本申請涉及電子霧化，特別涉及一種電子霧化設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、相關(guān)技術(shù)中，電子霧化設(shè)備氣流噪聲較大區(qū)域往往是在氣道過流面積較小的縫隙(如type-c母座間隙、電池與電子霧化設(shè)備殼體之間間隙)或過流孔(如進氣通道、節(jié)流通道-電子霧化設(shè)備吸阻或流量控制通道)中。其中，節(jié)流通道及其周邊大概率是整個電子霧化設(shè)備的氣道中最大氣流噪聲分布區(qū)。進一步分析可知，節(jié)流通道的橫截面面積小，抽吸體驗時節(jié)流通道流速大增，相關(guān)氣道附近氣流紊流、渦流強度、氣道壓力的脈動強度和頻率也隨之增大，從而產(chǎn)生人體可感知的氣流噪聲波，最終導致用戶抽吸體驗舒適感、愉悅感下降。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本申請旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一。為此，本申請?zhí)岢鲆环N電子霧化設(shè)備，能夠降低電子霧化設(shè)備的氣流噪聲，優(yōu)化使用體驗。

2、本申請實施例的電子霧化設(shè)備，包括：

3、氣道結(jié)構(gòu)，具有氣流通道；

4、降噪結(jié)構(gòu)，包括結(jié)構(gòu)本體和凸起，所述結(jié)構(gòu)本體的一端與所述氣道結(jié)構(gòu)的出氣端連接，所述結(jié)構(gòu)本體具有與所述氣流通道相連通的流道，所述凸起的一端與所述結(jié)構(gòu)本體的另一端連接，所述凸起的另一端為自由端且沿所述氣流通道內(nèi)的氣流方向延伸；

5、其中，所述凸起的數(shù)量為一個或一個以上，所述凸起沿所述流道的周向間隔設(shè)置。

6、進一步地，所述凸起為齒狀結(jié)構(gòu)，所述齒狀結(jié)構(gòu)包括齒根、齒頂及齒廓表面，所述齒廓表面位于所述齒根和所述齒頂之間。

7、進一步地，所述齒廓表面靠近所述結(jié)構(gòu)本體內(nèi)壁面的一端與另一相鄰所述齒廓表面之間具有間隙；或者，所述齒廓表面靠近所述結(jié)構(gòu)本體內(nèi)壁面的一端與另一相鄰所述齒廓表面相交。

8、進一步地，沿所述氣流通道內(nèi)的氣流流動方向，所述齒狀結(jié)構(gòu)的橫截面積逐漸減??；沿遠離所述氣流通道中心方向，所述齒狀結(jié)構(gòu)的齒寬保持不變或逐漸減小。

9、進一步地，所述凸起的數(shù)量為多個，任意相鄰兩個所述齒狀結(jié)構(gòu)之間的間隔大于所述齒狀結(jié)構(gòu)的齒寬的最大寬度。

10、進一步地，所述齒狀結(jié)構(gòu)的內(nèi)壁面與所述齒廓表面形成有相貫線；和/或，所述齒狀結(jié)構(gòu)的內(nèi)壁面與所述齒頂之間形成有相貫線；和/或，所述齒狀結(jié)構(gòu)的內(nèi)壁面與所述齒根形成有相貫線。

11、進一步地，所述齒狀結(jié)構(gòu)的外壁面與所述齒廓表面圓滑過渡；和/或，所述齒狀結(jié)構(gòu)的外壁面與所述齒頂圓滑過渡；和/或所述齒狀結(jié)構(gòu)的外壁面與所述齒根圓滑過渡。

12、進一步地，所述凸起的數(shù)量為一個以上，即所述齒狀結(jié)構(gòu)的數(shù)量為一個以上，任意兩個所述齒狀結(jié)構(gòu)相同或不同。

13、進一步地，所述齒狀結(jié)構(gòu)為直齒、斜齒、螺旋齒、錐齒中的一種。

14、進一步地，所述齒狀結(jié)構(gòu)沿所述氣道周向方向的截面為鋸齒狀、花瓣狀、或數(shù)學函數(shù)波形圖中的一種。

15、進一步地，所述降噪結(jié)構(gòu)與所述氣道結(jié)構(gòu)一體成型；或者，所述降噪結(jié)構(gòu)內(nèi)嵌于所述氣道結(jié)構(gòu)內(nèi)；或者，所述降噪結(jié)構(gòu)套設(shè)于所述氣道結(jié)構(gòu)的外周；或者，所述降噪結(jié)構(gòu)一端端面與所述氣道結(jié)構(gòu)的端面固定連接。

16、進一步地，所述流道與所述氣流通道平滑過渡。

17、根據(jù)本申請實施例的電子霧化設(shè)備，至少具有如下有益效果：本申請實施例中，氣流通道內(nèi)的氣流流入降噪結(jié)構(gòu)后，氣流首先經(jīng)過凸起的根部，氣流經(jīng)過凸起的根部位置時產(chǎn)向上的射流，該射流能夠破壞由吸力面脫落的漩渦，并加強尾跡與流道內(nèi)主流氣流間摻混，可以減弱主流氣流中湍流的脈動強度，從而抑制峰值噪聲的產(chǎn)生，利于降低電子霧化設(shè)備內(nèi)的氣流噪聲。

18、本申請的附加方面和優(yōu)點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本申請的實踐了解到。

技術(shù)特征：

1.一種電子霧化設(shè)備，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子霧化設(shè)備，其特征在于，所述凸起為齒狀結(jié)構(gòu)，所述齒狀結(jié)構(gòu)包括齒根、齒頂及齒廓表面，所述齒廓表面位于所述齒根和所述齒頂之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子霧化設(shè)備，其特征在于，所述齒廓表面靠近所述結(jié)構(gòu)本體內(nèi)壁面的一端與另一相鄰所述齒廓表面之間具有間隙；或者，所述齒廓表面靠近所述結(jié)構(gòu)本體內(nèi)壁面的一端與另一相鄰所述齒廓表面相交。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子霧化設(shè)備，其特征在于，沿所述氣流通道內(nèi)的氣流流動方向，所述齒狀結(jié)構(gòu)的橫截面積逐漸減小；沿遠離所述氣流通道中心方向，所述齒狀結(jié)構(gòu)的齒寬保持不變或逐漸減小。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電子霧化設(shè)備，其特征在于，所述凸起的數(shù)量為多個，任意相鄰兩個所述齒狀結(jié)構(gòu)之間的間隔大于所述齒狀結(jié)構(gòu)的齒寬的最大寬度。

6.根據(jù)權(quán)利要求2至5任一項所述的電子霧化設(shè)備，其特征在于，所述齒狀結(jié)構(gòu)的內(nèi)壁面與所述齒廓表面形成有相貫線；和/或，所述齒狀結(jié)構(gòu)的內(nèi)壁面與所述齒頂之間形成有相貫線；和/或，所述齒狀結(jié)構(gòu)的內(nèi)壁面與所述齒根形成有相貫線。

7.根據(jù)權(quán)利要求2至5任一項所述的電子霧化設(shè)備，其特征在于，所述齒狀結(jié)構(gòu)的外壁面與所述齒廓表面圓滑過渡；和/或，所述齒狀結(jié)構(gòu)的外壁面與所述齒頂圓滑過渡；和/或所述齒狀結(jié)構(gòu)的外壁面與所述齒根圓滑過渡。

8.根據(jù)權(quán)利要求2至5任一項所述的電子霧化設(shè)備，其特征在于，所述凸起的數(shù)量為一個以上，即所述齒狀結(jié)構(gòu)的數(shù)量為一個以上，任意兩個所述齒狀結(jié)構(gòu)相同或不同。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電子霧化設(shè)備，其特征在于，所述齒狀結(jié)構(gòu)為直齒、斜齒、螺旋齒、錐齒中的一種。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電子霧化設(shè)備，其特征在于，所述齒狀結(jié)構(gòu)沿所述氣道周向方向的截面為鋸齒狀、花瓣狀、或數(shù)學函數(shù)波形圖中的一種。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子霧化設(shè)備，其特征在于，所述降噪結(jié)構(gòu)與所述氣道結(jié)構(gòu)一體成型；或者，所述降噪結(jié)構(gòu)內(nèi)嵌于所述氣道結(jié)構(gòu)內(nèi)；或者，所述降噪結(jié)構(gòu)套設(shè)于所述氣道結(jié)構(gòu)的外周；或者，所述降噪結(jié)構(gòu)一端端面與所述氣道結(jié)構(gòu)的端面固定連接。

技術(shù)總結(jié)
本申請公開了一種電子霧化設(shè)備，包括：氣道結(jié)構(gòu)，具有氣流通道；降噪結(jié)構(gòu)，包括結(jié)構(gòu)本體和凸起，結(jié)構(gòu)本體的一端與氣道結(jié)構(gòu)的出氣端連接，結(jié)構(gòu)本體具有與氣流通道相連通的流道，凸起的一端與結(jié)構(gòu)本體的另一端連接，凸起的另一端為自由端且沿遠離氣流通道的出氣端方向延伸；其中，凸起的數(shù)量為一個或一個以上，凸起沿流道的周向間隔設(shè)置。本申請實施例中，氣流通道中的氣流流經(jīng)凸起的根部位置時會產(chǎn)生向上的射流，該射流破壞能夠破壞由吸力面脫落的漩渦，并加強尾跡與氣流通道內(nèi)的主流氣流間摻混，可以減弱主流氣流中湍流的脈動強度，從而抑制峰值噪聲的產(chǎn)生，從而降噪氣流噪聲。

技術(shù)研發(fā)人員：魏武,汪泉,丁晗暉,王強偉,梁俊翔,吳偉,張海波
受保護的技術(shù)使用者：深圳市卓力能技術(shù)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20231221
技術(shù)公布日：2024/9/17