超導(dǎo)磁體的調(diào)整方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明包括：測(cè)定規(guī)定空間(180)的磁場(chǎng)的步驟(S100)；以及在超導(dǎo)磁體(100)內(nèi)配置強(qiáng)磁性體的多個(gè)墊片(250)來(lái)進(jìn)行勻場(chǎng)的步驟(S110)。在進(jìn)行勻場(chǎng)的步驟(S110)中，將多個(gè)墊片(250)配置以下位置：即，在基于測(cè)定磁場(chǎng)的步驟(S100)的測(cè)定結(jié)果使磁場(chǎng)均勻的位置，且使因磁場(chǎng)而作用于多個(gè)墊片(250)的電磁力(410，420，500)為規(guī)定值的位置。
【專(zhuān)利說(shuō)明】超導(dǎo)磁體的調(diào)整方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及超導(dǎo)磁體的調(diào)整方法。

【背景技術(shù)】
[0002]作為揭示了在MRI (MagneticResonanceImaging:核磁共振成像)裝置中對(duì)高精度的磁場(chǎng)調(diào)整進(jìn)行輔助的方法的背景文獻(xiàn)，具有日本專(zhuān)利特開(kāi)2011-110065號(hào)公報(bào)(專(zhuān)利文獻(xiàn)I)。
[0003]在專(zhuān)利文獻(xiàn)I所記載的磁場(chǎng)調(diào)整方法中，具有向磁場(chǎng)產(chǎn)生裝置提供目標(biāo)磁場(chǎng)分布的區(qū)域，降低該區(qū)域的磁場(chǎng)分布的誤差磁場(chǎng)分量，使其接近目標(biāo)的磁場(chǎng)分布。作為調(diào)整單元，具有如下方面:配置有電流環(huán)路、被動(dòng)地發(fā)生磁化的鐵片等磁性體、或不依賴(lài)于外部磁場(chǎng)的永磁體。
[0004]具體而言，在規(guī)定個(gè)數(shù)的點(diǎn)進(jìn)行磁場(chǎng)測(cè)量，計(jì)算出與目標(biāo)磁場(chǎng)之差即誤差磁場(chǎng)，求出能近似地對(duì)該誤差進(jìn)行校正的磁場(chǎng)調(diào)整機(jī)構(gòu)面上的電位分布。將該電位分布換算成磁矩，進(jìn)行配置與該磁矩相當(dāng)?shù)沫h(huán)路電流或者磁性體片的磁場(chǎng)調(diào)整操作。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)
[0005]專(zhuān)利文獻(xiàn)1:日本專(zhuān)利特開(kāi)2011 - 110065號(hào)公報(bào)


【發(fā)明內(nèi)容】

發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題
[0006]為了進(jìn)行磁場(chǎng)調(diào)整而進(jìn)行勻場(chǎng)(shimming)，然而，用于進(jìn)行勻場(chǎng)而作用于墊片(shim)的電磁力會(huì)導(dǎo)致有反作用力作用于超導(dǎo)磁體。若不考慮該電磁力及反作用力來(lái)進(jìn)行勻場(chǎng)，則不能使超導(dǎo)磁體的磁場(chǎng)的均勻性穩(wěn)定。
[0007]本發(fā)明是鑒于上述問(wèn)題點(diǎn)而完成的，其目的在于，提供一種能使磁場(chǎng)的均勻性穩(wěn)定的超導(dǎo)磁體的調(diào)整方法。
解決技術(shù)問(wèn)題的技術(shù)方案
[0008]基于本發(fā)明的超導(dǎo)磁體的調(diào)整方法是對(duì)由超導(dǎo)磁體在規(guī)定空間內(nèi)產(chǎn)生的磁場(chǎng)的均勻性進(jìn)行調(diào)整的方法。超導(dǎo)磁體的調(diào)整方法包括:對(duì)規(guī)定空間中的磁場(chǎng)進(jìn)行測(cè)定的步驟；以及在超導(dǎo)磁體內(nèi)配置強(qiáng)磁性體的多個(gè)墊片來(lái)進(jìn)行勻場(chǎng)的步驟。在進(jìn)行勻場(chǎng)的步驟中，將多個(gè)墊片配置于以下位置，即，在基于測(cè)定磁場(chǎng)的步驟的測(cè)定結(jié)果使磁場(chǎng)均勻的位置，且使因磁場(chǎng)而作用于多個(gè)所述墊片的電磁力為規(guī)定值的位置。
發(fā)明效果
[0009]根據(jù)本發(fā)明能使磁場(chǎng)的均勻性穩(wěn)定。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0010]圖1是表示MRI裝置的外觀的立體圖。 圖2是表示本發(fā)明的實(shí)施方式I所涉及的超導(dǎo)磁體的結(jié)構(gòu)的剖視圖。
圖3是表示將相同實(shí)施方式的超導(dǎo)磁體設(shè)置于使用場(chǎng)所的狀態(tài)的側(cè)視圖。
圖4是從圖3的IV-1V線箭頭方向觀察到的圖。
圖5是表示相同實(shí)施方式的超導(dǎo)磁體中的勻場(chǎng)部的立體圖。
圖6是表示相同實(shí)施方式的墊片盤(pán)和鐵片的分解立體圖。
圖7是表示相同實(shí)施方式所涉及的超導(dǎo)磁體的調(diào)整方法的流程圖。
圖8是表示在相同實(shí)施方式所涉及的超導(dǎo)磁體中配置有多個(gè)鐵片的狀態(tài)的剖視圖。
圖9是從箭頭IX方向觀察圖8的超導(dǎo)磁體的側(cè)視圖。
圖10是表示作用于僅考慮磁場(chǎng)均勻性而配置的比較方式的鐵片的電磁力、以及作用于考慮磁場(chǎng)均勻性和電磁力而配置的本實(shí)施方式的鐵片的電磁力的圖。
圖11是示意性表示電磁力作用于相同實(shí)施方式中的多個(gè)鐵片的狀態(tài)的局部剖視圖。
圖12是示意性表示電磁力作用于本發(fā)明的實(shí)施方式2中的多個(gè)鐵片的狀態(tài)的局部剖視圖。
圖13是示意性表示電磁力作用于相同實(shí)施方式的變形例中的多個(gè)鐵片的狀態(tài)的局部首1J視圖。
圖14是示意性表示電磁力作用于本發(fā)明的實(shí)施方式3中的多個(gè)鐵片的狀態(tài)的局部剖視圖。

【具體實(shí)施方式】
[0011]下面，參照附圖，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式I所涉及的超導(dǎo)磁體的調(diào)整方法進(jìn)行說(shuō)明。在以下的實(shí)施方式的說(shuō)明中，對(duì)圖中的相同或相當(dāng)部分標(biāo)注相同的標(biāo)號(hào)，且不對(duì)其進(jìn)行重復(fù)說(shuō)明。
[0012]另外，在以下的實(shí)施方式中，對(duì)MRI用超導(dǎo)磁體進(jìn)行說(shuō)明，但超導(dǎo)磁體并不限于此，也可以是用于其它用途的超導(dǎo)磁體。此外，對(duì)圓筒形的超導(dǎo)磁體進(jìn)行了說(shuō)明，但并不一定限定于圓筒形的超導(dǎo)磁體，開(kāi)放型的超導(dǎo)磁體也能應(yīng)用于本發(fā)明。
[0013](實(shí)施方式I)
圖1是表示MRI裝置的外觀的立體圖。如圖1所示，MRI裝置I包括靜磁場(chǎng)產(chǎn)生部10和睡臺(tái)30。靜磁場(chǎng)產(chǎn)生部10包括后述的超導(dǎo)磁體,在孔20內(nèi)部產(chǎn)生靜磁場(chǎng)。
[0014]圖2是表示本發(fā)明的實(shí)施方式I所涉及的超導(dǎo)磁體的結(jié)構(gòu)的剖視圖。如圖2所示，在本發(fā)明的實(shí)施方式I所涉及的超導(dǎo)磁體100中，在最外側(cè)，配置有中空?qǐng)A筒狀的真空槽110。真空槽110的圓筒中心部的空間是與孔20相對(duì)應(yīng)的孔部160。真空槽110的內(nèi)部由未圖示的減壓裝置減壓成了真空。利用配置于下部的腳部170對(duì)真空槽110進(jìn)行支撐，使孔部160的中心軸呈水平方向。
[0015]真空槽110的內(nèi)部配置有形狀與真空槽110大體相似的中空?qǐng)A筒狀的熱屏蔽體120。在熱屏蔽體120的內(nèi)部，配置有形狀與熱屏蔽體120大體相似的中空?qǐng)A筒狀的氦槽130。熱屏蔽體120具有對(duì)氦槽130與真空槽110之間進(jìn)行隔熱的功能。
[0016]在氦槽130的內(nèi)部，在圓周上配置有超導(dǎo)線圈140。在氦槽130的內(nèi)部，填充有液態(tài)氦150。將超導(dǎo)線圈140浸潰于液態(tài)氦150中以對(duì)其進(jìn)行冷卻。
[0017]若超導(dǎo)磁體100工作，則在孔部160的、以圖中的虛線表示的范圍內(nèi)的靜磁場(chǎng)區(qū)域180中，會(huì)產(chǎn)生箭頭方向的靜磁場(chǎng)190。希望該靜磁場(chǎng)190又強(qiáng)又均勻并且穩(wěn)定。
[0018]圖3是表示將本實(shí)施方式的超導(dǎo)磁體設(shè)置于使用場(chǎng)所的狀態(tài)的側(cè)視圖。圖4是從圖3的IV-1V線箭頭方向觀察到的圖。
[0019]如圖3、4所示，將本實(shí)施方式的超導(dǎo)磁體100配置于作為使用場(chǎng)所的房間300內(nèi)。在本實(shí)施方式中，為了使超導(dǎo)磁體100所產(chǎn)生的較強(qiáng)的磁場(chǎng)中泄漏至房間300外部的磁場(chǎng)減少，用磁屏蔽體對(duì)房間300進(jìn)行覆蓋。
[0020]磁屏蔽體包括配置于地板部的地板屏蔽體310、配置于圖3的右側(cè)的側(cè)壁部的第一側(cè)壁屏蔽體320、配置于圖3的左側(cè)的側(cè)壁部的第二側(cè)壁屏蔽體330、配置于圖4的右側(cè)的側(cè)壁部的第三側(cè)壁屏蔽體350、配置于圖4的左側(cè)的側(cè)壁部的第四側(cè)壁屏蔽體360、以及配置于頂部的頂部屏蔽體340。在本實(shí)施方式中，以鐵板形成了磁屏蔽體，但只要以磁性體形成磁屏蔽體即可，對(duì)材料沒(méi)有特別限制。
[0021]由于地板屏蔽體310離超導(dǎo)磁體100的距離較近，并且為了支撐超導(dǎo)磁體100的重量，因此，地板屏蔽體310形成地比第一側(cè)壁屏蔽體320、第二側(cè)壁屏蔽體330、第三側(cè)壁屏蔽體350、第四側(cè)壁屏蔽體360、以及頂部屏蔽體340要厚。
[0022]雖然在圖2中進(jìn)行了簡(jiǎn)要表示，但如圖4所示，靜磁場(chǎng)190包括產(chǎn)生于孔部160的中心軸上的中心磁場(chǎng)191、以及產(chǎn)生于孔部160的徑向的端部側(cè)的端部磁場(chǎng)192。端部磁場(chǎng)192在靜磁場(chǎng)區(qū)域180中呈直線狀地產(chǎn)生，但在孔部160的中心軸方向的端部上呈曲線狀地產(chǎn)生。
[0023]圖5是表不本實(shí)施方式的超導(dǎo)磁體中的勻場(chǎng)部的立體圖。圖6是表不本實(shí)施方式的墊片盤(pán)和鐵片的分解立體圖。
[0024]雖然在圖2中未圖示，但如圖3、圖5所示，超導(dǎo)磁體100具有沿真空槽110的內(nèi)周側(cè)的側(cè)壁形成的勻場(chǎng)部200。在勻場(chǎng)部200中，設(shè)置有多個(gè)開(kāi)口部210，所述多個(gè)開(kāi)口部210沿勻場(chǎng)部200的周向相互隔開(kāi)設(shè)置，且沿孔部160的中心軸方向延伸。
[0025]如圖4、圖5、圖6所示，將墊片盤(pán)230插入至開(kāi)口部210中。如圖6所示，墊片盤(pán)230包括形成有收納多片鐵片250的凹部240的主體部231、以及蓋部232，所述鐵片250由矩形薄板形成。本實(shí)施方式中，作為墊片使用鐵片250，但墊片并不限于此，是強(qiáng)磁性體的板或者塊即可。
[0026]在插入各開(kāi)口部210的多個(gè)墊片盤(pán)230的各個(gè)墊片盤(pán)中，通過(guò)調(diào)節(jié)分別收納于多個(gè)凹部240的鐵片250的片數(shù)，能提高靜磁場(chǎng)區(qū)域180的靜磁場(chǎng)190的均勻性。通過(guò)這樣配置鐵片250，從而力圖提高靜磁場(chǎng)區(qū)域180中的靜磁場(chǎng)190的均勻性，這即是所謂的勻場(chǎng)。
[0027]圖7是表示本實(shí)施方式所涉及的超導(dǎo)磁體的調(diào)整方法的流程圖。如圖7所示，在本實(shí)施方式所涉及的超導(dǎo)磁體的調(diào)整方法中，首先測(cè)定靜磁場(chǎng)區(qū)域180中的磁場(chǎng)(S100)。接著，在超導(dǎo)磁體100內(nèi)配置鐵片250來(lái)進(jìn)行勻場(chǎng)(SllO)。
[0028]圖8是表示在本實(shí)施方式所涉及的超導(dǎo)磁體中配置有多個(gè)鐵片的狀態(tài)的剖視圖。圖9是從箭頭IX方向觀察圖8的超導(dǎo)磁體的側(cè)視圖。另外，圖8中，僅圖示出多個(gè)鐵片中配置在勻場(chǎng)部200的最上部的鐵片。此外，勻場(chǎng)部200中僅圖示出鐵片250。
[0029]如圖8、9所示，利用超導(dǎo)磁體100所產(chǎn)生的靜磁場(chǎng)，電磁力作用于多個(gè)鐵片250的各個(gè)。一般而言，如圖8所示，超導(dǎo)線圈140中位于端部的超導(dǎo)線圈141、145最大，接著其相鄰的超導(dǎo)線圈142、144較大，位于中央部的超導(dǎo)線圈143最小。因此，各超導(dǎo)線圈的周?chē)a(chǎn)生的磁力大小不同。
[0030]多個(gè)鐵片250的各個(gè)鐵皮所產(chǎn)生的電磁力因多個(gè)鐵片250的配置而導(dǎo)致方向及數(shù)值呈非線性變化，且彼此不同。如圖8、圖9所示，電磁力400以及電磁力500作用于多個(gè)鐵片250的各個(gè)鐵皮，該電磁力400作用于超導(dǎo)磁體100的軸向(Z方向)，該電磁力500作用于超導(dǎo)磁體100的徑向(R方向)。另外，作用于徑向(R方向)的電磁力500由圖9所不的水平方向(X方向)和垂直方向⑴方向的分量構(gòu)成。
[0031]在現(xiàn)有的超導(dǎo)磁體的調(diào)整方法中，基于由專(zhuān)用軟件所進(jìn)行的模擬的計(jì)算結(jié)果來(lái)決定使靜磁場(chǎng)區(qū)域180的磁場(chǎng)均勻的鐵片250的位置。具體而言，假設(shè)地計(jì)算并求出在將鐵片250配置在多個(gè)可配置多個(gè)鐵皮250的位置中的某一個(gè)位置時(shí)能否使磁場(chǎng)最均勻。
[0032]在進(jìn)行上述模擬的情況下，能使磁場(chǎng)最均勻的鐵片250的配置模式通常存在多個(gè)。本實(shí)施方式中，從這些多個(gè)模式中選擇使作用于多個(gè)鐵片250的電磁力為規(guī)定值的配置。
[0033]圖10是表示作用于僅考慮了磁場(chǎng)均勻性而配置的比較方式的鐵片的電磁力、以及作用于考慮了磁場(chǎng)均勻性和電磁力而配置的本實(shí)施方式的鐵片的電磁力的圖。
[0034]圖10中，將圖中向左作用的電磁力以負(fù)值表示，向右作用的電磁力以正值表示。另外，圖10中，僅圖示出多個(gè)鐵片中配置在勻場(chǎng)部200的最上部的鐵片。
[0035]如圖10所示，例如在超導(dǎo)磁體100的軸向(Z方向)上將多個(gè)鐵片250配置成15列。在該情況下，第8列的位置成為Z方向的中心位置。在比較方式以及本實(shí)施方式的任一個(gè)鐵片配置中，均能使靜磁場(chǎng)區(qū)域180的磁場(chǎng)變得均勻。
[0036]本實(shí)施方式中，將鐵片250配置于能使在超導(dǎo)磁體100的軸向上作用于多個(gè)鐵片250的電磁力最大程度降低的位置。即、在本實(shí)施方式所涉及的超導(dǎo)磁體100的調(diào)整方法中，在進(jìn)行勻場(chǎng)的步驟(SllO)中，將多個(gè)鐵片250配置于以下位置:S卩，在基于測(cè)定磁場(chǎng)的步驟(S100)的測(cè)定結(jié)果使靜磁場(chǎng)區(qū)域180的磁場(chǎng)均勻的位置，且能最大程度降低利用磁場(chǎng)作用于多個(gè)鐵片250的電磁力的位置。
[0037]如圖10所示，對(duì)于作用于多個(gè)鐵片250的電磁力的合計(jì)的絕對(duì)值，相對(duì)于比較方式中的2606.8N，本實(shí)施方式中為490N。
[0038]圖11是示意性表示電磁力作用于本實(shí)施方式中的多個(gè)鐵片的狀態(tài)的局部剖視圖。圖11中，僅圖示勻場(chǎng)部200的最上部。圖11中，未圖示出熱屏蔽體120。
[0039]如圖11所示，若對(duì)多個(gè)鐵片250作用電磁力410，則其反作用力610作用于超導(dǎo)線圈140。另外，將電磁力410及其反作用力610分別設(shè)為圖10所示的合計(jì)值。作用于超導(dǎo)線圈140的反作用力610由對(duì)氦槽130進(jìn)行支承的支承構(gòu)件131來(lái)負(fù)擔(dān)。
[0040]支承構(gòu)件131是連結(jié)氦槽130和真空槽110的構(gòu)件。作為支承構(gòu)件131使用熱傳導(dǎo)率較低、且高強(qiáng)度的材料，例如使用GFRP(Glass fiber reinforced plastics:玻璃纖維增強(qiáng)塑料)。支承構(gòu)件131僅與氦槽130的角部附近相接觸，以使其與氦槽130的接觸面積較少。
[0041]在像上述比較方式那樣有較大的電磁力410作用于鐵片250的情況下，產(chǎn)生的反作用力610也變大，支承構(gòu)件131可能會(huì)隨時(shí)間的經(jīng)過(guò)而產(chǎn)生變形。在該情況下，由于氦槽130的位置產(chǎn)生偏移，而導(dǎo)致氦槽130與真空槽110之間的隔熱空間變窄因而氦槽130內(nèi)的溫度上升，或者真空槽110中可能會(huì)產(chǎn)生凝結(jié)。在該情況下，超導(dǎo)線圈140的冷卻變得不穩(wěn)定，可能導(dǎo)致靜磁場(chǎng)區(qū)域180的磁場(chǎng)均勻性下降。
[0042]如本實(shí)施方式那樣，通過(guò)降低作用于鐵片250的電磁力來(lái)減小反作用力610，從而抑制支承構(gòu)件131的變形，因而即使隨著時(shí)間經(jīng)過(guò)也能使超導(dǎo)線圈140的冷卻穩(wěn)定。其結(jié)果是，能使靜磁場(chǎng)區(qū)域180的磁場(chǎng)的均勻性穩(wěn)定。
[0043]此外，作用于多個(gè)鐵片250的電磁力410由防震橡膠260來(lái)負(fù)擔(dān)，該防震橡膠260對(duì)收納有多個(gè)鐵片250的墊片盤(pán)230進(jìn)行定位。本實(shí)施方式中，在超導(dǎo)磁體100的軸向的兩端部設(shè)有防震橡膠260。S卩，防震橡膠260位于勻場(chǎng)部200的兩端，起到蓋部的作用。
[0044]在如上述的比較方式那樣有較大的電磁力作用于鐵片250的情況下，防震橡膠260會(huì)負(fù)擔(dān)高載荷，因此防震橡膠260可能會(huì)隨時(shí)間的經(jīng)過(guò)而產(chǎn)生變形。在該情況下，由于墊片盤(pán)230的位置發(fā)生偏移，其中的多個(gè)鐵片250的位置也發(fā)生變化，靜磁場(chǎng)區(qū)域180的磁場(chǎng)均勻性可能會(huì)降低。
[0045]如本實(shí)施方式那樣，通過(guò)降低作用于鐵片250的電磁力來(lái)抑制防震橡膠260的變形，即使隨著時(shí)間經(jīng)過(guò)也能使多個(gè)鐵片250的位置穩(wěn)定。其結(jié)果是，能使靜磁場(chǎng)區(qū)域180的磁場(chǎng)的均勻性穩(wěn)定。
[0046]另外，本實(shí)施方式中，為了降低作用于超導(dǎo)磁體100的軸向(Z方向)的電磁力，配置有多個(gè)鐵片250，但也可以為了降低作用于徑向(R方向)的電磁力而配置多個(gè)鐵片250。
[0047]下面，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式2所涉及的超導(dǎo)磁體的調(diào)整方法進(jìn)行說(shuō)明。另外，本實(shí)施方式所涉及的超導(dǎo)磁體的調(diào)整方法中，僅作用于多個(gè)鐵片250的電磁力的規(guī)定值與實(shí)施方式I不同，因此對(duì)于其它的結(jié)構(gòu)不進(jìn)行重復(fù)說(shuō)明。
[0048](實(shí)施方式2)
圖12是示意性表示本發(fā)明的實(shí)施方式2中的電磁力作用于多個(gè)鐵片的狀態(tài)的局部剖視圖。圖12中，僅圖示勻場(chǎng)部200的最上部。圖12中，未圖示出熱屏蔽體120。
[0049]如圖12所示，本實(shí)施方式中，作用于多個(gè)鐵片250的電磁力的方向與實(shí)施方式I相比，其在超導(dǎo)磁體100的軸向上相反。另外，圖12中，圖示出鐵片250位于與圖11相同的位置，但實(shí)際上鐵片250配置在不同的位置。
[0050]在組裝超導(dǎo)磁體100時(shí)，由于零部件的尺寸誤差以及組裝誤差的疊加，例如氦槽130和真空槽110之間的距離L可能會(huì)變得比設(shè)定值短。在該情況下，如上所述，氦槽130與真空槽110之間的隔熱空間變窄且氦槽130內(nèi)的溫度上升，或者真空槽110中可能會(huì)產(chǎn)生凝結(jié)。
[0051]因此，本實(shí)施方式中，對(duì)多個(gè)鐵片250進(jìn)行配置，使得作用于多個(gè)鐵片250的電磁力420而發(fā)生的反作用力620會(huì)由氦槽130來(lái)負(fù)擔(dān)。其結(jié)果是，能使氦槽130和真空槽110之間的距離L變長(zhǎng)。另外，將電磁力420及其反作用力620分別設(shè)為圖10所示的合計(jì)值。
[0052]由此，能改善組裝超導(dǎo)磁體100時(shí)的氦槽130的位置偏移。這并不限于氦槽130的位置偏移，也能適用于其它的結(jié)構(gòu)零部件。
[0053]然而，若為了使反作用力620增大而使電磁力420變得過(guò)大，則防震橡膠260會(huì)產(chǎn)生變形，因此需要考慮這一點(diǎn)來(lái)設(shè)定電磁力420的規(guī)定值。
[0054]圖13是示意性表示本實(shí)施方式的變形例中的電磁力作用于多個(gè)鐵片的狀態(tài)的局部剖視圖。圖13中，僅圖示勻場(chǎng)部201的最上部。圖13中，未圖示出熱屏蔽體120。
[0055]如圖13所示，在本實(shí)施方式的變形例中，勻場(chǎng)部201在超導(dǎo)磁體100的軸向的一端具有閉塞端。在超導(dǎo)磁體100的軸向的勻場(chǎng)部201的另一端配置有防震橡膠261。
[0056]通過(guò)使收納有多個(gè)鐵片250的墊片盤(pán)230與勻場(chǎng)部201的閉塞端相接觸，能在超導(dǎo)磁鐵100的軸向上對(duì)多個(gè)鐵片250進(jìn)行定位。
[0057]因此，在本實(shí)施方式的變形例中，使電磁力420朝向上述閉塞端側(cè)以規(guī)定值作用于多個(gè)鐵片250，從而使墊片盤(pán)230與勻場(chǎng)部201的閉塞端相接觸。
[0058]由此，能提高多個(gè)鐵片250的位置精度，并能防止將負(fù)荷施加于防震橡膠261。其結(jié)果是，能使靜磁場(chǎng)區(qū)域180的磁場(chǎng)的均勻性穩(wěn)定。
[0059]另外，電磁力420及反作用力620的方向并不限于上述，例如也可以調(diào)整電磁力420及反作用力620的方向，使得載荷由具有耐壓縮應(yīng)力的構(gòu)件、或者受到規(guī)定應(yīng)力而形狀穩(wěn)定的構(gòu)件等來(lái)負(fù)擔(dān)。
[0060]下面，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式3所涉及的超導(dǎo)磁體的調(diào)整方法進(jìn)行說(shuō)明。另外，本實(shí)施方式所涉及的超導(dǎo)磁體的調(diào)整方法中，僅將作用于超導(dǎo)磁體100的徑向的電磁力設(shè)為規(guī)定值這一點(diǎn)與實(shí)施方式2不同，因此對(duì)于其它的結(jié)構(gòu)不進(jìn)行重復(fù)說(shuō)明。
[0061](實(shí)施方式3)
圖14是示意性表示本發(fā)明的實(shí)施方式3中的電磁力作用于多個(gè)鐵片的狀態(tài)的局部剖視圖。圖14中，舉例表不多個(gè)超導(dǎo)線圈140中的一個(gè)、以及多個(gè)鐵片250中的一個(gè)。
[0062]在沒(méi)有安裝鐵片250的狀態(tài)下，超導(dǎo)線圈140中擴(kuò)張力700 (緊箍力:hoop force)作用于超導(dǎo)磁體100的徑向外側(cè)。在因擴(kuò)張力700的影響而導(dǎo)致超導(dǎo)磁體100中產(chǎn)生允許量以上的干擾的情況下，會(huì)產(chǎn)生超導(dǎo)狀態(tài)被破壞的現(xiàn)象，即失超。
[0063]本實(shí)施方式中，如圖14所示，對(duì)多個(gè)鐵片250進(jìn)行配置，以使得在超導(dǎo)磁體100的徑向上因作用于多個(gè)鐵片250的電磁力500而產(chǎn)生的反作用力750由超導(dǎo)線圈140來(lái)負(fù)擔(dān)。另外，將電磁力500及其反作用力750分別設(shè)為圖10所示的合計(jì)值。
[0064]反作用力750的方向與擴(kuò)張力700相反，因此反作用力750與擴(kuò)張力700相互重疊并抵消。于是，擴(kuò)張力700變小，難以產(chǎn)生失超，即使隨著時(shí)間經(jīng)過(guò)也能使超導(dǎo)線圈140的冷卻穩(wěn)定。其結(jié)果是，能使靜磁場(chǎng)區(qū)域180的磁場(chǎng)的均勻性穩(wěn)定。
[0065]另外，本次所揭示的上述實(shí)施方式的所有內(nèi)容均為舉例表示，而不是限制性的解釋根據(jù)。因此，并不能僅通過(guò)上述實(shí)施方式來(lái)解釋本發(fā)明的技術(shù)范圍，應(yīng)當(dāng)基于權(quán)利要求書(shū)的記載來(lái)確定。此外，還包括與權(quán)利要求范圍均等的意義及范圍內(nèi)的所有變更。
標(biāo)號(hào)說(shuō)明
[0066]IMRI裝置、10靜磁場(chǎng)產(chǎn)生部、20孔、30睡臺(tái)、100超導(dǎo)磁體、110真空槽、120熱屏蔽體、130氦槽、131支承構(gòu)件、140，141，142，143，144，145超導(dǎo)線圈、150液體氦、160孔部、170腳部、180靜磁場(chǎng)區(qū)域、190靜磁場(chǎng)、191中心磁場(chǎng)、192端部磁場(chǎng)、200，201勻場(chǎng)部、210開(kāi)口部、230墊片盤(pán)、231主體部、232蓋部、240凹部、250鐵片、260，261防震橡膠、300房間、310地板屏蔽體、320第一側(cè)壁屏蔽體、330第二側(cè)壁屏蔽體、340頂部屏蔽體、350第三側(cè)壁屏蔽體、360第四側(cè)壁屏蔽體、400，410，420，500電磁力、610，620，750反作用力、700擴(kuò)張力。
【權(quán)利要求】
1.一種超導(dǎo)磁體的調(diào)整方法，該超導(dǎo)磁體的調(diào)整方法對(duì)由超導(dǎo)磁體(100)在規(guī)定空間(180)內(nèi)產(chǎn)生的磁場(chǎng)的均勻性進(jìn)行調(diào)整，其特征在于，包括: 對(duì)所述規(guī)定空間(180)中的磁場(chǎng)進(jìn)行測(cè)定的步驟(S100);以及 在超導(dǎo)磁體(100)內(nèi)配置強(qiáng)磁性體的多個(gè)墊片(250)來(lái)進(jìn)行勻場(chǎng)的步驟(SllO)， 在所述進(jìn)行勻場(chǎng)的步驟(SllO)中，將多個(gè)所述墊片(250)配置于以下位置:S卩，在基于測(cè)定所述磁場(chǎng)的步驟(S100)的測(cè)定結(jié)果使磁場(chǎng)均勻的位置，且使因磁場(chǎng)而作用于多個(gè)所述墊片(250)的電磁力(410，420，500)為規(guī)定值的位置。
2.如權(quán)利要求1所述的超導(dǎo)磁體的調(diào)整方法，其特征在于， 在所述進(jìn)行勻場(chǎng)的步驟(SllO)中，將多個(gè)所述墊片(250)配置于以下位置:即，多個(gè)所述墊片(250)產(chǎn)生的所述電磁力中的、作用于所述超導(dǎo)磁體(100)的軸向上的電磁力(410，420)為規(guī)定值。
3.如權(quán)利要求1所述的超導(dǎo)磁體的調(diào)整方法，其特征在于， 在所述進(jìn)行勻場(chǎng)的步驟(SllO)中，將多個(gè)所述墊片(250)配置以下位置:即，多個(gè)所述墊片產(chǎn)生的所述電磁力中的、作用于所述超導(dǎo)磁體(100)的徑向上的電磁力(500)為規(guī)定值。
4.如權(quán)利要求1至3的任一項(xiàng)所述的超導(dǎo)磁體的調(diào)整方法，其特征在于， 在所述進(jìn)行勻場(chǎng)的步驟(SllO)中，作為所述墊片使用鐵制的墊片(250)。
【文檔編號(hào)】A61B5/055GK104135922SQ201280071042
【公開(kāi)日】2014年11月5日 申請(qǐng)日期:2012年3月1日 優(yōu)先權(quán)日:2012年3月1日
【發(fā)明者】田邊肇 申請(qǐng)人:三菱電機(jī)株式會(huì)社