專利名稱：超聲波探頭及其制造方法及超聲波診斷裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及拍攝診斷圖像的超聲波探頭及其制造方法及超聲波診斷 裝置。
背景技術(shù)：
超聲波診斷裝置是基于從超聲波探頭輸出的反射回波信號(hào)拍攝診斷 圖像的裝置。在超聲波探頭排列有多個(gè)超聲波振子。超聲波振子將驅(qū)動(dòng)信 號(hào)變換為超聲波，將超聲波向被檢測(cè)體發(fā)送，并且，接受從被檢測(cè)體產(chǎn)生 的反射回波信號(hào)，將其變換為電信號(hào)。
近年來，開發(fā)了使用cMUT (Capacitive Micromachined Ultrasonic Transducer)的超聲波探頭。cMUT是利用半導(dǎo)體微細(xì)加工工序制造的超 微細(xì)電容型超聲波振子。在cMUT的情況下，對(duì)應(yīng)于偏置電壓的大小，超 聲波發(fā)送接收信號(hào)靈敏度即機(jī)電耦合系數(shù)變化。還有，偏置電壓重疊于從 超聲波發(fā)送接收信號(hào)部供給的驅(qū)動(dòng)信號(hào)而施加(例如，參照[專利文獻(xiàn)l])。
專利文獻(xiàn)1:美國(guó)專利第5894452號(hào)說明書。

發(fā)明內(nèi)容
然而，在上述[專利文獻(xiàn)l]中公開的cMUT探頭中，對(duì)于硅基板，直 流電壓作為偏置電壓向下部電極施加，相對(duì)于下部電極，交流高頻電壓作 為驅(qū)動(dòng)信號(hào)向上部電極施加。其結(jié)果，上部電極不是接地電位的接地層， 存在對(duì)被檢測(cè)體的電方面安全性不充分的問題。
本發(fā)明是鑒于以上的問題而做成的，其目的在于提供能夠提高對(duì)被檢 測(cè)體的電方面安全性的超聲波探頭及其制造方法及超聲波診斷裝置。
本發(fā)明的一種超聲波探頭，其具備具有與偏置電壓對(duì)應(yīng)改變機(jī)電耦合系數(shù)或靈敏度的多個(gè)振動(dòng)要件，且發(fā)送接收超聲波的CMUT芯片；設(shè)置
于所述cMUT芯片的超聲波輻射側(cè)的音響透鏡；設(shè)置于所述cMUT芯片的 背面?zhèn)?，且吸收所述超聲波的傳播的背襯層；從所述cMUT芯片的周緣部 開始設(shè)置于所述背襯層的側(cè)面，且配置有與所述cMUT芯片的電極連接的 信號(hào)圖案的電配線部；收容所述cMUT芯片、所述音響透鏡、所述背襯層 及所述電配線部的框體部，所述超聲波探頭的特征在于，在所述cMUT芯 片的超聲波輻射側(cè)設(shè)置有接地電位的接地層。
本發(fā)明的超聲波探頭的制造方法中，所述超聲波探頭具備具有與偏 置電壓對(duì)應(yīng)改變機(jī)電耦合系數(shù)或靈敏度的多個(gè)振動(dòng)要件，且發(fā)送接收超聲 波的cMUT芯片；設(shè)置于所述cMUT芯片的超聲波輻射側(cè)的音響透鏡；設(shè) 置于所述cMUT芯片的背面?zhèn)龋椅账龀暡ǖ膫鞑サ谋骋r層；從所 述cMUT芯片的周緣部開始設(shè)置于所述背襯層的側(cè)面，且配置有與所述 cMUT芯片的電極連接的信號(hào)圖案的電配線部；收容所述cMUT芯片、所 述音響透鏡、所述背襯層及所述電配線部的框體部，所述超聲波探頭的制 造方法的特征在于，包括將所述cMUT芯片粘接于所述背襯層的上表面 的工序；將所述電配線部粘接于所述背襯層的上表面周緣的工序；將所述 電配線部和所述cMUT芯片經(jīng)由引線連接的工序；將光硬化樹脂作為密封 材料填充在所述引線的周圍的工序；在所述音響透鏡的內(nèi)表面形成能夠接 地的導(dǎo)電膜的工序；將所述音響透鏡粘接于所述cMUT芯片的超聲波輻射 面的工序。
本發(fā)明的超聲波診斷裝置，其具備如下所述的超聲波探頭，該超聲波 探頭具備具有與偏置電壓對(duì)應(yīng)改變機(jī)電耦合系數(shù)或靈敏度的多個(gè)振動(dòng)要 件，且發(fā)送接收超聲波的cMUT芯片；設(shè)置于所述cMUT芯片的超聲波輻 射側(cè)的音響透鏡；設(shè)置于所述cMUT芯片的背面?zhèn)?，且吸收所述超聲波?傳播的背襯層；從所述cMUT芯片的周緣部開始設(shè)置于所述背襯層的側(cè) 面，且配置有與所述cMUT芯片的電極連接的信號(hào)圖案的電配線部；收容 所述cMUT芯片、所述音響透鏡、所述背襯層及所述電配線部的框體部， 所述超聲波探頭的特征在于，在所述cMUT芯片的超聲波輻射側(cè)設(shè)置有接 地電位的接地層。
發(fā)明效果
6根據(jù)本發(fā)明可知，能夠提供能夠提高對(duì)被檢測(cè)體的電方面安全性的超 聲波探頭及其制造方法及超聲波診斷裝置。


圖1是超聲波診斷裝置1的結(jié)構(gòu)圖。
圖2是超聲波探頭2的結(jié)構(gòu)圖。
圖3是振子21的結(jié)構(gòu)圖。
圖4是振動(dòng)要件28的結(jié)構(gòu)圖。
圖5是表示第一實(shí)施方式的超聲波探頭2的圖。
圖6是表示超聲波診斷裝置1和超聲波探頭2的連接的示意圖。
圖7是表示第二實(shí)施方式的超聲波探頭2a的圖。
圖8是表示第三實(shí)施方式的超聲波探頭2b的圖。
圖9是表示第四實(shí)施方式的超聲波探頭2c的圖。
圖10是表示第五實(shí)施方式的超聲波探頭2d的圖。
圖11是表示第六實(shí)施方式的超聲波探頭2e的圖。
圖12是表示超聲波探頭2的配線的示意圖。
圖13是表示cMUT芯片20的基板40的接地連接的圖。
圖14是表示圖5所示的超聲波探頭2的制造工序的圖。
圖15是表示圖IO所示的超聲波探頭2d的制造工序的圖。
圖16是表示第二實(shí)施方式的超聲波探頭2f的圖。
圖17是圖16的電連接部160的詳細(xì)圖。
圖18是表示自cMUT芯片20的上表面?zhèn)鹊幕?0的接地連接的圖。 圖19是表示自cMUT芯片20的下表面?zhèn)鹊幕?0的接地連接的圖。
圖中l(wèi)一超聲波診斷裝置；2 —超聲波探頭；3 —發(fā)送接收分離機(jī)構(gòu)； 4一發(fā)信機(jī)構(gòu)；6 —偏置機(jī)構(gòu)；8 —收信機(jī)構(gòu)；10 —相位調(diào)整加算機(jī)構(gòu)；12 一圖像處理機(jī)構(gòu)；14一顯示機(jī)構(gòu)；16 —控制機(jī)構(gòu)；18 —操作機(jī)構(gòu)；20 — cMUT 芯片；21 — 1、 21—2 —振子；22 —背襯層；25 —超聲波探頭罩；26 —音響 透鏡；27—密封材料；28 —振動(dòng)要件；38、 41一信號(hào)圖案；40—基板；46 一上部電極；48—下部電極；72—撓性基板；70、 71、 90—粘接層；76 — 導(dǎo)電膜(接地層)；78 —絕緣膜(絕緣層)；84、 94一接地線(電纜屏蔽線);86 —引線；88 —光硬化樹脂；108、 120—地面；161、 171、 181、 185、 191、 195 —通孔；163、 165、 173、 175、 182、 184、 192、 194一焊盤端子;164、 174、 193 —導(dǎo)電粘接劑(各向異性導(dǎo)電粘接片)；183 —引線。
具體實(shí)施例方式
以下，參照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的超聲波探頭及超聲波診斷裝置的適 當(dāng)?shù)膶?shí)施方式。還有，在以下的說明及附圖中，關(guān)于具有大致相同的功能 結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)要件，標(biāo)注相同的符號(hào)，由此省略重復(fù)說明。 (l.超聲波診斷裝置的結(jié)構(gòu))
首先，參照?qǐng)D1說明超聲波診斷裝置l的結(jié)構(gòu)。
圖1是超聲波診斷裝置1的結(jié)構(gòu)圖。
超聲波診斷裝置1包括超聲波探頭2;發(fā)送接收分離機(jī)構(gòu)3;發(fā)信 機(jī)構(gòu)4;偏置機(jī)構(gòu)6;收信機(jī)構(gòu)8;相位調(diào)整(整相)加算機(jī)構(gòu)10;圖像 處理機(jī)構(gòu)12;顯示機(jī)構(gòu)14;控制機(jī)構(gòu)16;操作機(jī)構(gòu)18。
超聲波探頭2是與被檢測(cè)體接觸，在與被檢測(cè)體之間進(jìn)行超聲波的發(fā) 送接收的裝置。從超聲波探頭2向被檢測(cè)體射出超聲波，并由超聲波探頭 2接受從被檢測(cè)體產(chǎn)生的反射回波信號(hào)。
發(fā)信機(jī)構(gòu)4及偏置機(jī)構(gòu)6是向超聲波探頭2供給驅(qū)動(dòng)信號(hào)的裝置。 收信機(jī)構(gòu)8是接受從超聲波探頭2輸出的反射回波信號(hào)的裝置。收信
機(jī)構(gòu)8還對(duì)接受的反射回波信號(hào)進(jìn)行模擬數(shù)字變換等處理。
發(fā)送接收分離機(jī)構(gòu)3在發(fā)信時(shí)將發(fā)信機(jī)構(gòu)4向超聲波探頭2轉(zhuǎn)移，在
收信時(shí)將接收信號(hào)從超聲波探頭2向收信機(jī)構(gòu)8轉(zhuǎn)移地切換、分離發(fā)信和收信。
相位調(diào)整加算機(jī)構(gòu)10是將接收的反射回波信號(hào)相位調(diào)整加算的裝置。 圖像處理機(jī)構(gòu)12是基于相位調(diào)整加算的反射回波信號(hào)，構(gòu)成診斷圖 像(例如斷層像或血流像)的裝置。
顯示部18是顯示圖像處理的診斷圖像的顯示裝置。 控制機(jī)構(gòu)16是控制上述各結(jié)構(gòu)要件的裝置。
操作機(jī)構(gòu)18是向控制機(jī)構(gòu)16賦予指示的裝置。操作機(jī)構(gòu)18是例如 跟蹤球或鍵盤或鼠標(biāo)等輸入設(shè)備。(2.超聲波探頭2)
其次，參照?qǐng)D2 圖4說明超聲波探頭2。 (2 — 1.超聲波探頭2的結(jié)構(gòu))
圖2是超聲波探頭2的結(jié)構(gòu)圖。圖2是超聲波探頭2的局部缺欠圖。 超聲波探頭2具備cMUT芯片20。 cMUT芯片20是多個(gè)振子21— l、
振子21 — 2、……以長(zhǎng)條狀排列的一維排列型振子組。在振子21 — 1、振
子21—2、……配設(shè)有多個(gè)振動(dòng)要件28。還有，使用二維陣列型或凸型等
其他方式的振子組也可。
在cMUT芯片20的背面?zhèn)仍O(shè)置有背襯層22。在cMUT芯片20的超
聲波輻射側(cè)設(shè)置音響透鏡26。 cMUT芯片20及背襯層22等收容于超聲波
探頭罩25。
cMUT芯片20將來自發(fā)信機(jī)構(gòu)4及偏置機(jī)構(gòu)6的驅(qū)動(dòng)信號(hào)變換為超聲 波，向被檢測(cè)體發(fā)送超聲波。收信機(jī)構(gòu)8將從被檢測(cè)體產(chǎn)生的超聲波變換 為電信號(hào)，作為反射回波信號(hào)接受。
背襯層22是吸收從cMUT芯片20向背面?zhèn)壬涑龅某暡ǖ膫魉停?制多余的振動(dòng)的層。
音響透鏡26是使從cMUT芯片20發(fā)送的超聲波束收斂的透鏡。音響 透鏡26中基于一個(gè)焦點(diǎn)距離規(guī)定曲率。
還有，在音響透鏡26和cMUT芯片20之間設(shè)置有匹配層也可。匹配 層是調(diào)整cMUT芯片20及被檢測(cè)體的音響阻抗，提高超聲波的傳送效率 的層。
(2—2.振子21) 圖3是振子21的結(jié)構(gòu)圖。
振動(dòng)要件28的上部電極46與在長(zhǎng)軸方向X上劃分的每一個(gè)振子21 連線。即，上部電極46—1、上部電極46—2、……在長(zhǎng)軸方向X上并列 配置。
振動(dòng)要件28的下部電極48與在短軸方向Y上劃分的每一個(gè)區(qū)域連 線。即，下部電極48—1、下部電極48—2、……在短軸方向Y上并列配置。
(2—3.振動(dòng)要件28)
9圖4是振動(dòng)要件28的結(jié)構(gòu)圖。圖4是一個(gè)振動(dòng)要件28的剖面圖。
振動(dòng)要件28包括基板40;膜體44;膜體45;上部電極46;框體
47;下部電極48。振動(dòng)要件28通過利用半導(dǎo)體工序的微細(xì)加工來形成。 還有，振動(dòng)要件28相當(dāng)于cMUT的一個(gè)元件量。 基板40是硅等半導(dǎo)體基板。
膜體44及框體47由硅化合物等半導(dǎo)體化合物形成。膜體44設(shè)置于 框體47的超聲波射出側(cè)。在膜體44和框體47之間設(shè)置上部電極46。在 基板40上形成的膜體45上設(shè)置下部電極48。由框體47及膜體45劃分的 內(nèi)部空間50為真空狀態(tài)，或由規(guī)定的氣體填充。
上部電極46及下部電極48分別與將交流高頻電壓作為驅(qū)動(dòng)信號(hào)供給 的發(fā)信機(jī)構(gòu)4和將直流電壓作為偏置電壓施加的偏置機(jī)構(gòu)6連接。
在發(fā)送超聲波的情況下，經(jīng)由上部電極46及下部電極48向振動(dòng)要件 28施加直流的偏置電壓(Va)，利用偏置電壓(Va)產(chǎn)生電場(chǎng)。由于產(chǎn)生 的電場(chǎng)，膜體44繃緊，成為規(guī)定的機(jī)電耦合系數(shù)(Sa)。若從發(fā)信機(jī)構(gòu)4 向上部電極46供給驅(qū)動(dòng)信號(hào)，則基于機(jī)電耦合系數(shù)(Sa)，從膜體44射 出超聲波。
另外，若經(jīng)由上部電極46及下部電極48，向振動(dòng)要件28施加直流的 偏置電壓(Vb)，則通過偏置電壓(Vb)產(chǎn)生電場(chǎng)。由于產(chǎn)生的電場(chǎng)，膜 體44繃緊，成為規(guī)定的機(jī)電耦合系數(shù)(Sb)。若從發(fā)信機(jī)構(gòu)4向上部電極 46供給驅(qū)動(dòng)信號(hào)，則基于機(jī)電耦合系數(shù)(Sb)，從膜體44射出超聲波。
在此，在偏置電壓為[Va〈Vb]的情況下，機(jī)電耦合系數(shù)成為[Sa^Sb]。
另一方面，在接受超聲波的情況下，利用從被檢測(cè)體產(chǎn)生的反射回波 信號(hào)，激勵(lì)膜體44，使得內(nèi)部空間50的電容改變?；谠搩?nèi)部空間50 的變化量，經(jīng)由上部電極46檢測(cè)電信號(hào)。
還有，振動(dòng)要件28的機(jī)電耦合系數(shù)由膜體44的繃緊度來確定。從而， 若改變向振動(dòng)要件28施加的偏置電壓的大小，控制膜體44的繃緊度，則 在輸入相同振幅的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的情況下，能夠改變從振動(dòng)要件28射出的超 聲波的聲壓(例如振幅)。 (3.第一實(shí)施方式)
其次，參照?qǐng)D5及圖6說明第一實(shí)施方式。(3 — 1.超聲波探頭2的結(jié)構(gòu)部件)
圖5是表示第一實(shí)施方式的超聲波探頭2的圖。圖5是圖2的超聲波 探頭2的平面A剖面圖。
沿音響透鏡26的內(nèi)表面及外惻面形成導(dǎo)電膜76。導(dǎo)電膜76是例如利 用蒸鍍來形成的Cu膜。導(dǎo)電膜76經(jīng)由導(dǎo)電部件80及地線84與主體裝置 側(cè)的地面120連接。
導(dǎo)電部件80是具有導(dǎo)電性的部件。導(dǎo)電部件80是與導(dǎo)電膜76相比， 難以破損的可靠性高的部件。導(dǎo)電部件80是剛性例如比導(dǎo)電膜76高的 Cu帶。導(dǎo)電部件80固定于音響透鏡26的外側(cè)面的導(dǎo)電膜76及撓性基板 72的外側(cè)面。地線84利用軟釬焊或?qū)щ娬辰觿┑冉?jīng)由連接部82與導(dǎo)電部 件80連接。
cMUT芯片20經(jīng)由粘接層70粘接于背襯層22的上表面。沿背襯層 22的上表面周緣及四方側(cè)面，設(shè)置撓性基板72 (Flexible printed circuits: FPC)。撓性基板72經(jīng)由粘接層71粘接于背襯層22的上表面周緣。
粘接層70及粘接層71是例如包括環(huán)氧樹脂的粘接劑。能夠任意地調(diào) 節(jié)粘接層70及粘接層71，調(diào)節(jié)cMUT芯片20及撓性基板72的高度方向 位置。
撓性基板72和cMUT芯片20經(jīng)由引線86電連接。引線86通過引線 接合方式連接。作為引線86，可以使用Au引線等。在引線86的周圍填 充作為密封材料的光硬化樹脂88。還有，代替引線接合方式，使用焊盤之 間連接的片裝接方式也可。
音響透鏡26經(jīng)由粘接層90與cMUT芯片20的超聲波輻射面粘接。 作為音響透鏡26的材質(zhì)，例如，使用硅橡膠。關(guān)于粘接層卯的材質(zhì)，期 望與音響透鏡26類似的材質(zhì)(例如硅)。
音響透鏡26的超聲波輻射面至少在區(qū)域23的范圍內(nèi)向超聲波照射方 向?yàn)橥範(fàn)睢Ｔ赾MUT芯片20中至少與區(qū)域23對(duì)應(yīng)的范圍內(nèi)配置振動(dòng)要件 28。從音響透鏡26的凸?fàn)畹牟糠终丈涑暡ā?br> 音響透鏡26的背面在與cMUT芯片20的周緣對(duì)應(yīng)的位置具有凹部。 在該凹部嵌合有cMUT芯片20和撓性基板72的連接部分(光硬化樹脂 88的部分)。超聲波探頭罩25設(shè)置于超聲波探頭2的四方側(cè)面。超聲波探頭罩25 固定于音響透鏡26的四方側(cè)面。檢測(cè)人用手把持超聲波探頭罩25，操作 超聲波探頭2。在超聲波探頭罩25和音響透鏡26的間隙中填充密封材料 27。
還有，超聲波探頭罩25的上端位置期望位于cMUT芯片20的上方。 由此，即使發(fā)生超聲波探頭2的下落等難以預(yù)料的事態(tài)，也能夠防止直接 的沖擊，保護(hù)cMUT芯片20。
(3—2.超聲波探頭2的連接)
圖6是表示超聲波診斷裝置1和超聲波探頭2的連接的示意圖。 超聲波診斷裝置1和超聲波探頭2經(jīng)由電纜82連接。電纜82具有多 個(gè)同軸電纜96。
振動(dòng)要件28的上部電極46與配線85連接。配線85經(jīng)由同軸電纜96 的內(nèi)部導(dǎo)體與超聲波診斷裝置1內(nèi)的配線91連接。配線91經(jīng)由發(fā)送接收 分離電路98與收信機(jī)構(gòu)8內(nèi)的收信放大器100及發(fā)信機(jī)構(gòu)4連接。
振動(dòng)要件28的下部電極48與配線66連接。配線66經(jīng)由同軸電纜96 的內(nèi)部導(dǎo)體與超聲波診斷裝置l內(nèi)的配線62連接。配線62與偏置機(jī)構(gòu)6 連接。
同軸電纜96的條數(shù)是在多個(gè)振動(dòng)要件28共通配置的上部電極46和 下部電極48的總計(jì)數(shù)。
振動(dòng)要件28的基板40與配線87連接。配線87經(jīng)由同軸電纜96的 外部導(dǎo)體與超聲波診斷裝置1內(nèi)的配線93連接。配線93經(jīng)由主體裝置(未 圖示)的底盤地面與地面108連接。
在配線66和配線87之間配置有電容器112。該電容器112是用于在 AC電流從上部電極46流向下部電極48時(shí)，使來自下部電極48的電流迂
回的信號(hào)電流的旁路用電容元件。
在配線91和配線93之間配置有電阻110。該電阻110是用于將上部 電極46的DC電位穩(wěn)定化為接地電位的電阻元件。
在配線62和配線93之間配置有偏置機(jī)構(gòu)6。該偏置機(jī)構(gòu)6使上部電 極46和下部電極48之間產(chǎn)生電位差。另外，發(fā)信機(jī)構(gòu)4將交流高頻電壓 作為驅(qū)動(dòng)信號(hào)向上部電極46施加。具體來說，在上部電極46中，DC-接地(基準(zhǔn)電位)、AC=Vpp，在下部電極48中，DOVdc、 AC=0。
振動(dòng)要件28的導(dǎo)電膜76與配線84連接。配線84以覆蓋超聲波探頭 2的內(nèi)部電路(配線85、配線66、電容器112等)的方式形成，經(jīng)由電纜 82的外周與超聲波診斷裝置1內(nèi)的配線99連接。配線99以覆蓋超聲波診 斷裝置1的內(nèi)部電路(配線91、配線62、電阻110等)的方式形成，與 地面120連接。從而，在導(dǎo)電膜76、配線84、電纜82的外周、配線99 中，DC=0、 AC=0。
導(dǎo)電膜76、配線84、電纜82的外周、配線99及地面120形成保護(hù) 電路，使來自外部的電磁波不進(jìn)入超聲波診斷裝置1和超聲波探頭2的內(nèi) 部電路，并且，使在超聲波診斷裝置1和超聲波探頭2的內(nèi)部產(chǎn)生的電不 向那些的外部放出。
(3—3.第一實(shí)施方式中的效果)
這樣，在第一實(shí)施方式的超聲波探頭2中，在cMUT芯片20的超聲 波輻射側(cè)設(shè)置作為接地層的導(dǎo)電膜76。從而，即使音響透鏡26破損，導(dǎo) 電膜76為接地電位，因此，防止觸電，從而能夠提高對(duì)被檢測(cè)體的超聲 波探頭的電方面安全性。
另外，利用導(dǎo)電膜76及地線84及主體裝置的底盤地面，形成接地電 位的封閉空間。即，超聲波探頭2的主要結(jié)構(gòu)要件或主體電路包括在接地 電位的封閉空間，因此，能夠防止受到來自外部的無用電波的影響，或由 超聲波探頭2自身產(chǎn)生的電磁波對(duì)外部裝置產(chǎn)生壞影響的情況。
另外，在第一實(shí)施方式的超聲波探頭2中，導(dǎo)電膜76沿音響透鏡26 的內(nèi)表面及外側(cè)面形成，經(jīng)由高可靠性的導(dǎo)電部件80及地線84與地面120 連接。
由此，不是利用模內(nèi)(inmold)成形來引出的片狀導(dǎo)電膜，而是能夠 由沿音響透鏡26的內(nèi)表面及外側(cè)面形成的導(dǎo)電膜76經(jīng)由導(dǎo)電部件80與 地線84容易且可靠的連接。能夠提高安裝的可靠性及作業(yè)性。
另外，通過使用高可靠性的導(dǎo)電部件80，能夠防止在固定于撓性基板 72時(shí)導(dǎo)電部件80破損的情況。
另外，在圖5中，僅在撓性基板72的紙面左側(cè)側(cè)面示出了導(dǎo)電部件 80及地線84，但設(shè)置于撓性基板72的四方側(cè)面的至少任一個(gè)也可。(4.第二實(shí)施方式) 其次，參照?qǐng)D7說明第二實(shí)施方式。
圖7是表示第二實(shí)施方式的超聲波探頭2a的圖。圖7相當(dāng)于圖2的平 面A剖面圖。
在第一實(shí)施方式中，說明了導(dǎo)電膜76經(jīng)由導(dǎo)電部件80與地線84連 接的結(jié)構(gòu)，但在第二實(shí)施方式中，直接連接導(dǎo)電膜76和地線84a。地線 84a利用軟釬焊或?qū)щ娬辰觿┑冉?jīng)由連接部82a，在音響透鏡26的外側(cè)面 與導(dǎo)電膜76直接連接。
這樣，在第二實(shí)施方式中，與第一實(shí)施方式相同地，在cMUT芯片20 的超聲波輻射側(cè)設(shè)置作為接地層的導(dǎo)電膜76，因此，能夠提高對(duì)被檢測(cè)體 的超聲波探頭2a的電方面安全性。另外，在第二實(shí)施方式中，不需要用 于連接導(dǎo)電膜76和地線84a的導(dǎo)電部件。 (5.第三實(shí)施方式)
其次，參照?qǐng)D8說明第三實(shí)施方式。
圖8是表示第三實(shí)施方式的超聲波探頭2b的圖。圖8相當(dāng)于圖2的 平面A剖面圖。
在第一實(shí)施方式中，說明了在引線86的周圍填充作為密封材料的光 硬化樹脂88的結(jié)構(gòu)，但在第三實(shí)施方式中，在引線86的周圍不填充密封 材料。
粘接層90不僅填充在音響透鏡26和cMUT芯片20之間，而且還填 充在引線86的周圍。粘接層90不僅粘接音響透鏡26和cMUT芯片20， 而且還作為引線86的周圍的密封材料發(fā)揮作用。
這樣，在第三實(shí)施方式中，與第一實(shí)施方式相同地，在cMUT芯片20 的超聲波輻射側(cè)設(shè)置作為接地層的導(dǎo)電膜76，因此，能夠提高對(duì)被檢測(cè)體 的超聲波探頭2b的電方面安全性。另外，在第三實(shí)施方式中，不需要在 引線86的周圍另行形成密封材料。 (6.第四實(shí)施方式)
其次，參照?qǐng)D9說明第四實(shí)施方式。
圖9是表示第四實(shí)施方式的超聲波探頭2c的圖。圖9相當(dāng)于圖2的平 面A剖面圖。
14在第一實(shí)施方式中，說明了在音響透鏡26的內(nèi)表面及外側(cè)面形成導(dǎo)
電膜76的結(jié)構(gòu)，但在第四實(shí)施方式中，還形成作為絕緣層的絕緣膜78。 絕緣膜78例如為硅氧化物膜、對(duì)二甲苯膜。
這樣，在第四實(shí)施方式中，與第一實(shí)施方式相同地，在cMUT芯片20 的超聲波輻射側(cè)設(shè)置作為接地層的導(dǎo)電膜76，因此，能夠提高對(duì)被檢測(cè)體 的超聲波探頭2c的電方面安全性。
另外，在第四實(shí)施方式中，在音響透鏡26和cMUT芯片20之間形成 作為絕緣層的絕緣膜78。在被檢測(cè)體和cMUT芯片20之間利用音響透鏡 26及絕緣膜78來雙重絕緣。從而，超聲波探頭2c的安全性提高。還有， 設(shè)置兩層以上的絕緣層也可。例如，夾著導(dǎo)電膜76設(shè)置兩層絕緣層也可。 (7.第五實(shí)施方式)
其次，參照?qǐng)DIO說明第五實(shí)施方式。
圖10是表示第五實(shí)施方式的超聲波探頭2d的圖。圖10相當(dāng)于圖2 的平面A剖面圖。
在第一實(shí)施方式中，說明了在音響透鏡26的內(nèi)表面及外側(cè)面形成導(dǎo) 電膜76的結(jié)構(gòu)，但在第五實(shí)施方式中，沿cMUT芯片20的超聲波輻射面、 撓性基板72及背襯層22的側(cè)面形成導(dǎo)電膜76d。
這樣，在第五實(shí)施方式中，與第一實(shí)施方式相同地，在cMUT芯片20 的超聲波輻射側(cè)設(shè)置作為接地層的導(dǎo)電膜76d，因此，能夠提高對(duì)被檢測(cè) 體的超聲波探頭2d的電方面安全性。
另外，在第五實(shí)施方式中，在cMUT芯片20的超聲波輻射面形成導(dǎo) 電膜76d，因此，不需要在音響透鏡26的內(nèi)表面及外側(cè)面形成導(dǎo)電膜。另 外，沿?fù)闲曰?2及背襯層22的側(cè)面形成導(dǎo)電膜76d，因此，將背襯層 22作為基座，經(jīng)由連接部82直接連接導(dǎo)電膜76d和地線84。 (8.第六實(shí)施方式)
其次，參照?qǐng)D11說明第六實(shí)施方式。
圖11是表示第六實(shí)施方式的超聲波探頭2e的圖。圖11相當(dāng)于圖2 的平面A剖面圖。
在第五實(shí)施方式中，說明了在cMUT芯片20的超聲波輻射面形成導(dǎo) 電膜76d的結(jié)構(gòu)，但在第六實(shí)施方式中，還形成作為絕緣層的絕緣膜78e。即，在cMUT芯片20的超聲波輻射面形成導(dǎo)電膜76e及絕緣膜78e。
這樣，在第六實(shí)施方式中，與第五實(shí)施方式相同地，在音響透鏡26和cMUT芯片20之間形成作為絕緣層的絕緣膜78e。在被檢測(cè)體和cMUT芯片20之間利用音響透鏡26及絕緣膜78e來雙重絕緣。從而，超聲波探頭2e的安全性提高。還有，設(shè)置兩層以上的絕緣層也可。例如夾著導(dǎo)電膜76e設(shè)置兩層絕緣層也可。(9.第七實(shí)施方式)其次，參照?qǐng)D12及圖13說明第七實(shí)施方式。圖12是表示超聲波探頭2的配線的示意圖。
圖13是表示cMUT芯片20的基板40的接地連接的圖。是圖12的B一B'線剖面圖。
在cMUT芯片20的上表面周緣用引線86 —1連接cMUT芯片20的上部電極46和撓性基板72的信號(hào)圖案38，利用引線86—2連接cMUT芯片20的下部電極48和撓性基板72的信號(hào)圖案41。在引線86的周圍填充光硬化樹脂88，密封連接部。
在cMUT芯片20的角落部(角部)中，在cMUT芯片20和撓性基板72之間填充導(dǎo)電樹脂89。導(dǎo)電樹脂89相當(dāng)于cMUT芯片20的基板40和地線94的連接部。地線94在cMUT芯片20的角落部配設(shè)于撓性基板72和背襯層22之間。
基板40設(shè)置于cMUT芯片20的底面?；?0與導(dǎo)電樹脂89電連接。基板40經(jīng)由導(dǎo)電樹脂89及地線94與地面108連接。
還有，圖13的地線94相當(dāng)于圖6的配線87。導(dǎo)電樹脂89設(shè)置于基板40和配線87的連接部。
這樣，在第七實(shí)施方式中，cMUT芯片20的基板40在角落部經(jīng)由導(dǎo)電樹脂89及地線94與地面108連接。由此，可以在不將上部電極46設(shè)為接地電位的情況下，穩(wěn)定化cMUT芯片20的電位，穩(wěn)定化超聲波特性。
另夕卜，在cMUT芯片20的角落部以外的周緣存在有連接撓性基板72的信號(hào)圖案38及信號(hào)圖案41和cMUT芯片20的引線86，但cMUT芯片20的基板40和地線94經(jīng)由在cMUT芯片20的角落部填充的導(dǎo)電樹脂89連接。由此，可以將信號(hào)圖案連接部和基板接地連接部獨(dú)立設(shè)置于其他處，制作也容易。
還有，基板40本身也是半導(dǎo)體，因此，存在發(fā)生異常時(shí)，基板40成
為高電壓的可能性。在第七實(shí)施方式中，通過接地連接基板40，在發(fā)生異常時(shí)也能夠?qū)⒒?0維持在接地電位，從而能夠確保超聲波探頭2的安全性。
(IO.第八實(shí)施方式)其次，參照?qǐng)D14說明第八實(shí)施方式。第八實(shí)施方式涉及圖5的超聲
波探頭2、圖8的超聲波探頭2b、圖9的超聲波探頭2c的制造方法。圖
14是表示圖5所示的超聲波探頭2的制造工序的圖。
利用粘接層70將cMUT芯片20粘接于背襯層22的上表面(步驟Sl )。利用粘接層71將撓性基板72粘接于背襯層22的上表面周緣(步驟
S2)。
經(jīng)由引線86電連接撓性基板72和cMUT芯片20。引線86通過引線接合方式或倒裝片接合方式來連接(步驟S3)。
將光硬化樹脂88作為密封材料填充在引線86的周圍(步驟S4)。形成音響透鏡26 (步驟S5)，在音響透鏡26的內(nèi)表面形成導(dǎo)電膜76(步驟S6)。
利用粘接層90將音響透鏡26粘接于cMUT芯片20的超聲波輻射面。導(dǎo)電膜76與地線84連接。安裝超聲波探頭罩25。在音響透鏡26或撓性基板72和超聲波探頭罩25的間隙中填充密封材料27 (步驟S7)。
經(jīng)過以上的步驟，制作圖5所示的超聲波探頭2。
還有，省略步驟S4的工序，在引線86的周圍也填充粘接層90，兼用為粘接劑及密封材料也可。在這種情況下，制作圖8所示的超聲波探頭2b。
另外，在步驟S6的工序中，與導(dǎo)電膜76—同形成絕緣膜78也可。在這種情況下，制造圖9所示的超聲波探頭2c。
關(guān)于膜形成方法，有與音響透鏡26的成形的同時(shí)，將帶有導(dǎo)電膜的絕緣片模內(nèi)成形的方法或?qū)⒔^緣膜或?qū)щ娔だ梦锢碚翦兓蚧瘜W(xué)蒸鍍來形成的方法。在模內(nèi)成形中，能夠以低成本形成膜，但膜厚10pm左右為極限。另一方面，在利用蒸鍍的膜形成中，可以設(shè)為膜厚l^m左右。(ll.第九實(shí)施方式)其次，參照?qǐng)D15說明第九實(shí)施方式。第九實(shí)施方式涉及圖10的超聲
波探頭2d、圖11的超聲波探頭2e的制造方法。圖15是表示圖IO所示的 超聲波探頭2d的制造工序的圖。
在第八實(shí)施方式中，說明了在音響透鏡26側(cè)形成導(dǎo)電膜或絕緣膜的 結(jié)構(gòu)，但在第九實(shí)施方式中，在cMUT芯片20側(cè)形成導(dǎo)電膜或絕緣膜。
步驟S1 步驟S5的工序與圖14相同，因此省略說明。
沿cMUT芯片20的超聲波輻射面、撓性基板72及背襯層22的側(cè)面 形成導(dǎo)電膜76d (步驟S8)。
利用粘接層90將音響透鏡26粘接于cMUT芯片20的超聲波輻射面。 導(dǎo)電膜76d與地線84連接。安裝超聲波探頭罩25。在音響透鏡26或撓性 基板72和超聲波探頭罩25的間隙中填充密封材料27 (步驟S9)。
經(jīng)過以上步驟制造圖IO所示的超聲波探頭2d。
還有，在步驟S8的工序中，與導(dǎo)電膜76e—同形成絕緣膜78e也可。 在這種情況下，制造圖H所示的超聲波探頭2e。 (12.第十實(shí)施方式)
其次，參照?qǐng)D16及圖17說明第十實(shí)施方式。第十實(shí)施方式涉及cMUT 芯片20和撓性基板72的電連接。
圖16是表示第十實(shí)施方式的超聲波探頭2f的圖。圖16相當(dāng)于圖2 的平面A剖面圖。
圖17是圖16的電連接部160的詳細(xì)圖。
在第一實(shí)施方式中，說明了撓性基板72和cMUT芯片20利用引線接 合方式經(jīng)由引線86電連接的結(jié)構(gòu)，但在第十實(shí)施方式中，經(jīng)由通孔161 或通孔171電連接撓性基板72和cMUT芯片20。
撓性基板72的信號(hào)圖案在cMUT芯片20的周緣部背面與cMUT芯片 20的電極電連接。在電連接部160中，與撓性基板72及粘接層71及粘接 層70的厚度對(duì)應(yīng)，在背襯層22的周緣部上表面設(shè)置缺欠部168。
通孔161是cMUT芯片20的上部電極46和在cMUT芯片20的背面 設(shè)置的焊盤端子163的導(dǎo)通路。通孔171是cMUT芯片20的下部電極48、 和在cMUT芯片20的背面設(shè)置的焊盤端子173的導(dǎo)通路。
通孔161及通孔171被金屬填充，或在內(nèi)部壁面形成金屬層。在cMUT芯片20的基板40部分中，在通孔161及通孔171的周圍設(shè)置絕緣部162 及絕緣部172。還有，期望在基板40的背面也設(shè)置絕緣層167。
在撓性基板72設(shè)置的焊盤端子165及焊盤端子175分別利用各向異 性導(dǎo)電粘接片等導(dǎo)電粘接劑164及導(dǎo)電粘接劑174與在cMUT芯片20的 下表面設(shè)置的焊盤端子163及焊盤端子173電連接。
撓性基板72的信號(hào)圖案38經(jīng)由焊盤端子165、導(dǎo)電粘接劑164、焊 盤端子163、通孔161與cMUT芯片20的上部電極46電連接。撓性基板 72的信號(hào)圖案41經(jīng)由焊盤端子175、導(dǎo)電粘接劑174、焊盤端子173、通 孔171與cMUT芯片20的下部電極48電連接。.
這樣，在第十實(shí)施方式中，撓性基板72和cMUT芯片20經(jīng)由通孔161 及通孔171電連接。由此，不需要用于電連接的引線，只要進(jìn)行焊盤端子 之間的對(duì)位，就能夠進(jìn)行撓性基板72和cMUT芯片20的電連接。
還有，在圖17中，說明了在cMUT芯片20的背面經(jīng)由通孔進(jìn)行電連 接的結(jié)構(gòu)，但在cMUT芯片20的超聲波輻射面經(jīng)由通孔進(jìn)行電連接也可。
另外，利用圖5或圖9等所示的引線接合方式，連接cMUT芯片20 的電極和撓性基板72的信號(hào)線的情況下，高電位的引線86和接地電位的 導(dǎo)電膜76接近，因此，有時(shí)由于光硬化樹脂88等密封材料的不良或絕緣 膜78的針孔不良，導(dǎo)致導(dǎo)電膜76和引線86之間短路，不能維持導(dǎo)電膜 76的接地電位。另一方面，利用圖16及圖17所示的通孔，連接cMUT 芯片20的電極和撓性基板72的信號(hào)線的情況下，連接線和導(dǎo)電膜76不 接近，因此，不會(huì)短路，維持導(dǎo)電膜76的接地電位，因此，確保安全性。
另外，以圖5或圖9等所示的引線接合方式使用的引線86為金屬細(xì) 線，因此，容易由于作用力而破損，難以操作。另一方面，在圖16及圖 17所示的利用通孔的連接中，不需要利用引線接合方式的引線連接作業(yè)， 容易操作。
另外，在圖5或圖9所示的利用引線接合方式的連接中，為了填充引 線86的周圍，需要光硬化樹脂88等密封材料。用作密封材料的樹脂和引 線86的線膨脹系數(shù)不同。通常，用作密封材料的樹脂的線膨脹系數(shù)比金 屬大。因此，若用作密封材料的樹脂由于溫度變化而膨脹，則引線86可 能破損。另外，在用作密封材料的樹脂內(nèi)存在雜質(zhì)的情況下，由于電方面遷移，引線86和導(dǎo)電膜76之間可能短路。另一方面，在圖16及圖17所 示的利用通孔的連接中，不需要引線及密封材料，因此，不發(fā)生樹脂內(nèi)的 雜質(zhì)引起的問題。
這樣，在第十實(shí)施方式中，代替利用引線接合方式的連接，進(jìn)行利用 通孔的連接，由此能夠進(jìn)一步提高超聲波探頭2的安全性。 (13.第十一實(shí)施方式) 其次，參照?qǐng)D18及圖19說明第十一實(shí)施方式。第十一實(shí)施方式涉及 cMUT芯片20的基板40的接地連接。
在第七實(shí)施方式中，說明了基板40從cMUT芯片20的側(cè)面經(jīng)由導(dǎo)電 樹脂89接地連接的結(jié)構(gòu)，但在第十一實(shí)施方式中，基板40從cMUT芯片 20的上表面?zhèn)?超聲波輻射面?zhèn)?或下表面?zhèn)?背面?zhèn)?接地連接。 (13 — 1.自cMUT芯片上表面?zhèn)鹊慕拥剡B接)
圖18是表示自cMUT芯片20的上表面?zhèn)鹊幕?0的接地連接的圖。 通孔181是cMUT芯片20的基板40和在cMUT芯片20的上表面設(shè)
置的焊盤端子182的導(dǎo)通路。通孔185是在撓性基板72的內(nèi)表面設(shè)置的
地線94和在上表面設(shè)置的焊盤端子184的導(dǎo)通路。通孔181及通孔185
被金屬填充，或在內(nèi)部壁面形成金屬層。
焊盤端子182和焊盤端子184利用引線接合方式經(jīng)由引線183電連接。
cMUT芯片20的基板40經(jīng)由通孔181、焊盤端子182、引線183、焊盤端
子184、通孔185、地線94與地面108連接。
(13—2.自cMUT芯片下表面?zhèn)鹊慕拥剡B接)
圖19是表示自cMUT芯片20的下表面?zhèn)鹊幕?0的接地連接的圖。 通孔191是cMUT芯片20的基板40和在cMUT芯片20的下表面設(shè) 置的焊盤端子192的導(dǎo)通路。通孔195是在撓性基板72的內(nèi)表面設(shè)置的 地線94和在上表面設(shè)置的焊盤端子194的導(dǎo)通路。通孔191及通孔195 被金屬填充，或在內(nèi)部壁面形成金屬層。
悍盤端子192及焊盤端子194利用各向異性導(dǎo)電粘接片等導(dǎo)電粘接劑 193電連接。cMUT芯片20的基板40經(jīng)由通孔191、焊盤端子192、導(dǎo)電 粘接劑193、焊盤端子194、通孔195、地線94接地連接。 (13 — 3.第十一實(shí)施方式中的效果)這樣，在第十一實(shí)施方式中，cMUT芯片20的基板40可以經(jīng)由通孔， 從cMUT芯片20的上表面?zhèn)然蛳卤砻鎮(zhèn)冗M(jìn)行接地連接。由此，代替用于 接地連接的導(dǎo)電樹脂的填充，只要進(jìn)行利用引線接合方式的連接或焊盤端 子之間的對(duì)位，就能夠進(jìn)行cMUT芯片20的基板40的接地連接。通過將 基板40設(shè)為接地電位，能夠穩(wěn)定化cMUT芯片的電位，穩(wěn)定化超聲波特 性。
還有，在cMUT芯片20的基板40上存在被施加100V以上的高壓的 上部電極46及下部電極48?；?0自身也為半導(dǎo)體，因此，在異常發(fā)電 時(shí)，基板40還可能成為高壓。在第十一實(shí)施方式中，通過將基板40經(jīng)由 通孔接地連接，在異常發(fā)生時(shí)也能夠?qū)⒒?0維持為接地電位，從而能 夠確保超聲波探頭2的安全性。 (14.其他)
還有，適當(dāng)組合上述實(shí)施方式，構(gòu)成超聲波探頭及超聲波診斷裝置也可。
另外，期望在上述實(shí)施方式中，將導(dǎo)電層的膜厚設(shè)為0.1^m左右，將 絕緣層的膜厚設(shè)為lpm左右。通過分別減薄絕緣層及導(dǎo)電層，能夠抑制 在cMUT芯片中對(duì)發(fā)送接收的超聲波的影響(對(duì)脈沖/頻率特性的影響或 衰減)。
以上，參照

了本發(fā)明的超聲波探頭及超聲波診斷裝置的適當(dāng) 的實(shí)施方式，但本發(fā)明不限定于所述例子。認(rèn)為只要是本領(lǐng)域普通技術(shù)人 員，顯然可以在本申請(qǐng)中公開的技術(shù)思想的范疇內(nèi)，想到各種變更例或修 正例，關(guān)于那些，當(dāng)然也屬于本發(fā)明的技術(shù)范圍中。
權(quán)利要求
1.一種超聲波探頭，其具備具有與偏置電壓對(duì)應(yīng)改變機(jī)電耦合系數(shù)或靈敏度的多個(gè)振動(dòng)要件，且發(fā)送接收超聲波的cMUT芯片；設(shè)置于所述cMUT芯片的超聲波輻射側(cè)的音響透鏡；設(shè)置于所述cMUT芯片的背面?zhèn)龋椅账龀暡ǖ膫鞑サ谋骋r層；從所述cMUT芯片的周緣部開始設(shè)置于所述背襯層的側(cè)面，且配置有與所述cMUT芯片的電極連接的信號(hào)圖案的電配線部；收容所述cMUT芯片、所述音響透鏡、所述背襯層及所述電配線部的框體部，所述超聲波探頭的特征在于，在所述cMUT芯片的超聲波輻射側(cè)設(shè)置有接地電位的接地層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的超聲波探頭，其特征在于， 所述接地層沿所述音響透鏡的內(nèi)表面及外側(cè)面形成， 在所述音響透鏡的外側(cè)面連接固定有所述接地層和導(dǎo)電部件，在所述背襯層的側(cè)面連接固定有所述導(dǎo)電部件和地線。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的超聲波探頭，其特征在于， 所述接地層沿所述音響透鏡的內(nèi)表面及外側(cè)面形成， 所述接地層在所述音響透鏡的外側(cè)面與地線連接固定。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的超聲波探頭，其特征在于， 所述接地層形成于所述cMUT芯片的超聲波照射面。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的超聲波探頭，其特征在于， 在所述接地層的超聲波照射側(cè)或背面?zhèn)鹊闹辽偃我粋€(gè)上形成絕緣層。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的超聲波探頭，其特征在于， 在所述cMUT芯片的電極和所述電配線部的信號(hào)圖案的連接部的周圍填充密封材料。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的超聲波探頭，其特征在于， 在所述cMUT芯片的電極和所述電配線部的信號(hào)圖案的連接部的周圍填充有用于粘接所述cMUT芯片和所述音響透鏡的粘接劑。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的超聲波探頭，其特征在于， 所述cMUT芯片的基板與地線連接。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的超聲波探頭，其特征在于，所述cMUT芯片的基板從cMUT芯片的側(cè)方經(jīng)由導(dǎo)電樹脂與地線連接。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的超聲波探頭，其特征在于，所述cMUT芯片具備使所述cMUT芯片的電極導(dǎo)通至超聲波輻射面或 背面的通孔，所述cMUT芯片的電極經(jīng)由所述通孔與所述電配線部的信號(hào)圖案連接。
11. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的超聲波探頭，其特征在于， 所述通孔和所述電配線部的信號(hào)圖案通過雙方的焊盤端子的對(duì)位來連接。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的超聲波探頭，其特征在于，所述cMUT芯片具備使所述cMUT芯片的基板導(dǎo)通至超聲波輻射面或 背面的通孔，所述cMUT芯片的基板經(jīng)由所述通孔與地線連接。
13. —種超聲波探頭的制造方法，所述超聲波探頭具備具有與偏置 電壓對(duì)應(yīng)改變機(jī)電耦合系數(shù)或靈敏度的多個(gè)振動(dòng)要件，且發(fā)送接收超聲波 的cMUT芯片；設(shè)置于所述cMUT芯片的超聲波輻射側(cè)的音響透鏡；設(shè)置 于所述cMUT芯片的背面?zhèn)龋椅账龀暡ǖ膫鞑サ谋骋r層；從所述 cMUT芯片的周緣部開始設(shè)置于所述背襯層的側(cè)面，且配置有與所述 cMUT芯片的電極連接的信號(hào)圖案的電配線部；收容所述cMUT芯片、所 述音響透鏡、所述背襯層及所述電配線部的框體部，所述超聲波探頭的制 造方法的特征在于，包括將所述cMUT芯片粘接于所述背襯層的上表面的工序； 將所述電配線部粘接于所述背襯層的上表面周緣的工序； 將所述電配線部和所述cMUT芯片經(jīng)由引線連接的工序； 將光硬化樹脂作為密封材料填充在所述引線的周圍的工序； 在所述音響透鏡的內(nèi)表面形成能夠接地的導(dǎo)電膜的工序； 將所述音響透鏡粘接于所述cMUT芯片的超聲波輻射面的工序。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的超聲波探頭的制造方法，其特征在于，在形成所述導(dǎo)電膜的工序中，沿所述CMUT芯片的超聲波輻射面、所 述電配線部及所述背襯層的側(cè)面形成導(dǎo)電膜。
15. —種超聲波診斷裝置，其具備對(duì)被檢測(cè)體發(fā)送接收超聲波的超 聲波探頭；基于從所述超聲波探頭輸出的超聲波接收信號(hào)構(gòu)成超聲波圖像 的圖像處理部；顯示所述超聲波圖像的顯示部，所述超聲波診斷裝置的特征在于，所述超聲波探頭為權(quán)利要求1所述的超聲波探頭。
全文摘要
本發(fā)明的超聲波探頭為如下所述的超聲波探頭(2)，其具備具有與偏置電壓對(duì)應(yīng)改變機(jī)電耦合系數(shù)或靈敏度的多個(gè)振動(dòng)要件，且發(fā)送接收超聲波的cMUT芯片(20)；設(shè)置于所述cMUT芯片(20)的超聲波輻射側(cè)的音響透鏡(26)；設(shè)置于所述cMUT芯片(20)的背面?zhèn)?，且吸收所述超聲波的傳播的背襯層(22)；從所述cMUT芯片(20)的周緣部開始設(shè)置于所述背襯層(22)的側(cè)面，且配置有與所述cMUT芯片(20)的電極連接的信號(hào)圖案的電配線部(撓性基板(72))；收容所述cMUT芯片(20)、所述音響透鏡(26)、所述背襯層(22)及所述電配線部(撓性基板(72))的框體部(超聲波探頭罩(25))，在所述cMUT芯片(20)的超聲波輻射側(cè)設(shè)置有接地電位的接地層(導(dǎo)電膜(76))。
文檔編號(hào)A61B8/00GK101636112SQ20088000893
公開日2010年1月27日 申請(qǐng)日期2008年2月27日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月20日
發(fā)明者佐光曉史, 佐野秀造, 小林隆, 泉美喜雄 申請(qǐng)人:株式會(huì)社日立醫(yī)藥