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      加熱組件及氣溶膠生成裝置的制作方法

      文檔序號(hào):40272187發(fā)布日期:2024-12-11 13:06閱讀:11來源:國知局
      加熱組件及氣溶膠生成裝置的制作方法

      【】本申請(qǐng)實(shí)施例涉及氣溶膠,尤其涉及一種加熱組件及氣溶膠生成裝置。

      背景技術(shù)

      0、
      背景技術(shù):

      1、傳統(tǒng)煙草生成基質(zhì)(例如,香煙、雪茄等)在使用過程中燃燒煙草以產(chǎn)生煙草煙霧,現(xiàn)有技術(shù)已存在通過加熱而不燃燒的情況下釋放化合物的產(chǎn)品來替代這些傳統(tǒng)煙草生成基質(zhì)。

      2、此類產(chǎn)品的示例為氣溶膠生成裝置,氣溶膠生成裝置可加熱氣溶膠生成制品來產(chǎn)生供用戶抽吸的氣溶膠?,F(xiàn)有氣溶膠生成裝置的加熱方式包括空氣加熱,空氣加熱通常包括一個(gè)加熱基體,加熱基體中形成有空氣通道,以及在加熱基體中設(shè)置加熱元件,加熱元件產(chǎn)生的熱量傳遞給加熱基體,進(jìn)而使加熱基體可加熱空氣通道中的空氣形成熱氣流,由熱氣流來加熱氣溶膠生成制品產(chǎn)生氣溶膠。

      3、現(xiàn)有空氣加熱方式中加熱元件和加熱基體之間的熱傳導(dǎo)效率不夠高,從而導(dǎo)致氣溶膠生成制品受熱不夠充分,產(chǎn)生的氣溶膠口感欠佳。


      技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

      0、
      技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

      1、本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種加熱組件,以解決現(xiàn)有空氣加熱方式加熱元件和加熱基體之間的熱傳導(dǎo)效率不夠高,從而導(dǎo)致氣溶膠生成制品受熱不夠充分,產(chǎn)生的氣溶膠口感欠佳的技術(shù)問題。

      2、一種加熱組件,包括:

      3、基體,具有相對(duì)設(shè)置的第一表面及第二表面,及連通所述第一表面及所述第二表面的空氣通道,所述第一表面用于供外部空氣進(jìn)入所述空氣通道,所述第二表面用于供所述外部空氣逸出所述空氣通道;

      4、第一加熱元件,設(shè)置于所述基體內(nèi),所述第一加熱元件用于產(chǎn)生熱量并將所述熱量傳遞給所述基體,進(jìn)而使所述基體加熱所述空氣通道中的外部空氣以形成熱氣流,所述熱氣流用于加熱氣溶膠生成制品以產(chǎn)生氣溶膠;

      5、其中,所述基體內(nèi)形成有腔室,所述基體還包括于所述腔室中延伸的延伸部,所述第一加熱元件定位于所述腔室中并環(huán)繞所述延伸部,所述第一加熱元件分別與所述腔室的內(nèi)壁及所述延伸部的外表面相接觸。

      6、在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述第一加熱元件被配置成被變化的磁場穿透而發(fā)熱。

      7、在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述第一加熱元件與所述基體共同燒結(jié)成型。

      8、在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述第一加熱元件夾持于所述腔室的內(nèi)壁及所述延伸部的外表面之間,以將所述第一加熱元件固定于所述腔室中。

      9、在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述空氣通道包括多個(gè),多個(gè)所述空氣通道環(huán)繞于所述腔室。

      10、在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述腔室位于所述基體的中心。

      11、在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述加熱組件還包括中空設(shè)置的管狀體,所述管狀體用于收容所述氣溶膠生成制品的至少一部分,所述基體設(shè)置于所述管狀體的中空區(qū)域,所述管狀體的外表面附著有用于加熱所述氣溶膠生成制品的第二加熱元件。

      12、在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述加熱組件還包括設(shè)置于所述中空區(qū)域的支架,所述支架用于支撐所述氣溶膠生成制品,以使所述第二表面與所述氣溶膠生成制品之間保持有第一間隙。

      13、在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述支架包括用于支撐所述氣溶膠生成制品的端面,及自所述端面延伸的側(cè)壁,所述管狀體的內(nèi)壁與所述基體的外表面之間保持有第二間隙,所述側(cè)壁延伸至所述第二間隙中。

      14、在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述管狀體設(shè)置有第一通孔,所述支架設(shè)置有第二通孔,所述基體的外表面形成有凹槽,所述加熱組件還包括緊固件,所述緊固件穿過所述第一通孔及所述第二通孔并延伸至所述凹槽中,進(jìn)而將所述管狀體、所述支架及所述基體固定連接。

      15、在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述管狀體的外表面繞制有用于產(chǎn)生變化磁場的感應(yīng)線圈,所述第一加熱元件被配置成被所述變化磁場穿透而發(fā)熱,所述支架至少部分由氧化鋯制成。

      16、本申請(qǐng)實(shí)施例還提供了一種氣溶膠生成裝置,包括以上實(shí)施例所述的加熱組件,及用于給所述加熱組件提供電能的電源單元。

      17、本申請(qǐng)實(shí)施例提供的加熱組件,加熱組件的基體包括腔室及延伸于腔室中的延伸部,第一加熱元件設(shè)置于腔室中并環(huán)繞延伸部,第一加熱元件分別與腔室的內(nèi)壁和延伸部的外表面相接觸,從而提高了第一加熱元件與基體的接觸面積,進(jìn)而提高了第一加熱元件和基體之間的熱傳導(dǎo)效率。



      技術(shù)特征:

      1.一種加熱組件,其特征在于,包括:

      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加熱組件,其特征在于,所述第一加熱元件被配置成被變化的磁場穿透而發(fā)熱。

      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加熱組件,其特征在于,所述第一加熱元件與所述基體共同燒結(jié)成型。

      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加熱組件,其特征在于,所述第一加熱元件夾持于所述腔室的內(nèi)壁及所述延伸部的外表面之間,以將所述第一加熱元件固定于所述腔室中。

      5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加熱組件,其特征在于,所述空氣通道包括多個(gè),多個(gè)所述空氣通道環(huán)繞于所述腔室。

      6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加熱組件,其特征在于,所述腔室位于所述基體的中心。

      7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加熱組件,其特征在于,所述加熱組件還包括中空設(shè)置的管狀體,所述管狀體用于收容所述氣溶膠生成制品的至少一部分,所述基體設(shè)置于所述管狀體的中空區(qū)域,所述管狀體的外表面附著有用于加熱所述氣溶膠生成制品的第二加熱元件。

      8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的加熱組件,其特征在于,所述加熱組件還包括設(shè)置于所述中空區(qū)域的支架,所述支架用于支撐所述氣溶膠生成制品,以使所述第二表面與所述氣溶膠生成制品之間保持有第一間隙。

      9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的加熱組件,其特征在于,所述支架包括用于支撐所述氣溶膠生成制品的端面,及自所述端面延伸的側(cè)壁,所述管狀體的內(nèi)壁與所述基體的外表面之間保持有第二間隙,所述側(cè)壁延伸至所述第二間隙中。

      10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的加熱組件,其特征在于,所述管狀體設(shè)置有第一通孔,所述支架設(shè)置有第二通孔,所述基體的外表面形成有凹槽,所述加熱組件還包括緊固件,所述緊固件穿過所述第一通孔及所述第二通孔并延伸至所述凹槽中,進(jìn)而將所述管狀體、所述支架及所述基體固定連接。

      11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的加熱組件,其特征在于,所述管狀體的外表面繞制有用于產(chǎn)生變化磁場的感應(yīng)線圈,所述第一加熱元件被配置成被所述變化磁場穿透而發(fā)熱,所述支架至少部分由氧化鋯制成。

      12.一種氣溶膠生成裝置,其特征在于,包括權(quán)利要求1-11任一項(xiàng)所述的加熱組件,及用于給所述加熱組件提供電能的電源單元。


      技術(shù)總結(jié)
      本申請(qǐng)實(shí)施例公開了一種加熱組件及氣溶膠生成裝置,加熱組件包括:基體,具有相對(duì)設(shè)置的第一表面及第二表面,及連通第一表面及第二表面的空氣通道,第一表面用于供外部空氣進(jìn)入空氣通道,所述第二表面用于供外部空氣逸出空氣通道;第一加熱元件,設(shè)置于基體內(nèi),第一加熱元件用于產(chǎn)生熱量并將熱量傳遞給基體,進(jìn)而使基體加熱空氣通道中的外部空氣以形成熱氣流,熱氣流用于加熱氣溶膠生成制品以產(chǎn)生氣溶膠;其中,基體內(nèi)形成有腔室,基體還包括于腔室中延伸的延伸部,第一加熱元件定位于腔室中并環(huán)繞延伸部第一加熱元件分別與腔室的內(nèi)壁及延伸部的外表面相接觸。通過上述方式,有效提高了第一加熱元件和基體支架的熱傳導(dǎo)效率。

      技術(shù)研發(fā)人員:吳濤,林福文,胡瑞龍,徐中立,李永海
      受保護(hù)的技術(shù)使用者:深圳市合元科技有限公司
      技術(shù)研發(fā)日:20240408
      技術(shù)公布日:2024/12/10
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