一種基于x射線致熱技術(shù)的腫瘤光熱切除裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種基于X射線致熱技術(shù)的腫瘤光熱切除裝置，屬于醫(yī)療檢測【技術(shù)領(lǐng)域】，所述裝置包括X射線熱輻射器，所述X射線熱輻射器包括X射線致熱粒子、溫度敏感型X射線發(fā)光粒子、氨基修飾的二氧化硅殼層；所述氨基修飾的二氧化硅殼層包覆溫度敏感型X射線發(fā)光粒子和X射線致熱粒子；或氨基修飾的二氧化硅殼層包覆溫度敏感型X射線發(fā)光粒子，溫度敏感型X射線發(fā)光粒子包覆X射線致熱粒子，本發(fā)明有益效果為既可以殺死腫瘤細(xì)胞，又不損害正常細(xì)胞。
【專利說明】一種基于X射線致熱技術(shù)的腫瘤光熱切除裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種基于X射線致熱技術(shù)的腫瘤光熱切除裝置，屬于醫(yī)療檢測【技術(shù)領(lǐng)域】。
【背景技術(shù)】
[0002] 隨著人們生活壓力的日益加劇，惡性腫瘤已經(jīng)成為嚴(yán)重威脅我國乃至全世界人民生命與健康的頭號殺手。自1896年以來，利用高能放射線(如X射線等)的照射摧毀惡性細(xì)胞的放射療法自首次報(bào)導(dǎo)以來，一直是應(yīng)用最廣泛，最有效的治療方法。為防止腫瘤的復(fù)發(fā)，放療通常需要一定的療程來增加總輻射劑量。然而，高劑量的放射線在殺死腫瘤細(xì)胞的同時(shí)，腫瘤周圍的正常組織同樣也不可避免地會受到損害，從而產(chǎn)生各種副作用，甚至病變。為此，人們急切期待能夠發(fā)展一種最小創(chuàng)傷、低劑量、短時(shí)間內(nèi)殺死腫瘤細(xì)胞而不傷害正常組織的新型治療技術(shù)。
[0003]為了克服放射療法的不足，近年來依托納米技術(shù)已發(fā)展出多種全新的腫瘤治療方法。其中，光熱切除療法(PTA)就是最熱門的方法之一。該方法采用經(jīng)生物耦聯(lián)的光致熱納米粒子為治療試劑，利用近紅外激光作為激發(fā)源。當(dāng)納米粒子與腫瘤細(xì)胞綁定后，在紅外激光照射下，粒子所釋放的熱量促使腫瘤細(xì)胞自身溫度很快升高到45°C以上，從而輕而易舉地將其殺死。而在此過程中，由于熱量的釋放僅局限在納米粒子周圍很小范圍內(nèi)，且正常細(xì)胞的耐熱溫度要高于腫瘤細(xì)胞，因此，光熱療法對腫瘤周圍正常組織并無傷害，有望徹底擺脫放射線對人體的危害。
[0004]然而，就目前的PTA研究而言，即使采用最大波長的紅外光激發(fā)，其在生物組織內(nèi)的有效作用范圍仍然僅局限于生物表皮組織以內(nèi)，且隨著透射深度的增大，激發(fā)光能量也迅速降低。因此，當(dāng)前的PTA技術(shù)仍然具有很大的局限性。如何提高這種優(yōu)秀方法的治療效率，已成為目前PTA研究急需解決的一個(gè)重要問題。
[0005]針對這一問題，利用X射線代替紅外激光器，并與高靈敏度的X射線致熱納米粒子相結(jié)合，可構(gòu)成一種基于X射線致熱技術(shù)的腫瘤光熱切除系統(tǒng)。雖然在放射治療過程中，X射線的輻射量對人體有很大危害，但是日常生活中我們所接觸到的X射線輻射劑量卻遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于能夠?qū)θ梭w健康產(chǎn)生影響的劑量值，如安檢、CT等。即使CT掃描，其劑量標(biāo)準(zhǔn)也僅為35mGy/次，還不到單次放療劑量的1/60，安檢的輻射劑量就更低了。如此低劑量的輻射在穿透人體被部分吸收后，卻仍然足以激發(fā)人體后方增感屏(CT設(shè)備的一部分)中的X射線熒光粒子，并使其發(fā)出高強(qiáng)度的可見光，并依此對人體組織內(nèi)部進(jìn)行探測。這說明X射線熒光粒子具有遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于人體組織細(xì)胞的超高X射線吸收能力，并可以高效地將其轉(zhuǎn)換為光能。如果能對現(xiàn)有X射線熒光粒子進(jìn)行改造，使其進(jìn)一步具備將X射線能量高效轉(zhuǎn)換為熱能的性能，就可以獲得一種全新的X射線致熱納米粒子。當(dāng)把它準(zhǔn)確定位于腫瘤細(xì)胞周圍時(shí)，只需要進(jìn)行安全的微劑量X射線輻射，就可能在短時(shí)間內(nèi)產(chǎn)生足以殺死腫瘤細(xì)胞的熱量。

【發(fā)明內(nèi)容】
[0006]本發(fā)明通過改進(jìn)腫瘤光熱切除裝置中的X射線熱輻射器，解決了上述問題。
[0007]本發(fā)明提供了一種基于X射線致熱技術(shù)的腫瘤光熱切除裝置，所述裝置包括X射線熱輻射器，所述X射線熱輻射器包括X射線致熱粒子、溫度敏感型X射線發(fā)光粒子、氨基修飾的二氧化硅殼層；
[0008]所述氨基修飾的二氧化硅殼層包覆溫度敏感型X射線發(fā)光粒子和X射線致熱粒子；或氨基修飾的二氧化硅殼層包覆溫度敏感型X射線發(fā)光粒子，溫度敏感型X射線發(fā)光粒子包覆X射線致熱粒子。
[0009]本發(fā)明所述裝置優(yōu)選為還包括光譜型溫度傳感器、射線強(qiáng)度控制器和X射線源，所述光譜型溫度傳感器與射線強(qiáng)度控制器的一端連接，射線強(qiáng)度控制器的另一端與X射線源連接，所述光譜型溫度傳感器、射線強(qiáng)度控制器和X射線源位于生物體外，所述X射線熱輻射器位于生物體內(nèi)。
[0010]本發(fā)明所述裝置工作方式為:X射線源發(fā)出波長為0.001~0.1nm的X射線穿透生物組織并激發(fā)位于腫瘤上的X射線熱輻射器，X射線熱輻射器升溫后發(fā)出可見光或紅外光輻射改變腫瘤溫度，可見光或紅外光輻射通過光譜型溫度傳感器轉(zhuǎn)換成電信號后傳輸至射線強(qiáng)度控制器，通過射線強(qiáng)度控制器控制X射線源的輻射強(qiáng)度，將溫度控制在足以殺死腫瘤細(xì)胞的合理范圍內(nèi)。
[0011]本發(fā)明適用于腫瘤熱切除。
[0012]本發(fā)明所述X射線輻射器根據(jù)腫瘤的特征與不同生物抗原連接，利用生物靶向技術(shù)定位在腫瘤組織上。
[0013]本發(fā)明所述溫度敏感型X射線發(fā)光粒子優(yōu)選為稀土離子摻雜的氧化物、硫化物或硫氧化物納米粒子，所述氧化物、硫化物或硫氧化物的陽離子為Mg、Al、S1、Ca、T1、Mn、Fe、Co、N1、Cu、Zn、Ga、Ge、Y、Zr、Nb、Mo、Pd、Cd、In、Sn、Sb、Ba 和 La 中的至少一種。
[0014]本發(fā)明所述摻雜的稀土離子優(yōu)選為Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一種，在X射線的激發(fā)下，發(fā)射光波長在350~1600nm范圍內(nèi)可調(diào)。
[0015]本發(fā)明所述X射線致熱粒子優(yōu)選為氧化物、硫化物或硫氧化物納米粒子，所述氧化物、硫化物或硫氧化物的陽離子為金屬陽離子。
[0016]本發(fā)明所述陽離子優(yōu)選為Fe、Co、Y、Ba、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、
Tm和Yb中的至少一種，在X射線激發(fā)下，可產(chǎn)生熱輻射。
[0017]本發(fā)明所述X射線致熱粒子粒徑優(yōu)選為5~lOOnm。
[0018]本發(fā)明優(yōu)選為當(dāng)所述氨基修飾的二氧化硅殼層包覆溫度敏感型X射線發(fā)光粒子和X射線致熱粒子時(shí)，溫度敏感型X射線發(fā)光粒子粒徑為5~IOOnm ;當(dāng)溫度敏感型X射線發(fā)光粒子包覆X射線致熱粒子時(shí)，溫度敏感型X射線發(fā)光粒子殼層厚度為5~50nm。
[0019]本發(fā)明所述氨基修飾的二氧化硅殼層厚度優(yōu)選為2~30nm。
[0020]本發(fā)明所述粒子粒徑和殼層厚度的選擇有利于放入生物體內(nèi)。
[0021]本發(fā)明有益效果為:
[0022]①微劑量X射線源發(fā)出的X射線穿透生物表皮到達(dá)病變組織，X射線熱輻射器將微劑量X射線輻射能量高效轉(zhuǎn)換為足以殺死腫瘤細(xì)胞的熱能，殺死腫瘤細(xì)胞，同時(shí)通過光譜型溫度傳感器和射線強(qiáng)度控制器實(shí)時(shí)監(jiān)控輻射能量，防止腫瘤周邊溫度過高，損害正常組織細(xì)胞；[0023]②X射線熱輻射器表面為氨基修飾的二氧化硅殼層，可與生物有機(jī)官能團(tuán)鏈接，適用于生物體內(nèi)治療；
[0024]③光譜型溫度傳感器可對X射線發(fā)光粒子發(fā)射的光譜進(jìn)行快速檢測，轉(zhuǎn)換成溫度數(shù)值，傳輸至射線強(qiáng)度控制器，有利于對病變組織周圍溫度的實(shí)時(shí)監(jiān)控。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0025]本發(fā)明附圖5幅，
[0026]圖1為基于X射線致熱技術(shù)的腫瘤光熱切除裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖2為實(shí)施例1中X射線熱輻射器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖3為實(shí)施例3中X射線熱輻射器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖4為實(shí)施例1中光譜型溫度傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030] 圖5為實(shí)施例3中光譜型溫度傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]其中，1、X射線源，2、X射線熱輻射器，21、X射線致熱粒子，22、溫度敏感型X射線發(fā)光粒子，23、氨基修飾的二氧化硅殼層，3、光譜型溫度傳感器，311、熒光接收器，32、光纖，331、光譜儀，341、信號處理與顯示系統(tǒng)，312、準(zhǔn)直透鏡I，332、準(zhǔn)直透鏡II，342、程控立體光柵組，352、光電探測器陣列，362、計(jì)算機(jī)，4、射線強(qiáng)度控制器。
【具體實(shí)施方式】
[0032]下述非限制性實(shí)施例可以使本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員更全面地理解本發(fā)明，但不以任何方式限制本發(fā)明。
[0033]實(shí)施例1
[0034]一種基于X射線致熱技術(shù)的腫瘤光熱切除裝置，包括X射線熱輻射器2、光譜型溫度傳感器3、射線強(qiáng)度控制器4、X射線源1，所述光譜型溫度傳感器3包括熒光接收器311、光纖32、光譜儀331、信號處理與顯示系統(tǒng)341，所述熒光接收器311通過光纖32與光譜儀331的一端連接，光譜儀331的另一端與信號處理與顯示系統(tǒng)341連接，X射線源I通過射線強(qiáng)度控制器4與信號處理與顯示系統(tǒng)341連接，所述X射線源1、射線強(qiáng)度控制器4、光譜型溫度傳感器3位于生物體外。所述X射線熱輻射器2包括X射線致熱粒子21、溫度敏感型X射線發(fā)光粒子殼層22、氨基修飾的二氧化硅殼層23，所述氨基修飾的二氧化硅殼層23內(nèi)設(shè)置溫度敏感型X射線發(fā)光粒子殼層22，溫度敏感型X射線發(fā)光粒子殼層22內(nèi)設(shè)置X射線致熱粒子21，所述X射線熱輻射器2位于生物體內(nèi)。
[0035]所述X射線熱輻射器的制備方法如下:
[0036]①X射線致熱粒子的制備:
[0037]將150mmol NaEt2CNS2.3H20 溶于 1000ml 乙醇得到溶液 I，將 50mmol TmCl3 溶于250ml乙醇得到溶液II，將溶液I與溶液II混合后攪拌30min，過濾得到白色固體，用乙醇和蒸餾水依次洗滌5次，用氯仿重結(jié)晶，60°C干燥12h，得到Tm(S2CNEt2)3 ;將IOmmolTm(S2CNEt2)3和320ml乙腈加入到400ml的聚四氟乙烯高壓釜中，200°C恒溫12h后自然冷卻至室溫，過濾得到橘黃色固體，用乙醇洗滌5次，8°C真空度IOPa干燥10h，得到粒徑為30nm的Tm2S3納米X射線致熱粒子。
[0038]②溫度敏感型X射線發(fā)光粒子包裹X射線致熱粒子的制備:[0039]將150mmol NaEt2CNS2.3H20 溶于 1000ml 乙醇得到溶液 III，將 50mmol YC13、lmmol ErCl3>lmmol YbCl3溶于250ml乙醇得到溶液IV，將溶液III與溶液IV混合后攪拌30min，過濾得到白色固體，用乙醇和蒸餾水依次洗滌5次，用氯仿重結(jié)晶，60°C干燥12h，得至Ij Y-Er-Yb (S2CNEt2) 3 ;將 IOmmol Y-Er-Yb (S2CNEt2) 3、IOmmol Tm2S3 納米 X 射線致熱粒子、320ml乙腈混合超聲分散IOmin后加入到400ml的聚四氟乙烯高壓釜中，200°C恒溫12h后自然冷卻至室溫，過濾得到固體，用乙醇洗滌5次，8°C真空度IOPa干燥10h，得到粒徑為60nm的Y2S3 = Er, Yb包覆Tm2S3納米X射線致熱-發(fā)光復(fù)合粒子。
[0040]③表面二氧化硅殼層包覆:
[0041 ] 將3g聚乙烯吡咯烷酮、50ml水、40ml氨水用乙醇定容至500ml得到溶液V，將0.5g Y2S3IEr, YbiTm2S3納米X射線致熱_發(fā)光復(fù)合粒子分散到溶液V中，將0.2ml正硅酸乙酯用乙醇定容至300ml得到溶液VI，將0.2ml3-氨基三乙氧基硅烷用乙醇定容至200ml得到溶液VL將溶液V在500rpm攪拌下加入溶液VI，攪拌3h加入溶液VL繼續(xù)攪拌Ih后離心，得到粒徑為IOOnm的SiO2包覆的Y2S3 = Er, Yb包覆Tm2S3納米X射線熱輻射器。
[0042]實(shí)施例2
[0043]與實(shí)施例1區(qū)別在于:
[0044]所述X射線熱輻射器的制備方法如下:
[0045]①X射線致熱粒子的制備:
[0046]將150mmol NaEt2CNS2.3H20 溶于 1000ml 乙醇得到溶液 I，將 50mmol GdCl3 溶于250ml乙醇得到溶液II，將溶液I與溶液II混合后攪拌30min，過濾得到白色固體，用乙醇和蒸餾水依次洗滌5次，用氯仿重結(jié)晶，60°C干燥12h，得到Gd(S2CNEt2)3 ;將IOmmolGd(S2CNEt2)3和320ml乙腈加入到400ml的聚四氟乙烯高壓釜中，200°C恒溫12h后自然冷卻至室溫，過濾得到橘黃色固體，用乙醇洗滌5次，8°C真空度IOPa干燥10h，得到粒徑為40nm的Gd2S3納米X射線致熱粒子。
[0047]②溫度敏感型X射線發(fā)光粒子的制備:
[0048]將50mmol硝酸乾、3mmol硝酸鐿、Immol硝酸鉺溶于IOOOml去離子水得到溶液III,將150g尿素、20g乙二胺四乙酸二鈉加入到溶液III攪勻得到溶液IV ;將IOmg Gd2S3納米X射線致熱粒子加入到溶液IV中500rpm下60°C攪拌Ih后離心，得到白色固體，去離子水洗滌5次，70°C干燥，800°C焙燒2h，得到粒徑為50nm的Y2O3 = Er, Yb包覆Gd2O3納米X射線致熱-發(fā)光復(fù)合粒子。
[0049]③表面二氧化硅殼層包覆:
[0050]將3g聚乙烯吡咯烷酮、50ml水、40ml氨水用乙醇定容至500ml得到溶液V，將0.5g Y203:Er, YbiGd2O3納米X射線致熱_發(fā)光復(fù)合粒子分散到溶液V中，將0.2ml正硅酸乙酯用乙醇定容至300ml得到溶液VI，將0.2ml3-氨基三乙氧基硅烷用乙醇定容至200ml得到溶液VL將溶液V在500rpm攪拌下加入溶液VI，攪拌3h加入溶液VL繼續(xù)攪拌Ih后離心，得到粒徑為90nm的SiO2包覆的Y2O3 = Er, Yb包覆Gd2O3納米X射線熱輻射器。
[0051]實(shí)施例3
[0052]一種基于X射線致熱技術(shù)的腫瘤光熱切除裝置，包括X射線熱輻射器2、光譜型溫度傳感器3、射線強(qiáng)度控制器4、X射線源I，所述光譜型溫度傳感器3包括準(zhǔn)直透鏡I 312、光纖32、準(zhǔn)直透鏡II 332、程控立體光柵組342、光電探測器陣列352、計(jì)算機(jī)362，所述準(zhǔn)直透鏡I 312通過光纖32與準(zhǔn)直透鏡II 332的一側(cè)連接，準(zhǔn)直透鏡II 332的另一側(cè)通過程控立體光柵組342與光電探測器陣列352的一端連接，光電探測器陣列352的另一端與計(jì)算機(jī)362連接，X射線源I通過射線強(qiáng)度控制器4與計(jì)算機(jī)362連接，所述X射線源1、射線強(qiáng)度控制器4、光譜型溫度傳感器3位于生物體外。所述X射線熱輻射器2包括X射線致熱粒子21、溫度敏感型X射線發(fā)光粒子22、氨基修飾的二氧化硅殼層23，所述氨基修飾的二氧化硅殼層23內(nèi)設(shè)置溫度敏感型X射線發(fā)光粒子22和X射線致熱粒子21，所述X射線熱輻射器2位于生物體內(nèi)。
[0053]所述X射線熱輻射器的制備方法如下:
[0054]①X射線致熱粒子的制備:
[0055]將150mmol NaEt2CNS2.3H20 溶于 1000ml 乙醇得到溶液 I，將 50mmol YbCl3 溶于250ml乙醇得到溶液II，將溶液I與溶液II混合后攪拌30min，過濾得到白色固體，用乙醇和蒸餾水依次洗滌5次，用氯仿重結(jié)晶，60°C干燥12h，得到Y(jié)b(S2CNEt2)3 ;將IOmmolYb(S2CNEt2)JP 320ml乙腈加入到400ml的聚四氟乙烯高壓釜中，200°C恒溫12h后自然冷卻至室溫，過濾得到橘黃色固體，用乙醇洗滌5次，8°C真空度IOPa干燥10h，得到粒徑為50nm的Yb2S3納米X射線致熱粒子。
[0056]②溫度敏感型X射線發(fā)光粒子的制備:
[0057]將50mmol硝酸鑭、3mmol硝酸鐿、Immol硝酸欽溶于IOOOml去離子水得到試劑III,將150g尿素、20g乙二胺四乙酸二鈉加入到溶液III攪勻得到溶液IV，將溶液IV 500rpm下60°C攪拌Ih后離心，得到白色固體，去離子水洗滌5次，70°C干燥，800°C焙燒2h，得到粒徑為50nm的La2O3 = Ho, Yb納米X射線發(fā)光粒子。
[0058]③表面二氧化硅殼層包覆:
[0059]將3g聚乙烯吡咯烷酮、50ml水、40ml氨水用乙醇定容至500ml得到溶液V，將0.5g Yb2S3納米X射線致熱粒子、0.5g La2O3IHo, Yb納米X射線發(fā)光粒子分散到溶液V中，將0.2ml正硅酸乙酯用乙醇定容至300ml得到溶液VI，將0.2ml3-氨基三乙氧基硅烷用乙醇定容至200ml得到溶液VL將溶液V在500rpm攪拌下加入溶液VI，攪拌3h加入溶液VL繼續(xù)攪拌Ih后離心，得到粒徑為140nm的SiO2包覆La203:Ho，Yb-Yb2S3納米X射線熱輻射器。
[0060]實(shí)施例4
[0061]與實(shí)施例3的區(qū)別在于:
[0062]所述X射線熱輻射器的制備方法如下:
[0063]①X射線致熱粒子的制備:
[0064]將150mmol NaEt2CNS2.3H20 溶于 1000ml 乙醇得到溶液 I，將 50mmol CoCl3 溶于250ml乙醇得到溶液II，將溶液I與溶液II混合后攪拌30min，過濾得到白色固體，用乙醇和蒸餾水依次洗滌5次，用氯仿重結(jié)晶，60°C干燥12h，得到Co(S2CNEt2)3 ;將IOmmolCo(S2CNEt2)JP 320ml乙腈加入到400ml的聚四氟乙烯高壓釜中，200°C恒溫12h后自然冷卻至室溫，過濾得到橘黃色固體，用乙醇洗滌5次，8°C真空度IOPa干燥10h，得到粒徑為60nm的Co2S3納米X射線致熱粒子。
[0065]②溫度敏感型X射線發(fā)光粒子的制備:
[0066]將50mmol硝酸禮、3mmol硝酸鐿、Immol硝酸錢溶于IOOOml去離子水得到溶劑III,將150g尿素、20g乙二胺四乙酸二鈉加入到溶液III攪勻得到溶液IV。將溶液IV 500rpm下60°C攪拌Ih后離心，得到白色固體，去離子水洗滌5次，70°C干燥，800°C焙燒2h，得到粒徑為30nm的Gd2O3 = Tm, Yb納米X射線發(fā)光粒子。
[0067]③表面二氧化硅殼層包覆:
[0068]將3g聚乙烯吡咯烷酮、50ml水、40ml氨水用乙醇定容至500ml得到溶液V，將
0.5g Co2S3納米X射線致熱粒子、0.5g Gd2O3ITm, Yb納米X射線發(fā)光粒子分散到溶液V中，將0.2ml正硅酸乙酯用乙醇定容至300ml得到溶液VI，將0.2ml3-氨基三乙氧基硅烷用乙醇定容至200ml得到溶液VL將溶液V在50 0rpm攪拌下加入溶液VI，攪拌3h加入溶液VL繼續(xù)攪拌Ih后離心，得到粒徑為130nm的SiO2包覆Gd203:Tm，Yb-Co2S3納米X射線熱輻射器。
【權(quán)利要求】
1.一種基于X射線致熱技術(shù)的腫瘤光熱切除裝置，所述裝置包括X射線熱輻射器(2)，所述X射線熱輻射器(2)包括X射線致熱粒子(21)、溫度敏感型X射線發(fā)光粒子(22)、氨基修飾的二氧化硅殼層(23)； 所述氨基修飾的二氧化硅殼層(23)包覆溫度敏感型X射線發(fā)光粒子(22)和X射線致熱粒子(21);或氨基修飾的二氧化硅殼層(23)包覆溫度敏感型X射線發(fā)光粒子(22)，溫度敏感型X射線發(fā)光粒子(22)包覆X射線致熱粒子(21)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于:所述裝置還包括光譜型溫度傳感器(3)、射線強(qiáng)度控制器(4 )和X射線源(I)，所述光譜型溫度傳感器(3 )與射線強(qiáng)度控制器(4 )的一端連接，射線強(qiáng)度控制器(4)的另一端與X射線源(I)連接，所述光譜型溫度傳感器(3)、射線強(qiáng)度控制器(4)和X射線源(I)位于生物體外，所述X射線熱輻射器(2)位于生物體內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于:所述溫度敏感型X射線發(fā)光粒子(22)為稀土離子摻雜的氧化物、硫化物或硫氧化物納米粒子，所述氧化物、硫化物或硫氧化物的陽離子為 Mg、Al、S1、Ca、T1、Mn、Fe、Co、N1、Cu、Zn、Ga、Ge、Y、Zr、Nb、Mo、Pd、Cd、In、Sn、Sb、Ba和La中的至少一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其特征在于:所述摻雜的稀土離子為Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb 和 Lu 中的至少一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于:所述X射線致熱粒子(21)為氧化物、硫化物或硫氧化物納米粒子，所述氧化物、硫化物或硫氧化物的陽離子為金屬陽離子。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于:所述陽離子為Fe、Co、Y、Ba、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy.、Ho、Er、Tm 和 Yb 中的至少一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于:所述X射線致熱粒子(21)粒徑為5~IOOnm0
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于:當(dāng)所述氨基修飾的二氧化硅殼層(23)包覆溫度敏感型X射線發(fā)光粒子(22)和X射線致熱粒子(21)時(shí)，溫度敏感型X射線發(fā)光粒子(22)粒徑為5~IOOnm;當(dāng)溫度敏感型X射線發(fā)光粒子(22)包覆X射線致熱粒子(21)時(shí)，溫度敏感型X射線發(fā)光粒子(22)殼層厚度為5~50nm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于:所述氨基修飾的二氧化硅殼層(23)厚度為2~30nm。
【文檔編號】A61N5/10GK103463741SQ201310451041
【公開日】2013年12月25日 申請日期:2013年9月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月27日
【發(fā)明者】付姚, 段曉龍, 邢明銘, 張楠, 羅昔賢 申請人:大連海事大學(xué)