專利名稱：用于磁感應(yīng)斷層成像的方法和系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及磁感應(yīng)斷層成像，尤其是涉及用于通過估計(jì)和移除偽像(artifact)而改進(jìn)磁感應(yīng)斷層成像的成像質(zhì)量的方法和系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
磁感應(yīng)斷層成像(MIT)是具有工業(yè)和醫(yī)療成像應(yīng)用的非侵入式和無接觸成像技術(shù)。與其他電成像技術(shù)形成對(duì)照的是，MIT無需傳感器與用于成像的感興趣目標(biāo)直接接觸。 MIT用來重建感興趣目標(biāo)內(nèi)部的無源電特性(例如電導(dǎo)率σ )的空間分布。現(xiàn)有技術(shù)專利申請(qǐng)W02007072343公開了一種用于研究目標(biāo)的電磁特性的磁感應(yīng)斷層成像系統(tǒng)。該系統(tǒng)包括適于產(chǎn)生初級(jí)磁場(chǎng)的一個(gè)或多個(gè)發(fā)生器線圈，所述初級(jí)磁場(chǎng)在目標(biāo)中感應(yīng)渦流；適于感測(cè)次級(jí)磁場(chǎng)的一個(gè)或多個(gè)傳感器線圈，所述次級(jí)磁場(chǎng)作為所述渦流的結(jié)果而產(chǎn)生；以及用于提供一方面的一個(gè)或多個(gè)發(fā)生器線圈和/或一個(gè)或多個(gè)傳感器線圈與另一方面的要研究的目標(biāo)之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)的構(gòu)件。MIT系統(tǒng)的硬件設(shè)計(jì)的一個(gè)技術(shù)挑戰(zhàn)涉及移除所述線圈裝置與要成像的目標(biāo)之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)造成的偽像。在醫(yī)療應(yīng)用中，大多數(shù)組織具有低的電導(dǎo)率并且因而給出小的電子信號(hào)，例如，由于次級(jí)磁場(chǎng)而引起的感測(cè)的磁場(chǎng)中的相位變化非常小，通常在毫度數(shù)量級(jí)并且因而難于檢測(cè)。另一方面，對(duì)于諸如長期患者監(jiān)測(cè)之類的醫(yī)療應(yīng)用而言，保持要監(jiān)測(cè)的目標(biāo)固定不動(dòng)是不可能的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種具有改進(jìn)的成像質(zhì)量的用于圖像重建的設(shè)備。依照本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種用于估計(jì)感興趣目標(biāo)的圖像重建中的偽像的設(shè)備，所述設(shè)備包括
-線圈裝置，其包括用于產(chǎn)生要施加到感興趣目標(biāo)的初級(jí)磁場(chǎng)的至少一個(gè)發(fā)射線圈以及用于測(cè)量由次級(jí)磁場(chǎng)感應(yīng)的電信號(hào)的至少一個(gè)測(cè)量線圈，所述次級(jí)磁場(chǎng)由感興趣目標(biāo)響應(yīng)于初級(jí)磁場(chǎng)而產(chǎn)生；
-運(yùn)動(dòng)感測(cè)構(gòu)件，其用于感測(cè)感興趣目標(biāo)與線圈裝置之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)并且在發(fā)生相對(duì)運(yùn)動(dòng)時(shí)產(chǎn)生觸發(fā)信號(hào)；以及
-處理器，其用于響應(yīng)于觸發(fā)信號(hào)基于相對(duì)運(yùn)動(dòng)之前和之后測(cè)量的電信號(hào)而計(jì)算感興趣目標(biāo)的電導(dǎo)率分布的變化，所述電導(dǎo)率分布的變化代表相對(duì)運(yùn)動(dòng)造成的偽像。通過感測(cè)感興趣目標(biāo)與線圈裝置之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)并且計(jì)算相對(duì)運(yùn)動(dòng)造成的信號(hào)差異以用于圖像重建，可以大大地減少相對(duì)運(yùn)動(dòng)造成的偽像。在一個(gè)實(shí)施例中，運(yùn)動(dòng)感測(cè)構(gòu)件包括用于產(chǎn)生磁場(chǎng)的至少一個(gè)磁體以及用于感測(cè)所述至少一個(gè)磁體的運(yùn)動(dòng)造成的磁場(chǎng)變化的至少一個(gè)巨磁阻傳感器，所述至少一個(gè)磁體附接到感興趣目標(biāo)并且所述至少一個(gè)巨磁阻傳感器附接到線圈裝置或者其支撐。當(dāng)所述磁體和巨磁阻傳感器分別附接到感興趣目標(biāo)和線圈裝置或其支撐時(shí)，可以在不限制感興趣目標(biāo)的自由運(yùn)動(dòng)的情況下感測(cè)感興趣目標(biāo)與線圈裝置之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)。在另一個(gè)實(shí)施例中，所述設(shè)備進(jìn)一步包括用于測(cè)量線圈裝置中的溫度漂移的至少一個(gè)溫度傳感器，其中所述處理器進(jìn)一步被設(shè)置用于基于該溫度漂移估計(jì)測(cè)量的電信號(hào)的信號(hào)漂移，并且基于該信號(hào)漂移計(jì)算感興趣目標(biāo)的電導(dǎo)率分布的附加變化，所述電導(dǎo)率分布的附加變化代表溫度漂移造成的偽像。通過測(cè)量溫度漂移并且估計(jì)測(cè)量中的相應(yīng)信號(hào)漂移，可以減少溫度漂移造成的偽像，從而導(dǎo)致改進(jìn)的成像質(zhì)量。依照本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種估計(jì)感興趣目標(biāo)的圖像重建中的偽像的方法，該方法包括以下步驟
-通過至少一個(gè)發(fā)射線圈產(chǎn)生要施加到感興趣目標(biāo)的初級(jí)磁場(chǎng)； -通過至少一個(gè)測(cè)量線圈測(cè)量由次級(jí)磁場(chǎng)感應(yīng)的電信號(hào)，所述次級(jí)磁場(chǎng)由感興趣目標(biāo)響應(yīng)于初級(jí)磁場(chǎng)而產(chǎn)生；
-感測(cè)感興趣目標(biāo)與線圈裝置之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)，該線圈裝置包括所述至少一個(gè)發(fā)射線圈和所述至少一個(gè)測(cè)量線圈；
-在發(fā)生相對(duì)運(yùn)動(dòng)時(shí)產(chǎn)生觸發(fā)信號(hào)；以及
-響應(yīng)于觸發(fā)信號(hào)基于相對(duì)運(yùn)動(dòng)之前和之后測(cè)量的電信號(hào)而計(jì)算感興趣目標(biāo)的電導(dǎo)率分布的變化，所述電導(dǎo)率分布的變化代表相對(duì)運(yùn)動(dòng)造成的偽像。在下文中，給出本發(fā)明的詳細(xì)解釋和其他方面。


根據(jù)以下結(jié)合附圖考慮的詳細(xì)描述，本發(fā)明的上述和其他目的和特征將變得更加清楚明白，在附圖中
圖1示出了依照本發(fā)明的用于估計(jì)圖像重建中的偽像的設(shè)備的第一實(shí)施例； 圖2(a)和圖2(b)示出了實(shí)驗(yàn)中獲得的相對(duì)運(yùn)動(dòng)與測(cè)量的電信號(hào)之間的關(guān)系； 圖3示出了依照本發(fā)明的用于估計(jì)圖像重建中的偽像的設(shè)備的第二實(shí)施例； 圖4示出了依照本發(fā)明的用于估計(jì)圖像重建中的偽像的設(shè)備的第三實(shí)施例； 圖5(a)和圖5(b)示出了開放實(shí)驗(yàn)室環(huán)境中的熱漂移與測(cè)量的信號(hào)之間的關(guān)系； 圖6(a)和圖6(b)示出了在外部熱干擾的情況下的熱漂移與測(cè)量的信號(hào)之間的關(guān)系； 圖7為依照本發(fā)明的估計(jì)圖像重建中的偽像的方法的流程圖。在整個(gè)附圖中，相同的參考標(biāo)記用來表示相似的部分。
具體實(shí)施例方式圖1示出了依照本發(fā)明的用于估計(jì)圖像重建中的運(yùn)動(dòng)偽像的設(shè)備100的第一實(shí)施例。設(shè)備100包括線圈裝置105，該線圈裝置包括用于產(chǎn)生要施加到感興趣目標(biāo)101的初級(jí)磁場(chǎng)的至少一個(gè)發(fā)射線圈109、109’。初級(jí)磁場(chǎng)在感興趣目標(biāo)101中感應(yīng)出渦流(eddy current)。感興趣目標(biāo)101可以是人的頭部或者一塊導(dǎo)電材料。線圈裝置105進(jìn)一步包括用于測(cè)量次級(jí)磁場(chǎng)感應(yīng)的電信號(hào)的至少一個(gè)測(cè)量線圈 110,110'。次級(jí)磁場(chǎng)由感興趣目標(biāo)響應(yīng)于初級(jí)磁場(chǎng)而產(chǎn)生。特別地，次級(jí)磁場(chǎng)由初級(jí)磁場(chǎng)感應(yīng)的感興趣目標(biāo)中的渦流產(chǎn)生。線圈裝置105可以位于支撐102上。設(shè)備100進(jìn)一步包括用于感測(cè)感興趣目標(biāo)101與線圈裝置105之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)的運(yùn)動(dòng)感測(cè)構(gòu)件112、114、112’、114’。運(yùn)動(dòng)感測(cè)構(gòu)件在發(fā)生相對(duì)運(yùn)動(dòng)時(shí)，例如在感測(cè)的相對(duì)運(yùn)動(dòng)超過預(yù)定義范圍時(shí)產(chǎn)生觸發(fā)信號(hào)。設(shè)備100進(jìn)一步包括處理器125，該處理器用于響應(yīng)于觸發(fā)信號(hào)基于相對(duì)運(yùn)動(dòng)之前和之后測(cè)量的電信號(hào)而計(jì)算感興趣目標(biāo)的電導(dǎo)率分布的變化，所述電導(dǎo)率分布的變化代表相對(duì)運(yùn)動(dòng)造成的偽像。感興趣目標(biāo)的電導(dǎo)率分布的變化的計(jì)算遵循圖像重建理論，例如該計(jì)算可以遵循現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)“Image reconstruction approaches for Philips magnetic induction tomography，，，M. Vauhkonen, M. Hamsch and C. H. Igney, ICEBI 2007，IFMBE Proceedings 17，pp. 468 - 471，2007中描述的理論。依照以下方程，例如提到的現(xiàn)有技術(shù)中的方程(8)，電導(dǎo)率分布的變化可以計(jì)算為
其中r為權(quán)重矩陣，α為正則化參數(shù)并且Z為正則化矩陣，/為復(fù)數(shù)雅可比矩陣的虛數(shù)部分，AKi為相對(duì)運(yùn)動(dòng)之前和之后在測(cè)量線圈上感應(yīng)的差值電壓。測(cè)量的差值電壓與電導(dǎo)率分布的變化相應(yīng)，電導(dǎo)率分布的變化指示相對(duì)運(yùn)動(dòng)造成的偽像。相對(duì)運(yùn)動(dòng)造成的電導(dǎo)率分布的變化可以在電導(dǎo)率分布的后續(xù)計(jì)算中降低，從而移除圖像重建中的偽像。在一個(gè)實(shí)際的實(shí)現(xiàn)方式中，可以根據(jù)測(cè)量的電壓的幅度以及兩個(gè)測(cè)量的電壓之間的相位偏移導(dǎo)出差值電壓。電導(dǎo)率分布的計(jì)算可以有利地借助于計(jì)算機(jī)程序而實(shí)現(xiàn)。在一個(gè)實(shí)施例中，所述運(yùn)動(dòng)感測(cè)構(gòu)件包括用于產(chǎn)生磁場(chǎng)的至少一個(gè)磁體112、112’ 以及用于感測(cè)所述至少一個(gè)磁體的運(yùn)動(dòng)造成的磁場(chǎng)變化的至少一個(gè)巨磁阻傳感器114、 114’，所述至少一個(gè)磁體112、112’附接到感興趣目標(biāo)101并且所述至少一個(gè)巨磁阻傳感器 114,114'附接到線圈裝置105或者其支撐102。有利的是，磁體112、112，為NiFeB硬磁體。
圖2(a)和圖2(b)示出了從實(shí)驗(yàn)中獲得的相對(duì)運(yùn)動(dòng)與測(cè)量的電信號(hào)之間的關(guān)系。參照?qǐng)D2(a)和圖2(b)，觀察到所測(cè)量的測(cè)量線圈中感應(yīng)的電壓相位隨著感興趣目標(biāo)與線圈裝置之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)而變化。在圖2(a)中，A表示旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)，B表示沒有運(yùn)動(dòng)， 并且C表示橫向運(yùn)動(dòng)；因此，在圖2(b)中可以觀察到，與點(diǎn)A和B相應(yīng)的相位發(fā)生變化。然而，相位變化對(duì)于相對(duì)運(yùn)動(dòng)是非線性的，因?yàn)橛蛇\(yùn)動(dòng)造成的人為的電導(dǎo)率變化是非線性的。圖3示出了依照本發(fā)明的用于估計(jì)圖像重建中的偽像的設(shè)備的第二實(shí)施例。在該實(shí)施例中，相對(duì)于圖1中所示的實(shí)施例的唯一區(qū)別是運(yùn)動(dòng)感測(cè)構(gòu)件，該構(gòu)件包括用于產(chǎn)生光束的至少一個(gè)光源312、312’以及用于感測(cè)所述至少一個(gè)光源的運(yùn)動(dòng)造成的光束變化的至少一個(gè)光學(xué)傳感器314、314’。所述至少一個(gè)光源312、312’附接到感興趣目標(biāo)101并且所述至少光學(xué)傳感器314、314’附接到線圈裝置105或者其支撐102。圖4示出了依照本發(fā)明的用于估計(jì)圖像重建中的偽像的設(shè)備的第三實(shí)施例。參照?qǐng)D4，該設(shè)備進(jìn)一步包括用于監(jiān)測(cè)系統(tǒng)中的溫度漂移的至少一個(gè)溫度傳感器 420,420'。有利的是，所述至少一個(gè)溫度傳感器位于靠近線圈裝置的位置，優(yōu)選地位于保持
6線圈裝置的印刷電路板上。所述處理器進(jìn)一步被設(shè)置用于基于溫度漂移估計(jì)測(cè)量的電信號(hào)的信號(hào)漂移并且基于該信號(hào)漂移計(jì)算感興趣目標(biāo)的電導(dǎo)率分布的附加變化。信號(hào)漂移與電導(dǎo)率分布的附加變化相應(yīng)，電導(dǎo)率分布的附加變化指示溫度漂移造成的偽像。存在估計(jì)測(cè)量的電信號(hào)的信號(hào)漂移的許多方式，例如通過基于熱漂移與測(cè)量的相位變化之間的已知關(guān)系估計(jì)測(cè)量線圈中感應(yīng)的電壓的相位漂移。這些細(xì)節(jié)可以在下文中結(jié)合圖5和圖6的考慮進(jìn)行解釋。圖5(a)和圖5(b)示出了開放實(shí)驗(yàn)室環(huán)境中的熱漂移與測(cè)量的信號(hào)之間的關(guān)系。圖6 (a)和圖6(b)示出了在外部熱干擾的情況下的熱漂移與測(cè)量的信號(hào)之間的關(guān)系。參照?qǐng)D5和圖6觀察到，溫度變化與相位變化之間的絕對(duì)相關(guān)系數(shù)高達(dá) 0. 97-0. 98。一旦熱漂移與測(cè)量的相位偏移之間的關(guān)系已知，則可以基于線性或多項(xiàng)式擬合方法依照熱漂移確定相位偏移。圖7為依照本發(fā)明的用于估計(jì)圖像重建中的偽像的方法的流程圖。參照?qǐng)D7，該方法包括通過至少一個(gè)發(fā)射線圈產(chǎn)生要施加到感興趣目標(biāo)的初級(jí)磁場(chǎng)的步驟710。該初級(jí)磁場(chǎng)在感興趣目標(biāo)中感應(yīng)出渦流。該方法進(jìn)一步包括通過至少一個(gè)測(cè)量線圈測(cè)量由次級(jí)磁場(chǎng)感應(yīng)的電信號(hào)的步驟 720。所述次級(jí)磁場(chǎng)由感興趣目標(biāo)響應(yīng)于初級(jí)磁場(chǎng)而產(chǎn)生。特別地，該次級(jí)磁場(chǎng)由感興趣目標(biāo)中的渦流產(chǎn)生。該方法進(jìn)一步包括感測(cè)感興趣目標(biāo)與線圈裝置之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)的步驟730，該線圈裝置包括所述至少一個(gè)發(fā)射線圈和測(cè)量線圈。該方法進(jìn)一步包括在發(fā)生相對(duì)運(yùn)動(dòng)時(shí)產(chǎn)生觸發(fā)信號(hào)的步驟740。該方法進(jìn)一步包括響應(yīng)于觸發(fā)信號(hào)基于相對(duì)運(yùn)動(dòng)之前和之后測(cè)量的電信號(hào)而計(jì)算感興趣目標(biāo)的電導(dǎo)率分布的變化的步驟750。所述電導(dǎo)率分布的變化代表相對(duì)運(yùn)動(dòng)造成的偽像，并且可以在感興趣目標(biāo)的重建圖像中降低，從而導(dǎo)致改進(jìn)的圖像重建質(zhì)量。在一個(gè)實(shí)施例中，感測(cè)步驟730包括通過至少一個(gè)磁體產(chǎn)生磁場(chǎng)的子步驟以及通過至少一個(gè)巨磁阻傳感器感測(cè)所述至少一個(gè)磁體的相對(duì)運(yùn)動(dòng)造成的磁場(chǎng)變化的子步驟。有利的是，所述至少一個(gè)磁體為NiFeB硬磁體，并且所述至少一個(gè)磁體附接到感興趣目標(biāo)，所述至少一個(gè)巨磁阻傳感器附接到線圈裝置或者保持線圈裝置的支撐。在另一個(gè)實(shí)施例中，感測(cè)步驟730包括通過至少一個(gè)光源產(chǎn)生光束的子步驟以及感測(cè)所述至少一個(gè)光源的相對(duì)運(yùn)動(dòng)造成的光束變化的子步驟。有利的是，所述至少一個(gè)光源附接到感興趣目標(biāo)并且所述至少光學(xué)傳感器附接到線圈裝置或者其支撐。在另一個(gè)另外的實(shí)施例中，所述方法進(jìn)一步包括步驟測(cè)量線圈裝置中的溫度漂移，基于該溫度漂移估計(jì)測(cè)量的電信號(hào)的信號(hào)漂移；以及基于該信號(hào)漂移計(jì)算感興趣目標(biāo)的電導(dǎo)率分布的附加變化。所述電導(dǎo)率分布的附加變化代表溫度漂移造成的偽像，并且可以在感興趣目標(biāo)的重建圖像中降低，從而導(dǎo)致進(jìn)一步改進(jìn)的圖像重建質(zhì)量。應(yīng)當(dāng)指出的是，上述實(shí)施例說明了而不是限制了本發(fā)明，并且本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離所附權(quán)利要求書的范圍的情況下將能夠設(shè)計(jì)出可替換的實(shí)施例。在權(quán)利要求書中， 置于括號(hào)之間的任何參考標(biāo)記都不應(yīng)當(dāng)被視為限制了權(quán)利要求。動(dòng)詞“包括/包含”并沒有排除存在權(quán)利要求中或者說明書中未列出的元件或步驟。元件之前的措詞“一”或“一個(gè)”并沒有排除存在多個(gè)這樣的元件。在列舉了若干單元的設(shè)備權(quán)利要求中，這些單元中的一些可以由同一硬件或軟件項(xiàng)實(shí)施。措詞第一、第二和第三等等的使用并不表示任何排序。 這些措詞應(yīng)當(dāng)解釋為命名。
權(quán)利要求
1.一種用于估計(jì)感興趣目標(biāo)(101)的圖像重建中的偽像的設(shè)備，所述設(shè)備包括-線圈裝置(105)，其包括用于產(chǎn)生要施加到感興趣目標(biāo)(101)的初級(jí)磁場(chǎng)的至少一個(gè)發(fā)射線圈(109，109’)以及用于測(cè)量由次級(jí)磁場(chǎng)感應(yīng)的電信號(hào)的至少一個(gè)測(cè)量線圈 (110，110’)，所述次級(jí)磁場(chǎng)由感興趣目標(biāo)響應(yīng)于初級(jí)磁場(chǎng)而產(chǎn)生；-運(yùn)動(dòng)感測(cè)構(gòu)件(112，114，112’，114’ ；312，314，312’，314’)，其用于感測(cè)感興趣目標(biāo) (101)與線圈裝置(105)之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)并且在發(fā)生相對(duì)運(yùn)動(dòng)時(shí)產(chǎn)生觸發(fā)信號(hào)；以及-處理器(125)，其用于響應(yīng)于觸發(fā)信號(hào)基于相對(duì)運(yùn)動(dòng)之前和之后測(cè)量的電信號(hào)而計(jì)算感興趣目標(biāo)的電導(dǎo)率分布的變化，所述電導(dǎo)率分布的變化代表相對(duì)運(yùn)動(dòng)造成的偽像。
2.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述運(yùn)動(dòng)感測(cè)構(gòu)件包括用于產(chǎn)生磁場(chǎng)的至少一個(gè)磁體(112，112’)以及用于感測(cè)所述至少一個(gè)磁體的相對(duì)運(yùn)動(dòng)造成的磁場(chǎng)變化的至少一個(gè)巨磁阻傳感器(114，114’)，所述至少一個(gè)磁體(112，112’)附接到感興趣目標(biāo)(101)并且所述至少一個(gè)巨磁阻傳感器(114，114’)附接到線圈裝置(105)或者其支撐(102)。
3.如權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中所述至少一個(gè)磁體(112，112’)為NiFeB硬磁體。
4.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述運(yùn)動(dòng)感測(cè)構(gòu)件包括用于產(chǎn)生光束的至少一個(gè)光源(312、312’)以及用于感測(cè)所述至少一個(gè)光源的相對(duì)運(yùn)動(dòng)造成的光束變化的至少一個(gè)光學(xué)傳感器(314、314’)，所述至少一個(gè)光源(312、312’)附接到感興趣目標(biāo)(101)并且所述至少光學(xué)傳感器(314、314’)附接到線圈裝置(105)或者其支撐(102)。
5.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，進(jìn)一步包括-用于測(cè)量線圈裝置中的溫度漂移的至少一個(gè)溫度傳感器(420，420’)； 其中處理器(125)進(jìn)一步被設(shè)置用于基于該溫度漂移估計(jì)測(cè)量的電信號(hào)的信號(hào)漂移， 并且基于該信號(hào)漂移計(jì)算感興趣目標(biāo)的電導(dǎo)率分布的附加變化，所述電導(dǎo)率分布的附加變化代表溫度漂移造成的偽像。
6.一種估計(jì)感興趣目標(biāo)的圖像重建中的偽像的方法，該方法包括以下步驟 -通過至少一個(gè)發(fā)射線圈產(chǎn)生(710)要施加到感興趣目標(biāo)的初級(jí)磁場(chǎng)；-通過至少一個(gè)測(cè)量線圈測(cè)量(720)由次級(jí)磁場(chǎng)感應(yīng)的電信號(hào)，所述次級(jí)磁場(chǎng)由感興趣目標(biāo)響應(yīng)于初級(jí)磁場(chǎng)而產(chǎn)生；-感測(cè)(730)感興趣目標(biāo)與線圈裝置之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)，該線圈裝置包括所述至少一個(gè)發(fā)射線圈和測(cè)量線圈；-在發(fā)生相對(duì)運(yùn)動(dòng)時(shí)產(chǎn)生(740)觸發(fā)信號(hào)；以及-響應(yīng)于觸發(fā)信號(hào)基于相對(duì)運(yùn)動(dòng)之前和之后測(cè)量的電信號(hào)而計(jì)算(750 )感興趣目標(biāo)的電導(dǎo)率分布的變化，所述電導(dǎo)率分布的變化代表相對(duì)運(yùn)動(dòng)造成的偽像。
7.如權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其中感測(cè)步驟(730)包括 -通過至少一個(gè)磁體產(chǎn)生磁場(chǎng)；以及-通過至少一個(gè)巨磁阻傳感器感測(cè)所述至少一個(gè)磁體的相對(duì)運(yùn)動(dòng)造成的磁場(chǎng)變化， 其中所述至少一個(gè)磁體附接到感興趣目標(biāo)并且所述至少一個(gè)巨磁阻傳感器附接到線圈裝置或者其支撐。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中所述至少一個(gè)磁體為NiFeB硬磁體。
9.如權(quán)利要求6所述的方法，進(jìn)一步包括 -通過至少一個(gè)光源產(chǎn)生光束；以及-感測(cè)所述至少一個(gè)光源的相對(duì)運(yùn)動(dòng)造成的光束變化，其中所述至少一個(gè)光源附接到感興趣目標(biāo)并且所述至少一個(gè)光學(xué)傳感器附接到線圈裝置或者其支撐。
10.如權(quán)利要求6所述的方法，進(jìn)一步包括步驟 -測(cè)量線圈裝置中的溫度漂移； -基于該溫度漂移估計(jì)測(cè)量的電信號(hào)的信號(hào)漂移；以及-基于該信號(hào)漂移計(jì)算感興趣目標(biāo)的電導(dǎo)率分布的附加變化，所述電導(dǎo)率分布的附加變化代表溫度漂移造成的偽像。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于估計(jì)感興趣目標(biāo)(101)的圖像重建中的偽像的方法和設(shè)備。本發(fā)明的設(shè)備包括線圈裝置(105)，其包括用于產(chǎn)生要施加到感興趣目標(biāo)(101)的初級(jí)磁場(chǎng)的至少一個(gè)發(fā)射線圈(109，109’)以及用于測(cè)量由次級(jí)磁場(chǎng)感應(yīng)的電信號(hào)的至少一個(gè)測(cè)量線圈(110，110’)，所述次級(jí)磁場(chǎng)由感興趣目標(biāo)響應(yīng)于初級(jí)磁場(chǎng)而產(chǎn)生；運(yùn)動(dòng)感測(cè)構(gòu)件(112，114，112’，114’；312，314，312’，314’)，其用于感測(cè)感興趣目標(biāo)(101)與線圈裝置(105)之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)并且在發(fā)生相對(duì)運(yùn)動(dòng)時(shí)產(chǎn)生觸發(fā)信號(hào)；以及處理器(125)，其用于響應(yīng)于觸發(fā)信號(hào)基于相對(duì)運(yùn)動(dòng)之前和之后測(cè)量的電信號(hào)而計(jì)算感興趣目標(biāo)的電導(dǎo)率分布的變化，所述電導(dǎo)率分布的變化代表相對(duì)運(yùn)動(dòng)造成的偽像。
文檔編號(hào)A61B5/11GK102271577SQ200980153401
公開日2011年12月7日 申請(qǐng)日期2009年12月11日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月30日
發(fā)明者劉 H., 諶達(dá)宇 申請(qǐng)人:皇家飛利浦電子股份有限公司