本申請實施例涉及氣溶膠生成，特別涉及氣溶膠生成裝置。

背景技術(shù)：

1、氣溶膠生成裝置在工作狀態(tài)下，如果氣溶膠生成裝置的發(fā)熱體持續(xù)工作較長的時間，則會使發(fā)熱體產(chǎn)生的熱量過多，甚至將熱量傳導(dǎo)至氣溶膠生成裝置的殼體，使氣溶膠生成裝置的殼體溫度升高，這種情況下，當(dāng)氣溶膠生成裝置的殼體溫度過高時，將嚴(yán)重影響用戶的使用體驗。特別是在氣溶膠生成裝置不斷小型化的趨勢下，氣溶膠生成裝置的散熱空間減小，殼體的溫升問題就更加嚴(yán)峻。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、為解決氣溶膠生成裝置在工作中，殼體表面溫度過高的問題。

2、本申請的一個實施例提供一種氣溶膠生成裝置，包括：殼體；

3、加熱組件，加熱組件設(shè)置于殼體內(nèi)，用于產(chǎn)生熱量以加熱氣溶膠生成制品；

4、制冷膜層，制冷膜層設(shè)置于殼體背離加熱組件的表面，用于向外界輻射自加熱組件傳遞至殼體的部分熱量。

5、本申請的一個實施例提供一種氣溶膠生成裝置，制冷膜層包括輻射層，輻射層的發(fā)射率為0.9-1.0。

6、本申請的一個實施例提供一種氣溶膠生成裝置，制冷膜層還包括反射層，反射層的反射率為0.8-1.0。

7、本申請的一個實施例提供一種氣溶膠生成裝置，殼體為金屬或者合金殼體，并且殼體的厚度為0.3-1.0mm。

8、本申請的一個實施例提供一種氣溶膠生成裝置，殼體和制冷膜層之間還設(shè)置有噴砂氧化層。

9、本申請的一個實施例提供一種氣溶膠生成裝置，殼體與加熱組件間隔設(shè)置，并且二者之間設(shè)置有至少一層絕熱機構(gòu)。

10、本申請的一個實施例提供一種氣溶膠生成裝置，制冷膜層的厚度為10-500μm。

11、本申請的一個實施例提供一種氣溶膠生成裝置，制冷膜層包括輻射層、反射層和粘膠層，反射層位于輻射層和粘膠層之間，粘膠層設(shè)置于殼體外側(cè)表面，用于和殼體外側(cè)表面粘接。

12、本申請的一個實施例提供一種氣溶膠生成裝置，輻射層包括聚二甲基硅氧烷層和納米二氧化硅中的至少一種，和/或反射層為銀涂層，和/或粘膠層為靜電硅膠層。

13、本申請的一個實施例提供一種氣溶膠生成裝置，加熱組件包括加熱針，加熱針插入氣溶膠生成制品的內(nèi)部；

14、或者加熱組件包括加熱管，加熱管用于容納氣溶膠生成制品。

15、本申請?zhí)峁┑闹评淠た梢詫⒓訜峤M件傳導(dǎo)至殼體的熱量擴散至空氣中，有效降低殼體表面的溫度，提升了用戶體驗感。

技術(shù)特征：

1.一種氣溶膠生成裝置，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣溶膠生成裝置，其特征在于，所述制冷膜層包括輻射層，所述輻射層的發(fā)射率為0.9-1.0。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氣溶膠生成裝置，其特征在于，所述制冷膜層還包括反射層，所述反射層的反射率為0.8-1.0。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣溶膠生成裝置，其特征在于，所述殼體為金屬或者合金殼體，并且所述殼體的厚度為0.3-1.0mm。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的氣溶膠生成裝置，其特征在于，所述殼體和所述制冷膜層之間還設(shè)置有噴砂氧化層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣溶膠生成裝置，其特征在于，所述殼體與所述加熱組件間隔設(shè)置，并且二者之間設(shè)置有至少一層絕熱機構(gòu)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣溶膠生成裝置，其特征在于，所述制冷膜層的厚度為10-500μm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣溶膠生成裝置，其特征在于，所述制冷膜層包括輻射層、反射層和粘膠層，所述反射層位于所述輻射層和所述粘膠層之間，所述粘膠層設(shè)置于所述殼體外側(cè)表面，用于和所述殼體外側(cè)表面粘接。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣溶膠生成裝置，其特征在于，所述加熱組件包括加熱針，所述加熱針插入所述氣溶膠生成制品的內(nèi)部；

技術(shù)總結(jié)
本申請?zhí)峁┮环N氣溶膠生成裝置包括：殼體；加熱組件，加熱組件設(shè)置于殼體內(nèi)，用于產(chǎn)生熱量以加熱氣溶膠生成制品；制冷膜層，制冷膜層設(shè)置于殼體背離加熱組件的表面，用于向外界輻射自加熱組件傳遞至殼體的部分熱量。本申請?zhí)峁┑闹评淠た梢詫⒓訜峤M件傳導(dǎo)至殼體的熱量擴散至空氣中，有效降低殼體表面的溫度，提升了用戶體驗感。

技術(shù)研發(fā)人員：朱彬,陳小波,徐中立,李永海
受保護(hù)的技術(shù)使用者：深圳市合元科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240202
技術(shù)公布日：2024/12/10