專利名稱：用于監(jiān)測電子束強(qiáng)度的方法和裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于監(jiān)測電子束強(qiáng)度的方法。本發(fā)明還涉及一種用于監(jiān)測電子束強(qiáng)度的裝置。
背景技術(shù)：
這種電子束能夠例如用構(gòu)造成類似X射線管的管狀裝置產(chǎn)生，并且在所述管狀裝置內(nèi)布置熾熱的金屬發(fā)射元件。在這方面，所述電子由熱電子發(fā)射產(chǎn)生并且在所述管內(nèi)被加速到高動能。相應(yīng)的加速電子通過所述加速區(qū)域末端的出射窗離開所述管狀裝置。典型地，所述出射窗被細(xì)細(xì)地和/或狹窄地構(gòu)造并且電連接到地電位。這種裝置也被通稱為電子槍。離開所述出射窗后，所述電子進(jìn)入大氣環(huán)境中進(jìn)行傳播。最大的傳播距離由所述電子的動能決定。根據(jù)典型實施例，產(chǎn)生的電子電流具有ΙΟΟμΑ(微安)到200mA(毫安)范圍的強(qiáng)度。所述管也通常提供連續(xù)運行以達(dá)到恒定的電子發(fā)射速率。也通常使用恒定的加速電壓以產(chǎn)生不隨著時間變化的電子電流。然而，由于使用的所述管的結(jié)構(gòu)，能夠例如由例如沿著陶瓷絕緣子的表面發(fā)生的火花，引起隨時發(fā)生小電壓驟降。這種電壓驟降在電學(xué)上的表現(xiàn)與短暫短路一樣并且引起所述電子電流的電子動能減少，用此也可能減小束強(qiáng)度和/或電子的范圍。也不可能絕對地消除因這種影響而使所述電子束出現(xiàn)短暫完全遺失。根據(jù)特殊原因，這種遺失能夠持續(xù)從幾微秒到幾毫秒的時間段。持續(xù)超過約1毫秒的非工作狀態(tài)時間能夠通過監(jiān)測向所述管供電的電源單元的電壓和電流特性探測到。然而，由于在所述電源單元的濾波中時間常量并且由于所實現(xiàn)的電壓和電流特性監(jiān)測的抽樣速率，不能探測更短的非工作狀態(tài)時間，或者至少不可靠地探測。這種電子束的應(yīng)用能夠用于例如給包裝材料表面消毒。在這種類型的應(yīng)用中，通過所述電子束的適當(dāng)偏轉(zhuǎn)和/或通過相對電子源移動所述包裝材料，至少在特定的區(qū)域， 所述包裝材料的表面被電子束全部掃過，以便執(zhí)行可靠的消毒。因此，如果所述電子束強(qiáng)度驟降，電子束的短暫喪失或者電子束的能量驟降，在缺乏恰當(dāng)對策時執(zhí)行的消毒操作是不完全的，這是不能接受的。當(dāng)保持經(jīng)濟(jì)邊界條件時，已經(jīng)證明在技術(shù)上很難可靠地避免所述的強(qiáng)度驟降、能量驟降和/或短暫失效。因而努力快速地并且可靠地探測相應(yīng)強(qiáng)度波動，以便影響所述電子束的偏轉(zhuǎn)或者執(zhí)行運動的路徑，使得所述包裝材料的要消毒的表面的每部分都在足夠強(qiáng)度的電子束里曝露足夠長時間。在本發(fā)明的范圍內(nèi)，術(shù)語“包裝材料”必須被解釋為，是指適合纏繞或者容納易腐蝕物質(zhì)的任何材料。這不僅涉及到諸如薄膜的柔軟材料，而且涉及到諸如用金屬板制造的罐或者玻璃制造的瓶子或壇的剛性材料以及例如塑料瓶，塑料杯等半剛性材料。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種在上面開頭部分所表示類型的方法，所述方法能夠執(zhí)行可靠的強(qiáng)度監(jiān)測。根據(jù)本發(fā)明的方法實現(xiàn)了這個目的，即為了探測所述電子束的強(qiáng)度變化，探測和評估通過所述電子束直接或間接地產(chǎn)生的電子輻射或電磁輻射。當(dāng)在本發(fā)明的范圍內(nèi)使用時，所述句子“由所述電子束直接或間接地產(chǎn)生的輻射或電磁輻射”將被解釋為是指本發(fā)明的目的涉及能夠以不同方式發(fā)生的(電磁)輻射的探測。一方面，這涉及直接由所述電子束產(chǎn)生的電子輻射，其中，例如電子從原子或分子的外殼脫離出來并且直接撞擊用于探測的輻射敏感部件。使用例如本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知類型的諸如PT100，PTC, NTC的溫度敏感電阻能夠探測所述電子輻射，在這方面優(yōu)選使用對溫度變化反應(yīng)非常快并且因此能夠探測電子輻射的非常小變化的部件。另一方面，本發(fā)明的目的涉及只由所述電子束間接產(chǎn)生的電磁輻射，例如，通過電子-離子對的重新組合并因此產(chǎn)生的電磁輻射，下面將會更詳細(xì)地描述。本發(fā)明的另一目的是設(shè)計一種開頭所述類型的裝置，以便提供快速可靠的強(qiáng)度監(jiān)測。根據(jù)本發(fā)明提供的探測器實現(xiàn)了這個目的，即本發(fā)明提供了一種用于測量由電子束直接或間接地產(chǎn)生的電磁輻射的探測器，并且所述探測器與用于探測所產(chǎn)生的電磁輻射的強(qiáng)度變化的評估器相連接。


下面在此將參考示范性實施例描述本發(fā)明。具體地，圖1顯示本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的電子穿過空氣時的能量損失的情況圖；以及圖2以簡化方式顯示根據(jù)本發(fā)明的裝置。
具體實施例方式一種用于監(jiān)測由電子束發(fā)出的電磁輻射的測量裝置，能夠用小的空間尺寸并且不昂貴地實現(xiàn)。探測由所述電子束產(chǎn)生的等離子體輻射的相應(yīng)探測器具有非常小的誤差，以致僅僅幾毫秒分之一的的測量時間或觀察時間(時間常量)就足夠進(jìn)行信號過濾，例如，用于探測電子束的變化。所述探測器能夠定位在所述電子束的外面，使得它們的熱載荷低，這對這種探測器的使用壽命具有非常積極的影響。發(fā)射的電磁輻射的強(qiáng)度與電子束的強(qiáng)度直接相關(guān)，并且所述電磁輻射的測量能夠具有極其良好的精度。在特征頻率范圍內(nèi)的測量受到紫外線輻射的評估的影響。還提議進(jìn)行光輻射評估。在電子束在空氣內(nèi)傳播期間，特別簡單的構(gòu)建技術(shù)的實施由正在被評估的電磁輻射輔助。根據(jù)優(yōu)選應(yīng)用，建議所述電子束用于包裝材料表面區(qū)域的殺菌(bacterial reduction)。特別建議用于減少在容器的表面區(qū)域的細(xì)菌數(shù)。
緊湊設(shè)計通過半導(dǎo)體傳感器探測的電磁輻射輔助。使用光敏二極管，也稱為光電二極管，作為半導(dǎo)體傳感器有助于經(jīng)濟(jì)地實施。在進(jìn)一步型式的實施例中，CXD芯片，光敏CMOS芯片或者光電晶體管用作半導(dǎo)體傳感器。使用光敏電阻器型式的實施例也是可以想象的。圖1描繪了特定電離作用和能量損失對于電子能量的典型特征圖。標(biāo)有特定電離作用的曲線表示在照射lmg/cm2的空氣柱的過程中，由具有1千電子伏特到3兆電子伏特的能量的電子所形成的離子對數(shù)。在此上下文中使用的術(shù)語“單離子對”是指一個電子和一個離子的組，在此下文中稱為電子-離子對。標(biāo)有能量損失的曲線描述當(dāng)照射具有l(wèi)mg/cm2的每單位面積的質(zhì)量的空氣柱時， 電子在空氣中損失的能量。在電子與物質(zhì)相互作用過程中引起的效應(yīng)通常以每單位面積的質(zhì)量的方式表示，因為這與物質(zhì)的類型沒有關(guān)系，即與所謂的吸收材料無關(guān)，每單位面積相同質(zhì)量的不同吸收體產(chǎn)生大致相同的效應(yīng)。這樣，當(dāng)照射每單位面積相同質(zhì)量ο的氬氣柱或氮氣柱時，電子束的大致相同的能量損失ΔΕ如當(dāng)照射每單位面積相同質(zhì)量的空氣柱的能量損失所預(yù)期的那樣。所產(chǎn)生的電子-離子對的數(shù)目也大致遵循這個規(guī)則。在上下文中，術(shù)語“大致”應(yīng)當(dāng)解釋為是指用作具有6到20之間原子數(shù)Z的吸收體成分的特定材料的期望依賴性能夠僅改變士 15%。對于所有其它吸收體，單獨材料的偏差更大。由貝特-布洛赫方程所描述的電子在吸收體中能量損失的效應(yīng)在“Dosimetrie ionisierender Strahlung”Reich B. G Teubner，Stuttgart 1990，p. 96 中進(jìn)行了解釋。共同用于包裝材料表面消毒的電子束強(qiáng)度的監(jiān)測實現(xiàn)本發(fā)明的方法和本發(fā)明的裝置的優(yōu)選應(yīng)用。為了這種照射的目的，電子在管內(nèi)被加速以產(chǎn)生電子束，使得電子的能量達(dá)到60千電子伏特到2兆電子伏特的范圍。所述電子輻射在出射窗區(qū)域離開所述管進(jìn)入大氣環(huán)境或者包括諸如氬氣或氮氣的外來氣體的環(huán)境，并且所述外來氣體環(huán)境能夠代替大氣環(huán)境以便在所述包裝材料的區(qū)域中獲得無氧環(huán)境。在出射窗區(qū)域中，電子的能量減少，其中，能量減少的程度取決于所述出射窗的厚度、出射窗的材料和所述電子的動能。電子穿過出射窗之后，當(dāng)它們穿過大氣環(huán)境時遭到進(jìn)一步的永久的能量損失。這種能量損失主要是由脈沖傳輸引起的，其中，離開的電子產(chǎn)生例如電子-離子對、受激發(fā)離子、受激發(fā)分子、分子碎片以及自由基?？偟膩碚f，所述離開的電子在大氣環(huán)境中產(chǎn)生等離子體。使電子槍的電子減速的區(qū)域一般也能夠用不同于空氣的氣體填充，例如，由氬氣、氮氣、氦氣或者諸如此類的氣體。此應(yīng)用等同于下面的描述。圖1以實例方式顯示作為特定電離作用的電子-離子對的產(chǎn)生率。圖1也顯示了對于吸收距離(absorption train)的lmg/cm2的空氣，能量范圍在1千電子伏特到3 兆電子伏特之間的電子的能量損失，吸收距離的lmg/cm2的空氣相當(dāng)于在四；31(的溫度和 1013. 25mbar的壓強(qiáng)時約8. 3毫米的空氣柱。相應(yīng)的能量損失導(dǎo)致，例如130千電子伏特的電子束在大氣層的空氣中具有約20厘米的傳播距離。因此，具有此能量的電子束不能到達(dá)離出射窗超過20厘米的包裝材料的表面。為了實現(xiàn)本發(fā)明的目的，本發(fā)明利用了如下效應(yīng)，即所述電子的最初動能的至少顯著部分消耗在從出射窗向外傳播的電子通過脈沖傳輸其動能到它們所穿過的大氣。在所述過程中，當(dāng)所述電子傳播并且與包圍它們的大氣的顆粒碰撞時，電子被永久地從所述顆粒的原子或分子的外殼敲出來，結(jié)果再次形成自由的電子和離子對。這樣當(dāng)所述電子束傳播時，所述電子束連續(xù)地產(chǎn)生等離子體。從專家文獻(xiàn)，例如，H. Huchling，"Taschenbuch der Physik，，，Carl Hanser Verlag，第16版，第572頁，熟知空氣的平均電離作用常量是33. 85電子伏特，所以，對于在吸收器內(nèi)產(chǎn)生電子-離子對的已知能量損失的電子，沿著其路徑由所述電子束的電子形成的電子-離子對的數(shù)量是可能計算的。在具有130千電子伏特能量的電子離開出射窗的情況下，根據(jù)圖1所示，此電子在所述吸收體內(nèi)的最初8. 3毫米路徑上至少損失3. 3千電子伏特的能量。因此，通過產(chǎn)生該能量損失的碰撞能夠產(chǎn)生97個電子-離子對。對于所有其它在吸收體中經(jīng)過的路徑，產(chǎn)生的電子-離子對數(shù)增加，這是因為當(dāng)電子能量下降時，能量損失升高。在8. 3毫米的吸收體路徑上，產(chǎn)生電子-離子對用值100表示對下面估計能夠認(rèn)為是保守的。能夠被探測到的并且以需要的精度監(jiān)測強(qiáng)度的電子束，通過下面的計算實例顯示產(chǎn)生具有130千電子伏特的電子24mg/cm2X 100個電子-離子對/(lmg/cm2) = 2400個電子-離子對。在100微安到200毫安范圍內(nèi)的束電流用于例如利用通過空氣傳播的電子束對包裝材料消毒。下面的計算實例涉及1毫安的束電流，使用1毫安的束電流在包裝材料消毒中達(dá)到了很好的效果。1毫安的電流相當(dāng)于每秒6. 25X IO15個電子的數(shù)量。因而，1毫安的束電流從空氣中每秒產(chǎn)生至少6. 25X IO15XMOO個電子-離子對，或者每秒1. 5X IO19個電子-離子對。幾乎所有這些電子-離子對立即重新組合，在重組過程中釋放的能量的大部分以在紫外線光或可見光范圍內(nèi)的輻射形式發(fā)出，簡稱‘光輻射’。不能規(guī)定光輻射的量與其他范圍的量或與不輻射的躍遷的確切比例，然而，本領(lǐng)域的技術(shù)人員一般認(rèn)為，與接近1 %相比，所述比例更接近50 %。因此，在光輻射范圍內(nèi)的重組比例可以認(rèn)為是非常保守的估計。所以，在每秒 1. 5 X IO19個電子-離子對中，在光輻射范圍內(nèi)至少發(fā)射1. 5 X IO17個光子。從電子束的出射窗開始，所述紫外線或光輻射從氣球狀區(qū)域發(fā)生，所述氣球狀區(qū)域由所述電子輻射和所述電子多次散射的范圍限定。所述光輻射在空間中各向同性地傳播。為實現(xiàn)本發(fā)明的目的，只需要監(jiān)測氣球狀區(qū)域的很小的面積元素。例如，監(jiān)測約 0. 2cm2大小的面積元素，相當(dāng)于直徑為5毫米的圓形監(jiān)測窗口，就足夠了。如果我們假設(shè)探測器具有0. 2cm2的敏感區(qū)域(5毫米直徑)，并且探測器距離所述重組區(qū)域中心30厘米并且瞄準(zhǔn)所述中心，則由于兩立體角的比率，即由于光輻射的^ir2的全立體角，其中r是所述重組區(qū)域中心到所述探測器位置的距離，以及由于由所述探測器區(qū)域占據(jù)的相對于所述輻射發(fā)射體積的立體角，所述探測器僅僅看到每秒作為光輻射發(fā)射的1. 5X1017個光子中的第57600部分。光敏二極管可以使用在非常廣闊的敏感范圍內(nèi)，所述敏感范圍已經(jīng)從約200納米的波長開始并且超過了可見光范圍。這種輻射敏感芯片或部件(光敏二極管、輻射敏感二極管、CXD芯片、CMOS芯片、光電二極管、光電晶體三極管、光敏電阻器)的響應(yīng)幾率通常大大高于50%，即至少每對中第二個量子也被探測到，結(jié)果在這個實例中所述探測器每秒探測1.3X1012個光量子。所述電子電流的有意義的檢查需要具有每秒IO4次抽樣率的約0. 001精度的控制信號。這意味著我們需要每100微秒將實際值與標(biāo)稱值比較的電子電流檢測器，這樣，實際值應(yīng)當(dāng)具有的精度。因為統(tǒng)計地并且大量地發(fā)出所述光量子，即每100微秒1. 3 X IO8個光量子，所述光量子然后被轉(zhuǎn)換成電流，所述電流信號I的誤差△ I能夠很容易地計算出來。從數(shù)學(xué)上來看，一般知道統(tǒng)計地發(fā)生的事件的精度Δ I，因而在電子束強(qiáng)度的測量和/或計算值精度的情況下，等于‘事件的平方根’除以‘事件總數(shù)’，用公式表示Al= /n其中η=事件數(shù)這就是為什么具有如此大數(shù)量的事件(事件數(shù)=1.3 XlO8)，對于100微秒抽樣率的電流信號的相對誤差達(dá)到8. 8 X 10_5。這個數(shù)字算是優(yōu)良的并且是沒有其它探測方法可能達(dá)到的。所描述的估算預(yù)先假定所述監(jiān)測區(qū)域沒有任何日光，從而要監(jiān)測的信號不具有高背景信號。為此，將要監(jiān)測的區(qū)域必須實施成沒有外來光能夠?qū)λa(chǎn)生干擾影響，外來光為例如日光或來自照明燈具的光。所述探測器的進(jìn)一步實施例使用如下光學(xué)部件，所述光學(xué)部件不僅限制可測量的立體角區(qū)域并且也可以屏蔽任何現(xiàn)有的日光雜散輻射。由于所述探測器視野的限制，這將減少入射到敏感二極管上的光量子數(shù)，但是即使每100微秒間隔時間內(nèi)具有僅僅1. 3X IO8個光子落到所述探測器上，所取得的統(tǒng)計精度將仍然是8.8Χ10_4數(shù)量級。在所述探測器的進(jìn)一步技術(shù)實施例中，允許小光譜范圍穿過所述探測器的濾色器連接所述探測器的上游。這樣能夠限制光譜范圍，使得只有等離子體的特征發(fā)射譜線允許進(jìn)入所述探測器以進(jìn)行電流轉(zhuǎn)換。當(dāng)所述電子束處理所述包裝材料的區(qū)域注滿純凈氣體時，本實施例特別使人感興趣。例如，所述處理區(qū)域注滿氮氣或氬氣以防止所述包裝材料被空氣中存在的氧氣改變。對于本示范性實施例的另一變型，提議將所述濾色器構(gòu)造成只對氮氣或氬氣的發(fā)射譜線敏感，以便監(jiān)測所述電子束的強(qiáng)度。對于本示范性實施例的進(jìn)一步變型，提議將所述濾色器構(gòu)造成只對氧氣的發(fā)射譜線敏感，以便監(jiān)測氧氣進(jìn)入所處理的區(qū)域。此外，所述探測器可以結(jié)合電子電路，例如用于監(jiān)測所述電子束或電子電流的電路，其中優(yōu)選地，能夠得到所述電子電流的強(qiáng)度。在這種情況下，如果所述電子電路能夠具體指定一個或多個優(yōu)選地任選的限值或者開關(guān)點，使得當(dāng)所述電子電流的實際強(qiáng)度達(dá)到、低于或者超過這些開關(guān)點時啟動特定的動作，這將是特別有益的。例如，能夠設(shè)置聯(lián)系‘電子電流驟降’信號的第一開關(guān)點。當(dāng)所述電子電流下降一定時間時，也能夠僅僅輸出所述‘電子電流驟降’信號。也可以設(shè)置第二開關(guān)點，所述第二開關(guān)點高于第一開關(guān)點。比較所述第二開關(guān)點與所述第一開關(guān)點，使得僅當(dāng)在一定可選時間后不再次超過所述第二開關(guān)點時，才輸出所述‘電子電流驟降’信號。用于測量這種輻射的探測器能夠?qū)嵤┏衫缇哂屑s0. 2平方厘米的面積。這相當(dāng)于圓形探測器區(qū)域情況下的直徑約為5毫米的圓面積。離所述重組區(qū)域的中心以及因此離所述電子束的中心線約30厘米。當(dāng)然也可以使用具有其它截面的傳感器并且可以選擇離所述重組區(qū)域的其它距離。這種類型的探測器的典型實施例實現(xiàn)為光敏半導(dǎo)體二極管形式。這種二極管具有遍布波長范圍從約200納米到可見光的范圍的敏感度范圍。也可能使用CCD芯片作為探測
ο根據(jù)優(yōu)選的結(jié)構(gòu)實現(xiàn)，所述探測器配置成至少基本上只俘獲所述電子束發(fā)射的電磁輻射。為此，所述傳感器被屏蔽，使得只有極其微不足道量的日光或者來自照明燈具的光能夠進(jìn)入所述探測器的范圍。根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，所述探測器也能夠配置成，使得所述探測器通過透明或者半透明的包裝材料壁看到所述等離子體。例如，所述電子束能被用于穩(wěn)定或消毒PET 瓶子或其它中空體型包裝材料的內(nèi)包裝材料表面，并且能夠產(chǎn)生這種中空體的包裝材料所必需的消毒等離子體或穩(wěn)定等離子體。在這方面，所述探測器有利地配置成，通過所述壁瞄準(zhǔn)在中空體內(nèi)產(chǎn)生的等離子體，并且因此監(jiān)測存在于所述中空體內(nèi)的等離子體的輻射發(fā)射。還利用本實施例，所述探測器能裝配有光學(xué)部件和/或濾色器。所述包裝材料能夠具有例如塑料或玻璃形式，或者也可以包括另一種材料，在這種情況下，所述包裝材料必須是對在電子-離子對重組過程中產(chǎn)生的輻射，至少部分所述的輻射，是透明的，能透過的或者半透明的。本發(fā)明的進(jìn)一步實施例使用如下效應(yīng)，即不是所有的電子-離子對在產(chǎn)生之后立即重組，和/或在此處理過程中，電子采取與所述電子束初始方向的不同方向，結(jié)果能夠探測到這些電子而不是所述電子束本身被探測到。如前已經(jīng)描述，這些電子也能夠用合適的部件探測到，由此，再次能夠構(gòu)造用于監(jiān)測電子束強(qiáng)度的極其有利的裝置。附圖標(biāo)記列表1.電子發(fā)射器2.出射窗3.紫外線輻射或光輻射的氣球狀區(qū)域的邊界4.光量子或紫外線量子5.紫外線輻射或光輻射的氣球狀區(qū)域6.過濾器7.光學(xué)部件8.光敏元件
權(quán)利要求
1.用于監(jiān)測電子束強(qiáng)度的方法，其特征在于，探測和評估由電子束直接或間接產(chǎn)生的電子輻射或者電磁輻射，以便探測所述電子束強(qiáng)度的變化。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，評估電磁紫外線輻射或者電磁光輻射。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，評估電子輻射。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任意一項所述的方法，其特征在于，在所述電子束在空氣、 氮氣或者氬氣中傳播期間，評估所述輻射。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任意一項所述的方法，其特征在于，所述電子束用于包裝材料表面區(qū)域中的殺菌。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，減少容器表面區(qū)域的細(xì)菌數(shù)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任意一項所述的方法，其特征在于，通過半導(dǎo)體傳感器探測由所述電子束產(chǎn)生的輻射。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，輻射敏感二極管或光敏二極管用作半導(dǎo)體傳感器。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，CCD芯片或者CMOS芯片或者光電二極管或者光電晶體三極管或者光敏電阻器用作半導(dǎo)體傳感器。
10.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任意一項所述的方法，其特征在于，在所述電磁輻射到達(dá)所述半導(dǎo)體傳感器之前，所述電磁輻射已經(jīng)經(jīng)過光譜過濾器或者濾色器。
11.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任意一項所述的方法，其特征在于，在中空體的內(nèi)部發(fā)生由所述半導(dǎo)體傳感器接收的輻射。
12.用于監(jiān)測電子束強(qiáng)度的裝置，其特征在于，所述裝置構(gòu)造成用于測量所述電子束直接或間接產(chǎn)生的電子輻射或者電磁輻射的一種探測器，并且所述探測器與用于探測所述電子束產(chǎn)生的電子輻射或電磁輻射的強(qiáng)度變化的評估器相連接。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的裝置，其特征在于，所述探測器構(gòu)造成捕獲電磁紫外線輻射或電磁光輻射。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的裝置，其特征在于，所述探測器構(gòu)造成捕獲電子輻射。
15.根據(jù)權(quán)利要求12至14中的任意一項所述的裝置，其特征在于，所述探測器配置在電子束的傳播路徑的區(qū)域中，所述傳播路徑穿過周圍空氣。
16.根據(jù)權(quán)利要求12至14中的任意一項所述的裝置，其特征在于，所述探測器配置在所述電子束的傳播路徑的區(qū)域中，所述傳播路徑穿過氮氣或氬氣。
17.根據(jù)權(quán)利要求12至16中的任意一項所述的裝置，其特征在于，所述探測器構(gòu)造成用于包裝材料表面區(qū)域中殺菌的裝置的一部分。
18.根據(jù)權(quán)利要求12至16中的任意一項所述的裝置，其特征在于，所述探測器構(gòu)造成用于容器表面區(qū)域中殺菌的裝置的一部分。
19.根據(jù)權(quán)利要求12至18中的任意一項所述的裝置，其特征在于，所述探測器構(gòu)造成半導(dǎo)體傳感器。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體傳感器構(gòu)造成輻射敏感二極管或光敏二極管。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體傳感器構(gòu)造成CCD芯片或 CMOS芯片或光電二極管或光電晶體三極管或光敏電阻器。
22.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任意一項所述的裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體傳感器配制成，使得所述半導(dǎo)體傳感器能夠接收在包裝材料體內(nèi)部發(fā)生的電磁輻射。
全文摘要
本發(fā)明所述方法和裝置用于監(jiān)測電子束的強(qiáng)度。為了探測所述電子束強(qiáng)度的變化，探測和評估所述電子束直接或間接產(chǎn)生的電磁輻射。這尤其是指紫外線輻射和/或可見光范圍內(nèi)的輻射。
文檔編號A61L2/08GK102282642SQ201080004718
公開日2011年12月14日 申請日期2010年4月20日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月21日
發(fā)明者A·蒙策爾, G·凱爾 申請人:Khs有限責(zé)任公司