專(zhuān)利名稱(chēng)：刻蝕工藝的監(jiān)控方法和監(jiān)控系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種刻蝕工藝的監(jiān)控方法和監(jiān)控系 統(tǒng)。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體集成電路的制作是極其復(fù)雜的過(guò)程，目的在于將特定電路所需的各種電子 組件和線(xiàn)路縮小制作在小面積的晶片上。其中，各個(gè)組件必須藉由適當(dāng)?shù)膬?nèi)連導(dǎo)線(xiàn)來(lái)做電 性連接，才能發(fā)揮所期望的功能。由于集成電路的制作向超大規(guī)模集成電路(ULSI)發(fā)展，其內(nèi)部的電路密度越來(lái) 越大，隨著芯片中所含元件數(shù)量不斷增加，實(shí)際上就減少了表面連線(xiàn)的可用空間。這一問(wèn)題 的解決方法是采用多層金屬導(dǎo)線(xiàn)設(shè)計(jì)，利用多層絕緣層和導(dǎo)電層相互疊加的多層連接，這 其中就需要制作大量的接觸孔或者溝槽。由于在接觸孔或溝槽刻蝕過(guò)程中受到環(huán)境及刻蝕參數(shù)等的影響，因此刻蝕后的接 觸孔或溝槽的形狀可能會(huì)存在一定的誤差。因此在傳統(tǒng)的制造工藝流程中，要對(duì)刻蝕后的硅片進(jìn)行刻蝕后檢測(cè)(After Etch Inspection, ΑΕΙ) ο例如在
公開(kāi)日2003年10月15日，公告號(hào)“CN1449577A”，名稱(chēng)“施行最 后臨界尺寸控制的方法及裝置”的中國(guó)專(zhuān)利文獻(xiàn)中，提供了一種實(shí)行最后特征尺寸控制的 方法及裝置，用來(lái)提高刻蝕特征尺寸的精確度，減小誤差。刻蝕通常是對(duì)一批晶片同時(shí)進(jìn)行刻蝕，在利用上述方法對(duì)刻蝕后的晶片上的圖形 進(jìn)行檢測(cè)時(shí)，通常會(huì)從每一批進(jìn)行刻蝕后的晶片中取出一到兩片進(jìn)行檢測(cè)，因?yàn)榭涛g檢測(cè) 是在刻蝕之后進(jìn)行的，因此如果刻蝕偏差較大導(dǎo)致產(chǎn)品不合格，那么該產(chǎn)品就報(bào)廢，這樣造 成成本增加，因此既可以降低成本，又可以對(duì)刻蝕進(jìn)行監(jiān)測(cè)是目前半導(dǎo)體制造領(lǐng)域比較關(guān) 注的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種刻蝕工藝的監(jiān)控方法和監(jiān)控系統(tǒng)，從而可以降 低半導(dǎo)體制造的成本。為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種刻蝕工藝的監(jiān)控方法，包括步驟獲取刻蝕機(jī)臺(tái)的空閑時(shí)間；設(shè)定兩個(gè)特定時(shí)間，其中第一特定時(shí)間小于第二特定時(shí)間；當(dāng)空閑時(shí)間小于第一特定時(shí)間且連續(xù)刻蝕晶片數(shù)量大于預(yù)定量時(shí)，或當(dāng)空閑時(shí)間 大于第二特定時(shí)間，則對(duì)一模擬片進(jìn)行刻蝕、切片測(cè)量，合格后進(jìn)行晶片的刻蝕，不合格則 對(duì)刻蝕參數(shù)進(jìn)行調(diào)整并再次對(duì)模擬片進(jìn)行刻蝕、切片測(cè)量至合格；當(dāng)空閑時(shí)間大于第一特定時(shí)間且小于第二特定時(shí)間，則刻蝕模擬片從而保持機(jī)臺(tái) 處于持續(xù)工作狀態(tài)。優(yōu)選的，進(jìn)一步包括步驟
設(shè)定第三特定時(shí)間，所述第三特定時(shí)間大于第一特定時(shí)間且小于第二特定時(shí)間。優(yōu)選的，當(dāng)空閑時(shí)間大于第一特定時(shí)間且小于第三特定時(shí)間，則刻蝕第一數(shù)量的 模擬片從而保持機(jī)臺(tái)處于持續(xù)工作狀態(tài)。優(yōu)選的，當(dāng)空閑時(shí)間大于第三特定時(shí)間且小于第二特定時(shí)間，則刻蝕第二數(shù)量的 模擬片從而保持機(jī)臺(tái)處于持續(xù)工作狀態(tài)。優(yōu)選的，所述第二數(shù)量為第一數(shù)量的兩倍。相應(yīng)的本發(fā)明還提供了一種刻蝕工藝的監(jiān)控系統(tǒng)，包括刻蝕基臺(tái)；空閑時(shí)間獲取裝置，用于獲取刻蝕基臺(tái)的空閑時(shí)間；特定時(shí)間設(shè)置裝置，用于設(shè)定兩個(gè)特定時(shí)間，其中第一特定時(shí)間小于第二特定時(shí) 間；空閑時(shí)間比較裝置，用于對(duì)空閑時(shí)間和第一特定時(shí)間，空閑時(shí)間和第二特定時(shí)間 進(jìn)行比較，當(dāng)空閑時(shí)間小于第一特定時(shí)間且刻蝕基臺(tái)連續(xù)刻蝕晶片數(shù)量大于預(yù)定量時(shí)，或 當(dāng)空閑時(shí)間大于第二特定時(shí)間，則刻蝕基臺(tái)對(duì)一模擬片進(jìn)行刻蝕、切片測(cè)量，合格后進(jìn)行晶 片的刻蝕，不合格則對(duì)刻蝕基臺(tái)的刻蝕參數(shù)進(jìn)行調(diào)整并再次對(duì)模擬片進(jìn)行刻蝕、切片測(cè)量 至合格；當(dāng)空閑時(shí)間大于第一特定時(shí)間且小于第二特定時(shí)間，則刻蝕基臺(tái)刻蝕模擬片從而 保持機(jī)臺(tái)處于持續(xù)工作狀態(tài)。優(yōu)選的，所述特定時(shí)間設(shè)置裝置還用于設(shè)定第三特定時(shí)間，所述第三特定時(shí)間大 于第一特定時(shí)間且小于第二特定時(shí)間。優(yōu)選的，所述空閑時(shí)間比較裝置還用于比較空閑時(shí)間和第三特定時(shí)間，當(dāng)空閑時(shí) 間大于第一特定時(shí)間且小于第三特定時(shí)間，則刻蝕基臺(tái)刻蝕第一數(shù)量的模擬片從而保持機(jī) 臺(tái)處于持續(xù)工作狀態(tài)。優(yōu)選的，當(dāng)空閑時(shí)間大于第三特定時(shí)間且小于第二特定時(shí)間，則刻蝕基臺(tái)刻蝕第 二數(shù)量的模擬片從而保持刻蝕機(jī)臺(tái)處于持續(xù)工作狀態(tài)。優(yōu)選的，所述第二數(shù)量為第一數(shù)量的兩倍。和現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于本發(fā)明通過(guò)獲取刻蝕基臺(tái)的空閑時(shí)間，然后對(duì)刻蝕基臺(tái)的空閑時(shí)間和特定時(shí)間進(jìn) 行比較，根據(jù)比較結(jié)果確定什么時(shí)間進(jìn)行檢測(cè)或者刻蝕模擬片從而保持機(jī)臺(tái)處于持續(xù)工作 狀態(tài)，從而使得刻蝕基臺(tái)在兩次刻蝕的間隔較長(zhǎng)時(shí)可以刻蝕模擬片或者刻蝕后進(jìn)行檢測(cè)， 這樣減少了刻蝕缺陷，提高了生產(chǎn)效率，降低了成本。


通過(guò)附圖中所示的本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的更具體說(shuō)明，本發(fā)明的上述及其它目 的、特征和優(yōu)勢(shì)將更加清晰。在全部附圖中相同的附圖標(biāo)記指示相同的部分。并未刻意按 實(shí)際尺寸等比例縮放繪制附圖，重點(diǎn)在于示出本發(fā)明的主旨。圖1是本發(fā)明的刻蝕工藝的監(jiān)控方法的流程圖；圖2是本發(fā)明的刻蝕工藝監(jiān)控系統(tǒng)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式參考背景技術(shù)可知，在半導(dǎo)體制造工藝中，刻蝕步驟之后通常要對(duì)刻蝕后晶片上 的圖形進(jìn)行檢測(cè)，但是現(xiàn)有技術(shù)中通常會(huì)在每一批進(jìn)行刻蝕后，從刻蝕后的晶片中取出1 到2片進(jìn)行檢測(cè)，因?yàn)槭窃诳涛g檢測(cè)是在刻蝕之后進(jìn)行的，因此如果刻蝕偏差較大導(dǎo)致產(chǎn) 品不合格，那么該批產(chǎn)品就報(bào)廢，因此這樣勢(shì)必造成成本增加，并且每一批都要抽出1到2 片進(jìn)行檢測(cè)，這樣檢測(cè)過(guò)程復(fù)雜，而且造成被檢測(cè)的晶片浪費(fèi)，從而進(jìn)一步增加了成本。本發(fā)明的發(fā)明人經(jīng)過(guò)大量的研究后認(rèn)為刻蝕的基臺(tái)在執(zhí)行完前一次刻蝕之后， 在較短時(shí)間內(nèi)執(zhí)行下一次刻蝕時(shí)，往往刻蝕的偏差較?。欢M(jìn)行下一次刻蝕間隔時(shí)間越長(zhǎng)， 即刻蝕基臺(tái)的空閑時(shí)間越長(zhǎng)，則發(fā)生的偏差也越大。這是因?yàn)殡S著空閑時(shí)間的增加，刻蝕的 環(huán)境變化增大，從而造成刻蝕參數(shù)變化增大。因此發(fā)明人認(rèn)為兩次刻蝕間隔時(shí)間較長(zhǎng)時(shí)，容 易造成刻蝕的偏差加大，因此可以在兩次刻蝕間隔較長(zhǎng)時(shí)，例如大于特定時(shí)間0. 5小時(shí)或 者10小時(shí)，在后一次刻蝕之前，刻蝕模擬片從而保持機(jī)臺(tái)處于持續(xù)工作狀態(tài)。這樣就可以 減少刻蝕生產(chǎn)晶片造成的偏差，從而導(dǎo)致生產(chǎn)晶片報(bào)廢的問(wèn)題。為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明 的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說(shuō)明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā) 明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不 違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類(lèi)似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開(kāi)的具體實(shí)施的限制。其次，本發(fā)明利用示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實(shí)施例時(shí)，為便于說(shuō)明，表 示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會(huì)不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是實(shí)例，其在此不應(yīng) 限制本發(fā)明保護(hù)的范圍。此外，在實(shí)際制作中應(yīng)包含長(zhǎng)度、寬度及深度的三維空間尺寸。圖1是本發(fā)明的刻蝕工藝的監(jiān)控方法的流程圖，如圖1所示，本發(fā)明提供了一種刻 蝕工藝的監(jiān)控方法，包括步驟SlO 獲取刻蝕基臺(tái)的空閑時(shí)間；S20 設(shè)定兩個(gè)特定時(shí)間，其中第一特定時(shí)間小于第二特定時(shí)間；S30:當(dāng)空閑時(shí)間小于第一特定時(shí)間且連續(xù)刻蝕晶片數(shù)量大于預(yù)定量時(shí)，或當(dāng)空閑 時(shí)間大于第二特定時(shí)間，則對(duì)一模擬片進(jìn)行刻蝕、切片測(cè)量，合格后進(jìn)行晶片的刻蝕，不合 格則對(duì)刻蝕參數(shù)進(jìn)行調(diào)整并再次對(duì)模擬片進(jìn)行刻蝕、切片測(cè)量至合格；S40:當(dāng)空閑時(shí)間大于第一特定時(shí)間且小于第二特定時(shí)間，則刻蝕模擬片從而保持 機(jī)臺(tái)處于持續(xù)工作狀態(tài)。下面結(jié)合圖1對(duì)本發(fā)明的刻蝕工藝監(jiān)控方法進(jìn)行說(shuō)明。參考圖1所示，在本實(shí)施 例中本發(fā)明的監(jiān)控方法包括步驟SlO 獲取刻蝕基臺(tái)的空閑時(shí)間。在本實(shí)施例中，具體的，可以利用本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的方法，例如根據(jù)上一批晶 片刻蝕完到當(dāng)前開(kāi)始刻蝕的時(shí)間間隔，或者根據(jù)刻蝕基臺(tái)上一次工作完的時(shí)間到當(dāng)前開(kāi)始 的時(shí)間間隔，所述時(shí)間間隔即為刻蝕基臺(tái)的空閑時(shí)間。S20 設(shè)定兩個(gè)特定時(shí)間，其中第一特定時(shí)間小于第二特定時(shí)間。在本實(shí)施例中，具體的，所述第一特定時(shí)間為0. 5小時(shí)，第二特定時(shí)間為3天。優(yōu)選的，還可以包括設(shè)定第三特定時(shí)間，例如在本實(shí)施例中為10小時(shí)。S30:當(dāng)空閑時(shí)間小于第一特定時(shí)間且連續(xù)刻蝕晶片數(shù)量大于預(yù)定量時(shí)，或當(dāng)空閑時(shí)間大于第二特定時(shí)間，則對(duì)一模擬片進(jìn)行刻蝕、切片測(cè)量，合格后進(jìn)行晶片的刻蝕，不合 格則對(duì)刻蝕參數(shù)進(jìn)行調(diào)整并再次對(duì)模擬片進(jìn)行刻蝕、切片測(cè)量至合格。具體的，在本實(shí)施例中，例如當(dāng)空閑時(shí)間為0. 2小時(shí)，則小于第一特定時(shí)間0. 5小 時(shí)，當(dāng)空閑時(shí)間為4天，則大于第二特定時(shí)間3天。當(dāng)空閑時(shí)間小于第一特定時(shí)間且連續(xù)刻蝕晶片數(shù)量大于預(yù)定量時(shí)，或當(dāng)空閑時(shí)間 大于第二特定時(shí)間，則在開(kāi)始刻蝕生產(chǎn)片之前，刻蝕一片模擬片，所述刻蝕模擬片的刻蝕時(shí) 間、刻蝕參數(shù)的設(shè)置可以和正?？涛g的相同。然后進(jìn)行對(duì)刻蝕后的模擬片上的圖形進(jìn)行檢 測(cè)。所述檢測(cè)包括對(duì)晶片的刻蝕孔進(jìn)行切片，切片后測(cè)量刻蝕孔的頂部特征尺寸，中間特 征尺寸和底部特征尺寸，與合格的標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行比較，在合格標(biāo)準(zhǔn)的范圍內(nèi)為合格，否則為不合 格；還可以包括對(duì)刻蝕孔的深度進(jìn)行測(cè)量，與合格的標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行比較，在合格標(biāo)準(zhǔn)的范圍內(nèi)為 合格，否則為不合格；還可以包括對(duì)刻蝕孔的側(cè)壁進(jìn)行檢測(cè)，例如觀察側(cè)壁的平整度，與合 格的標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行比較，在合格標(biāo)準(zhǔn)的范圍內(nèi)為合格，否則為不合格。在檢測(cè)合格后，則進(jìn)行下一批生產(chǎn)片的刻蝕，如果檢測(cè)不合格則調(diào)整刻蝕的參數(shù)， 因?yàn)榭涛g不合格可能是由于長(zhǎng)時(shí)間空閑，刻蝕基臺(tái)的環(huán)境發(fā)生變化造成，因此在調(diào)整刻蝕 參數(shù)后繼續(xù)進(jìn)行刻蝕和檢測(cè)模擬片的步驟。優(yōu)選的，所述當(dāng)空閑時(shí)間小于第一特定時(shí)間，則對(duì)一模擬片進(jìn)行刻蝕、切片測(cè)量的 步驟可以針對(duì)DMOS產(chǎn)品制造中的刻蝕步驟。由于制造設(shè)備受到磨損和污染，從而使得參數(shù)可能會(huì)發(fā)生漂移，因此制造設(shè)備需 要定期進(jìn)行保養(yǎng)(PM，preventive maintenace)，例如定期進(jìn)行清洗、檢修，因此優(yōu)選的，所 述當(dāng)空閑時(shí)間大于第二特定時(shí)間，則對(duì)一模擬片進(jìn)行刻蝕、切片測(cè)量的步驟中的空閑時(shí)間 可以包括基臺(tái)在做完保養(yǎng)后到開(kāi)始刻蝕的時(shí)間。空閑時(shí)間還可以包括機(jī)臺(tái)因異常而停機(jī)的 時(shí)間。S40:當(dāng)空閑時(shí)間大于第一特定時(shí)間且小于第二特定時(shí)間，則刻蝕模擬片從而保持 機(jī)臺(tái)處于持續(xù)工作狀態(tài)。該步驟和步驟S30沒(méi)有先后順序，是并列的步驟。具體的，在本實(shí)施例中，例如當(dāng)空閑時(shí)間為1小時(shí)，則大于第一特定時(shí)間1小時(shí)，小 于第二特定時(shí)間3天，則插入模擬片進(jìn)行刻蝕。因?yàn)榭涛g的基臺(tái)在執(zhí)行完前一次刻蝕之后，在較短時(shí)間內(nèi)執(zhí)行下一次刻蝕時(shí)，往 往刻蝕的偏差較?。欢M(jìn)行下一次刻蝕間隔時(shí)間越長(zhǎng)，即刻蝕基臺(tái)的空閑時(shí)間越長(zhǎng)，則發(fā)生 的偏差也越大。這是因?yàn)殡S著空閑時(shí)間的增加，刻蝕的環(huán)境變化增大，從而造成刻蝕參數(shù)變 化增大。因此為了保持機(jī)臺(tái)處于持續(xù)工作狀態(tài)，優(yōu)選的，當(dāng)空閑時(shí)間大于第一特定時(shí)間且小 于第三特定時(shí)間，則刻蝕第一數(shù)量的模擬片從而保持機(jī)臺(tái)處于持續(xù)工作狀態(tài)。例如空閑時(shí) 間為1小時(shí)，則大于第一特定時(shí)間0. 5小時(shí)，小于第二特定時(shí)間3天，小于第三特定時(shí)間10 小時(shí)，因此對(duì)第一數(shù)量，例如插入3片模擬片進(jìn)行刻蝕，所述3片模擬片之間間隔一定時(shí)間， 保證機(jī)臺(tái)處于持續(xù)工作狀態(tài)。例如空閑時(shí)間為12小時(shí)，則大于第一特定時(shí)間0. 5小時(shí)，小 于第二特定時(shí)間3天，大于第三特定時(shí)間10小時(shí)，因此對(duì)第二數(shù)量，第二數(shù)量可以為第一數(shù) 量的2倍，例如插入6片模擬片進(jìn)行刻蝕。所述6片模擬片之間間隔一定時(shí)間，保證機(jī)臺(tái)處 于持續(xù)工作狀態(tài)。圖2是本發(fā)明的刻蝕工藝監(jiān)控系統(tǒng)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，下面結(jié)合圖2對(duì)本發(fā)明的刻蝕工藝監(jiān)控系統(tǒng)進(jìn)行說(shuō)明。參考圖2，本發(fā)明的刻蝕工藝的監(jiān)控系統(tǒng)包括刻蝕基臺(tái)110，用于對(duì)晶片進(jìn)行刻蝕；空閑時(shí)間獲取裝置130，用于獲取刻蝕基臺(tái)的空閑時(shí)間；特定時(shí)間設(shè)置裝置135，用于設(shè)定兩個(gè)特定時(shí)間，其中第一特定時(shí)間小于第二特定 時(shí)間；空閑時(shí)間比較裝置140，用于對(duì)空閑時(shí)間和第一特定時(shí)間，空閑時(shí)間和第二特定時(shí) 間進(jìn)行比較，當(dāng)空閑時(shí)間小于第一特定時(shí)間且刻蝕基臺(tái)連續(xù)刻蝕晶片數(shù)量大于預(yù)定量時(shí)， 或當(dāng)空閑時(shí)間大于第二特定時(shí)間，則刻蝕基臺(tái)對(duì)一模擬片進(jìn)行刻蝕、切片測(cè)量，合格后進(jìn)行 晶片的刻蝕，不合格則對(duì)刻蝕基臺(tái)的刻蝕參數(shù)進(jìn)行調(diào)整并再次對(duì)模擬片進(jìn)行刻蝕、切片測(cè) 量至合格；當(dāng)空閑時(shí)間大于第一特定時(shí)間且小于第二特定時(shí)間，則刻蝕基臺(tái)刻蝕模擬片從 而保持機(jī)臺(tái)處于持續(xù)工作狀態(tài)。優(yōu)選的，所述特定時(shí)間設(shè)置裝置135還用于設(shè)定第三特定時(shí)間，所述第三特定時(shí) 間大于第一特定時(shí)間且小于第二特定時(shí)間。優(yōu)選的，所述空閑時(shí)間比較裝置140還用于比較空閑時(shí)間和第三特定時(shí)間，當(dāng)空 閑時(shí)間大于第一特定時(shí)間且小于第三特定時(shí)間，則刻蝕基臺(tái)刻蝕第一數(shù)量的模擬片從而保 持機(jī)臺(tái)處于持續(xù)工作狀態(tài)。優(yōu)選的，當(dāng)空閑時(shí)間大于第三特定時(shí)間且小于第二特定時(shí)間，則刻蝕基臺(tái)刻蝕第 二數(shù)量的模擬片從而保持刻蝕機(jī)臺(tái)處于持續(xù)工作狀態(tài)。優(yōu)選的，所述第二數(shù)量為第一數(shù)量的兩倍。雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，然而并非用以限定本發(fā)明。任何熟悉本領(lǐng) 域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi) 容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動(dòng)和修飾，或修改為等同變化的等效實(shí)施例。因此， 凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡(jiǎn)單 修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種刻蝕工藝的監(jiān)控方法，其特征在于，包括步驟獲取刻蝕機(jī)臺(tái)的空閑時(shí)間；設(shè)定兩個(gè)特定時(shí)間，其中第一特定時(shí)間小于第二特定時(shí)間；當(dāng)空閑時(shí)間小于第一特定時(shí)間且連續(xù)刻蝕晶片數(shù)量大于預(yù)定量時(shí)，或當(dāng)空閑時(shí)間大于 第二特定時(shí)間，則對(duì)一模擬片進(jìn)行刻蝕、切片測(cè)量，合格后進(jìn)行晶片的刻蝕，不合格則對(duì)刻 蝕參數(shù)進(jìn)行調(diào)整并再次對(duì)模擬片進(jìn)行刻蝕、切片測(cè)量至合格；當(dāng)空閑時(shí)間大于第一特定時(shí)間且小于第二特定時(shí)間，則刻蝕模擬片從而保持機(jī)臺(tái)處于 持續(xù)工作狀態(tài)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的監(jiān)控方法，其特征在于，進(jìn)一步包括步驟設(shè)定第三特定時(shí)間，所述第三特定時(shí)間大于第一特定時(shí)間且小于第二特定時(shí)間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的監(jiān)控方法，其特征在于，當(dāng)空閑時(shí)間大于第一特定時(shí)間且小 于第三特定時(shí)間，則刻蝕第一數(shù)量的模擬片從而保持機(jī)臺(tái)處于持續(xù)工作狀態(tài)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的監(jiān)控方法，其特征在于，當(dāng)空閑時(shí)間大于第三特定時(shí)間且小 于第二特定時(shí)間，則刻蝕第二數(shù)量的模擬片從而保持機(jī)臺(tái)處于持續(xù)工作狀態(tài)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的監(jiān)控方法，其特征在于，所述第二數(shù)量為第一數(shù)量的兩倍。
6.一種刻蝕工藝的監(jiān)控系統(tǒng)，其特征在于，包括刻蝕基臺(tái)；空閑時(shí)間獲取裝置，用于獲取刻蝕基臺(tái)的空閑時(shí)間；特定時(shí)間設(shè)置裝置，用于設(shè)定兩個(gè)特定時(shí)間，其中第一特定時(shí)間小于第二特定時(shí)間；空閑時(shí)間比較裝置，用于對(duì)空閑時(shí)間和第一特定時(shí)間，空閑時(shí)間和第二特定時(shí)間進(jìn)行 比較，當(dāng)空閑時(shí)間小于第一特定時(shí)間且刻蝕基臺(tái)連續(xù)刻蝕晶片數(shù)量大于預(yù)定量時(shí)，或當(dāng)空 閑時(shí)間大于第二特定時(shí)間，則刻蝕基臺(tái)對(duì)一模擬片進(jìn)行刻蝕、切片測(cè)量，合格后進(jìn)行晶片的 刻蝕，不合格則對(duì)刻蝕基臺(tái)的刻蝕參數(shù)進(jìn)行調(diào)整并再次對(duì)模擬片進(jìn)行刻蝕、切片測(cè)量至合 格；當(dāng)空閑時(shí)間大于第一特定時(shí)間且小于第二特定時(shí)間，則刻蝕基臺(tái)刻蝕模擬片從而保持 機(jī)臺(tái)處于持續(xù)工作狀態(tài)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的刻蝕工藝的監(jiān)控系統(tǒng)，其特征在于，所述特定時(shí)間設(shè)置裝置 還用于設(shè)定第三特定時(shí)間，所述第三特定時(shí)間大于第一特定時(shí)間且小于第二特定時(shí)間。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的刻蝕工藝的監(jiān)控系統(tǒng)，其特征在于，所述空閑時(shí)間比較裝置 還用于比較空閑時(shí)間和第三特定時(shí)間，當(dāng)空閑時(shí)間大于第一特定時(shí)間且小于第三特定時(shí) 間，則刻蝕基臺(tái)刻蝕第一數(shù)量的模擬片從而保持機(jī)臺(tái)處于持續(xù)工作狀態(tài)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的刻蝕工藝的監(jiān)控系統(tǒng)，其特征在于，當(dāng)空閑時(shí)間大于第三特 定時(shí)間且小于第二特定時(shí)間，則刻蝕基臺(tái)刻蝕第二數(shù)量的模擬片從而保持刻蝕機(jī)臺(tái)處于持 續(xù)工作狀態(tài)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的刻蝕工藝的監(jiān)控系統(tǒng)，其特征在于，所述第二數(shù)量為第一數(shù)量的兩倍。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種刻蝕工藝的監(jiān)控方法及系統(tǒng)，該方法包括步驟獲取刻蝕機(jī)臺(tái)的空閑時(shí)間；設(shè)定兩個(gè)特定時(shí)間，其中第一特定時(shí)間小于第二特定時(shí)間；當(dāng)空閑時(shí)間小于第一特定時(shí)間且連續(xù)刻蝕晶片數(shù)量大于預(yù)定量時(shí)，或當(dāng)空閑時(shí)間大于第二特定時(shí)間，則對(duì)一模擬片進(jìn)行刻蝕、切片測(cè)量，合格后進(jìn)行晶片的刻蝕，不合格則對(duì)刻蝕參數(shù)進(jìn)行調(diào)整并再次對(duì)模擬片進(jìn)行刻蝕、切片測(cè)量至合格；當(dāng)空閑時(shí)間大于第一特定時(shí)間且小于第二特定時(shí)間，則刻蝕模擬片從而保持機(jī)臺(tái)處于持續(xù)工作狀態(tài)。本發(fā)明可以對(duì)刻蝕工藝進(jìn)行監(jiān)控，從而降低了刻蝕產(chǎn)生缺陷的可能，降低了成本。
文檔編號(hào)H01L21/00GK102074454SQ20091022610
公開(kāi)日2011年5月25日 申請(qǐng)日期2009年11月20日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月20日
發(fā)明者劉江, 劉海波, 樊楊, 鄭清忠, 陳斌 申請(qǐng)人:無(wú)錫華潤(rùn)上華半導(dǎo)體有限公司, 無(wú)錫華潤(rùn)上華科技有限公司