植入物，諸如顱面植入物，其通過熔合或至少部分地熔合顆粒而形成。

背景技術(shù)：

1、通過熔合或至少部分地熔合顆粒而形成的諸如顱面植入物的植入物在現(xiàn)有技術(shù)中是已知的，然而，在本領(lǐng)域中仍有改進的空間。本專利描述了改進的植入物，包括改進的顱面植入物。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本專利描述了改進的植入物，包括具有植入物本體的改進的顱面植入物，該植入物本體由至少部分地熔合的顆粒形成，該至少部分地熔合的顆粒以這樣的方式形成，即植入物具有跨越其厚度的可變的平均孔隙尺寸，其中植入物的一個表面具有的平均孔隙尺寸比在相對側(cè)部上的孔隙的大。這樣的植入物可呈現(xiàn)出優(yōu)于現(xiàn)有技術(shù)的植入物(包括現(xiàn)有技術(shù)的燒結(jié)植入物)的若干個優(yōu)點。例如，在一些實施方式中，表面之間的不同的平均孔隙尺寸可使植入物功能化，使得一個表面被優(yōu)化成用于促進組織向內(nèi)生長，而另一個表面阻止組織向內(nèi)生長。在這些和其它實施方式中，不同的平均孔隙尺寸增強植入物的機械性能，允許比過去已經(jīng)實現(xiàn)的燒結(jié)植入物更堅固、更薄的燒結(jié)植入物。

2、在一個示例中，植入物包括由許多至少部分地熔合的顆粒形成的植入物本體，該植入物本體具有第一外表面和與第一表面相對的第二外表面；在第一表面處的顆粒限定第一平均孔隙尺寸，并且在第二表面處的顆粒限定第二平均孔隙尺寸；并且第一平均孔隙尺寸比第二平均孔隙尺寸大。

3、在該示例中，植入物可為顱面植入物。

4、在該示例中，第一表面可為組織向內(nèi)生長表面，并且第二表面可為面向硬腦膜表面。

5、在該示例中，面向硬腦膜表面可為組織向內(nèi)生長屏障。

6、在該示例中，第一表面和第二表面兩者均可為至少部分地彎曲的。

7、在該示例中，植入物還可包括凸緣，該凸緣從植入物本體延伸并由至少部分地熔合的顆粒形成，該凸緣具有第一凸緣表面和與第一表面相對的第二凸緣表面；在第一凸緣表面處的顆粒限定第一平均凸緣孔隙尺寸，并且在第二凸緣表面處的顆粒限定第二平均凸緣孔隙尺寸；并且第一平均凸緣孔隙尺寸比第二平均凸緣孔隙尺寸大。

8、在該示例中，凸緣厚度(第一凸緣表面和第二凸緣表面之間的厚度)可小于1mm。

9、在該示例中，植入物本體可比凸緣厚。

10、在該示例中，凸緣可構(gòu)造成接納并保持緊固件。

11、在該示例中，植入物可限定第一表面和第二表面之間的孔隙率梯度。

12、在該示例中，第一平均孔隙尺寸可比第二平均孔隙尺寸大至少100μm。

13、在該示例中，在第一表面和第二表面之間的中間水平處的平均孔隙尺寸可比在第一表面處的第一平均孔隙尺寸小，并且比在第二表面處的第二平均孔隙尺寸大。

14、在另一個示例中，植入物包括：彎曲的植入物本體和從植入物本體延伸的凸緣，該凸緣比植入物本體薄，植入物本體和凸緣具有第一外表面和與第一表面相對的第二外表面；植入物本體和凸緣由至少部分地熔合的顆粒形成；在第一表面處的顆粒限定第一平均孔隙尺寸，并且在第二表面處的顆粒限定第二平均孔隙尺寸；第一平均孔隙尺寸比第二平均孔隙尺寸大；第一表面是組織向內(nèi)生長表面，并且第二表面是組織向內(nèi)生長屏障。

15、在該示例中，植入物可為顱面植入物。

16、在該示例中，凸緣可構(gòu)造成接納并保持緊固件，凸緣厚度小于1mm。

17、在該示例中，植入物可限定第一表面和第二表面之間的孔隙率梯度。

18、在該示例中，第一平均孔隙尺寸可比第二平均孔隙尺寸大至少50μm。

19、在該示例中，第一平均孔隙尺寸可比第二平均孔隙尺寸大至少100μm。

20、在該示例中，第一平均孔隙尺寸可比第二平均孔隙尺寸大至少200μm。

21、在該示例中，在第一表面和第二表面之間的中間水平處的平均孔隙尺寸可比在第一表面處的第一平均孔隙尺寸小，并且比在第二表面處的第二平均孔隙尺寸大。

22、在該示例中，孔隙率梯度可包括在第一表面和第二表面之間的第一水平、第二水平和第三水平處的不同的平均孔隙尺寸，其中第一水平在第一表面和第二水平之間，第二水平在第一水平和第三水平之間，并且第三水平在第二水平和第二表面之間，其中：(i)在第一水平處的平均孔隙尺寸可比在第一表面處的第一平均孔隙尺寸小，并且比在第二水平處的平均孔隙尺寸大；(ii)在第二水平處的平均孔隙尺寸可比在第一水平處的平均孔隙尺寸小，并且比在第三水平處的平均孔隙尺寸大；(iii)在第三水平處的平均孔隙尺寸可比在第二水平處的平均孔隙尺寸小，并且比在第二水平處的第二平均孔隙尺寸大。

23、在另一個示例中，一種制作植入物的方法可包括將顆粒定位在第一加熱的模具表面和第二加熱的模具表面之間；施加熱量和壓縮以至少部分地熔合顆粒并形成植入物，使得該植入物具有：(i)植入物本體，該植入物本體由該多個至少部分地熔合的顆粒形成，該植入物本體具有在幾何形狀上對應(yīng)于第一加熱的模具表面的第一外表面和在幾何形狀上對應(yīng)于第二加熱的模具表面的第二外表面，該第二外表面與該第一外表面相對；(ii)在第一外表面處的顆粒限定第一平均孔隙尺寸，并且在第二外表面處的顆粒限定第二平均孔隙尺寸；第一平均孔隙尺寸比第二平均孔隙尺寸大。

24、在該示例中，第二加熱的模具表面可被加熱到比第一加熱的模具表面高的溫度。

25、在該示例中，第一加熱的模具表面和第二加熱的模具表面可為彎曲表面。

26、在該示例中，所形成的植入物的第一外表面可為組織向內(nèi)生長表面，并且所形成的植入物的第二外表面可為組織向內(nèi)生長屏障。

27、在該示例中，所形成的植入物可限定第一表面和第二表面之間孔隙率梯度。

28、在該示例中，第一平均孔隙尺寸可比第二平均孔隙尺寸大至少50μm。

29、在該示例中，第一平均孔隙尺寸可比第二平均孔隙尺寸大至少100μm。

30、在該示例中，第一平均孔隙尺寸比第二平均孔隙尺寸大至少200μm。

技術(shù)特征：

1.一種植入物，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的植入物，其中，所述植入物是顱面植入物。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的植入物，其中，所述凸緣構(gòu)造成接納并保持緊固件，其中，所述凸緣厚度小于1mm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的植入物，其中，所述植入物限定所述第一表面和所述第二表面之間的孔隙率梯度。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的植入物，其中，所述第一平均孔隙尺寸比所述第二平均孔隙尺寸大至少50μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的植入物，其中，所述第一平均孔隙尺寸比所述第二平均孔隙尺寸大至少100μm。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的植入物，其中，所述第一平均孔隙尺寸比所述第二平均孔隙尺寸大至少200μm。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的植入物，其中，在所述第一表面和所述第二表面之間的中間水平處的平均孔隙尺寸比在所述第一表面處的所述第一平均孔隙尺寸小，并且比在所述第二表面處的所述第二平均孔隙尺寸大。

9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的植入物，其中，所述孔隙率梯度包括在所述第一表面和所述第二表面之間的第一水平、第二水平和第三水平處的不同的平均孔隙尺寸，其中，所述第一水平在所述第一表面和所述第二水平之間，所述第二水平在所述第一水平和所述第三水平之間，并且所述第三水平在所述第二水平和所述第二表面之間，其中：

10.一種植入物，包括：

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的植入物，其中，所述植入物是顱面植入物。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的植入物，其中，所述第一表面是組織向內(nèi)生長表面，并且其中，所述第二表面是面向硬腦膜表面。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的植入物，其中，所述面向硬腦膜表面是組織向內(nèi)生長屏障。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的植入物，其中，所述第一表面和所述第二表面兩者均是至少部分地彎曲的。

15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的植入物，還包括凸緣，所述凸緣從所述植入物本體延伸并由所述至少部分地熔合的顆粒形成，所述凸緣具有第一凸緣表面和與所述第一表面相對的第二凸緣表面；

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的植入物，其中，所述凸緣包括所述第一凸緣表面和所述第二凸緣表面之間的凸緣厚度，其中，所述凸緣厚度小于1mm。

17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的植入物，其中，所述植入物本體比所述凸緣厚。

18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的植入物，其中，所述凸緣構(gòu)造成接納并保持緊固件。

19.根據(jù)權(quán)利要求10所述的植入物，其中，所述植入物限定所述第一表面和所述第二表面之間的孔隙率梯度。

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的植入物，其中，所述第一平均孔隙尺寸比所述第二平均孔隙尺寸大至少100μm。

21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的植入物，其中，在所述第一表面和所述第二表面之間的中間水平處的平均孔隙尺寸比在所述第一表面處的所述第一平均孔隙尺寸小，并且比在所述第二表面處的所述第二平均孔隙尺寸大。

22.一種制作植入物的方法，所述方法包括：

23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中，所述第二加熱的模具表面被加熱到比所述第一加熱的模具表面高的溫度。

24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中，所述第一加熱的模具表面和所述第二加熱的模具表面是彎曲表面。

25.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中，所述形成的植入物的所述第一外表面是組織向內(nèi)生長表面，并且所述形成的植入物的所述第二外表面是組織向內(nèi)生長屏障。

26.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中，所述形成的植入物限定所述第一表面和所述第二表面之間的孔隙率梯度。

27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其中，所述第一平均孔隙尺寸比所述第二平均孔隙尺寸大至少50μm。

28.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其中，所述第一平均孔隙尺寸比所述第二平均孔隙尺寸大至少100μm。

29.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其中，所述第一平均孔隙尺寸比所述第二平均孔隙尺寸大至少200μm。

技術(shù)總結(jié)
一種植入物(100)可包括彎曲的植入物本體(102)和從植入物本體延伸的凸緣(108)，該凸緣比植入物本體薄，植入物本體和凸緣具有第一外表面(104)和與第一表面相對的第二外表面(106)，其中植入物本體和凸緣由至少部分地熔合的顆粒形成。在第一表面處的顆粒限定第一平均孔隙尺寸，并且在第二表面處的顆粒限定第二平均孔隙尺寸；其中第一平均孔隙尺寸比第二平均孔隙尺寸大。第一表面可為組織向內(nèi)生長表面，并且第二表面可為組織向內(nèi)生長屏障。

技術(shù)研發(fā)人員：A·諾布爾,S·瓊斯
受保護的技術(shù)使用者：寶麗富樂有限責(zé)任公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/9/17