專利名稱：基底處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種基底處理裝置，尤其是一種用于液晶顯示裝置的傳送型的基底處理裝置。
背景技術(shù)：
液晶顯示裝置(‘LCD’)是通過在一個玻璃基底表面上進行重復(fù)的化學(xué)處理例如顯影、蝕刻、清潔等制成的。該制造裝置分為干型和濕型，而濕型裝置分為批量型和單一型。單一型裝置分為旋轉(zhuǎn)型和傳送型例如滾筒傳送。
在上述的處理裝置中，傳送型裝置在一個基本水平的方向上傳送基底并供給處理溶液，它對于蝕刻是高效和常用的。
在傳送型基底處理裝置中，把蝕刻溶液從許多在基底傳送線上排列成矩陣的噴嘴噴射到整個基底表面上，該基底是在蝕刻溶液的噴射過程中傳送的。接著，把基底表面除了其上施加了掩模材料以外的區(qū)域通過噴射處理選擇性的蝕刻。在蝕刻完成時，隨后進行噴射清潔處理。
總體上，當(dāng)噴射處理溶液或者在LCD的蝕刻和清潔處理中清洗基底時，在水平狀態(tài)上傳送基底。隨著基底的尺寸的變大，有時采用基底傾斜傳送以補償該大尺寸。
近來的趨勢是基底的尺寸快速增加，但是水平型或者傾斜型對于防止諸如均一性差，色斑，外部材料的粘附等方面的問題是不夠的。
換言之，在傳統(tǒng)的大尺寸基底的水平或者傾斜狀態(tài)下執(zhí)行蝕刻和/或清潔處理，即，濕處理時，需要提供大量的處理溶液或清潔溶液，但是，從上面噴射的處理溶液或清潔溶液并不能有效的到達基底的各個部分，由此引起不良的處理性能。
在基底的幾個部分產(chǎn)生的處理溶液渦流現(xiàn)象和流向一個特定方向能引起色斑。
在濕處理過程中，由其它處理產(chǎn)生的殘留物或者外來材料會再次剩余在基底上并被基底吸附。
當(dāng)在基底變大時，用來阻止處理溶液流向基底邊緣的流體傳送阻止裝置諸如氣刀等，并不是對基底的每個部分都有效的，并產(chǎn)生另一個問題，即需要大量的空氣或復(fù)雜的工具的問題。

發(fā)明內(nèi)容
提供一種在水平方向傳送基底并在該基底表面上供給處理溶液的基底處理裝置，它包括一保持位于其下的基底的基底支持部件，用于供給處理溶液的噴射部件，該噴射部件位于基底的下面并與基底間隔分開；以及用于在水平方向上傳送基底支持部件10的傳送部件。
噴射部件能在垂直方向噴射處理溶液。
基底支持部件使用靜電力、真空壓力、或箝位(clamping)支持基底。


通過參照附圖詳細(xì)描述實施例，本發(fā)明將變得更清楚，其中圖1是依據(jù)本發(fā)明第一實施例的基底處理裝置的側(cè)視圖；圖2是依據(jù)本發(fā)明第一實施例的基底處理裝置的布局圖；圖3是依據(jù)本發(fā)明第二實施例的基底處理裝置的側(cè)視圖；和圖4是依據(jù)本發(fā)明第三實施例的基底處理裝置的側(cè)視圖。
具體實施例方式
本發(fā)明的目的是提供一種基底處理裝置，它改善了因為大量的處理溶液或清潔溶液而造成的不良處理性能和均勻性。
以下將參照示出本發(fā)明優(yōu)選的實施例的附圖對本發(fā)明進行更全面的描述。但是，本發(fā)明也可以許多不同的形式體現(xiàn)，并不局限于這里提出的實施例。
在圖中，為了清楚將層和區(qū)域的厚度擴大了。相同標(biāo)記表示同一元件?？梢岳斫猓?dāng)把一元件例如層，區(qū)域或基底稱為“位于”另一個元件上時，它可以是直接位于另一個元件上或者也可以是插入元件。相反，當(dāng)稱一個元件“直接位于”另一個元件上時，則表示沒有插入元件。
現(xiàn)在將參考附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實施例進行描述。
參考圖1和2，依據(jù)本發(fā)明第一優(yōu)選實施例的基底處理裝置包括在其下面連接了基底1的基底支持部件10，在基底1下以特定的距離間隔設(shè)置的噴射部件30，和用于在水平方向傳送基底支持部件10的傳送部件20。
基底支持部件10通過箝位保持基底1在基底支持部件10下面。如圖1所示，基底支持部件10包括一用于支持基底1的支架11、和一排列在支架11底面下并連接在基底1的一側(cè)的用于固定基底1的箝位器(clamper)12。
如圖2所示，傳送基底支持部件10的傳送部件20包括一對導(dǎo)軌20和一對臂22。把每對臂22的末端連接在基底支持部件10的支架11的一側(cè)，并且把另一末端與導(dǎo)軌21連接。臂沿導(dǎo)軌21移動，由此移動與臂22連接的基底支持部件10。由此移動通過箝位器12與基底支持部件10的底面連接的基底1。
把噴射部件30以特定的距離間隔設(shè)置在基底1的下部。噴射部件30的許多噴嘴31向基底1噴射處理溶液。即，噴嘴31的噴射孔31a朝上并向放置在噴嘴21上方的基底1噴射處理溶液2。
依據(jù)本發(fā)明第一優(yōu)選實施例的基底處理裝置在水平方向傳送基底1，并向基底1的表面提供處理溶液2。
換言之，傳送與傳送部件20相連的基底支持部件10，且位于其下的噴射部件30噴射處理溶液2，以對基底1進行濕處理。
由于處理溶液2是向上噴射的，即使噴射大量的處理或清潔溶液，處理溶液或清潔溶液也不會殘留在基底1上。因此使用相對少量的處理或清潔溶液和較低的流體壓力就能進行濕處理，所以提高了蝕刻等的處理性能和清潔性能。
此外，由于在整個基底1上方進行均勻的濕處理，蝕刻或清潔的均勻性也得以提高。
由于處理溶液2的垂直噴射，沒有處理或清潔溶液存留在基底1上，可將基底1傳送到下一個下處理步驟而沒有任何的殘渣或在整個基底處理或清潔過程中產(chǎn)生的外部材料。因此，基底1的清潔度得以提高。
由于處理溶液2的垂直噴射，沒有處理或清潔溶液存留在基底1上，所以不需要用于阻止處理溶液流向基底邊緣的液體傳送阻止裝置例如氣刀等，或者可用簡單的裝置來代替。
圖3表示本發(fā)明第二實施例的基底處理裝置。上面附圖提到的相同標(biāo)記表示執(zhí)行相同功能的同一部件。
如圖3所示，依據(jù)本發(fā)明第二優(yōu)選實施例的基底處理裝置包括一在其下面連接了基底1的基底支持部件10，在基底1下以一個特定的距離間隔設(shè)置的噴射部件30，和用于在水平方向上傳送基底支持部件10的傳送部件20。
基底支持部件10通過真空壓力支持基底1。基底支持部件10包括一用于支持基底1的具有真空孔11a的支架11，和一與支架11相連的真空發(fā)生器13。把真空發(fā)生器13產(chǎn)生的真空壓力通過真空孔11a作用在基底1的一表面上，由此，通過真空壓力吸附基底1。
依據(jù)本發(fā)明第二優(yōu)選實施例的基底處理裝置，除支持基底的方法外與第一實施例具有基本相同的結(jié)構(gòu)和效果。即，依據(jù)本發(fā)明第二實施例的基底處理裝置，在水平方向上傳送基底1并向基底1的表面供給處理溶液2。傳送與傳送部件20相連且在其上用真空壓力連接了基底1的基底支持部件10，位于其下的噴射部件30噴射處理溶液2，以對基底1進行濕處理。
附圖4表示本發(fā)明第三實施例的一基底處理裝置。上面附圖中提到的相同的附圖標(biāo)記表示執(zhí)行同樣功能的相同部件。
如圖4所示，本發(fā)明第三實施例的基底處理裝置包括一在其下面連接了基底1的基底支持部件10，在基底1下以一特定的距離間隔設(shè)置的噴射部件30，和一用于在水平方向上傳送基底支持部件10的傳送部件20。
基底支持部件10采用靜電力支持基底1。基底支持部件10包括一用于支持基底1的支架11和一與支架11相連的靜電力發(fā)生器14。由于靜電力發(fā)生器14產(chǎn)生的靜電力，把基底1(玻璃基底)連接在支架11上。由于基底的表面區(qū)域較大且基底是玻璃基底，其中靜電力能夠容易產(chǎn)生，基底可通過靜電力很好地連接在支架11上。
依據(jù)本發(fā)明第三優(yōu)選實施例的基底處理裝置，除支持基底的方法外與第一實施例具有基本相同結(jié)構(gòu)和效果。即，依據(jù)本發(fā)明第三實施例的基底處理裝置，在水平方向上傳送基底1并向基底1的表面供給處理溶液2。傳送與傳送部件20相連且在其上用靜電力連接了基底1的基底支持部件10，位于其下的噴射部件30噴射處理溶液2，以對基底1進行濕處理。
另一方面，依據(jù)本發(fā)明的第一至第三實施例，在濕處理或在濕預(yù)處理(UV，AP等離子體，空氣清潔，等)之前或之后，可適用干處理。即，把基底1顛倒懸掛傳送，能夠避免在傳統(tǒng)處理中產(chǎn)生的粒子的吸附和下落到基底1。
此外，依據(jù)本發(fā)明第一至第三優(yōu)選實施例的基底處理裝置可適用干蝕刻處理，用于阻上在干蝕刻處理中產(chǎn)生的和從基底1的表面上吸附的落下的粒子。
依據(jù)本發(fā)明，由于處理溶液的噴射方向是垂直的，即使噴射大量的處理溶液或清潔溶液，處理溶液或清潔溶液也不能存留在基底上，因此，使用相對少量的處理或清潔溶液和較低的流體壓力就可以執(zhí)行濕處理。
此外，由于在整個基底上作用均衡的濕處理，蝕刻或清潔的均勻性得以提高。
由于處理溶液垂直向上的噴射，沒有處理或清潔溶液存留在基底上，因此可將基底傳送到下一個處理步驟，而沒有在整個基底處理或清潔過程中產(chǎn)生的任何殘渣或外部材料。因此，基底的清潔度得以提高。
由于處理溶液的垂直噴射，沒有處理或清潔溶液存留在基底上，所以不需要用于阻止處理溶液流向基底邊緣的液體傳送阻止裝置例如氣刀等，或者可用簡單的裝置來代替。
盡管在前面已經(jīng)對本發(fā)明的優(yōu)選實施例作了詳細(xì)的描述，應(yīng)該清楚的理解，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員基于此發(fā)明概念的許多變化和/或改進，仍將落入如附加權(quán)利要求所定義的本發(fā)明的實質(zhì)和范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種用于在水平方向傳送基底并向基底表面供給處理溶液的基底處理裝置，包括一保持位于其下的基底的基底支持部件；一用于供給處理溶液的噴射部件，噴射部件設(shè)置在基底下并與基底間隔開；和一用于在水平方向上傳送基底支持部件的傳送部件。
2.如權(quán)利要求1所述的基底處理裝置，其中噴射部件在垂直方向上噴射處理溶液。
3.如權(quán)利要求1所述的基底處理裝置，其中基底支持部件采用靜電力支持基底。
4.如權(quán)利要求1所述的基底處理裝置，其中基底支持部件采用真空壓力支持基底。
5.如權(quán)利要求1所述的基底處理裝置，其中基底支持部件采用箝位支持基底。
全文摘要
提供一種在水平方向傳送基底并在該基底表面上供給處理溶液的基底處理裝置，它包括保持位于其下的基底的基底支持部件；用于供給處理溶液的噴射部件，該噴射部件位于基底的下面并與基底間隔分開；以及用于在水平方向上傳送基底支持部件的傳送部件。
文檔編號B08B3/02GK1573434SQ20041007140
公開日2005年2月2日 申請日期2004年6月19日 優(yōu)先權(quán)日2003年6月19日
發(fā)明者姜鎬民, 金珍洙 申請人:三星電子株式會社