專利名稱：一種袖珍式超聲波穴位按摩儀主電路的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種的用于穴位醫(yī)治、理療、康復和保健的超聲波裝置主電路。
技術背景
現(xiàn)有的超聲波理療、康復和保健的超聲波裝置幾乎均為醫(yī)院內(nèi)的固定設備，或者是比較笨重、配置復雜的組合設備，不僅使用、維護困難，而且需要專業(yè)人員操作。然而，這類設備或器械以其廣譜功能，如低功率的機械波、安全無副作用的超聲波頻率等，非常適用于包括保健需求的各種人群，以致提出家庭、隨身、隨時、隨地應用的需求。這就產(chǎn)生了廣譜需求與專用設備的矛盾。解決這個矛盾的方法就是研發(fā)一種便攜式、易操作、適用于各種人群的廣譜型醫(yī)治、理療、康復和保健的超聲波裝置，而該超聲波裝置的核心就是其驅(qū)動電源主電路。發(fā)明內(nèi)容
為解決廣譜需求與專用設備的矛盾本發(fā)明提供一種穴位醫(yī)治、理療、康復和保健的超聲波裝置——袖珍式超聲波穴位按摩儀主電路。它主要由模式、功率控制操作執(zhí)行單元、超聲波信號產(chǎn)生單元、功率放大和匹配換能執(zhí)行單元構成。其中模式、功率控制操作執(zhí)行單元由斬波開關MOSFET器件的及其驅(qū)動電路構成；超聲波信號產(chǎn)生單元由受控選頻RC 相移網(wǎng)路及其放大電路構成；功率放大和匹配換能執(zhí)行單元由前置功放三極管、推挽三極管、諧振電感、換能器-振子等效阻抗及其外圍器件構成。
本發(fā)明解決其技術問題所采用的技術方案是
主電路主要由模式、功率控制操作執(zhí)行單元、超聲波信號產(chǎn)生單元、功率放大和匹配換能執(zhí)行單元構成。其中模式、功率控制操作執(zhí)行單元由P溝道增強型斬波開關MOSFET 器件的及其驅(qū)動電路構成；超聲波信號產(chǎn)生單元由受控選頻RC相移網(wǎng)路及其放大電路構成；功率放大和匹配換能執(zhí)行單元由NPN型前置功放三極管、NPN型為上臂推挽三極管、PNP 型下臂推挽三極管、諧振電感、換能器-振子等效阻抗及其外圍器件構成。
主電路通過脈沖控制信號接線端和公共接地端與模式控制操作電路連接，通過低頻率控制信號接線端、中頻率控制信號接線端、高頻率控制信號接線端和公共接地端與頻率控制操作電路連接，通過斬波控制信號接線端和公共接地端與功率控制操作電路連接； 電源開關操作電路通過工作電源正極接線端和公共接地端連接到各個電路。模式控制操作電路、頻率控制操作電路和功率控制操作電路分別通過模式控制開關接點、頻率控制開關接點和功率控制開關接點與相應的控制功能開關操作按鍵構成操作連接；電源開關操作電路通過電源開關接點與電源開關按鍵構成操作連接。
本發(fā)明的有益效果是電路是一種高性價比的超聲波驅(qū)動電源電路，可有力驅(qū)動袖珍式超聲波穴位按摩儀，使得該裝置成為便攜式、易操作、適用于各種人群的廣泛適用型醫(yī)治、理療、康復和保健的超聲波裝置。便于實現(xiàn)、調(diào)整，結構簡單，易于批量生產(chǎn)；系統(tǒng)的純硬件構成使得維護、維修簡便易行。


下面結合附圖和實施例對本發(fā)明進一步說明。
圖1是本發(fā)明實施例-袖珍式超聲波穴位按摩儀的結構外觀正面示意圖。
圖2是袖珍式超聲波穴位按摩儀電源電路結構框圖。
圖3是袖珍式超聲波穴位按摩儀的主電路結構圖。
在圖1 3中1.換能器-振子結構，2.機殼操作面板結構，3.控制功能開關操作按鍵，4.電源開關按鍵，5.電源指示燈，6.功率擋級指示燈，7.頻率擋級指示燈，8.模式擋級指示燈。
在圖2 3中=Mtff為模式控制操作電路，F(xiàn)op為頻率控制操作電路，Pop為功率控制操作電路，Etff為電源開關操作電路，Hffi為主電路；E為工作電源正極接線端，Km為模式控制開關接點，M為脈沖控制信號接線端，Kf為頻率控制開關接點，F(xiàn)1為低頻率控制信號接線端， F2為中頻率控制信號接線端，F(xiàn)3為高頻率控制信號接線端，Kp為功率控制開關接點，P為斬波控制信號接線端，K為電源開關接點。
在圖3中=Rstlb為斬波驅(qū)動三極管基極偏流電阻，Dm為與門脈沖控制二極管，Dp為與門斬波控制二極管，Rsg為斬波開關MOSFET器件柵極偏流電阻，Rs0c為斬波驅(qū)動集電極負載電阻，Tso為斬波驅(qū)動三極管，Qse為斬波開關MOSFET器件，Dse為穩(wěn)壓續(xù)流二極管，Lse為平波電感，Cse為平波電容；C0s為振蕩反饋電容，R0sl為低頻率相移反饋電阻，R0s2為中低頻率相移反饋電阻，R0s3為高頻率相移反饋電阻，R0s為相移反饋電阻，Rsib為振蕩放大基極偏流電阻，Rs為振蕩信號耦合電阻，Rsic為振蕩放大集電極負載電阻，Tsi為振蕩放大三極管， Rse為射隨器射極電阻，Ts2為射隨器三極管，Rs2為射隨器集電極負載電阻，Rs2b為射隨器基極偏流電阻；C。為振蕩信號耦合電容，Rof為功率反饋電阻，Rob為功率反饋分壓電阻，R01為自舉分壓電阻，R02為自舉電阻，Dsi為第一交躍二極管，Ds2為第二交躍二極管，Ts3為前置功放三極管，Rs3e為前置功放射極電阻，T01為上臂推挽三極管，T02為下臂推挽三極管，C。為自舉電容，V0為功率輸出接線端；L。為諧振電感，V01為振子第一接線端，Z為換能器-振子等效阻抗，V02為振子第二接線端。
具體實施方式
在圖1所示的本發(fā)明實施例-袖珍式超聲波穴位按摩儀的結構外觀正面示意圖中換能器-振子結構1裝配在機殼操作面板結構2的左端。在機殼操作面板結構2的正面，從左至右依次裝配三組薄膜型控制功能開關操作按鍵3和電源開關按鍵4。在機殼操作面板結構2的正面右端的電源開關按鍵4上部，配有電源指示燈5 ；在機殼操作面板結構 2的正面中右端的控制功能開關操作按鍵3上部，對應各個功能，配有功率擋級指示燈6、頻率擋級指示燈7和模式擋級指示燈8。
在圖2所示的袖珍式超聲波穴位按摩儀模式控制操作電路結構圖中超聲波灸電路主要由主電路Hffi和電源開關操作電路Ε,模式控制操作電路Μ.頻率控制操作電路‘、 功率控制操作電路構成。主電路Hre通過脈沖控制信號接線端M和公共接地端與模式控制操作電路Mtff連接，通過低頻率控制信號接線端F1、中頻率控制信號接線端F2、高頻率控制信號接線端F3和公共接地端與頻率控制操作電路Ftff連接，通過斬波控制信號接線端P和5公共接地端與功率控制操作電路Pw連接；電源開關操作電路Etff通過工作電源正極接線端 E和公共接地端連接到主電路Hffi、模式控制操作電路Μ.頻率控制操作電路Ftff和功率控制操作電路Ptff。模式控制操作電路Μ.頻率控制操作電路Ftff和功率控制操作電路Pff分別通過模式控制開關接點KM、頻率控制開關接點Kf和功率控制開關接點Kp與相應的控制功能開關操作按鍵3構成操作連接；電源開關操作電路Etff通過電源開關接點K與電源開關按鍵4 構成操作連接。
在圖3所示的袖珍式超聲波穴位按摩儀的主電路結構圖中
主電路主要包括模式、功率控制操作執(zhí)行單元、超聲波信號產(chǎn)生單元、功率放大和匹配換能執(zhí)行單元。其中模式、功率控制操作執(zhí)行單元由P溝道增強型斬波開關MOSFET器件Qse的及其驅(qū)動電路構成；超聲波信號產(chǎn)生單元由受控選頻RC相移網(wǎng)路及其放大電路構成；功率放大和匹配換能執(zhí)行單元由NPN型前置功放三極管TS3、NPN型為上臂推挽三極管 L、PNP型下臂推挽三極管T。2、諧振電感L。、換能器-振子等效阻抗Z及其外圍器件構成。
在模式、功率控制操作執(zhí)行單元中斬波驅(qū)動三極管基極偏流電阻I^stlb的一端連接到工作電源正極接線端Ε，另一端與斬波驅(qū)動三極管Tstl的基極連接；與門脈沖控制二極管Dm的陽極和與門斬波控制二極管Dp的陽極均與斬波驅(qū)動三極管Tstl的基極連接；與門脈沖控制二極管Dm的陰極和與門斬波控制二極管Dp的陰極分別連接到脈沖控制信號接線端 M和斬波控制信號接線端P ；斬波驅(qū)動三極管Tstl的發(fā)射極接地，斬波驅(qū)動三極管Tstl的集電極與斬波驅(qū)動集電極負載電阻1^。的一端連接。斬波驅(qū)動集電極負載電阻1^。的另一端與斬波開關MOSFET器件的柵極連接；斬波開關MOSFET器件Qse的源極連接到工作電源正極接線端E，斬波開關MOSFET器件柵極偏流電阻I Sg跨接在斬波開關MOSFET器件Qse的源極和柵極之間，斬波開關MOSFET器件的漏極與穩(wěn)壓續(xù)流二極管Dse的陰極連接；穩(wěn)壓續(xù)流二極管Dse的陽極接地；平波電感Lse的一端與斬波開關MOSFET器件Qse的漏極連接，平波電感Lse的另一端與平波電容Cse的正極連接；平波電容Cse的負極接地。
在超聲波信號產(chǎn)生單元中三只相移反饋電容Cfe —一串聯(lián)構成振蕩信號相移反饋鏈，其一端與振蕩放大三極管Tsi的集電極連接，另一端與射隨器三極管I^2的基極連接； 振蕩信號相移反饋鏈的中段相移反饋電容Cfe的一端，連接一組低頻率相移反饋電阻Rfel的一端、中頻率相移反饋電阻Rfe2的一端和高頻率相移反饋電阻Rfc3的一端；振蕩信號相移反饋鏈的中段相移反饋電容Cfc的另一端與相移反饋電阻Rfc的一端連接，相移反饋電阻Rfe的另一端接地；低頻率相移反饋電阻Rfel的另一端連接到低頻率控制信號接線端F1,中低頻率相移反饋電阻Rfc2的另一端連接到中頻率控制信號接線端F2,高頻率相移反饋電阻Rfe3的另一端連接到高頻率控制信號接線端F3。振蕩放大基極偏流電阻的一端連接到工作電源正極接線端E，另一端與振蕩放大三極管Tsi的基極連接；振蕩信號耦合電阻&的一端與振蕩放大三極管Tsi的基極連接，另一端與射隨器三極管的發(fā)射極連接；振蕩放大集電極負載電阻I S1。的一端連接到工作電源正極接線端E，另一端與振蕩放大三極管Tsi的集電極連接；射隨器集電極負載電阻I ffi。的一端連接到工作電源正極接線端E，另一端與射隨器三極管Ts2的集電極連接；射隨器射極電阻Rse的一端與射隨器三極管Ts2的發(fā)射極連接，另一端接地；射隨器基極偏流電阻的一端連接到工作電源正極接線端E，另一端與射隨器三極管的基極連接。
在功率放大和匹配換能執(zhí)行單元中振蕩信號耦合電容C。的一端與射隨器三極管Ts2的發(fā)射極連接，另一端與前置功放三極管Ts3的基極連接；功率反饋電阻R。f的一端與前置功放三極管的基極連接，另一端連接到功率輸出接線端V。功率反饋分壓電阻R。b的一端與前置功放三極管Ts3的基極連接，另一端接地。自舉分壓電阻Rtjl的一端連接到平波電容Cse的正極，另一端與自舉電阻R。2的一端連接；自舉分壓電阻Rtjl與自舉電阻R。2的連接點與自舉電容C。的一端連接，自舉電容C。的另一端連接到功率輸出接線端V。。第一交躍二極管Dsi與第二交躍二極管Ds2正向串聯(lián)，該串聯(lián)支路的陽極與上臂推挽三極管Ttjl的基極連接，陰極與下臂推挽三極管T。2的基極及前置功放三極管Ts3的集電極同時連接；前置功放三極管的發(fā)射極與前置功放射極電阻I^e的一端連接，前置功放射極電阻I^e的另一端接地。上臂推挽三極管Ttjl的集電極連接到平波電容Cse的正極，其基極與自舉電阻R。2的另一端連接，其發(fā)射極與下臂推挽三極管T。2的發(fā)射極連接；上臂推挽三極管Ttjl發(fā)射極與下臂推挽三極管Τ。2發(fā)射極的連接點連接到功率輸出接線端V。；下臂推挽三極管Τ。2的集電極接地。諧振電感L。的一端連接到功率輸出接線端V。，另一端連接到振子第一接線端V。lt) 換能器-振子結構1以其換能器-振子等效阻抗Z跨接在振子第一接線端Vtjl和振子第二接線端V。2之間，振子第二接線端V。2接地。
權利要求
1.一種袖珍式超聲波穴位按摩儀主電路，其特征是主電路主要由模式、功率控制操作執(zhí)行單元、超聲波信號產(chǎn)生單元、功率放大和匹配換能執(zhí)行單元構成；其中模式、功率控制操作執(zhí)行單元由P溝道增強型斬波開關MOSFET器件的及其驅(qū)動電路構成；超聲波信號產(chǎn)生單元由受控選頻RC相移網(wǎng)路及其放大電路構成；功率放大和匹配換能執(zhí)行單元由NPN型前置功放三極管、NPN型為上臂推挽三極管、PNP型下臂推挽三極管、諧振電感、換能器-振子等效阻抗及其外圍器件構成；主電路通過脈沖控制信號接線端和公共接地端與模式控制操作電路連接，通過低頻率控制信號接線端、中頻率控制信號接線端、高頻率控制信號接線端和公共接地端與頻率控制操作電路連接，通過斬波控制信號接線端和公共接地端與功率控制操作電路連接；電源開關操作電路通過工作電源正極接線端和公共接地端連接到各個電路；模式控制操作電路、頻率控制操作電路和功率控制操作電路分別通過模式控制開關接點、頻率控制開關接點和功率控制開關接點與相應的控制功能開關操作按鍵構成操作連接；電源開關操作電路 ρ通過電源開關接點與電源開關按鍵構成操作連接。
2.根據(jù)權利要求1所述的袖珍式超聲波穴位按摩儀主電路，其特征是在模式、功率控制操作執(zhí)行單元中斬波驅(qū)動三極管基極偏流電阻I^sob的一端連接到工作電源正極接線端 E，另一端與斬波驅(qū)動三極管Tstl的基極連接；與門脈沖控制二極管Dm的陽極和與門斬波控制二極管Dp的陽極均與斬波驅(qū)動三極管Tstl的基極連接；與門脈沖控制二極管DM的陰極和與門斬波控制二極管Dp的陰極分別連接到脈沖控制信號接線端M和斬波控制信號接線端 P ；斬波驅(qū)動三極管Tstl的發(fā)射極接地，斬波驅(qū)動三極管Tstl的集電極與斬波驅(qū)動集電極負載電阻I^sci。的一端連接；斬波驅(qū)動集電極負載電阻I^sci。的另一端與斬波開關MOSFET器件Qse的柵極連接；斬波開關MOSFET器件的源極連接到工作電源正極接線端E，斬波開關MOSFET 器件柵極偏流電阻I^sg跨接在斬波開關MOSFET器件Ae的源極和柵極之間，斬波開關MOSFET 器件Qse的漏極與穩(wěn)壓續(xù)流二極管Dse的陰極連接；穩(wěn)壓續(xù)流二極管Dse的陽極接地；平波電感Lse的一端與斬波開關MOSFET器件的漏極連接，平波電感Lse的另一端與平波電容Cse 的正極連接；平波電容Cse的負極接地。
3.根據(jù)權利要求1所述的袖珍式超聲波穴位按摩儀主電路，其特征是在超聲波信號產(chǎn)生單元中三只相移反饋電容Cfc —一串聯(lián)構成振蕩信號相移反饋鏈，其一端與振蕩放大三極管Tsi的集電極連接，另一端與射隨器三極管I^2的基極連接；振蕩信號相移反饋鏈的中段相移反饋電容Cfe的一端，連接一組低頻率相移反饋電阻Rfel的一端、中頻率相移反饋電阻Rfe2的一端和高頻率相移反饋電阻Rfc3w—端；振蕩信號相移反饋鏈的中段相移反饋電容Cfc的另一端與相移反饋電阻Rfc的一端連接，相移反饋電阻Rfc的另一端接地；低頻率相移反饋電阻Rfcl的另一端連接到低頻率控制信號接線端F1,中低頻率相移反饋電阻Rfe2的另一端連接到中頻率控制信號接線端F2,高頻率相移反饋電阻R0s3的另一端連接到高頻率控制信號接線端F3 ；振蕩放大基極偏流電阻R-的一端連接到工作電源正極接線端E，另一端與振蕩放大三極管Tsi的基極連接；振蕩信號耦合電阻Rs的一端與振蕩放大三極管Tsi的基極連接，另一端與射隨器三極管Ts2的發(fā)射極連接；振蕩放大集電極負載電阻I S1。的一端連接到工作電源正極接線端E，另一端與振蕩放大三極管Tsi的集電極連接；射隨器集電極負載電阻1^。的一端連接到工作電源正極接線端E，另一端與射隨器三極管的集電極連接；射隨器射極電阻的一端與射隨器三極管Tffi的發(fā)射極連接，另一端接地；射隨器基極偏流電阻I^s2b的一端連接到工作電源正極接線端E，另一端與射隨器三極管Ts2的基極連接。
4.根據(jù)權利要求1所述的袖珍式超聲波穴位按摩儀主電路，其特征是在功率放大和匹配換能執(zhí)行單元中振蕩信號耦合電容C。的一端與射隨器三極管Ts2的發(fā)射極連接，另一端與前置功放三極管Ts3的基極連接；功率反饋電阻R。f的一端與前置功放三極管的基極連接，另一端連接到功率輸出接線端V。功率反饋分壓電阻R。b的一端與前置功放三極管Ts3 的基極連接，另一端接地；自舉分壓電阻Rtjl的一端連接到平波電容Cse的正極，另一端與自舉電阻R。2的一端連接；自舉分壓電阻Rtjl與自舉電阻R。2的連接點與自舉電容C。的一端連接，自舉電容C。的另一端連接到功率輸出接線端V。；第一交躍二極管Dsi與第二交躍二極管 Ds2正向串聯(lián)，該串聯(lián)支路的陽極與上臂推挽三極管Ttjl的基極連接，陰極與下臂推挽三極管 T02的基極及前置功放三極管Ts3的集電極同時連接；前置功放三極管Ts3的發(fā)射極與前置功放射極電阻的一端連接，前置功放射極電阻I^e的另一端接地；上臂推挽三極管Ttjl的集電極連接到平波電容Cse的正極，其基極與自舉電阻R。2的另一端連接，其發(fā)射極與下臂推挽三極管T。2的發(fā)射極連接；上臂推挽三極管Ttjl發(fā)射極與下臂推挽三極管Τ。2發(fā)射極的連接點連接到功率輸出接線端V。；下臂推挽三極管Τ。2的集電極接地；諧振電感L。的一端連接到功率輸出接線端V。，另一端連接到振子第一接線端Vtjl ；換能器-振子結構(1)以其換能器-振子等效阻抗Z跨接在振子第一接線端Vtjl和振子第二接線端V。2之間，振子第二接線端v。2接地。
全文摘要
一種穴位醫(yī)治、理療、康復和保健的超聲波裝置——袖珍式超聲波穴位按摩儀主電路。它主要由模式、功率控制操作執(zhí)行單元、超聲波信號產(chǎn)生單元、功率放大和匹配換能執(zhí)行單元構成。其中模式、功率控制操作執(zhí)行單元由斬波開關MOSFET器件的及其驅(qū)動電路構成；超聲波信號產(chǎn)生單元由受控選頻RC相移網(wǎng)路及其放大電路構成；功率放大和匹配換能執(zhí)行單元由前置功放三極管、推挽三極管、諧振電感、換能器-振子等效阻抗及其外圍器件構成。
文檔編號A61H39/04GK102499880SQ20111033686
公開日2012年6月20日 申請日期2011年10月20日 優(yōu)先權日2011年10月20日
發(fā)明者屈百達 申請人:江南大學