一種沖擊波觸發(fā)電路的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種沖擊波觸發(fā)電路，包括觸發(fā)變壓器、電源變壓器、橋式整流器、可控硅、光電耦合器、電阻、電容、可控硅和二極管等，光電耦合器隔離觸發(fā)信號(hào)和后級(jí)高壓部分，觸發(fā)脈沖信號(hào)通過光電耦合器控制可控硅導(dǎo)通，產(chǎn)生觸發(fā)高壓。與已有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果在于：采用可控硅控制觸發(fā)變壓器，產(chǎn)生觸發(fā)高壓，觸發(fā)脈沖穩(wěn)定可靠，不漏發(fā)，不連發(fā)，電路簡(jiǎn)潔，觸發(fā)穩(wěn)定，用于體外沖擊波碎石機(jī)。
【專利說明】
一種沖擊波觸發(fā)電路
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及一種觸發(fā)電路，尤其涉及一種沖擊波觸發(fā)電路。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有沖擊波觸發(fā)電路一般采用電視機(jī)行輸出高壓包，輸出電流小，容易漏觸發(fā);或者采用汽車點(diǎn)火器，產(chǎn)品體積較大，價(jià)格較高，使用受到限制，但也沒有更好的解決方案。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]有鑒于此，本實(shí)用新型的目的是提供一種沖擊波觸發(fā)電路，以解決現(xiàn)有技術(shù)中的不足。
[0004]為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的目的是通過下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:
[0005]—種沖擊波觸發(fā)電路，其中，包括觸發(fā)變壓器、電源變壓器、橋式整流器、可控硅、光電耦合器、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻、第五電阻、第六電阻、第七電阻、第八電阻、第九電阻、熔斷器、穩(wěn)壓二極管、第一二極管、第二二極管、第一發(fā)光二極管、第二發(fā)光二極管、第一電容、第二電容、第三電容和第四電容；
[0006]所述電源變壓器通過所述熔斷器連接外部電壓并將外部電壓變壓為低壓部分和高壓部分，所述橋式整流器和所述第一電容設(shè)于所述低壓部分，所述第一二極管設(shè)于所述高壓部分；
[0007]所述第一發(fā)光二極管和所述第二電阻串接后再與所述第二電容并接，所述第一電阻設(shè)于所述第二電阻和所述第二電容之間，所述第一發(fā)光二極管、所述第二電阻、所述第二電容和所述第一電阻設(shè)于所述光電親合器和外部觸發(fā)信號(hào)之間；
[0008]所述光電耦合器通過所述第五電阻接入所述低壓部分，所述第五電阻、所述第四電容分別通過所述穩(wěn)壓二極管接地，所述光電耦合器通過所述第二二極管和所述第四電阻連接所述可控硅；
[0009]所述第二發(fā)光二極管與所述第三電阻串聯(lián)后分別與所述第六電阻、所述第七電阻并聯(lián)后設(shè)于所述可控硅與所述高壓部分之間，所述第三電容和所述第八電阻并聯(lián)后設(shè)于所述高壓部分與所述觸發(fā)變壓器之間。
[0010]上述沖擊波觸發(fā)電路，其中，所述第一電容為電解電容。
[0011]上述沖擊波觸發(fā)電路，其中，所述低壓部分為12V，所述高壓部分為420V。
[0012]與已有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果在于:
[0013]采用可控硅控制觸發(fā)變壓器，產(chǎn)生觸發(fā)高壓，觸發(fā)脈沖穩(wěn)定可靠，不漏發(fā)，不連發(fā)，電路簡(jiǎn)潔，觸發(fā)穩(wěn)定，用于體外沖擊波碎石機(jī)。
【附圖說明】
[0014]構(gòu)成本實(shí)用新型的一部分的附圖用來提供對(duì)本實(shí)用新型的進(jìn)一步理解，本實(shí)用新型的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本實(shí)用新型，并不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型的不當(dāng)限定。在附圖中:
[0015]圖1示出了本實(shí)用新型沖擊波觸發(fā)電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0016]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0017]需要說明的是，在不沖突的情況下，本實(shí)用新型中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。
[0018]參考圖1所示，本實(shí)用新型沖擊波觸發(fā)電路包括觸發(fā)變壓器B22、電源變壓器B11、橋式整流器Zl、可控硅SCRl、光電耦合器Ql、第一電阻Rl、第二電阻R2、第三電阻R3、第四電阻R4、第五電阻R5、第六電阻R6、第七電阻R7、第八電阻R8、第九電阻R9、熔斷器F10、穩(wěn)壓二極管DZl、第一二極管Dl、第二二極管D2、第一發(fā)光二極管Ldl、第二發(fā)光二極管Ld2、第一電容Cl、第二電容C2、第三電容C3和第四電容C4。
[0019]電源變壓器Bll通過熔斷器FlO連接外部電壓220V并將外部電壓變壓為低壓部分和高壓部分，橋式整流器Zl和第一電容Cl設(shè)于低壓部分，第一二極管Dl設(shè)于高壓部分。第一發(fā)光二極管Ldl和第二電阻R2串接后再與第二電容C2并接，第一電阻Rl設(shè)于第二電阻R2和第二電容C2之間，第一發(fā)光二極管Ldl、第二電阻R2、第二電容C2和第一電阻Rl設(shè)于光電耦合器Ql和外部觸發(fā)信號(hào)之間。
[0020]光電耦合器Ql通過第五電阻R5接入低壓部分，第五電阻R5、第四電容C4分別通過穩(wěn)壓二極管DZl接地，光電耦合器Ql通過第二二極管D2和第四電阻R4連接可控硅SCRl。
[0021]第二發(fā)光二極管Ld2與第三電阻R3串聯(lián)后分別與第六電阻R6、第七電阻R7并聯(lián)后設(shè)于可控硅SCRl與高壓部分之間，第三電容C3和第八電阻R8并聯(lián)后設(shè)于高壓部分與觸發(fā)變壓器B22之間，其中第三電阻R3的阻值為200K/2W。
[0022]在本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例中，第一電容Cl為電解電容，低壓部分為12V，高壓部分為420V，觸發(fā)變壓器B22輸出觸發(fā)高壓，光電耦合器Ql隔離觸發(fā)信號(hào)和后級(jí)高壓部分，觸發(fā)脈沖信號(hào)通過光電耦合器Ql控制可控硅SCRl導(dǎo)通，產(chǎn)生觸發(fā)高壓。整個(gè)電路安裝在一塊PCB板上。
[0023]從上述實(shí)施例可以看出，本實(shí)用新型的優(yōu)勢(shì)在于:
[0024]采用可控硅控制觸發(fā)變壓器，產(chǎn)生觸發(fā)高壓，觸發(fā)脈沖穩(wěn)定可靠，不漏發(fā)，不連發(fā)，電路簡(jiǎn)潔，觸發(fā)穩(wěn)定，用于體外沖擊波碎石機(jī)。
[0025]以上對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施例進(jìn)行了詳細(xì)描述，但本實(shí)用新型并不限制于以上描述的具體實(shí)施例，其只是作為范例。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，任何等同修改和替代也都在本實(shí)用新型的范疇之中。因此，在不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍下所作出的均等變換和修改，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種沖擊波觸發(fā)電路，其特征在于，包括觸發(fā)變壓器(B22)、電源變壓器(Bll)、橋式整流器(Zl)、可控硅(SCRl)、光電耦合器(Ql)、第一電阻(Rl)、第二電阻(R2)、第三電阻(尺3)、第四電阻(!?4)、第五電阻(1?5)、第六電阻(1?6)、第七電阻(1?7)、第八電阻(1?8)、第九電阻(R9)、熔斷器(F10)、穩(wěn)壓二極管(DZ1)、第一二極管(D1)、第二二極管(D2)、第一發(fā)光二極管(Ldl)、第二發(fā)光二極管(Ld2)、第一電容(Cl)、第二電容(C2)、第三電容(C3)和第四電容(C4); 所述電源變壓器(Bll)通過所述熔斷器(FlO)連接外部電壓并將外部電壓變壓為低壓部分和高壓部分，所述橋式整流器(Zl)和所述第一電容(Cl)設(shè)于所述低壓部分，所述第一二極管(Dl)設(shè)于所述高壓部分； 所述第一發(fā)光二極管(Ldl)和所述第二電阻(R2)串接后再與所述第二電容(C2)并接，所述第一電阻(Rl)設(shè)于所述第二電阻(R2)和所述第二電容(C2)之間，所述第一發(fā)光二極管(Ldl)、所述第二電阻(R2)、所述第二電容(C2)和所述第一電阻(Rl)設(shè)于所述光電耦合器(Ql)和外部觸發(fā)信號(hào)之間； 所述光電耦合器(Ql)通過所述第五電阻(R5)接入所述低壓部分，所述第五電阻(R5)、所述第四電容(C4)分別通過所述穩(wěn)壓二極管(DZl)接地，所述光電耦合器(Ql)通過所述第二二極管(D2)和所述第四電阻(R4)連接所述可控硅(SCRl); 所述第二發(fā)光二極管(Ld2)與所述第三電阻(R3)串聯(lián)后分別與所述第六電阻(R6)、所述第七電阻(R7)并聯(lián)后設(shè)于所述可控硅(SCRl)與所述高壓部分之間，所述第三電容(C3)和所述第八電阻(R8)并聯(lián)后設(shè)于所述高壓部分與所述觸發(fā)變壓器(B22)之間。2.如權(quán)利要求1所述沖擊波觸發(fā)電路，其特征在于，所述第一電容(Cl)為電解電容。3.如權(quán)利要求1所述沖擊波觸發(fā)電路，其特征在于，所述低壓部分為12V，所述高壓部分為420V。
【文檔編號(hào)】A61B17/225GK205597975SQ201620310876
【公開日】2016年9月28日
【申請(qǐng)日】2016年4月14日
【發(fā)明人】孔慶園
【申請(qǐng)人】上海卡姆南洋醫(yī)療器械股份有限公司