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      超聲波探頭以及超聲波診斷裝置的制作方法

      文檔序號:39598546發(fā)布日期:2024-10-11 13:05閱讀:11來源:國知局
      超聲波探頭以及超聲波診斷裝置的制作方法

      本發(fā)明涉及超聲波探頭以及超聲波診斷裝置。


      背景技術(shù):

      1、在超聲波診斷中,通過使超聲波探頭與患者的被檢體的體表或者體腔內(nèi)接觸這樣的簡單的操作,就能夠得到心臟、胎兒的情形作為超聲波圖像,并且安全性高,因此能夠反復進行檢查。通過從具有壓電元件的超聲波探頭向被檢體發(fā)送超聲波,由超聲波探頭接收反射的超聲波,對該接收到的信號進行各種處理,而得到超聲波圖像數(shù)據(jù)。

      2、另外,已知有基于pmut(piezoelectric?micromachined?ultrasonictransducer:壓電微機械超聲換能器)的超聲波探頭。pmut是通過mems(micro?electromechanical?systems:微機電系統(tǒng)),而基于與壓電薄膜結(jié)合后的薄膜的彎曲運動的換能器(超聲波探頭)。例如,已知有將一個發(fā)送/接收ch所包含的多個相鄰的pmut單元彼此并聯(lián)或者串聯(lián)地連接的超聲波換能器(參照專利文獻1)。

      3、另外,已知有微型機械加工超聲波轉(zhuǎn)換器陣列,其具有多個在mut陣列內(nèi)具有共振頻率不同的多個轉(zhuǎn)換器要素的電極導軌(參照專利文獻2)。電極導軌按照每個通道設(shè)置,將各通道中的轉(zhuǎn)換器要素并聯(lián)電連接。

      4、專利文獻1:日本專利第6933082號公報

      5、專利文獻2:日本特表2016-503312號公報

      6、例如,在1d(一維)陣列的超聲波探頭的情況下,根據(jù)其圖像化對象(深度、大小)大致決定頻帶、元件面積(短軸寬度、長軸長度)。在基于pmut的1d陣列的情況下,在元件面積中包含幾百個左右的pmut單元,它們并聯(lián)電連接。

      7、一般的pmut由配置有多個基于壓電薄膜、振動膜、振動膜支承構(gòu)造(背面腔)的pmut單元的pmut陣列構(gòu)成。通過濺射法等在硅晶片上制成壓電薄膜,其厚度恒定。振動膜厚成為所使用的基板、例如soi(silicon?on?insulator:絕緣體上硅)基板的器件層的膜厚,是恒定的。pmut單元的共振頻率能夠通過振動膜的直徑來控制,使直徑分布變化而能夠得到所希望的頻帶。

      8、壓電元件的電特性(阻抗特性)由靜電電容成分和電阻成分大致良好地表示(共振點除外)。靜電電容由pmut單元的壓電薄膜的相對介電常數(shù)和膜厚、直徑大致決定。另外,若一旦決定設(shè)計頻帶,則pmut直徑被大致決定為其共振頻率處于設(shè)計頻帶附近,靜電電容的控制非常難。

      9、例如,假定將cmos(complementary?metal-oxide?semiconductor:互補金屬氧化物半導體)電路接近連接于pmut單元的無線的超聲波探頭。在僅并聯(lián)連接的pmut單元的情況下,靜電電容變得過大。雖然能夠通過電感器電路的追加來取消靜電電容,但電路追加會使超聲波探頭的尺寸、重量增大,使用便利性顯著惡化。另外,電路追加伴隨著成本增大。

      10、在僅串聯(lián)連接的pmut單元中,相反,靜電電容變得過小。另外,在發(fā)送時對pmut單元施加的電壓降低,由此發(fā)送靈敏度也降低。

      11、因此,像上述現(xiàn)有的超聲波換能器或者微型機械加工超聲波轉(zhuǎn)換器陣列那樣,無論是并聯(lián)連接方式或串聯(lián)連接方式,都很難調(diào)整為適當?shù)撵o電電容。


      技術(shù)實現(xiàn)思路

      1、本發(fā)明的課題在于,根據(jù)超聲波探頭與后級的部件(發(fā)送接收部、電纜)的連接方式,適當?shù)乜刂茐弘娫撵o電電容,取得阻抗的匹配。

      2、為了解決上述課題,技術(shù)方案1所記載的發(fā)明的超聲波探頭具備pmut陣列,該pmut陣列具有多個通道,在各該通道內(nèi)具有三個以上的多個pmut單元,上述多個pmut單元的壓電元件被進行混合了相互并聯(lián)電連接和串聯(lián)電連接的串并聯(lián)混合連接。

      3、在技術(shù)方案2所記載的發(fā)明中,根據(jù)技術(shù)方案1中記載的超聲波探頭,其中,上述多個pmut單元包含共振頻率相互不同的pmut單元。

      4、在技術(shù)方案3所記載的發(fā)明中,根據(jù)技術(shù)方案1所記載的超聲波探頭,其中,上述串并聯(lián)混合連接是上述pmut單元的驅(qū)動電壓在上述pmut陣列的發(fā)送開口的仰角方向的端部側(cè)和中心側(cè)不同的連接。

      5、在技術(shù)方案4所記載的發(fā)明中,根據(jù)技術(shù)方案1所記載的超聲波探頭,其中,上述串并聯(lián)混合連接是上述pmut單元的驅(qū)動電壓在上述pmut陣列的發(fā)送開口的方位角方向的端部側(cè)和中心側(cè)不同的連接。

      6、在技術(shù)方案5所記載的發(fā)明中,根據(jù)技術(shù)方案1所記載的超聲波探頭,其中,超聲波的發(fā)送時與超聲波的接收時的上述串并聯(lián)混合連接的串聯(lián)數(shù)和并聯(lián)數(shù)不同。

      7、在技術(shù)方案6所記載的發(fā)明中,根據(jù)技術(shù)方案1所記載的超聲波探頭,其中,上述多個pmut單元包含超聲波的發(fā)送專用的pmut單元和超聲波的接收專用的pmut單元。

      8、在技術(shù)方案7所記載的發(fā)明中,根據(jù)技術(shù)方案1所記載的超聲波探頭,其中,具備切換電路部,該切換電路部經(jīng)由電極與上述pmut陣列的pmut單元連接,并且切換該pmut單元的串聯(lián)以及并聯(lián)中的至少一個連接。

      9、在技術(shù)方案8所記載的發(fā)明中,根據(jù)技術(shù)方案7所記載的超聲波探頭,其中,上述切換電路部按照由多個pmut單元構(gòu)成的每個塊來切換上述pmut單元的連接。

      10、在技術(shù)方案9所記載的發(fā)明中,根據(jù)技術(shù)方案7所記載的超聲波探頭,其中,上述切換電路部根據(jù)掃描模式或者規(guī)定的參數(shù),切換上述pmut單元的連接。

      11、在技術(shù)方案10所記載的發(fā)明中,根據(jù)技術(shù)方案1所記載的超聲波探頭,其中,具備發(fā)送接收部,該發(fā)送接收部生成超聲波發(fā)送用的驅(qū)動信號并輸出到上述pmut陣列的pmut單元,并且從該pmut陣列的pmut單元接收超聲波的接收信號。

      12、技術(shù)方案11所記載的發(fā)明的超聲波診斷裝置具備:技術(shù)方案1至10中任一項所記載的超聲波探頭;以及圖像生成部,基于從上述超聲波探頭輸入的接收信號,生成超聲波圖像數(shù)據(jù)。

      13、技術(shù)方案12所記載的發(fā)明的超聲波診斷裝置具備:技術(shù)方案1至9中任一項所記載的超聲波探頭;發(fā)送接收部,生成超聲波發(fā)送用的驅(qū)動信號并輸出到上述pmut陣列的pmut單元,并且從該pmut陣列的pmut單元接收超聲波的接收信號;以及圖像生成部,基于從上述發(fā)送接收部輸入的接收信號,生成超聲波圖像數(shù)據(jù)。

      14、根據(jù)本發(fā)明,根據(jù)超聲波探與后級的部件的連接方式,能夠適當?shù)乜刂茐弘娫撵o電電容,能夠取得阻抗的匹配。



      技術(shù)特征:

      1.一種超聲波探頭,其中,

      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超聲波探頭,其中,

      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超聲波探頭,其中,

      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超聲波探頭,其中,

      5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超聲波探頭,其中,

      6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超聲波探頭,其中,

      7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超聲波探頭,其中,

      8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的超聲波探頭,其中,

      9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的超聲波探頭,其中,

      10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超聲波探頭,其中,

      11.一種超聲波診斷裝置,其中,具備:

      12.一種超聲波診斷裝置,其中,具備:


      技術(shù)總結(jié)
      本發(fā)明提供超聲波探頭以及超聲波診斷裝置。根據(jù)超聲波探頭與后級的部件的連接方式,適當?shù)乜刂茐弘娫撵o電電容,取得阻抗的匹配。超聲波診斷裝置(1A)具備超聲波探頭(2A)。超聲波探頭(2A)具備PMUT陣列(21),該PMUT陣列(21)具有多個通道,在各通道內(nèi)具有三個以上的多個PMUT單元(211)。多個PMUT單元(211)的壓電元件被進行混合了相互并聯(lián)電連接和串聯(lián)電連接的串并聯(lián)混合連接。

      技術(shù)研發(fā)人員:鈴木謙次,中山雄太
      受保護的技術(shù)使用者:柯尼卡美能達株式會社
      技術(shù)研發(fā)日:
      技術(shù)公布日:2024/10/10
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