本技術(shù)屬于霧化，更具體地，涉及一種氣溶膠生成裝置及系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

1、加熱不燃燒氣溶膠生成裝置通過發(fā)熱體以200℃～350℃的溫度烘烤氣溶膠生成基質(zhì)，使之產(chǎn)生氣溶膠供用戶抽吸，可減少大量因高溫裂解帶來的有害物質(zhì)。目前市場(chǎng)上的加熱不燃燒氣溶膠生成裝置主要分為電阻加熱和電磁加熱。相關(guān)的電磁加熱的氣溶膠生成裝置，其磁場(chǎng)利用率不高，能耗較大，產(chǎn)品性能有待提升。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本實(shí)用新型提供一種氣溶膠生成裝置及系統(tǒng)，以解決提升氣溶膠生成裝置的產(chǎn)品性能的技術(shù)問題。

2、本實(shí)用新型的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的：

3、本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種氣溶膠生成裝置，包括：

4、殼體，內(nèi)部設(shè)有霧化腔，所述霧化腔用于收容氣溶膠生成基質(zhì)；

5、供電組件，設(shè)置在所述殼體內(nèi)；

6、電磁加熱組件，設(shè)置在所述殼體內(nèi)，且與所述供電組件電連接；所述電磁加熱組件包括勵(lì)磁線圈和導(dǎo)磁件，所述霧化腔、所述勵(lì)磁線圈和所述導(dǎo)磁件在所述殼體的縱向方向上依次設(shè)置。

7、一些實(shí)施例中，所述導(dǎo)磁件包括第一延伸部和第二延伸部，所述第一延伸部沿所述殼體的橫向延伸，所述第二延伸部沿所述殼體的縱向延伸，所述第二延伸部至少部分設(shè)置在所述第一延伸部靠近所述霧化腔的一側(cè)，且所述勵(lì)磁線圈在所述橫向上套設(shè)在所述第二延伸部外側(cè)。

8、一些實(shí)施例中，所述第一延伸部與所述第二延伸部一體成型；

9、或，所述第一延伸部和所述第二延伸部在縱向上分離，所述第一延伸部與所述第二延伸部在所述縱向上的距離小于等于2mm。

10、一些實(shí)施例中，沿所述殼體的縱向投影，所述勵(lì)磁線圈在所述第一延伸部上的投影面積小于等于所述第一延伸部的橫截面積。

11、一些實(shí)施例中，所述導(dǎo)磁件還包括第三延伸部，所述第三延伸部沿所述縱向朝靠近所述霧化腔的方向延伸，且所述第三延伸部圍繞所述第一延伸部的外邊緣設(shè)置。

12、一些實(shí)施例中，所述勵(lì)磁線圈設(shè)置為平面線圈。

13、一些實(shí)施例中，所述電磁加熱組件還包括：

14、支架，設(shè)置在所述導(dǎo)磁件靠近所述霧化腔的一側(cè)，所述支架上設(shè)有多個(gè)同心的限位槽，所述勵(lì)磁線圈為平面螺旋線圈且卡接在所述限位槽內(nèi)。

15、一些實(shí)施例中，所述平面螺旋線圈包括第一平面螺旋線圈和第二平面螺旋線圈，所述第一平面螺旋線圈和所述第二平面螺旋線圈在所述縱向上并行設(shè)置。

16、一些實(shí)施例中，還包括：

17、容器，設(shè)置在所述殼體內(nèi)，所述容器內(nèi)部形成至少部分所述霧化腔；

18、感受器，構(gòu)成所述容器的至少部分容器壁，其中，所述感受器包括沿橫向延伸的第四延伸部，所述第四延伸部與所述勵(lì)磁線圈平行設(shè)置；或，所述感受器包括第四延伸部和第五延伸部，所述第四延伸部沿橫向延伸，所述第五延伸部沿縱向朝遠(yuǎn)離所述勵(lì)磁線圈的一側(cè)延伸，且所述第五延伸部圍繞所述第四延伸部的至少部分外邊緣設(shè)置。

19、本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種氣溶膠生成系統(tǒng)，包括上述的氣溶膠生成裝置、氣溶膠生成基質(zhì)和感受器，所述氣溶膠生成基質(zhì)和所述感受器設(shè)置在所述霧化腔內(nèi)，所述氣溶膠生成基質(zhì)與所述感受器接觸，以在所述感受器加熱的條件下生成氣溶膠。

20、本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種氣溶膠生成系統(tǒng)，所述氣溶膠生成系統(tǒng)還包括：

21、根據(jù)上述任一項(xiàng)所述的氣溶膠生成裝置，所述殼體內(nèi)還設(shè)有儲(chǔ)液腔，所述儲(chǔ)液腔與所述霧化腔在縱向上依次設(shè)置；

22、基體，連通所述儲(chǔ)液腔，用于吸附所述儲(chǔ)液腔內(nèi)的液體氣溶膠；

23、感受器，所述感受器與所述基體接觸且與所述霧化腔連通。

24、一些實(shí)施例中，所述感受器為片狀，所述感受器包括：

25、聚磁部，設(shè)置為多個(gè)；

26、發(fā)熱部，連接多個(gè)所述聚磁部，所述發(fā)熱部的面積小于所述聚磁部的面積。

27、一些實(shí)施例中，所述發(fā)熱部設(shè)置為多個(gè)，多個(gè)所述發(fā)熱部間隔設(shè)置，靠近所述感受器的中心的發(fā)熱部的寬度小于遠(yuǎn)離所述感受器的中心的發(fā)熱部的寬度。

28、本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種氣溶膠生成裝置及系統(tǒng)，該氣溶膠生成裝置包括殼體、供電組件和磁力加熱組件，殼體內(nèi)設(shè)有霧化腔，霧化腔用于容納氣溶膠生成基質(zhì)，供電組件設(shè)置在殼體內(nèi)，電磁加熱組件設(shè)置在殼體內(nèi)，且與供電組件電連接，電磁加熱組件包括勵(lì)磁線圈和導(dǎo)磁件，霧化腔、勵(lì)磁線圈和導(dǎo)磁件在殼體的縱向依次設(shè)置。本實(shí)用新型實(shí)施例通過在氣溶膠生成裝置中設(shè)置導(dǎo)磁件，導(dǎo)磁件能夠?qū)?lì)磁線圈產(chǎn)生的磁力線起到匯聚作用，從而增強(qiáng)了霧化腔處的磁場(chǎng)強(qiáng)度，且將霧化腔、勵(lì)磁線圈和導(dǎo)磁件在縱向上依次設(shè)置，霧化腔用于安裝感受器，導(dǎo)磁件設(shè)置在勵(lì)磁線圈遠(yuǎn)離感受器的一側(cè)，導(dǎo)磁件能夠?qū)?lì)磁線圈遠(yuǎn)離感受器一側(cè)的磁力線起到阻擋作用，降低磁力線從導(dǎo)磁件遠(yuǎn)離感受器一側(cè)泄漏的風(fēng)險(xiǎn)，降低氣溶膠生成裝置的耗能，有利于提高勵(lì)磁線圈的電磁轉(zhuǎn)換效率，以提升整個(gè)氣溶膠生成裝置的產(chǎn)品性能和用戶體驗(yàn)。

技術(shù)特征：

1.一種氣溶膠生成裝置，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣溶膠生成裝置，其特征在于，所述導(dǎo)磁件包括第一延伸部和第二延伸部，所述第一延伸部沿所述殼體的橫向延伸，所述第二延伸部沿所述殼體的縱向延伸，所述第二延伸部至少部分設(shè)置在所述第一延伸部靠近所述霧化腔的一側(cè)，且所述勵(lì)磁線圈在所述橫向上套設(shè)在所述第二延伸部外側(cè)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氣溶膠生成裝置，其特征在于，所述第一延伸部與所述第二延伸部一體成型；

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氣溶膠生成裝置，其特征在于，沿所述殼體的縱向投影，所述勵(lì)磁線圈在所述第一延伸部上的投影面積小于等于所述第一延伸部的橫截面積。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氣溶膠生成裝置，其特征在于，所述導(dǎo)磁件還包括第三延伸部，所述第三延伸部沿所述縱向朝靠近所述霧化腔的方向延伸，且所述第三延伸部圍繞所述第一延伸部的外邊緣設(shè)置。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的氣溶膠生成裝置，其特征在于，所述勵(lì)磁線圈設(shè)置為平面線圈。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的氣溶膠生成裝置，其特征在于，所述電磁加熱組件還包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的氣溶膠生成裝置，其特征在于，所述平面螺旋線圈包括第一平面螺旋線圈和第二平面螺旋線圈，所述第一平面螺旋線圈和所述第二平面螺旋線圈在所述縱向上并行設(shè)置。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的氣溶膠生成裝置，其特征在于，還包括：

10.一種氣溶膠生成系統(tǒng)，其特征在于，包括權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的氣溶膠生成裝置、氣溶膠生成基質(zhì)和感受器，所述氣溶膠生成基質(zhì)和所述感受器設(shè)置在所述霧化腔內(nèi)，所述氣溶膠生成基質(zhì)與所述感受器接觸，以在所述感受器加熱的條件下生成氣溶膠。

11.一種氣溶膠生成系統(tǒng)，其特征在于，所述氣溶膠生成系統(tǒng)還包括：

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的氣溶膠生成系統(tǒng)，其特征在于，所述感受器為片狀，所述感受器包括：

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的氣溶膠生成系統(tǒng)，其特征在于，所述發(fā)熱部設(shè)置為多個(gè)，多個(gè)所述發(fā)熱部間隔設(shè)置，靠近所述感受器的中心的發(fā)熱部的寬度小于遠(yuǎn)離所述感受器的中心的發(fā)熱部的寬度。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)提供一種氣溶膠生成裝置及系統(tǒng)，該氣溶膠生成裝置包括：殼體，內(nèi)部設(shè)有霧化腔，用于收容氣溶膠生成基質(zhì)；供電組件，設(shè)置在所述殼體內(nèi)；電磁加熱組件，設(shè)置在所述殼體內(nèi)，且與所述供電組件電連接；所述電磁加熱組件包括勵(lì)磁線圈和導(dǎo)磁件，所述霧化腔、所述勵(lì)磁線圈和所述導(dǎo)磁件在所述殼體的縱向方向上依次設(shè)置。

技術(shù)研發(fā)人員：郭興家,王帥,劉滔文,邱水偉
受保護(hù)的技術(shù)使用者：深圳麥克韋爾科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20231213
技術(shù)公布日：2024/12/12