腦深部電刺激裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種腦深部電刺激裝置，包括刺激電路和刺激電極，所述刺激電路包括：與所述刺激電極連接的刺激生成模塊，用于生成電刺激信號(hào)通過所述刺激電極輸送到腦深部；連接所述刺激生成模塊并為其提供電能的電源模塊；與所述刺激生成模塊連接的NFC模塊，所述刺激生成模塊通過所述NFC模塊接收外部配合設(shè)置的NFC控制器的刺激參數(shù)，所述刺激生成模塊根據(jù)所述刺激參數(shù)生成電刺激信號(hào)。本發(fā)明可以降低功耗，縮短通訊時(shí)間，從而提高內(nèi)部電源模塊的使用壽命。
【專利說明】腦深部電刺激裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及醫(yī)療器械領(lǐng)域，尤其涉及一種腦深部電刺激裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]088(0661) 8^111皿11社1。??！，腦深部電刺激療法)，為治療帕金森等疾病提供了一種可以調(diào)節(jié)的可逆性手段。這種治療方法利用一個(gè)類似于心臟起搏器的裝置，向精確定位的腦深部核團(tuán)輸送電刺激。對(duì)這些部位進(jìn)行刺激，可以控制運(yùn)動(dòng)功能的回路恢復(fù)相對(duì)正常。如圖1所示，現(xiàn)有的腦深部電刺激裝置包括刺激電路30和刺激電極131，刺激電路30產(chǎn)生電刺激信號(hào)，與刺激電極131連接，通過刺激電極131向腦深部輸送電刺激。刺激電路30包括電池21、冊(cè)3222 (保險(xiǎn)絲)、即芯片23、刺激生成模塊10，電池21通過冊(cè)3222為刺激生成模塊10提供電能，即芯片23接收外部的刺激參數(shù)給刺激生成模塊10。在現(xiàn)有技術(shù)中，刺激生成模塊10具體包括1⑶12、刺激芯片13、外圍電路14?，F(xiàn)有技術(shù)中的腦深部電刺激裝置通訊電流較大，通訊時(shí)間較長，從而長期使用導(dǎo)致電池電阻增大，縮短電池使用壽命。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于提供一種腦深部電刺激裝置，解決了現(xiàn)有技術(shù)中腦深部電刺激裝置通訊電流大，通訊時(shí)間長的技術(shù)問題。
[0004]為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的一種腦深部電刺激裝置，包括刺激電路和刺激電極，所述刺激電路包括:
與所述刺激電極連接的刺激生成模塊，用于生成電刺激信號(hào)通過所述刺激電極輸送到腦深部；
連接所述刺激生成模塊并為其提供電能的電源模塊；
與所述刺激生成模塊連接的即模塊，所述刺激生成模塊通過所述即模塊接收外部配合設(shè)置的即控制器的刺激參數(shù)，所述刺激生成模塊根據(jù)所述刺激參數(shù)生成電刺激信號(hào)。
[0005]作為本發(fā)明上述腦深部電刺激裝置的進(jìn)一步改進(jìn)，所述刺激生成模塊通過所述^0模塊將系統(tǒng)狀態(tài)信息發(fā)送給外部配合設(shè)置的即控制器。
[0006]作為本發(fā)明上述腦深部電刺激裝置的進(jìn)一步改進(jìn)，所述刺激電路與所述刺激電極一體成形。
[0007]作為本發(fā)明上述腦深部電刺激裝置的進(jìn)一步改進(jìn)，所述刺激生成模塊包括控制單元和刺激單元，所述控制單元根據(jù)所述刺激參數(shù)發(fā)出控制信號(hào)，所述刺激單元根據(jù)所述控制信號(hào)產(chǎn)生電刺激信號(hào)。
[0008]作為本發(fā)明上述腦深部電刺激裝置的進(jìn)一步改進(jìn)，所述控制單元還監(jiān)測(cè)系統(tǒng)溫度、和/或測(cè)量系統(tǒng)電壓、和/或測(cè)量系統(tǒng)電流、和/或測(cè)量刺激電流、和/或測(cè)量刺激電壓、和/或測(cè)量刺激阻抗、和/或充電電流。
[0009]作為本發(fā)明上述腦深部電刺激裝置的進(jìn)一步改進(jìn)，所述電源模塊包括:
充電線圈，所述充電線圈通過無線充電的方式接收外部的電能；
整流單元、蓄電單元，所述蓄電單元通過所述整流單元連接所述充電線圈將充電線圈接收的電能儲(chǔ)存起來。
[0010]作為本發(fā)明上述腦深部電刺激裝置的進(jìn)一步改進(jìn)，所述蓄電單元為法拉電容。
[0011]作為本發(fā)明上述腦深部電刺激裝置的進(jìn)一步改進(jìn)，所述電源模塊還包括連接于所述法拉電容與所述刺激生成模塊之間的穩(wěn)壓單元，所述法拉電容通過所述穩(wěn)壓單元為所述刺激生成模塊提供電能。
[0012]作為本發(fā)明上述腦深部電刺激裝置的進(jìn)一步改進(jìn)，所述電源模塊包括:
用于存儲(chǔ)電能的電池；
連接于所述電池與所述刺激生成模塊之間的安全電阻，所述電池通過所述安全電阻為所述刺激生成模塊提供電能。
[0013]作為本發(fā)明上述腦深部電刺激裝置的進(jìn)一步改進(jìn)，所述安全電阻的阻值為50-150歐姆。
[0014]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明在腦深部電刺激裝置內(nèi)設(shè)置有即模塊，通過即模塊接收外部配合設(shè)置的即控制器的刺激參數(shù)，刺激生成模塊根據(jù)刺激參數(shù)可以生成電刺激信號(hào)。本發(fā)明可以降低功耗，縮短通訊時(shí)間，從而提高內(nèi)部電源模塊的使用壽命。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中腦深部電刺激裝置示意圖。
[0016]圖2為腦深部電刺激裝置雙側(cè)植入示意圖。
[0017]圖3為本發(fā)明一實(shí)施方式中腦深部電刺激裝置示意圖。
[0018]圖4為本發(fā)明一實(shí)施方式中腦深部電刺激裝置示意圖。
[0019]圖5為圖4實(shí)施方式中安全電阻的電路示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0020]以下將結(jié)合附圖所示的【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述。但這些實(shí)施方式并不限制本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)這些實(shí)施方式所做出的結(jié)構(gòu)、方法、或功能上的變換均包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
[0021]如圖2所示，腦深部電刺激裝置雙側(cè)植入示意圖，在本實(shí)施方式中，在人體內(nèi)植入兩個(gè)腦深部電刺激裝置，左右對(duì)稱。植入腦深部電刺激裝置的個(gè)數(shù)是由治療的需要決定，并不僅限于植入兩個(gè)腦深部電刺激裝置。腦深部電刺激裝置包括刺激電路30和刺激電極131，為了保證更可靠，刺激電路30與刺激電極131 —體成形，沒有專門的連接構(gòu)件，比如電極插頭。優(yōu)選地，在刺激電極131的刺激端上至少包括4個(gè)刺激觸點(diǎn)。
[0022]如圖3、圖4所示，刺激電路30包括刺激生成模塊10、電源模塊打一“
近距離無線通訊技術(shù))模塊24。其中，刺激生成模塊10用于生成電刺激信號(hào)，刺激生成模塊10與刺激電極131連接，將生成的電刺激信號(hào)傳輸給刺激電極131，通過刺激電極131輸送到腦深部，腦深部在電刺激信號(hào)的刺激下，可以控制運(yùn)動(dòng)功能的回路恢復(fù)相對(duì)正常。
[0023]刺激生成模塊10可包括控制單元15和刺激單元16?？刂茊卧?5在刺激生成模塊10中起到的是控制承接作用，一方面接收即模塊傳來的刺激參數(shù)，并根據(jù)刺激參數(shù)發(fā)出控制信號(hào)，刺激單元16可根據(jù)刺激生成模塊10發(fā)出的控制信號(hào)產(chǎn)生電刺激信號(hào)；另一方面控制單元15可監(jiān)測(cè)系統(tǒng)溫度、和丨或測(cè)量系統(tǒng)電壓、和丨或測(cè)量系統(tǒng)電流、和丨或測(cè)量系統(tǒng)阻抗、和/或測(cè)量刺激電流、和/或測(cè)量刺激電壓、和/或測(cè)量刺激阻抗、和/或充電電流等，控制單元15可將上述系統(tǒng)狀態(tài)信息傳輸給即模塊24。優(yōu)選地，刺激生成模塊10還包括外圍單元17，輔助電源模塊20與刺激生成模塊10之間交互以及刺激生成模塊10內(nèi)的控制單元15、刺激單元16之間的交互，起到輔助測(cè)量、刺激、穩(wěn)定電源的作用?？刂茊卧獌?yōu)選地采用1⑶00111:1-01 1)1111:，微控制單元)，一種低功耗微控制器,工作電流極低，低功率模式下系統(tǒng)電流只有幾微安，即使在舊正常工作模式下，電流也只有300微安，因此耗電量極小，對(duì)電源模塊的要求也相對(duì)較小。刺激單元16可為一個(gè)產(chǎn)生刺激信號(hào)的專用集成電路，優(yōu)選地，單通道輸出刺激，4個(gè)觸點(diǎn)，有電流和電壓兩種刺激模式，在控制單元15的控制下產(chǎn)生電刺激信號(hào)。在更多的實(shí)施方式中，刺激單元16為雙通道輸出刺激，每個(gè)通道4個(gè)觸點(diǎn)，有電流和電壓兩種刺激模式，可分別設(shè)置刺激參數(shù)，刺激電極131也與刺激單元16配合設(shè)有雙通道。
[0024]^0模塊24與刺激生成模塊10連接，控制單元15可與即0模塊24雙向通訊。^0是一種短距高頻的無線電技術(shù)，在13.56冊(cè)頻率運(yùn)行于20厘米距離內(nèi)，因此可以采用即0技術(shù)進(jìn)行無線傳輸信息。刺激生成模塊10通過即模塊24接收外部配合設(shè)置的即控制器的刺激參數(shù)，刺激生成模塊10根據(jù)刺激參數(shù)生成電刺激信號(hào)，刺激生成模塊10還可通過^0模塊24將系統(tǒng)狀態(tài)信息發(fā)送給外部配合設(shè)置的即控制器。因?yàn)槟X深部電刺激裝置是植入到人體內(nèi)部的，所以這里所述的外部是指人體外，^0控制器與即模塊24相互配合實(shí)現(xiàn)無線通訊。與傳統(tǒng)的即通訊相比，即通訊電流較大，約20—，即通訊需先查詢、喚醒，然后配置地址連接，然后再將刺激參數(shù)上傳或下載，最快也要15秒左右，時(shí)間較長，且查詢和喚醒都需要有人手工操作，由于即模塊24與腦深部電刺激裝置內(nèi)的其他器件的組合增加了通訊速度，每次通訊只需1-2秒。即為近場(chǎng)通訊，受外借電磁干擾的風(fēng)險(xiǎn)小，而即通訊容易受周圍電磁干擾。即通訊使用外部電磁感應(yīng)供電，因此不耗系統(tǒng)電量，節(jié)約寶貴的電源模塊20的電量，刺激生成模塊10內(nèi)的控制單元15出現(xiàn)程序死機(jī)或電路短路時(shí)，^0通訊仍能夠繼續(xù)運(yùn)行，可以查明故障原因，這也是本領(lǐng)域技術(shù)人員一直渴望解決但始終未能獲得成功的技術(shù)難題。
[0025]電源模塊20與刺激生成模塊10連接，為刺激生成模塊10提供電能。如圖3、圖4所示為電源模塊20的兩種【具體實(shí)施方式】。
[0026]采用傳統(tǒng)電池作為電源模塊20為刺激生成模塊10提供電能，缺點(diǎn)在于，占用體積較大，重量較重，同時(shí)還會(huì)有鼓脹、漏夜等風(fēng)險(xiǎn)，尤其是出現(xiàn)大電流的情況下，發(fā)熱很嚴(yán)重。因?yàn)殡娫茨K是植入到人體內(nèi)部的，因此給病人帶來的創(chuàng)傷較大，同時(shí)由于電池需要3-5年就要更換一次，病人需承擔(dān)一大筆費(fèi)用和手術(shù)更換的痛苦。如圖3所示，本發(fā)明一實(shí)施方式中，電源模塊20包括充電線圈25、整流單元26、蓄電單元27。充電線圈與外部的無線充電裝置配合，通過無線充電的方式接收外部的電能，無線充電方式可為電磁耦合共振，因此充電效率較高，至少可達(dá)到50%以上。優(yōu)選地，充電線圈25還可作為即模塊24的天線與研^模塊連接。整流單元26與充電線圈25連接，接收無線充電的電能，對(duì)充電電流進(jìn)行整流濾波，蓄電單元27連接整流單元26，并通過整流單元26將充電線圈25接收的電能儲(chǔ)存起來。
[0027]蓄電單元27優(yōu)選地采用法拉電容，法拉電容作為腦深部電刺激裝置的供電單元。法拉電容也叫超級(jí)電容或黃金電容，屬于雙電層電容器，它是世界上已投入量產(chǎn)的雙電層電容器中容量最大的一種，其基本原理和其它種類的雙電層電容器一樣，都是利用活性炭多孔電極和電解質(zhì)組成的雙電層結(jié)構(gòu)獲得超大的容量。法拉電容具有容量大充電速度快，使用時(shí)間長，無過放電的優(yōu)點(diǎn)，法拉電容即使完全放完電，也能充滿電繼續(xù)使用。法拉電容與整流單元26配合，整流單元26也可以保護(hù)法拉電容過充的問題。優(yōu)選地，在蓄電單元27為刺激生成模塊10提供電能的連接之間設(shè)有穩(wěn)壓單元28，穩(wěn)壓單元28可以對(duì)法拉電容的電壓進(jìn)行穩(wěn)壓的作用，因?yàn)殡S著法拉電容電量的變化，法拉電容的電壓會(huì)變化，所以穩(wěn)壓單元28的作用可以使系統(tǒng)供電更穩(wěn)定。
[0028]法拉電容相較于其他蓄電單元供電更安全，充一次電可以提供30小時(shí)的工作電能。如選規(guī)格為在5.工作電壓下3？的法拉電容，估算如下:
使用電壓下限如為1.57，有效電壓差則為5.5-1.5 = 4.0 V，所以有效電量(①=電容容量(口)^電壓(^)= 3*4.0 =12 (庫倫由公式電量(①=電流(1) ^時(shí)間(了)可得:時(shí)間⑴=電量(①/電流(工)。因此，設(shè)系統(tǒng)平均電流為= 12/ (10040-6)=120000秒=33.3小時(shí)。設(shè)實(shí)際充電平均電流為50—，所以充一次電的時(shí)間為時(shí)間(1)=電量(①/^^(1)= 12/ (5040-3)=240秒=4分鐘。設(shè)法拉電容完全沒電，實(shí)際充電平均電流為50—，所以充一次電的時(shí)間為時(shí)間(1)=電量(①/^^(1)= 345.5- 0)/(50^10-3)=330秒=5.5分鐘。因此在實(shí)際使用的過程中，每天病人只需佩戴體外充電器10分鐘就可以滿足一天24小時(shí)的使用。即使忘了充電，法拉電容過放電也不會(huì)造成腦深部電刺激裝置的損壞。假設(shè)發(fā)明采用大電流充電，充電發(fā)熱可以估算如下:充電發(fā)熱計(jì)算以直流6乂充電為基準(zhǔn)，效率為50%，充電電流為50—，所以損失功率？=訴I = 6氺0.05 = 0.31，不會(huì)造成植入部位溫度升高。同時(shí)由于法拉電容的充電跟鋰離子電池充電的原理不太一樣，所以速度很快。
[0029]在本實(shí)施方式中，由于法拉電容體積較小，〖V工作電壓下3？的法拉電容體積也僅約為016皿?1415皿，因此，電源模塊占用體積極小，重量極輕，從而本發(fā)明腦深部電刺激裝置除了刺激電極131外，整體體積約在①2011111^！15皿左右或更小尺寸，可為具有與頭骨形狀貼合弧面的各種形狀，所以腦深部電刺激裝置在植入體內(nèi)的過程中手術(shù)創(chuàng)傷小，可以只需在頭部做手術(shù)，直接植入頭皮下，頭頸部無須開隧道，也不需在胸口做手術(shù)，植入方便快速。由于法拉電容的特性，使用壽命更長，產(chǎn)品使用周期變長，病人可以隨充隨用，終生可用，沒有后顧之憂。同時(shí)也避免了傳統(tǒng)電池帶來的漏液、鼓脹的風(fēng)險(xiǎn)。
[0030]如圖4所示，本發(fā)明的另一實(shí)施方式，即模塊24、刺激生成模塊10與上述的實(shí)施方式類似，在此不再贅述。電源模塊20包括電池210、安全電阻29。電池210用于存儲(chǔ)電能，設(shè)置在腦深部電刺激裝置內(nèi)并植入到體內(nèi)，優(yōu)選地，電池210為高能鋰氬電池，給腦深部電刺激裝置工作提供電能，該電池能量高，使用時(shí)間長?，F(xiàn)有技術(shù)中的腦深部電刺激裝置中電池與刺激生成模塊10之間設(shè)置冊(cè)32作為保護(hù)裝置，但是如果工作過程中產(chǎn)生大電流(如程序運(yùn)行錯(cuò)誤造成的大電流)就會(huì)燒斷冊(cè)32，造成硬件的損壞，從而無法恢復(fù)工作，必須通過更換體內(nèi)的腦深部電刺激裝置的電源模塊才可以工作，這必然給病人帶來經(jīng)濟(jì)上及精神上的極大負(fù)擔(dān)。本實(shí)施方式中，將用安全電阻代替冊(cè)32，如圖5所示，安全電阻29設(shè)置在電池210與連接刺激生成模塊的連接點(diǎn)(即輸出端^如證⑶)之間，安全電阻29作為為限流元件，限定腦深部電刺激裝置的工作電流，使電池和電路元器件始終工作在低電流的狀態(tài)下工作，同時(shí)消除系統(tǒng)上電時(shí)對(duì)電池和電路元器件的大電流沖擊，增加電路安全性和可靠性。安全電阻29的使用使系統(tǒng)電流始終限制在安全范圍內(nèi)，系統(tǒng)電流(1) = (7^-^80111-06)/安全電阻(10。假設(shè)最極端情況下，安全電阻29的輸出端對(duì)地短路(即輸出端電壓V80111-06=0),系統(tǒng)電流(1)=(3.6 - 0) / 100 = 36111^ (設(shè)典型值:譏社=1000 ),安全電阻產(chǎn)生的功耗？ == 0.036*0.036
^ 100 = 0.12961，不會(huì)導(dǎo)致腦深部電刺激裝置工作時(shí)發(fā)熱的有害事件。電池210通過安全電阻29為刺激生成模塊10提供電能，使系統(tǒng)電流始終限制在微安級(jí)別，元器件因意外的大電流失效的風(fēng)險(xiǎn)降低，安全電阻29降低了系統(tǒng)上電時(shí)對(duì)電池和電路其他元器件的大電流沖擊，減小了元器件的失效風(fēng)險(xiǎn)和電池發(fā)熱、鼓脹、漏夜的風(fēng)險(xiǎn)。由于系統(tǒng)功耗始終工作在微安從級(jí)別，所以耗電很少，可以降低電池更換電壓指示低至2.2乂，現(xiàn)有腦深部電刺激裝置的電池更換電壓指示為3.27，所以可以延長使用壽命半年至一年，降低更換成本。安全電阻29阻值優(yōu)選的范圍在50-150歐姆之間。
[0031]從上述實(shí)施方式可以看出，安全電阻29較現(xiàn)有技術(shù)中腦深部電刺激裝置所用的保險(xiǎn)絲有很大優(yōu)勢(shì)，達(dá)到了預(yù)料不到的技術(shù)效果。保險(xiǎn)絲一旦因大電流(如程序跑飛原因造成的大電流)燒斷，系統(tǒng)無法恢復(fù)，而安全電阻可以有效地恢復(fù)腦深部電刺激裝置的功能，使用保險(xiǎn)絲的腦深部電刺激裝置燒斷就無法恢復(fù)，而本發(fā)明的腦深部電刺激裝置因無保險(xiǎn)絲，硬件不會(huì)損壞，軟件復(fù)位時(shí)就可以完全恢復(fù)。
[0032]綜上所述，本發(fā)明在腦深部電刺激裝置內(nèi)設(shè)置有即模塊，通過即模塊接收外部配合設(shè)置的即控制器的刺激參數(shù)，刺激生成模塊根據(jù)刺激參數(shù)可以生成電刺激信號(hào)。本發(fā)明可以降低功耗，縮短通訊時(shí)間，從而提高內(nèi)部電源模塊的使用壽命。
[0033]應(yīng)當(dāng)理解，雖然本說明書按照實(shí)施方式加以描述，但并非每個(gè)實(shí)施方式僅包含一個(gè)獨(dú)立的技術(shù)方案，說明書的這種敘述方式僅僅是為清楚起見，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)將說明書作為一個(gè)整體，各實(shí)施方式中的技術(shù)方案也可以經(jīng)適當(dāng)組合，形成本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的其他實(shí)施方式。
[0034]上文所列出的一系列的詳細(xì)說明僅僅是針對(duì)本發(fā)明的可行性實(shí)施方式的具體說明，它們并非用以限制本發(fā)明的保護(hù)范圍，凡未脫離本發(fā)明技藝精神所作的等效實(shí)施方式或變更均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種腦深部電刺激裝置，其特征在于，包括刺激電路和刺激電極，所述刺激電路包括: 與所述刺激電極連接的刺激生成模塊，用于生成電刺激信號(hào)通過所述刺激電極輸送到腦深部； 連接所述刺激生成模塊并為其提供電能的電源模塊；與所述刺激生成模塊連接的NFC模塊，所述刺激生成模塊通過所述NFC模塊接收外部配合設(shè)置的NFC控制器的刺激參數(shù)，所述刺激生成模塊根據(jù)所述刺激參數(shù)生成電刺激信號(hào)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的腦深部電刺激裝置，其特征在于，所述刺激生成模塊通過所述NFC模塊將系統(tǒng)狀態(tài)信息發(fā)送給外部配合設(shè)置的NFC控制器。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的腦深部電刺激裝置，其特征在于，所述刺激電路與所述刺激電極一體成形。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的腦深部電刺激裝置，其特征在于，所述刺激生成模塊包括控制單元和刺激單元，所述控制單元根據(jù)所述刺激參數(shù)發(fā)出控制信號(hào)，所述刺激單元根據(jù)所述控制信號(hào)產(chǎn)生電刺激信號(hào)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的腦深部電刺激裝置，其特征在于，所述控制單元還監(jiān)測(cè)系統(tǒng)溫度、和/或測(cè)量系統(tǒng)電壓、和/或測(cè)量系統(tǒng)電流、和/或測(cè)量刺激電流、和/或測(cè)量刺激電壓、和/或測(cè)量刺激阻抗、和/或充電電流。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的腦深部電刺激裝置，其特征在于，所述電源模塊包括: 充電線圈，所述充電線圈通過無線充電的方式接收外部的電能； 整流單元、蓄電單元，所述蓄電單元通過所述整流單元連接所述充電線圈將充電線圈接收的電能儲(chǔ)存起來。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的腦深部電刺激裝置，其特征在于，所述蓄電單元為法拉電容。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的腦深部電刺激裝置，其特征在于，所述電源模塊還包括連接于所述法拉電容與所述刺激生成模塊之間的穩(wěn)壓單元，所述法拉電容通過所述穩(wěn)壓單元為所述刺激生成模塊提供電能。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的腦深部電刺激裝置，其特征在于，所述電源模塊包括: 用于存儲(chǔ)電能的電池； 連接于所述電池與所述刺激生成模塊之間的安全電阻，所述電池通過所述安全電阻為所述刺激生成模塊提供電能。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的腦深部電刺激裝置，其特征在于，所述安全電阻的阻值為50-150 歐姆。
【文檔編號(hào)】A61N1/36GK104399181SQ201410711365
【公開日】2015年3月11日 申請(qǐng)日期:2014年12月1日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月1日
【發(fā)明者】孫國祥 申請(qǐng)人:蘇州景昱醫(yī)療器械有限公司