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      深腦電剌激探針及深腦電剌激裝置制造方法

      文檔序號(hào):1280346閱讀:290來(lái)源:國(guó)知局
      深腦電剌激探針及深腦電剌激裝置制造方法
      【專利摘要】本實(shí)用新型適用于電剌激設(shè)備領(lǐng)域,提供了一種深腦電剌激探針及深腦電剌激裝置,該深腦電剌激探針包括:主體,主體具有內(nèi)腔;多根導(dǎo)線,多根導(dǎo)線穿設(shè)于內(nèi)腔中;和多個(gè)電極;主體包括膨脹式端部,膨脹式端部在其膨脹后形成具有多個(gè)側(cè)面的柱體;電極設(shè)置在柱體的側(cè)面上并形成電極陣列,柱體的多個(gè)側(cè)面中,至少兩個(gè)側(cè)面上的電極陣列中的電極的位置互不相同;每個(gè)電極至少與一根導(dǎo)線電連接。該深腦電剌激探針的通過(guò)設(shè)置膨脹式端部并將電極設(shè)于該端部,從而保證該端部尺寸較小,便于植入腦部目標(biāo)區(qū)域;同時(shí)該端部為膨脹式結(jié)構(gòu),在植入腦部后,不僅可以軸向調(diào)整電極位置,而且可以徑向調(diào)整電極位置,實(shí)現(xiàn)精確調(diào)整和定位的電極位置。
      【專利說(shuō)明】深腦電剌激探針及深腦電剌激裝置
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本實(shí)用新型屬于電剌激設(shè)備領(lǐng)域,尤其涉及一種深腦電剌激探針及使用該探針的深腦電剌激裝置。
      【背景技術(shù)】
      [0002]電刺激作為一種有效的治療方式被越來(lái)越多地應(yīng)用于治療各種各樣的疾病。例如:電刺激用于治療慢性疼痛、運(yùn)動(dòng)功能紊亂、胃腸疾病,和骨盆底失調(diào)。脊髓電刺激已經(jīng)被發(fā)現(xiàn)可以緩和慢性疼痛。胃腸道電刺激可以有效緩解胃輕癱和肥胖癥。電刺激骨盆底可以治療大小便失禁,骨盆疼痛以及性功能障礙。深腦電刺激系統(tǒng)能夠有效治療運(yùn)動(dòng)功能紊舌L如:帕金森癥以及其它一些神經(jīng)失調(diào),如癲癇。
      [0003]典型的深腦電刺激系統(tǒng)一般包含三個(gè)部件:脈沖發(fā)生器,探針和延長(zhǎng)連接線。脈沖發(fā)生器是一個(gè)由電池供電的裝置,這個(gè)裝置通常置于鈦材料的密封塊內(nèi),這個(gè)裝置可以發(fā)送電流脈沖;探針通常包含一個(gè)主體,這個(gè)主體一般由聚氨酯材料構(gòu)成,主體內(nèi)部有彈簧狀的絕緣導(dǎo)線,主體外周布置若干個(gè)環(huán)形電極,電極的材料通常是鉬金。電極連接至主體內(nèi)部的絕緣導(dǎo)線,絕緣導(dǎo)線通過(guò)延長(zhǎng)連接線連接至脈沖發(fā)生器。
      [0004]深腦電刺激治療的基本原理是:將布置有電極的探針植入到患者腦深部目標(biāo)區(qū)。由脈沖發(fā)生器生成的電刺激脈沖經(jīng)延長(zhǎng)連接線傳遞至探針上的電極并刺激特定區(qū)域腦神經(jīng)組織,抑制不正常的神經(jīng)活動(dòng),從而緩解患者的癥狀。盡管深腦電刺激有較長(zhǎng)的歷史,但其潛在的機(jī)理仍不清楚。
      [0005]深腦電刺激探針植入的腦部組織位置取決于患者癥狀。如:震顫(非帕金森癥)典型的植入位置是丘腦中的丘腦腹中間核(VIM:ventrointermedial nucleus);治療帕金森癥(肌肉張力失常、僵硬、運(yùn)動(dòng)徐緩或不能、震顫),探針的典型植入位置是戈?duì)柌妓股n白球(GPI:globus pallidus internus)或者丘腦底核(STN:subthalamic nucleus)。
      [0006]上述特定的腦組織目標(biāo)位置通常位于腦深部且體積較小。例如:丘腦底核(STN),為一個(gè)直徑3到4_的圓形,或者為一個(gè)短軸3到4_,長(zhǎng)軸4到5mm的橢圓形;GPI或VIM通常長(zhǎng)度不超過(guò)I到2_。
      [0007]深腦電刺激探針植入的一個(gè)重要問(wèn)題是:精確定位探針上電極到腦組織最佳目標(biāo)區(qū)。電極精確的定位是保證治療效果的關(guān)鍵。對(duì)于較小的腦組織目標(biāo)區(qū),電極偏移即使不超過(guò)1_,往往也會(huì)不僅無(wú)法得到最佳的治療效果,而且對(duì)患者有可能產(chǎn)生不期望的邊緣效應(yīng),如:造成患者虛弱、感覺(jué)上的改變、語(yǔ)言或者視覺(jué)障礙等。
      [0008]公知的電極定位到腦組織目標(biāo)位置的方式是:首先將腦部功能不正常的區(qū)域標(biāo)識(shí)出來(lái)。這個(gè)通常通過(guò)安裝一個(gè)立體定向裝置到患者頭腦來(lái)實(shí)現(xiàn)。這個(gè)裝置可以將患者腦部結(jié)構(gòu)顯像,并且可以測(cè)量。這個(gè)裝置起到一個(gè)平臺(tái)的作用,利用這個(gè)平臺(tái)將電極導(dǎo)向至目標(biāo)區(qū)域。
      [0009]腦組織功能的目標(biāo)位置常常很難或者根本無(wú)法在診斷影像上可視,它們的實(shí)際位置可能需要通過(guò)推測(cè)和與標(biāo)準(zhǔn)腦影像集作對(duì)比得到。由于患者腦部實(shí)際結(jié)構(gòu)與標(biāo)準(zhǔn)影像存在差異,甚至是同一個(gè)大腦的不同側(cè)都會(huì)存在差異,這樣的差異就會(huì)造成探針上電極的植入位置偏差。影像獲取時(shí),如果患者移動(dòng),也有可能導(dǎo)致探針上電極植入位置的偏差,或者獲取影像的失真。
      [0010]通常情況下,在手術(shù)期間患者處于意識(shí)清楚狀態(tài),在探針植入后,其電極定位前,外科醫(yī)生通過(guò)神經(jīng)測(cè)試來(lái)糾正電極植入位置的偏差。
      [0011]為了方便探針植入后,糾正其電極位置,目前探針設(shè)計(jì)上往往在其遠(yuǎn)端包含若干個(gè)以一定方式陣列的導(dǎo)電電極,所述電極嵌在聚氨酯材料的主體外周上。這些電極分別與探針主體內(nèi)部的導(dǎo)線相連,并通過(guò)延長(zhǎng)連接導(dǎo)線連接到脈沖發(fā)生器。使用時(shí),通過(guò)控制導(dǎo)線的導(dǎo)通來(lái)激活不同的電極組合,達(dá)到調(diào)整不同刺激位置的目的。
      [0012]例如市面上的Model3389深腦電刺激探針,該探針主體材料為聚氨酯,由一個(gè)近端和一個(gè)遠(yuǎn)端組成。遠(yuǎn)端直徑1.27_,軸向并置有四個(gè)環(huán)形電極,每一個(gè)環(huán)形電極長(zhǎng)度為
      1.5_,相鄰兩個(gè)環(huán)形電極之間間距為0.5_,環(huán)形電極各自單獨(dú)與主體內(nèi)部的各個(gè)導(dǎo)線相連,并通過(guò)探針近端連接至植入到患者鎖骨下的脈沖發(fā)生器。一定頻率和幅度的電刺激脈沖由脈沖發(fā)生器產(chǎn)生后經(jīng)延長(zhǎng)導(dǎo)線傳遞至探針主體遠(yuǎn)端的電極,刺激患者腦組織目標(biāo)區(qū)。該探針使用時(shí),通過(guò)激活不同的電極組合,可以沿探針主體軸向方向改變電刺激位置。因?yàn)橄噜弮呻姌O間距為0.5mm,故其位置調(diào)整精度可達(dá)0.5mm。
      [0013]專利US5843148A揭示了一種電剌激探針。該探針包含一個(gè)主體,所述主體有一個(gè)近端和一個(gè)遠(yuǎn)端。這個(gè)遠(yuǎn)端部分有若干個(gè)對(duì)角線布置的環(huán)形電極。遠(yuǎn)端實(shí)質(zhì)上沿縱軸方向是一個(gè)圓柱體,每一個(gè)電極沿一定角度呈對(duì)角線布置在探針軸向上。每一個(gè)環(huán)電極沿著探針軸呈對(duì)角線環(huán)繞,并且依據(jù)腦部目標(biāo)位置需求,與相鄰電極之間間隔是0.5mm。
      [0014]該探針的遠(yuǎn)端可以有三個(gè)環(huán)形電極和一個(gè)頂端電極,這四個(gè)電極布置在不超過(guò)IOmm的空間內(nèi)。此處的環(huán)形電極可以圍繞探針軸向約180°延伸,或者可以延伸一個(gè)更小或更大的角度。也可以使用更多的電極,每一個(gè)電極環(huán)繞探針不超過(guò)90度。在植入的時(shí)候或者任何期望調(diào)整時(shí),經(jīng)過(guò)測(cè)試不同的電極組合以后選擇最佳的電極。使用時(shí),通過(guò)立體定向裝置將所述探針定位到患者腦部目標(biāo)位置。這之后,通過(guò)簡(jiǎn)單的旋轉(zhuǎn)探針就可以沿軸向方向調(diào)整電極至最佳位置。相比于Model3389深腦電刺激探針,該電極也是可以沿探針軸向方向改變電刺激位置,且這種位置改變是連續(xù)性地。
      [0015]根據(jù)以上所述,深腦電刺激探針植入后,考慮到電極在腦部可能的輕微位置偏差,需要目標(biāo)區(qū)內(nèi)有多于一個(gè)的活動(dòng)電極可以被利用,以根據(jù)需求調(diào)整不同的電極組合,達(dá)到精確定位的目的。而對(duì)于較小的腦部刺激目標(biāo)區(qū)域(如GPI),長(zhǎng)度通常不超過(guò)I?2mm,Model3389深腦電刺激探針這樣的調(diào)整精度為0.5mm的探針,且僅能使在探針軸向四個(gè)電極中的一個(gè)在目標(biāo)區(qū)域內(nèi),其難以保證電極精確定位;專利US5843148A揭示的探針沿主體軸向方向可以作到連續(xù)性改變電刺激位置,但調(diào)整方向僅限于主體軸向方向,因而也難以保證電極精確定位。
      實(shí)用新型內(nèi)容
      [0016]本實(shí)用新型的目的在于提供一種深腦電剌激探針,旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中深腦電剌激探針僅能軸向調(diào)整電極位置,難以保證電極精確定位的問(wèn)題。
      [0017]本實(shí)用新型是這樣實(shí)現(xiàn)的,一種深腦電剌激探針,包括:主體,所述主體具有內(nèi)腔;多根導(dǎo)線,所述多根導(dǎo)線穿設(shè)于所述內(nèi)腔中;和多個(gè)電極;所述主體包括膨脹式端部,所述膨脹式端部在其膨脹后形成具有多個(gè)側(cè)面的柱體;所述電極設(shè)置在所述柱體的側(cè)面上并形成電極陣列,所述柱體的多個(gè)側(cè)面中,至少兩個(gè)所述側(cè)面上的所述電極陣列中的電極的位置互不相同;每個(gè)所述電極至少與一根所述導(dǎo)線電連接。
      [0018]進(jìn)一步地,所述柱體的多個(gè)側(cè)面中,至少兩個(gè)所述側(cè)面上的所述電極陣列中陣列的電極數(shù)量互不相同。
      [0019]進(jìn)一步地,所述柱體的多個(gè)側(cè)面中,各所述側(cè)面上的所述電極陣列中陣列的電極數(shù)量均不相同。
      [0020]進(jìn)一步地,所述柱體的多個(gè)側(cè)面中,各個(gè)側(cè)面上的所述電極陣列中陣列的電極的位置均不相同。
      [0021]進(jìn)一步地,所述柱體軸向與所述主體軸向在同一直線上,且所述膨脹式端部沿垂直于所述柱體軸向方向膨脹。
      [0022]具體地,所述柱體的長(zhǎng)度范圍為5?10mm。
      [0023]進(jìn)一步地,所述柱體的橫截面為四邊形、六邊形或八邊形。
      [0024]進(jìn)一步地,各個(gè)所述側(cè)面的面積范圍均為0.25?25mm2。
      [0025]該深腦電剌激探針的通過(guò)設(shè)置膨脹式端部并將電極設(shè)于該端部,從而保證該端部尺寸較小,便于植入腦部目標(biāo)區(qū)域;同時(shí)該端部為膨脹式結(jié)構(gòu),在植入腦部后,不僅可以軸向調(diào)整電極位置,而且可以徑向調(diào)整電極位置。另外將膨脹式端部膨脹成的柱體的至少兩個(gè)側(cè)面上的電極陣列設(shè)為不同,可以當(dāng)一個(gè)側(cè)面沒(méi)有找到適合電極時(shí),可以轉(zhuǎn)到另一側(cè)面上找出適合電極,提高精度,以實(shí)現(xiàn)精確調(diào)整和定位電極位置。
      [0026]本實(shí)用新型的另一目的在于提供一種深腦電剌激裝置,其包括脈沖發(fā)生器、探針和電連接所述脈沖發(fā)生器與所述探針的延長(zhǎng)連接線,所述探針為如上所述的深腦電剌激探針。
      [0027]進(jìn)一步地,所述深腦電剌激探針為至少一個(gè)。
      [0028]本實(shí)用新型的深腦電剌激裝置使用了上述的深腦電剌激探針,該深腦電剌激探針的通過(guò)設(shè)置膨脹式端部并將電極設(shè)于該端部,從而保證該端部尺寸較小,便于植入腦部目標(biāo)區(qū)域;同時(shí)該端部為膨脹式結(jié)構(gòu),在植入腦部后,不僅可以軸向調(diào)整電極位置,而且可以徑向調(diào)整電極位置,實(shí)現(xiàn)精確調(diào)整和定位的電極位置。
      【專利附圖】

      【附圖說(shuō)明】
      [0029]圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的深腦電剌激探針結(jié)構(gòu)示意圖,其中探針膨脹式端部為膨脹狀態(tài);
      [0030]圖2是沿圖1中線A-A的剖面圖;
      [0031]圖3是圖1中探針膨脹式端部各側(cè)面上電極分布位置示意圖,其中3a、3b、3c和3d分別示出了其四側(cè)面上電極布置位置;
      [0032]圖4是圖1的深腦電剌激探針膨脹式端部收縮時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0033]圖5是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的深腦電剌激裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
      【具體實(shí)施方式】[0034]為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白,以下結(jié)合附圖及實(shí)施例,對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型,并不用于限定本實(shí)用新型。
      [0035]如圖1所示,本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種深腦電剌激探針I(yè),包含主體10,主體10具有內(nèi)腔(圖中未示出)和一個(gè)膨脹式端部11,內(nèi)腔可以作為膨脹式端部11的膨脹通道,可以沿箭頭B的方向,通過(guò)充氣、充液體或充凝膠的方式使膨脹式端部11膨脹。膨脹式端部11膨脹時(shí)形成具有多個(gè)側(cè)面的柱體,該柱體橫截面呈多邊形,例如可以是四邊形、六邊形或八邊形。膨脹式端部11材料可以是彈性體材料,如:硅膠。主體10可以使用聚氨酯材料制作。主體10的內(nèi)腔中穿設(shè)有多根導(dǎo)線(圖中未示出)。當(dāng)需要膨脹時(shí),可以用壓力泵向內(nèi)腔中壓入膨脹物質(zhì),如氣體、液體或凝膠,使膨脹式端部11徑向膨脹為柱體。
      [0036]圖2示出了圖1中A-A方向的截面視圖,如圖2所示,本實(shí)施例中,膨脹式端部11膨脹時(shí)的截面形狀為四邊形,其具有四個(gè)側(cè)面3,分別標(biāo)示為側(cè)面31、側(cè)面32、側(cè)面33和側(cè)面34。當(dāng)然,若膨脹式端部11膨脹時(shí)的截面形狀為六邊形、八邊形或其它多邊形時(shí),則應(yīng)具有相應(yīng)數(shù)量的側(cè)面3。
      [0037]如圖3所示,各側(cè)面3上均設(shè)有電極2,每個(gè)電極2至少與一根導(dǎo)線電連接。電極2陣列設(shè)置在柱體的側(cè)面3上并形成電極陣列,在探針主體10的膨脹式端部11膨脹時(shí),其形成的柱體的多個(gè)側(cè)面3中,至少兩個(gè)側(cè)面3上的電極陣列中陣列的電極2的位置互不相同。這樣當(dāng)一個(gè)側(cè)面3沒(méi)有找到與腦部目標(biāo)區(qū)域接觸適合電極2時(shí),可以轉(zhuǎn)到另一側(cè)面3上找出適合電極2,從而提高探針的精度,實(shí)現(xiàn)精確調(diào)整和定位電極位置。如圖4所述,當(dāng)探針主體10的膨脹式端部11為收縮狀態(tài)時(shí),該端部11尺寸較小,可方便植入腦部目標(biāo)區(qū)域。
      [0038]請(qǐng)參閱圖1-4,通過(guò)在探針主體10設(shè)置膨脹式端部11并將電極2設(shè)于該端部11,從而保證該端部11尺寸較小,便于植入腦部目標(biāo)區(qū)域;同時(shí)該端部11為膨脹式結(jié)構(gòu),在植入腦部后,可以通過(guò)調(diào)整探針的植入深度,沿主體10的軸向調(diào)整電極2位置,而且當(dāng)探針的膨脹式端部11,沿探針主體10徑向調(diào)整電極2位置,另外,由于膨脹式端部11膨脹時(shí),其形成的柱體的多個(gè)側(cè)面3中,至少兩個(gè)側(cè)面3上的電極陣列中陣列的電極2的位置互不相同,當(dāng)在該柱體的一個(gè)側(cè)面3上沒(méi)有找到合適的電極2時(shí),可以轉(zhuǎn)至另一側(cè)面上查找是否有合適的電極2,從而提高探針的精度,更好、更準(zhǔn)確地找到與腦部目標(biāo)區(qū)域接觸最好的電極2。實(shí)現(xiàn)精確調(diào)整和定位的電極2位置。
      [0039]具體地,在探針主體10的膨脹式端部11膨脹時(shí),其形成的柱體的多個(gè)側(cè)面3中,至少兩個(gè)側(cè)面3上的電極陣列中陣列的電極2的數(shù)量互不相同。通過(guò)改變側(cè)面3上電極2的數(shù)量,使其位置不同。如本實(shí)施例中,請(qǐng)參閱圖4,側(cè)面31上陣列分布有6個(gè)電極2a,側(cè)面32上陣列分布有9個(gè)電極2b,側(cè)面34中間陣列分布有4個(gè)電極2d。
      [0040]更進(jìn)一步地,在探針主體10的膨脹式端部11膨脹時(shí),其形成的柱體的多個(gè)側(cè)面3中,各側(cè)面3上的電極陣列中陣列的電極2的數(shù)量均不相同,從而使其各側(cè)面3上電極位置均不同。即不同側(cè)面3上電極2布置的位置也不同,從而在旋轉(zhuǎn)探針I(yè)時(shí),通過(guò)查找多個(gè)側(cè)面3上的電極2,更快找到與腦部目標(biāo)區(qū)域接觸最好的電極2,可以滿足電刺激位置在平面上沿不同角度、不同方向調(diào)整的需求,實(shí)現(xiàn)精確、快速調(diào)整和定位膨脹式端部11的電極2位置。
      [0041]當(dāng)然,即使在探針主體10的膨脹式端部11膨脹時(shí),其形成的柱體的多個(gè)側(cè)面3中,某些側(cè)面3上設(shè)有電極2數(shù)量相同,也使其上的電極2的位置分布為不同。從而在進(jìn)一步方案中,各個(gè)側(cè)面3上的電極陣列中陣列的電極的位置均不同。在旋轉(zhuǎn)探針I(yè)時(shí),可以使得至少一側(cè)面3上的電極2能與腦部目標(biāo)區(qū)域接觸,可以滿足電刺激位置在平面上沿不同角度、不同方向調(diào)整的需求,實(shí)現(xiàn)連續(xù)精確調(diào)整和定位膨脹式端部11的電極2位置。
      [0042]如本實(shí)施例中,具體參閱圖2和圖3,主體10膨脹式端部11膨脹時(shí),其橫截面呈正四邊形,其包括四個(gè)側(cè)面31、32、33、34,側(cè)面31上陣列分布有6個(gè)電極2a,側(cè)面32上陣列分布有9個(gè)電極2b,側(cè)面33上陣列分布有6個(gè)電極2c,側(cè)面34中間陣列分布有4個(gè)電極2d,四個(gè)側(cè)面31、32、33、34上電極陣列中陣列的電極的位置均不相同,數(shù)量也不完全相同,從而可以在一定平面范圍內(nèi)沿任意角度、任意方向改變電刺激位置,且這種位置改變可以是連續(xù)性地。當(dāng)然在其它一些實(shí)施例中,各側(cè)面3上電極2也可以離散分布在相應(yīng)側(cè)面3上。同時(shí),各個(gè)側(cè)面3上的電極2在相應(yīng)側(cè)面3上的布置位置均不同。也可以實(shí)現(xiàn)精確調(diào)整和定位膨脹式端部11的電極2位置。
      [0043]具體地,在探針主體10的膨脹式端部11膨脹時(shí),其形成的柱體的軸向與主體10的軸向在同一直線上,且該膨脹式端部11沿垂直于該柱體10軸向方向膨脹。即沿主體10的徑向膨脹。具體地,此時(shí),膨脹式端部11長(zhǎng)度范圍為5?10mm,即膨脹式端部11膨脹時(shí)呈柱體狀,該柱體長(zhǎng)度范圍為5?10mm。在其它一些實(shí)施例中,如果將膨脹式端部11膨脹時(shí)形成的柱體的軸向與主體10的軸向垂直,則需要使該膨脹式端部11沿該柱體10軸向方向膨脹。
      [0044]具體地,主體10膨脹式端部11膨脹時(shí),其各側(cè)面面積在0.25?25mm2范圍內(nèi)。
      [0045]使用時(shí),先收縮探針I(yè)膨脹式端部11,如圖4所示,使膨脹式端部11尺寸縮小,從而在植入腦部時(shí),減小對(duì)腦組織的損傷。在探針I(yè)植入腦部后,如圖1所示,可沿箭頭B充氣方式膨脹探針I(yè)膨脹式端部11,使探針I(yè)膨脹式端部11 一側(cè)面3與腦部目標(biāo)區(qū)域接觸,再通過(guò)激活該側(cè)面3上電極2或電極2組合,找出與目標(biāo)區(qū)域接觸的電極2 ;如果該側(cè)面3上沒(méi)有與目標(biāo)區(qū)域接觸的電極2,則收縮膨脹式端部11,旋轉(zhuǎn)探針1,再膨脹膨脹式端部11,使其膨脹式端部11另一側(cè)面3與目標(biāo)區(qū)域接觸,查找該側(cè)面3上是否有與目標(biāo)區(qū)域接觸或接觸最佳的電極2 ;如果還沒(méi)找到則重復(fù)上一步驟,更換到另一側(cè)面3,直至找到與目標(biāo)區(qū)域接觸最佳的電極2為止,從而實(shí)現(xiàn)精確連續(xù)調(diào)整和定位膨脹式端部11的電極2位置。這種深腦電剌激探針I(yè)兼具能精確定位其電極和膨脹式端部11尺寸較小的特點(diǎn)。
      [0046]請(qǐng)參閱圖5,本實(shí)用新型還公開(kāi)了一種深腦電剌激裝置,包括脈沖發(fā)生器5、如上所述的深腦電剌激探針I(yè)和連接該探針I(yè)與脈沖發(fā)生器5的延長(zhǎng)連接線4。通過(guò)延長(zhǎng)連接線4連接脈沖發(fā)生器5與深腦電剌激探針1,從而使深腦電剌激探針I(yè)中的導(dǎo)線與脈沖發(fā)生器5電連接。該深腦電剌激裝置使用了上述的深腦電剌激探針1,該深腦電剌激探針I(yè)通過(guò)設(shè)置膨脹式端部并將電極設(shè)于該端部,從而保證該端部尺寸較小,便于植入腦部目標(biāo)區(qū)域;同時(shí)該端部為膨脹式結(jié)構(gòu),在植入腦部后,不僅可以軸向調(diào)整電極位置,而且可以徑向調(diào)整電極位置,實(shí)現(xiàn)精確調(diào)整和定位的電極位置。通過(guò)將探針I(yè)上電極精確定位到腦部目標(biāo)區(qū)域,通過(guò)脈沖發(fā)生器5激活探針I(yè)膨脹式端部電極,并找到最佳電極,以對(duì)腦部目標(biāo)區(qū)域電剌激。該探針I(yè)主體膨脹式端部尺寸小,對(duì)腦組織傷害小。本實(shí)施例中,脈沖發(fā)生器5連接一個(gè)深腦電剌激探針I(yè),其它實(shí)施例中,脈沖發(fā)生器5也可連接多個(gè)深腦電剌激探針I(yè)。
      [0047]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已,并不用以限制本實(shí)用新型,凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
      【權(quán)利要求】
      1.一種深腦電剌激探針,包括: 主體,所述主體具有內(nèi)腔; 多根導(dǎo)線,所述多根導(dǎo)線穿設(shè)于所述內(nèi)腔中;和 多個(gè)電極; 其特征在于,所述主體包括膨脹式端部,所述膨脹式端部在其膨脹后形成具有多個(gè)側(cè)面的柱體;所述電極設(shè)置在所述柱體的側(cè)面上并形成電極陣列,所述柱體的多個(gè)側(cè)面中,至少兩個(gè)所述側(cè)面上的所述電極陣列中的電極的位置互不相同;每個(gè)所述電極至少與一根所述導(dǎo)線電連接。
      2.如權(quán)利要求1所述的深腦電剌激探針,其特征在于:所述柱體的多個(gè)側(cè)面中,至少兩個(gè)所述側(cè)面上設(shè)置的所述電極陣列中的電極數(shù)量互不相同。
      3.如權(quán)利要求2所述的深腦電剌激探針,其特征在于:所述柱體的多個(gè)側(cè)面中,各所述側(cè)面上的所述電極陣列中的電極數(shù)量均不相同。
      4.如權(quán)利要求1所述的深腦電剌激探針,其特征在于:所述柱體的多個(gè)側(cè)面中,各個(gè)側(cè)面上的所述電極陣列中陣列的電極的位置均不相同。
      5.如權(quán)利要求1所述的深腦電剌激探針,其特征在于:所述柱體軸向與所述主體軸向在同一直線上,且所述膨脹式端部沿垂直于所述柱體軸向方向膨脹。
      6.如權(quán)利要求5所述的深腦電剌激探針,其特征在于:所述柱體的長(zhǎng)度范圍為5?IOmm0
      7.如權(quán)利要求1所述的深腦電剌激探針,其特征在于:所述柱體的橫截面為四邊形、六邊形或八邊形。
      8.如權(quán)利要求1所述的深腦電剌激探針,其特征在于:各個(gè)所述側(cè)面的面積范圍均為0.25 ?25mm2。
      9.一種深腦電剌激裝置,其包括脈沖發(fā)生器、探針和電連接所述脈沖發(fā)生器與所述探針的延長(zhǎng)連接線,其特征在于:所述探針為如權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的深腦電剌激探針。
      10.如權(quán)利要求9所述的深腦電剌激裝置,其特征在于:所述深腦電剌激探針為至少一個(gè)。
      【文檔編號(hào)】A61N1/375GK203379485SQ201320507869
      【公開(kāi)日】2014年1月8日 申請(qǐng)日期:2013年8月19日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月19日
      【發(fā)明者】陳文俊, 莊少春, 崔招煥, 劉鵬 申請(qǐng)人:先健科技(深圳)有限公司
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