專利名稱：具有電離裝置的頭發(fā)護(hù)理設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種頭發(fā)護(hù)理設(shè)備，其具有至少一個用于頭發(fā)靜電放 電的電離裝置。
背景技術(shù)：
在刷頭發(fā)、梳頭發(fā)或者干頭發(fā)的時候經(jīng)常會出現(xiàn)不期望的頭發(fā)靜 電充電，靜電充電尤其會給想要的形狀和發(fā)型造成困難。從所涉及人 的不愉快經(jīng)歷看來，在帶電的頭發(fā)上增多地積聚灰塵微粒，而且這就 可以導(dǎo)致更快的變臟。
于是由現(xiàn)有技術(shù)，例如由DE 80 18 566 Ul用于頭發(fā)吹干機的電離 裝置被公知，通過所述電離裝置電荷可以被中和。在此電離裝置包括 由脈沖發(fā)生電路形成的高壓回路，該高壓回路為位于熱空氣管路的端 部區(qū)域的電離電極饋電。
此外由DE 103 51 265 Al —種電離裝置被公知，在該電離裝置中 電離電極由電導(dǎo)體整體地形成，電導(dǎo)體將電離裝置與高壓源導(dǎo)電地連 接。
此外US 5，612，849A描述了一種帶有離子源的頭發(fā)吹干機，所述 離子源將離子附加在從排氣口流出來的氣流上。點狀的離子源，例如 針，在此安置在靠近排氣口中心或者是安置在排氣口中心。排氣口具 有同中心的引導(dǎo)部和凹形的反射體，反射體安置在離子源的后面。
DE 20 2004 003 593 Ul最終描述了用于帶有發(fā)出離子電極的巻發(fā) 夾子的向內(nèi)旋轉(zhuǎn)的操作手柄，電極關(guān)于其離子發(fā)出端部的安置而構(gòu)成，從而直接發(fā)出離子到在被操作手柄保持的巻發(fā)夾子中盤巻的頭發(fā)上。
前述的構(gòu)成有電離裝置的頭發(fā)護(hù)理設(shè)備的總體的問題在于，為了 輸送離子到待中和的頭發(fā)上，始終需要一種載體媒介，例如氣流。這 迫使下述是必要的，即電離裝置安置在氣流中或者安置在氣流的直接 貼近處。 一方面頭發(fā)護(hù)理設(shè)備的構(gòu)造自由由此受到限制并且另一方面 這種電離裝置的應(yīng)用范圍限制于這種產(chǎn)生氣流的頭發(fā)護(hù)理設(shè)備。
此外基于必然處于氣流中的漩渦，將離子針對性地并且受控制地 施加到頭發(fā)上僅以非常困難的方式可以達(dá)到。尤其是由于在排氣口中 的不可避免的和難以控制的空氣漩渦，離子的不小的部分根本不能到 達(dá)待中和的頭發(fā)。
此外在現(xiàn)有技術(shù)所公知的電離裝置中，電離尖端至少由針或者彎 曲的金屬片產(chǎn)生，其不僅在離子流方向而且在許多其他方向具有尖端， 尖端具有集中電場的作用。
僅通過電離尖端與引導(dǎo)高壓的高壓電纜的電連接以及通過尖端的 支承得到并聯(lián)電容和電阻，其在電離裝置的運行中引導(dǎo)并聯(lián)電流，由 此在電離尖端上可以達(dá)到的電壓大大地降低了。
然而為了能夠在電離尖端上提供對于電離足夠的高壓供使用，在 所述安置中，高壓源必須選取相應(yīng)大的尺寸。
由DE 20 2004 003 593 Ul所公知的電離裝置是為了直接發(fā)出離子 到圍繞巻發(fā)夾子纏巻的頭發(fā)上而專門構(gòu)成。在此待加載離子的頭發(fā)或 者發(fā)叢必須安置在發(fā)出離子的電極的直接貼近處。

發(fā)明內(nèi)容
與此相對，本發(fā)明具有任務(wù)，即提供一種頭發(fā)護(hù)理設(shè)備供使用，其具有在效率、有效系數(shù)、成產(chǎn)成本以及材料損耗方面更好的電離裝 置。此外，本發(fā)明具有如下目的，即實現(xiàn)電離源的更大的應(yīng)用范圍。 尤其是應(yīng)該使得有效的和達(dá)到遠(yuǎn)距離的離子擴散在沒有載體媒介或者
氣流的情況下也能實現(xiàn)，以及此外應(yīng)該實現(xiàn)具有小尺寸和小的能量消 耗的高壓源的應(yīng)用。
本發(fā)明基于其的任務(wù)借助具有權(quán)利要求1特征的頭發(fā)護(hù)理設(shè)備得 以解決。本發(fā)明的另外的具有優(yōu)點的實施方式在從屬權(quán)利要求中說明。
根據(jù)本發(fā)明的頭發(fā)護(hù)理設(shè)備，具有至少一個用于產(chǎn)生空氣電離的 電離裝置和高壓電源，該高壓電源借助至少一個電導(dǎo)體與電離裝置連 接。導(dǎo)體的自由端部構(gòu)成為電離電極并且為此具有至少一個尖端地構(gòu) 成的區(qū)域。
本發(fā)明尤其以下述著稱，即電離電極安置在鞘形地并且向著一個 側(cè)面開放地構(gòu)成的電離室內(nèi)。
電離室開放構(gòu)成的側(cè)面或者說作為開口構(gòu)成的區(qū)域使得離子的不 受阻礙的溢出成為可能，離子在電離室內(nèi)電離電極上形成。在此特別 有意義的是，結(jié)構(gòu)方面沒有物體(例如絕緣柵和安全柵)覆蓋電離室 的開口。
于是在頭發(fā)護(hù)理設(shè)備或者電離裝置運行時設(shè)置為，在電離電極上 形成的離子僅通過靜電條件決定的作用從電離室中溢出并且優(yōu)選在形 成大體積的離子云條件下擴散。
因為根據(jù)本發(fā)明的電離裝置使得離子云自動的和大面積的擴散成 為可能，所以可以放棄作為所產(chǎn)生的離子的載體媒介的氣流，由此電 離裝置可以總體多方面地和廣泛地使用。根據(jù)本發(fā)明的頭發(fā)護(hù)理設(shè)備因此包括所有的頭發(fā)干燥設(shè)備和頭發(fā) 成型設(shè)備，例如直發(fā)器或者巻發(fā)器，而不限制于這種產(chǎn)生氣流的設(shè)備。
根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式，與電離電極有一定間距設(shè)置有反電 極。借助所述反電極，從電離室溢出的離子云可以被有針對性地影響 和調(diào)節(jié)。通過在電離電極和反電極之間的預(yù)定的電位梯度，能夠控制 和調(diào)節(jié)在電離室內(nèi)產(chǎn)生的離子的數(shù)量、擴散方向以及擴散速度。
此外設(shè)置為，反電極安置在電離室的外面。在此反電極優(yōu)選放置 在電離室的開放構(gòu)成的側(cè)面上，以使得由電離尖端產(chǎn)生的離子可以在 從電離室溢出的時候沿著朝向反電極的方向運動。
此外具有優(yōu)點是，反電極具有基本上平板狀的幾何形狀或者基本 上直線狀的延伸。兩個電極反電極和電離電極尤其是以不對稱的方 式構(gòu)成。電離電極優(yōu)選具有小于3mm的曲率半徑并且尤其是在剖面上
圓形地或者圓柱形地構(gòu)成。與此相對，反電極平板狀地、平面狀地和/
或以大于lcm的曲率半徑構(gòu)成。通過兩個電極的安置應(yīng)當(dāng)可以產(chǎn)生特 別的電暈放電，在電暈放電時產(chǎn)生優(yōu)選持久的、通過兩個電極之間的 空氣帶有所產(chǎn)生的作為載流子的離子的電流。
根據(jù)另外的實施方式設(shè)置為，反電極關(guān)于電離室的幾何形狀相對 于電離電極徑向和/或軸向錯開地安置。兩個電極電離電極和反電極
的相對定位、互相取向以及間距對于離子云的產(chǎn)生以及總體的電離裝 置的效率具有重大意義。
與電離室的幾何形狀、電極的相對取向和安置相關(guān)的參數(shù)優(yōu)選如 此優(yōu)化并且相互配合，即在預(yù)定的電壓值情況下在電離電極和反電極 之間可以產(chǎn)生最多的離子。
根據(jù)本發(fā)明的另外的具有優(yōu)點的實施方式，電離電極大約居中地安置在電離室的內(nèi)部。
此外可以設(shè)置為，電離電極的尖端區(qū)域基本上沿電離室的軸向方 向延伸。電離電極或者說其至少區(qū)域方式逐漸變尖的自由端部優(yōu)選平 行于產(chǎn)生的離子流的方向或者離子云的擴散方向取向。
根據(jù)另外優(yōu)選的實施方式，電離電極沿電離室的軸向方向放置在 電離室開口的區(qū)域內(nèi)。作為用于電離電極定位的軸向區(qū)域，電離電極 的安置根據(jù)本發(fā)明的另外的構(gòu)造方式可以作如下考慮，即其自由端部 也超出電離室的邊緣地伸展出來。
根據(jù)另外的實施方式設(shè)置為，電離電極的自由端部在電離室的內(nèi) 部并從電離室的邊緣縮進(jìn)地安置。另外的位于其間的實施方式，例如 將電離電極與電離室的邊緣齊平地安置也同樣是可以考慮的。
電離電極關(guān)于電離室的幾何形狀的軸向定位對于盡可能大的離子 云的構(gòu)成具有重要意義。
此外設(shè)置為，電離室圓柱形地構(gòu)成。
電離室的替代實施方式具有帶兩個對稱軸線的橢圓形的橫截面。 電離室的這種對稱的幾何形狀也同圓柱形的構(gòu)造一樣對于電離的空氣 分子的均質(zhì)云的構(gòu)成是有利的。
按照另外的優(yōu)選的實施方式設(shè)置為，在高壓源和電離裝置、各個 電離電極之間的電導(dǎo)體構(gòu)成為不間斷的且絕緣的高壓電纜。
只要頭發(fā)護(hù)理設(shè)備具有多個(例如空間上相互分離地安置的)電 離裝置，則對于每個電離電極設(shè)置有單獨的高壓電纜，以使得除支路 外在高壓源和電離裝置之間的高壓電纜可以被避免。電離裝置的電極不間斷地并且沒有其它連接物地直接與高壓源電 連接。棱邊、階或者諸如此類(其可能在單獨的金屬電極至連接電纜 的過渡中產(chǎn)生)通過構(gòu)成不間斷的連接而被回避。與這種棱邊或者是 階相關(guān)聯(lián)的場集中以及與此相關(guān)聯(lián)的對于離子射出的效率損失可以因 此以簡單的方法和方式避免。
根據(jù)本發(fā)明的另外的優(yōu)選的實施方式，電離電極的尖端區(qū)域通過 剪切而形成。為此特別地設(shè)置與高壓源連接的電導(dǎo)體的自由端部的傾 斜切面。這樣可以產(chǎn)生電離電極的鋒利棱邊的和逐漸變尖的區(qū)域，在 該區(qū)域上出現(xiàn)高的場集中，高的場集中對于有效的離子發(fā)射是有利的。
導(dǎo)體的傾斜的剪切可以簡單地實現(xiàn)并且此外有利于在電極上形成 的離子的放射。此外設(shè)置為，電導(dǎo)體構(gòu)成為多股線電纜并且電離電極 具有多個相互間隔安置的和/或相互扇形分開的尖端區(qū)域。那么所述區(qū) 域作為多股線端部或者電纜芯線端部構(gòu)成。以這種方法和方式離子射 出可以得到提高。多股線端部或電纜芯線端部在此既可以徑向地也可 以軸向地相互錯開安置。
為了形成電離電極的尖端，以優(yōu)選相對于導(dǎo)體方向在30°到70°，
優(yōu)選大約在45°到60。的角度的方式實現(xiàn)傾斜切面，以使得形成相對于 導(dǎo)體方向在大約20°到大約60°，優(yōu)選大約在30°到45。的電離電極的 尖端。
根據(jù)本發(fā)明的另外的具有優(yōu)點的實施方式，高壓源具有2kV到 7kV的空載電壓，其中，高壓源的內(nèi)阻優(yōu)選為5兆歐到30兆歐，尤其 是10兆歐。所述高內(nèi)阻使得，可以達(dá)到足夠小的短路電流。
此外，高壓源的高的內(nèi)阻也對電離室的向一個側(cè)面開放的構(gòu)造以 及其中安置的裸露的電離電極具有優(yōu)點，特別是，離子云的擴散應(yīng)該不會受到任何結(jié)構(gòu)上的保護(hù)措施(例如柵)的妨礙。
根據(jù)本發(fā)明的另外的實施方式設(shè)置為，高壓源、電極和電導(dǎo)體如 此構(gòu)成，在電極上施加2.5kV到6kV的負(fù)高壓，其在1千兆歐的測量
設(shè)備上測得。在此尤其設(shè)置為，連接到高壓源上的電導(dǎo)體和電離電極 形成相對于高壓源的內(nèi)阻的高的并聯(lián)阻抗。
換句話說小的并聯(lián)阻抗是不利的，因為它將會利用高壓源的內(nèi)阻 形成分壓器。這就導(dǎo)致下述結(jié)果，即在高壓源上的內(nèi)阻上產(chǎn)生高的電 壓降，所述電壓降對于電離是不可用的。通過根據(jù)本發(fā)明的電極構(gòu)成 在電極上的可用電壓和高壓源的空載電壓相近。
低于僅6kV的空載電壓在高有效系數(shù)和高內(nèi)阻(例如IO兆歐)的 情況下是可能的。因此相對而言小的電壓使得對于高壓源使用節(jié)約成 本的變壓器成為可能。
根據(jù)本發(fā)明的另一優(yōu)選的實施方式，電離室的直徑位于3mm到 10mm之間的范圍內(nèi)。電離電極可以在下述區(qū)域內(nèi)安置，即電離電極突 出于電離室的邊緣直至2mm或者相對于電離室的邊緣縮進(jìn)直至6mm 地放置。
電纜的多股線直徑可以達(dá)到2.5mm到0.05mm。其優(yōu)選位于 0.15mm禾[]0.3mm之間。電導(dǎo)體自身可以由銅、鋅白銅或者其它類似的 可導(dǎo)電的合金或者金屬組成。此外也可以應(yīng)用碳纖維，其具有在大于3 um的范圍內(nèi)的多股線直徑。
此外設(shè)置為，反電極沿軸向方向與電離電極間隔在5mm到20mm 之間地安置。
總體的絕對的大小說明只是示例性的并且應(yīng)當(dāng)只描述單個構(gòu)件的間距關(guān)系和大小關(guān)系，而不是描述電離裝置單個元件的絕對尺寸選取。
本發(fā)明不只限制于單獨的頭發(fā)護(hù)理設(shè)備，而是可以廣泛使用于許 多不同的頭發(fā)護(hù)理設(shè)備，例如巻發(fā)夾子、巻發(fā)棒、直發(fā)器或者巻發(fā)器。 另外的使用范圍例如是發(fā)型器、發(fā)刷以及干燥帽或者頭發(fā)干燥設(shè)備。 原則上也可以考慮在空氣調(diào)節(jié)設(shè)備、空氣增濕器、空調(diào)機以及諸如此 類中使用。


本發(fā)明的另外的目的、優(yōu)點、特征和有利的應(yīng)用可能性由下述參 照附圖對實施例的描述得出。在此整體描述的和/或圖示的特征形成本 發(fā)明的對象，甚至不依賴于權(quán)利要求或其引用的前面的權(quán)利要求。
其中
圖1以縱向橫截面示出電離裝置的示意圖，
圖2示出帶有電離裝置的頭發(fā)護(hù)理設(shè)備的示意圖，
圖3示出帶有另一電離裝置的根據(jù)圖2的頭發(fā)護(hù)理設(shè)備的視圖，
圖4以橫截面示出根據(jù)圖1的電離裝置的示意圖，
圖5以橫截面示出橢圓形構(gòu)成的電離室，
圖6示出電極的視圖，
圖7到圖11示出電極的變體，
圖12示出電極的剪切區(qū)域的視圖，以及
圖13示出帶有并聯(lián)電容和并聯(lián)電阻的電離裝置的電路圖，其中， 附加示出無效離子流(向上指向的箭頭)。
具體實施例方式
圖1以縱向橫截面圖示出電離裝置17的示意圖。圓柱形構(gòu)成的電 離室34可以以幾乎任意的方法和方式整合到頭發(fā)護(hù)理設(shè)備10的殼體 中。這樣例如尤其設(shè)置為，電離室34以其開放的區(qū)域齊平地整合到殼 體壁中。通過電導(dǎo)體15的傾斜切面以逐漸變尖的方式構(gòu)成的電極12居中
地被安置在電離室34的內(nèi)部。高壓電纜13鑲嵌在支承16內(nèi)，支承16 例如可以構(gòu)成為鋁鞘，然而或者也可以由絕緣材料構(gòu)成為例如硅軟管 或者塑料鞘的形式。作為塑料材料在此有可能的尤其是PBT (聚對苯 二甲酸丁二醇酯)、聚酰胺、聚氨酯、ABS (丙烯腈一丁二烯一苯乙烯 共聚物)和PC (聚碳酸酯)。
反電極20相對于電離電極12非對稱性地構(gòu)成并且因此具有平板 狀的、然而至少基本上直線狀的幾何形狀。反電極不僅安置在電離室 34的外面而且相對于電離電極12徑向和軸向錯開地安置。
為了最大可能有效地在電極12和20之間發(fā)生電暈放電或者說產(chǎn) 生離子，單獨元件的尺寸選取以及其取向和安置具有重大意義。離子 溢出通道的直徑28應(yīng)當(dāng)位于在3mm到10mm之間的范圍內(nèi)。
在反電極20的自由端部和電離電極12的以逐漸變尖的方式構(gòu)成 的端部之間的間距22可以在5mm到20mm之間的范圍內(nèi)選擇。同樣 電導(dǎo)體15的絕緣區(qū)域13的相對于支承16的凸出部24應(yīng)當(dāng)位于0.5mm 到5mm的范圍內(nèi)。
自由導(dǎo)體端部15的去掉絕緣的區(qū)域32的軸向伸展位于lmm到 5mm的范圍內(nèi)。在電離電極的尖端和電離室34的邊緣之間的間距30 位于-2mm到6mm的范圍內(nèi)。這里負(fù)號意味著，電離電極12的尖端不 僅可以位于電離室34的內(nèi)部，而且可以稍微突出于室的邊緣安置。
在電離電極12和電離室3 4的內(nèi)壁之間的徑向間距2 6在這個實施 例的情況下位于0.5mm到6mm的范圍內(nèi)。
這里所說明的絕對大小說明絕對不能理解為絕對值，而是僅作為各個單獨元件的大小關(guān)系和其相互間距的精確描述。不言而喻，電離 裝置17也能夠以相應(yīng)更大或者更小的標(biāo)準(zhǔn)來實現(xiàn)。
根據(jù)按照圖2的頭發(fā)護(hù)理設(shè)備10的純示意的描繪，高壓源11通
過不間斷的高壓電纜13與電離裝置電導(dǎo)通地連接。特別可以作為變壓 器構(gòu)成的高壓源，為了形成優(yōu)選至少2kV并小于6kV、尤其是小于5kV 的負(fù)高壓(每次以1千兆歐的測量設(shè)備在電極尖端測量)而構(gòu)成。這 種高壓源的尺寸選取尤其是通過電極12和電導(dǎo)體15的整體構(gòu)成而實 現(xiàn)。
如圖3所示，如果例如多個電離裝置設(shè)置在頭發(fā)護(hù)理設(shè)備10上， 那么這些電離裝置優(yōu)選通過單獨的電纜13電導(dǎo)通地與高壓源11連接 或者設(shè)有對于高壓目標(biāo)合適的連接位置。這種類型的連接用于避免高
壓電纜13的更多支路，以便電導(dǎo)體最終沒有焊接位置、鉚接連接或者 諸如此類的連接位置，這些連接位置由于棱邊或者階會導(dǎo)致場集中并 進(jìn)而導(dǎo)致離子射出的減少。
在圖4和圖5中分別以橫截面示出電離室34、38的各一個實施例。 在根據(jù)圖4的實施例中，電離室34具有徑向?qū)ΨQ的橫截面并且因此具 有圓柱形的幾何形狀，而在根據(jù)圖5的實施例中電離室38具有橢圓形 的橫截面輪廓。在兩個實施變動方案中電離電極12都居中地支承在電 離室34、 38中，由此應(yīng)該能夠達(dá)到可產(chǎn)生的離子云的最大可能均質(zhì)的 擴散。
圖6示出電離電極12以及電導(dǎo)體15的整體的構(gòu)成。電纜13的自 由的、去掉絕緣的端部相應(yīng)地是電極12自身。電極12直接并且優(yōu)選 地僅由電纜13保持。電纜根據(jù)圖1以其絕緣的區(qū)域固定在電離室34 內(nèi)以鞘形式構(gòu)成的保持元件16上。
為了達(dá)到更好的離子射出，導(dǎo)體15被傾斜地剪切，以使得形成優(yōu)選大約20°到60°，優(yōu)選大約30°到45°的尖端18。導(dǎo)體也可以被多次 從多個側(cè)面傾斜地剪切，以使得尖端18位于導(dǎo)體的中部。電極12的 導(dǎo)體橫截面去掉絕緣優(yōu)選大約為0.8mm到2mm。
導(dǎo)體15或者說電極12可以包括單獨的電纜芯線，如圖7所示， 或者由具有多個電纜芯線的多股線組成，如圖6所示。為了形成電極 12也可以使用帶有多個絕緣的導(dǎo)體的多芯電纜或者甚至可以使用多芯 的多股線電纜(見圖9到圖11)。
導(dǎo)體端部可以徑向向外相互扇形分開(如圖9所示)或者例如被 傾斜地剪切并且沿優(yōu)選方向彎曲(如圖10所示)。這些單獨的電纜芯 線端部，優(yōu)選構(gòu)成為多股線，于是一個接一個地且并排地放置。具有 優(yōu)點的是，存在多個尖端區(qū)域18a、 18b、 18c等。這些尖端優(yōu)選地沿向 著頭發(fā)的作用方向并且沿離子射出方向安置。
特別有利的是各個單獨的毛刺21，其通過剪切產(chǎn)生，如圖12所示。 這些毛刺再次形成另外的尖端區(qū)域21a、 21b等，或者說大量的電離尖 端以及尖的棱邊。它們由此提高了電極的作用。
特別有利的是，不僅電極尖端18而且整體的電極12裸露和/或尖 端18直接指向電離室的開口，如根據(jù)圖1所示的。高壓源的內(nèi)阻W 幾乎不影響電極12的發(fā)射位置上的電壓。電壓Uah大約與電壓Uaw 相應(yīng)，如圖13所示。
以這種方法和方式避免并聯(lián)阻抗或者說并聯(lián)電容的產(chǎn)生，它們通 過分壓使得電壓Uaw減少并且因此使得電離作用變差。這種并聯(lián)阻抗 的存在尤其是在發(fā)生器的高內(nèi)阻Ri的情況下被關(guān)注并且此外取決于電 壓形式。尤其是在陡的脈沖情況下或者在高的頻率情況下這種并聯(lián)電 容如短路一樣作用，以使得離子發(fā)射幾乎被完全阻止。
15通過整體的電極構(gòu)成，電的和機械的連接位置至少在電離電極的 區(qū)域內(nèi)在電極和電纜之間被避免，所述連接位置在其一方面可能導(dǎo)致 這種不利的并聯(lián)阻抗。在尖端區(qū)域中在單獨的分支位置和電離電極之 間也不需要其它的電構(gòu)件。
通過低電容的安置和在此設(shè)置的電極具有更低電壓和/或更低電 流的功率更弱的高壓發(fā)生器被使用。這樣特別地設(shè)置為，高壓源的內(nèi)
阻或者說整體安置的電阻滿足了對于根據(jù)IEC 335的保護(hù)絕緣的要求。
為了實現(xiàn)這種保護(hù)阻抗尤其設(shè)置有兩個獨立的電阻。
此外電離電極的尖端18也可以通過超聲波焊接而成型或者通過火 花侵蝕而形成。導(dǎo)體端部或者說電極也可以被擠壓、拉拽或者由目標(biāo) 斷裂位置形成，以使得場集中點以所期望的方法和方式產(chǎn)生。
權(quán)利要求
1. 頭發(fā)護(hù)理設(shè)備(10)，具有至少一個用于產(chǎn)生空氣電離的電離裝置(17)，高壓源(11)和至少一個電導(dǎo)體(15)，所述電導(dǎo)體將所述至少一個電離裝置(17)與所述高壓源(11)連接，其中，所述導(dǎo)體(15)的自由端部構(gòu)成為具有至少一個尖端區(qū)域(18)的電離電極(12)，其特征在于，所述電離電極(12)安置在鞘形地并且向著一個側(cè)面開放地構(gòu)成的電離室(34、38)內(nèi)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的頭發(fā)護(hù)理設(shè)備，其特征在于，與所述電 離電極(12)有一定間距地設(shè)置反電極(20)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的頭發(fā)護(hù)理設(shè)備，其特征在于，所述反電 極(20)安置在所述電離室(34、 38)的外面。
4. 根據(jù)前述權(quán)利要求2或3之一所述的頭發(fā)護(hù)理設(shè)備，其特征在 于，所述反電極(20)具有基本上平板狀的幾何形狀或者基本上直線 狀的延伸。
5. 根據(jù)前述權(quán)利要求2到4之一所述的頭發(fā)護(hù)理設(shè)備，其特征在 于，所述反電極(20)與所述電離室(34、 38)的幾何形狀相關(guān)地相 對于所述電離電極(12)徑向和/或軸向錯開地安置。
6. 根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的頭發(fā)護(hù)理設(shè)備，其特征在于，所 述電離電極(12)大約居中地安置在所述電離室(34、 38)中。
7. 根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的頭發(fā)護(hù)理設(shè)備，其特征在于，所 述電離電極(12)的所述尖端區(qū)域(18)基本上沿所述電離室(34、 38)的軸向方向延伸。
8. 根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的頭發(fā)護(hù)理設(shè)備，其特征在于，所述電離電極(12)沿軸向方向放置在所述電離室(34、 38)的開口的 區(qū)域內(nèi)。
9. 根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的頭發(fā)護(hù)理設(shè)備，其特征在于，所 述電離電極(12)沿軸向方向伸展超出所述電離室(34、 38)的邊緣。
10. 根據(jù)前述權(quán)利要求1到8之一所述的頭發(fā)護(hù)理設(shè)備，其特征 在于，所述電離電極(12)在所述電離室(34、 38)的內(nèi)部從所述電 離室(34、 38)的所述邊緣縮進(jìn)地放置。
11. 根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的頭發(fā)護(hù)理設(shè)備，其特征在于， 所述電離室(34)圓柱形地構(gòu)成。
12. 根據(jù)前述權(quán)利要求1到IO之一所述的頭發(fā)護(hù)理設(shè)備，其特征 在于，所述電離室(38)具有橢圓形的橫截面。
13. 根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的頭發(fā)護(hù)理設(shè)備，其特征在于， 在所述高壓源(11)和所述電離裝置(17)之間的所述電導(dǎo)體(15) 構(gòu)成為不間斷的且絕緣的高壓電纜(13)。
14. 根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的頭發(fā)護(hù)理設(shè)備，其特征在于， 所述電離電極(12)的所述尖端區(qū)域(18)通過剪切而形成，尤其是 通過所述電導(dǎo)體(15)的導(dǎo)體端部的傾斜切面而形成。
15. 根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的頭發(fā)護(hù)理設(shè)備，其特征在于， 所述電導(dǎo)體(15)構(gòu)成為多股線電纜并且所述電離電極(12)具有多 個相互間隔安置的和/或相互扇形分開的、由多股線端部或者電纜芯線 端部形成的尖端區(qū)域(18)。
16. 根據(jù)前述權(quán)利要求14或15之一所述的頭發(fā)護(hù)理設(shè)備，其特征在于，為了形成所述電離電極(12)的大約20°到60°，優(yōu)選大約30。 到45。的尖端，所述傾斜切面以相對于導(dǎo)體方向30°到70°，優(yōu)選大約 45°到60°的角度實現(xiàn)。
17. 根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的頭發(fā)護(hù)理設(shè)備，其特征在于， 所述高壓源(11)具有2kV到7kV的空載電壓，其中，所述高壓源的 內(nèi)阻優(yōu)選為5兆歐到30兆歐，尤其是10兆歐。
18. 根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的頭發(fā)護(hù)理設(shè)備，其特征在于， 所述高壓源(11)、所述電極(12)和所述電導(dǎo)體(15)如此構(gòu)成， 使得在所述電極(12)上有2.5kV到6kV的負(fù)高壓，所述負(fù)高壓在1 千兆歐的測量設(shè)備上測得。
19. 根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的頭發(fā)護(hù)理設(shè)備，其特征在于， 所述高壓源(11)是電池饋電的。
20. 根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的頭發(fā)護(hù)理設(shè)備，其特征在于， 所述電離室(34、 38)的直徑位于3mm到10mm之間的范圍內(nèi)，并且 所述電離電極(12)沿軸向方向在所述電離室(34、 38)的內(nèi)部在突 出于所述電離室的所述邊緣直至2mm并且從所述邊緣縮進(jìn)直至6mm 的位置上放置。
21. 根據(jù)前述權(quán)利要求2到20之一所述的頭發(fā)護(hù)理設(shè)備，其特征 在于，所述反電極(20)沿軸向方向與所述電離電極(12)間隔5mm 到20mm地安置。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種頭發(fā)護(hù)理設(shè)備，其具有至少一個用于產(chǎn)生空氣電離的電離裝置(17)。為此設(shè)置有高壓源(11)和至少一個電導(dǎo)體(15)，電導(dǎo)體將至少一個電離裝置(17)與高壓源(11)連接。導(dǎo)體(15)的自由端部構(gòu)成為具有至少一個尖端區(qū)域(18)的電離電極(12)。電離電極(12)安置在鞘形地并且向著一個側(cè)面開放地構(gòu)成的電離室(34、38)內(nèi)。
文檔編號A45D2/00GK101453921SQ200780019077
公開日2009年6月10日 申請日期2007年5月23日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月24日
發(fā)明者于爾根·森格, 奧拉弗·瑟倫森 申請人:布勞恩股份有限公司