將管道內(nèi)部液體封閉。將微流控芯片置于恒溫烘箱中，65 °C孵育30分鐘。
[0054]芯片檢測:在本檢測實驗中，如果發(fā)生反應(yīng)，圓柱形反應(yīng)區(qū)會出現(xiàn)白色沉淀。使用數(shù)字光纖傳感器(日本基恩士公司，型號:FS-V31M)對反應(yīng)區(qū)實驗前后的濁度進行測量，結(jié)果如圖5，實驗證明模板的量越多，產(chǎn)生的沉淀越多，濁度變化值越大。
[0055] 申請人:聲明，本發(fā)明通過上述實施例來說明本發(fā)明的詳細特征以及詳細方法，但本發(fā)明并不局限于上述詳細特征以及詳細方法，即不意味著本發(fā)明必須依賴上述詳細特征以及詳細方法才能實施。所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員應(yīng)該明了，對本發(fā)明的任何改進，對本發(fā)明選用組分的等效替換及輔助成分的添加、具體方式的選擇等，均落在本發(fā)明的保護范圍和公開范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種用于環(huán)介導等溫擴增的微流控芯片，其特征在于，包括基底層和與所述基底層疊置的功能層，所述功能層設(shè)置至少一個微流控結(jié)構(gòu)單元，每個微流控結(jié)構(gòu)單元包括進樣口、反應(yīng)區(qū)和連接所述進樣口與反應(yīng)區(qū)的微流控管道； 優(yōu)選地，所述進樣口的數(shù)量為2個，分別設(shè)置在反應(yīng)區(qū)的兩側(cè)，與反應(yīng)區(qū)和微流控管道在一條直線上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微流控芯片，其特征在于，所述反應(yīng)區(qū)為圓柱形反應(yīng)區(qū)； 優(yōu)選地，所述微流控管道為直線型微流控管道； 優(yōu)選地，所 述進樣口開口在功能層遠離基底層的一側(cè)的表面上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的微流控芯片，其特征在于，所述基底層和/或功能層的材料為石英、玻璃、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯或聚二甲基硅氧烷； 優(yōu)選地，所述基底層的材料為活化處理的材料； 優(yōu)選地，所述活化處理為等離子體轟擊和/或酸處理。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的微流控芯片，其特征在于，所述基底層與所述功能層緊密貼合在一起； 優(yōu)選地，所述基底層與所述功能層通過化學鍵或粘結(jié)劑緊密貼合在一起； 優(yōu)選地，所述化學鍵是通過等離子體轟擊使硅氧鍵打開形成羥基并在界面發(fā)生縮合反應(yīng)生成的； 優(yōu)選地，所述粘結(jié)劑是環(huán)氧樹脂、聚氨酯、聚苯乙烯、聚丙烯酸酯、乙烯-醋酸乙烯共聚物中的一種或多種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述的微流控芯片，其特征在于，所述功能層是通過機械加工、模塑或刻蝕的方法制備得到的。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項所述的微流控芯片，其特征在于，所述基底層長50-80mm、優(yōu)選 75mm,寬 10_30mm、優(yōu)選 25mm,厚 l_2mm、優(yōu)選 1mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項所述的微流控芯片，其特征在于，所述直線型微流控管道寬 0.1-0.7_、優(yōu)選 0.5mm,深 0.1-0.7_、優(yōu)選 0.5mm ； 優(yōu)選地，所述圓柱形反應(yīng)區(qū)半徑0.1-1.0mm、優(yōu)選0.5mm,高0.5_3mm、優(yōu)選2mm ； 優(yōu)選地，所述進樣口底部半徑0.2-0.3mm、優(yōu)選0.25mm,頂部半徑0.6-1.0mm>優(yōu)選0.8mm η
8.如權(quán)利要求1-7任一項所述的微流控芯片的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: (1)通過機械加工、模塑或刻蝕的方法制備得到功能層； (2)將所述功能層微流控管道面疊置在基底層上，通過等離子體轟擊形成共價鍵連接或通過粘結(jié)劑緊密貼合在一起，形成所述微流控芯片。
9.一種使用如權(quán)利要求1-7任一項所述的微流控芯片進行環(huán)介導等溫擴增的方法，其特征在于，包括以下步驟: (a)將環(huán)介導等溫擴增試劑混合均勻后，從微流控芯片的進樣口注入，通過微流控管道進入反應(yīng)區(qū)內(nèi)； (b)用粘結(jié)劑封住進樣口，將所述微流控芯片置于恒溫設(shè)備內(nèi)反應(yīng)設(shè)定時間，然后檢測并分析反應(yīng)區(qū)的濁度或熒光； 優(yōu)選地，所述恒溫設(shè)備內(nèi)溫度為60-68°C ；優(yōu)選地，所述設(shè)定時間為20-80min。
10.如權(quán)利要求1-7任一項所述`的微流控芯片在環(huán)介導等溫擴增中的應(yīng)用。
【文檔編號】C12M1/00GK103667011SQ201310503118
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年10月23日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月23日
【發(fā)明者】沈海瀅, 蔣興宇, 張偉 申請人:國家納米科學中心