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      一種平衡感覺替代裝置的制作方法

      文檔序號:11219735閱讀:1412來源:國知局
      一種平衡感覺替代裝置的制造方法

      技術(shù)領(lǐng)域:

      本發(fā)明涉及人體運動康復(fù)治療技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種平衡感覺替代裝置。



      背景技術(shù):

      前庭失衡是由于多種前庭障礙導(dǎo)致的前庭反饋喪失而引起的嚴(yán)重問題。前庭康復(fù)治療通過正規(guī)訓(xùn)練接受來自視覺和本體感覺的代償而使大腦能夠逐漸適應(yīng)前庭功能喪失,不過適應(yīng)過程可能花費幾個月或者幾年,甚至有時候無法完成。

      提供人工平衡功能的裝置分為植入式和非植入式。植入式刺激器是侵入式的,需要外科手上以嵌入至患者皮膚下面。非植入式刺激器通常從外部置于皮膚,通過刺激皮膚中的感覺末梢起作用,大部分皮膚觸覺感受的空間分辨率很差,而且干燥皮膚電阻很大,要想刺激到皮膚中的感覺末梢,就必須采用相當(dāng)高的電壓,不夠安全。



      技術(shù)實現(xiàn)要素:

      (一)解決的技術(shù)問題

      為了解決上述問題,本發(fā)明提供了一種平衡感覺替代裝置,電極陣列在使用過程中置于舌頭表面。

      (二)發(fā)明內(nèi)容

      本發(fā)明提供了一種平衡感覺替代裝置,包括感知頭盔和電極陣列;

      所述感知頭盔內(nèi)置電路板,所述電路板包括慣性測量單元、微處理器控制單元、電刺激發(fā)生電路以及電源;

      所述電極陣列是呈“+”形分布的5個電極,中心電極對應(yīng)頭部正立,左電極對應(yīng)頭部左傾,右電極對應(yīng)頭部右傾,上電極對應(yīng)頭部后仰,下電極對應(yīng)頭部前傾;

      所述感知頭盔和所述電極陣列通過集成線束連接。

      所述慣性測量單元用于感知頭部狀態(tài),包括陀螺儀、加速度計、位置傳感器、速度傳感器中的一個或多個;

      所述微處理器控制單元包括:i2c/spi數(shù)字接口、輸入指令寄存器、數(shù)字i/o、計時器和振蕩器;所述微處理器控制單元處理來自所述慣性測量單元的數(shù)據(jù)以指示頭部狀態(tài),并且控制所述電極陣列傳遞具有可調(diào)波形參數(shù)的電脈沖;

      所述電刺激發(fā)生電路提供不含有直流分量的基準(zhǔn)刺激電流。

      所述微處理器控制單元通過所述數(shù)字i/o調(diào)制所述電刺激發(fā)生電路產(chǎn)生的基準(zhǔn)刺激電流。

      所述電極陣列在使用過程中置于舌頭表面。

      (三)有益效果

      本發(fā)明提供了一種平衡感覺替代裝置,是一種電極置于舌頭表面的非植入式刺激器,舌頭上的觸覺感受空間分辨率很高,而且舌頭一直處于充滿電解質(zhì)的環(huán)境中,可以和電極有良好的接觸,只需很低的電壓(相對于刺激指尖來說,只需要3%的電壓)就能進(jìn)行有效的刺激。同時該裝置由微型電池獨立供電,節(jié)能環(huán)保,安全可靠,便于移動使用。

      附圖說明:

      圖1為本發(fā)明所涉及的一種平衡感覺替代裝置結(jié)構(gòu)示意圖。

      圖2為本發(fā)明所涉及的頭部狀態(tài)引起舌頭上感覺的對應(yīng)電極位置圖。

      圖3為本發(fā)明所涉及的一種平衡感覺替代裝置工作原理圖。

      圖4為本發(fā)明所涉及的電刺激發(fā)生電路圖。

      具體實施方式:

      下面結(jié)合附圖對本發(fā)明所涉及的實施例做進(jìn)一步詳細(xì)說明。

      結(jié)合圖1和圖2,一種平衡感覺替代裝置,包括感知頭盔1和電極陣列2組成,感知頭盔1和電極陣列2通過集成線束3連接。電極陣列2上的5個電極呈“+”分布,設(shè)定頭部正立21’,對應(yīng)中心電極21傳遞刺激信號;頭部左傾22’,對應(yīng)左電極22傳遞刺激信號;頭部右傾23’,對應(yīng)右電極23傳遞刺激信號;頭部后仰24’,對應(yīng)上電極24傳遞刺激信號;頭部前傾25’,對應(yīng)下電極25傳遞刺激信號。

      結(jié)合圖3,患者戴上感知頭盔1,同時將電極陣列2置于舌頭表面,內(nèi)置于感知頭盔1電路板上的慣性測量單元首先工作,慣性測量單元用于感知頭部狀態(tài),包括陀螺儀、加速度計、位置傳感器、速度傳感器中的一個或多個。當(dāng)患者頭部處于上述五種狀態(tài)之一時,慣性測量單元通過i2c/spi數(shù)字接口將狀態(tài)參數(shù)送至微處理器控制單元,微處理器控制單元可為任意型號單片機(jī)。微處理控制單元中的輸入指令寄存器存儲上述電極陣列對應(yīng)頭部狀態(tài)信息,處理來自慣性測量單元的數(shù)據(jù)以指示頭部狀態(tài),并且控制電極陣列傳遞具有可調(diào)波形參數(shù)的電脈沖。計時器和振蕩器用于控制微處理器控制單元如i2c、spi、i/o等外圍接口的時序。微處理控制單元通過數(shù)字i/o調(diào)制電刺激發(fā)生電路產(chǎn)生的基準(zhǔn)刺激電流,調(diào)制好的刺激脈沖電流通過集成線束3送至患者舌頭表面的電極陣列2,使相應(yīng)位置電極傳遞刺激信號至舌頭表面對應(yīng)區(qū)域,從而使患者感知頭部狀態(tài)。該裝置可使用如紐扣電池等微型電池作為電源供電。

      圖4為電刺激發(fā)生電路原理圖,用于產(chǎn)生基準(zhǔn)刺激電流。為了確保裝置感知狀態(tài)的精確性,要求基準(zhǔn)刺激電流非常穩(wěn)定且不受任何外部元件影響。此電路中uin為裝置電源電壓,nmos管q1和q3組成電流鏡,二者具有相同的柵源電壓vgs,且q1的導(dǎo)通溝道寬長比是q2的四倍,所以i1=4i2。pmos管q4和q5具有相同的跨導(dǎo)參數(shù)kp和開啟電壓vto。pnp三極管t的壓降是一個導(dǎo)通壓降vbe。假設(shè)q5的vgs比vto高vd,則:

      vgs5=vto+vd

      i2=kp×(vgs5-vto)2=kp×vd2

      vgs4=vgs5+vbe=vto+vd+vbe

      i1=kp×(vgs4-vto)2=kp×(vd+vbe)2

      i1=4i2

      (vd+vbe)2=4vd2

      vd=vbe

      i1=4kp×vbe2

      根據(jù)電流鏡原理,此電路輸出的基準(zhǔn)刺激電流即為i1,因kp和vbe由器件本身參數(shù)決定,元件一經(jīng)做好參數(shù)就被固定下來,基本上不隨外部元件變化,因此基準(zhǔn)參考電流很穩(wěn)定。為了適應(yīng)神經(jīng)刺激的需要,刺激中不能含有直流分量。因為長期的直流分量會腐蝕電極,最簡單的方法是用隔直電容c耦合輸出。

      本發(fā)明提供了一種平衡感覺替代裝置,是一種電極置于舌頭表面的非植入式刺激器,舌頭上的觸覺感受空間分辨率很高,而且舌頭一直處于充滿電解質(zhì)的環(huán)境中,可以和電極有良好的接觸,只需很低的電壓(相對于刺激指尖來說,只需要3%的電壓)就能進(jìn)行有效的刺激。同時該裝置由微型電池獨立供電,節(jié)能環(huán)保,安全可靠,便于移動使用。

      上面所述的實施例僅僅是對本發(fā)明的優(yōu)選實施方式進(jìn)行描述,并非對本發(fā)明的構(gòu)思和范圍進(jìn)行限定。在不脫離本發(fā)明設(shè)計構(gòu)思的前提下,本領(lǐng)域普通人員對本發(fā)明的技術(shù)方案做出的各種變型和改進(jìn),均應(yīng)落入到本發(fā)明的保護(hù)范圍,本發(fā)明請求保護(hù)的技術(shù)內(nèi)容,已經(jīng)全部記載在權(quán)利要求書中。



      技術(shù)特征:

      技術(shù)總結(jié)
      本發(fā)明提供了一種平衡感覺替代裝置,包括感知頭盔和電極陣列;感知頭盔內(nèi)置電路板,電路板包括慣性測量單元、微處理器控制單元、電刺激發(fā)生電路以及電源;電極陣列是呈“+”形分布的5個電極,中心電極對應(yīng)頭部正立,左電極對應(yīng)頭部左傾,右電極對應(yīng)頭部右傾,上電極對應(yīng)頭部后仰,下電極對應(yīng)頭部前傾;感知頭盔和電極陣列通過集成線束連接。本發(fā)明提供的裝置是一種電極置于舌頭表面的非植入式刺激器,舌頭上的觸覺感受空間分辨率很高,而且舌頭一直處于充滿電解質(zhì)的環(huán)境中,可以和電極有良好的接觸,只需很低的電壓就能進(jìn)行有效的刺激。同時該裝置由微型電池獨立供電,節(jié)能環(huán)保,安全可靠,便于移動使用。

      技術(shù)研發(fā)人員:董榮琴
      受保護(hù)的技術(shù)使用者:湖州健凱康復(fù)產(chǎn)品有限公司
      技術(shù)研發(fā)日:2017.07.17
      技術(shù)公布日:2017.09.08
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