專利名稱：對(duì)掩模除垢的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種對(duì)掩模除垢的方法，更具體地講，涉及一種快速并有效地去除附于掩模的材料的對(duì)掩模除垢的方法。
背景技術(shù)：
作為發(fā)射型顯示裝置的電致發(fā)光顯示裝置由于其視角廣、對(duì)比度高和響應(yīng)速度快而期望成為下一代顯示裝置。
電致發(fā)光顯示裝置根據(jù)其中含有的形成發(fā)射層(EML)的材料，分為有機(jī)發(fā)光顯示裝置和無(wú)機(jī)發(fā)光顯示裝置。具體地講，與無(wú)機(jī)發(fā)光顯示裝置相比，有機(jī)發(fā)光顯示裝置更亮并具有更高的驅(qū)動(dòng)電壓和更快的響應(yīng)速度，并且可顯示彩色圖像。
有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)是一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，它包括位于彼此面對(duì)的電極間的中間層。該中間層由多層如空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、EML、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)等組成。該有機(jī)發(fā)光裝置的這些層是有機(jī)薄膜。
當(dāng)制造OLED時(shí)，在沉積設(shè)備中可利用沉積法將有機(jī)薄膜如HIL、HTL、EML、ETL、EIL等形成在基板上。
利用沉積法，通過(guò)加熱裝有將被沉積的材料的熔罐，使將被沉積的材料蒸發(fā)或升華，薄膜形成在真空室中的基板上。
形成OLED的薄膜的有機(jī)材料在從大約250℃到大約450℃的溫度范圍內(nèi)和從大約10-6到大約10-7托的真空度內(nèi)蒸發(fā)或升華。
電致發(fā)光顯示裝置包括彼此面對(duì)的電極。具體地講，有源驅(qū)動(dòng)型電致發(fā)光顯示裝置包括具有金屬制成的電極的薄膜晶體管，從而可利用沉積法來(lái)形成這種電極。
電極材料通常在高于有機(jī)材料的蒸發(fā)溫度的溫度下蒸發(fā)。這種蒸發(fā)溫度根據(jù)電極材料的類型而變化。通常使用的材料如鎂(Mg)和銀(Ag)分別在高于大約500℃到大約600℃和大約1000℃的溫度下蒸發(fā)。鋰(Li)和用作電極材料的鋁(Al)分別在大約1000℃和大約300℃的溫度下蒸發(fā)。
利用沉積法使用掩模來(lái)形成有機(jī)膜或金屬膜，從而有機(jī)膜或金屬膜可具有特定的圖案。更具體地講，形成具有采用預(yù)定圖案的切口的掩模，通過(guò)該切口將有機(jī)膜或金屬膜沉積成期望的圖案。
完成沉積后去除掩模，在沉積過(guò)程中有機(jī)膜或金屬膜必然附于掩模上。為了循環(huán)使用被去除的掩模，這種附于掩模的材料需要去除。
通常，有機(jī)溶劑被用于去除沉積后附于掩模的材料。即，通過(guò)將該掩模浸泡在有機(jī)溶劑如丙酮中來(lái)去除附于掩模的材料。然而，為了將附于掩模的材料去除，必須將該掩模在有機(jī)溶劑中浸泡至少48個(gè)小時(shí)。因此，大規(guī)模的輪流生產(chǎn)需要大量的掩模，致使生產(chǎn)成本增加。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種快速并有效地去除附于掩模的材料的對(duì)掩模除垢的方法。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種對(duì)掩模除垢的方法，該方法包括將激光束直射到附于掩模的材料上；去除附于掩模的材料。
附于掩模的材料的去除步驟可包括將掩模浸泡在去離子水中；將掩模浸泡在有機(jī)溶劑中。
掩模在去離子水中的浸泡步驟可包括掩模浸泡在去離子水中的同時(shí)將超聲波引入到去離子水中。
掩模浸泡在去離子水中的同時(shí)將超聲波引入到去離子水中可被執(zhí)行以在去離子水的表面上形成焦點(diǎn)。
掩模在去離子水中的浸泡步驟可包括掩模浸泡在去離子水中的同時(shí)將超聲波引入到去離子水中至少兩次。
掩模在有機(jī)溶劑中的浸泡可被執(zhí)行以去除附于掩模的材料。
附于掩模的材料的去除可包括將掩模浸泡在有機(jī)溶劑中至少一分鐘。
該方法可還包括將掩模干燥。


通過(guò)參照附圖來(lái)詳細(xì)地描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，本發(fā)明的以上和其他特征和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更加清楚，其中圖1是示意性地示出根據(jù)實(shí)施例地對(duì)掩模除垢的方法的流程圖；圖2是示意性地示出根據(jù)另一實(shí)施例的對(duì)掩模除垢的方法的流程圖；圖3是示意性地示出根據(jù)又一實(shí)施例的對(duì)掩模除垢的方法的流程圖；圖4是一系列根據(jù)在圖1、圖2和圖3中示出的對(duì)掩模除垢的方法除垢的掩模的照片；圖5是示出根據(jù)圖1、圖2和圖3中示出的對(duì)掩模除垢的方法的未除垢的掩模的總間距數(shù)據(jù)的曲線圖；圖6和圖7是示出根據(jù)圖1、圖2和圖3中示出的對(duì)掩模除垢的方法的已除垢的掩模的總間距數(shù)據(jù)的曲線圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將參照附圖來(lái)更充分地描述本發(fā)明的實(shí)施例，示例性的實(shí)施例顯示在附圖中。
圖1是示意性地示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的對(duì)掩模除垢的方法的流程圖。
參照?qǐng)D1，該方法包括將激光束直射在附于掩模的材料上，并將該附于掩模的材料去除。
通常，使用有機(jī)溶劑來(lái)去除沉積后附于掩模的材料。即，通過(guò)將掩模浸泡在有機(jī)溶劑如丙酮中來(lái)去除附于掩模的材料。然而，為了去除附于掩模的材料，必須將該掩模在有機(jī)溶劑中浸泡至少48個(gè)小時(shí)，這樣由于時(shí)間約束導(dǎo)致大規(guī)模生產(chǎn)的問(wèn)題。
為了解決這個(gè)問(wèn)題，可使用根據(jù)當(dāng)前實(shí)施例的對(duì)掩模除垢的方法。在這個(gè)實(shí)施例中，激光束被直射在附于掩模的材料上。例如，使用的激光器的類型可為Nd:Yag激光器。示例性的激光器技術(shù)條件包括大約60Hz的脈沖頻率以及大約600mJ至大約900mJ的脈沖強(qiáng)度。在一些實(shí)施例中，激光脈沖以這樣的方式被直射，即，對(duì)于連續(xù)的激光脈沖存在大約脈沖寬度的一半的交迭。當(dāng)激光束被直射到附于掩模的材料上時(shí)，由激光束產(chǎn)生的等離子體擴(kuò)展，從而產(chǎn)生在很多方向傳播的沖擊波。這種沖擊波使得附于掩模的材料的強(qiáng)度以及該材料和該掩模之間的結(jié)合強(qiáng)度變?nèi)酢＝Y(jié)果，使用有機(jī)溶劑可更快地去除附于掩模的材料，從而減少去除該材料所需的時(shí)間。
當(dāng)掩模浸泡在有機(jī)溶劑中而沒(méi)有對(duì)附于掩模的材料進(jìn)行任何處理時(shí)，為了將該材料從掩模上去除，需要花費(fèi)48個(gè)小時(shí)或者更多的時(shí)間。然而，利用根據(jù)本實(shí)施例的對(duì)掩模除垢的方法，當(dāng)激光束被直射到附于掩模的材料上并且使該材料的強(qiáng)度減弱后，將掩模浸泡在有機(jī)溶劑中時(shí)，僅大約5分鐘后去除該材料。例如，有機(jī)溶劑可為丙酮或者正甲基吡咯烷酮，其可同樣地應(yīng)用于下面的實(shí)施例。
當(dāng)通過(guò)將激光束直射到附于掩模的材料上并使該材料弱化來(lái)去除該材料時(shí)，傳統(tǒng)的設(shè)備可像原來(lái)一樣使用。因此，不需要另外的設(shè)備投資。
在另一實(shí)施例中，可通過(guò)將激光束直射到附于掩模的材料上而無(wú)需有機(jī)溶劑來(lái)去除該材料。然而，在這種情況下，由直射的激光束產(chǎn)生的熱有時(shí)會(huì)使掩模變形，導(dǎo)致掩模中的切口變形。這種切口的變形使得掩模難以循環(huán)使用。因此，最好通過(guò)激光束直射到掩模后將該掩模浸泡在有機(jī)溶劑中來(lái)去除附于該掩模的材料，使得掩模不會(huì)變形并且只有附著的材料的強(qiáng)度被減弱。
其后，對(duì)掩模除垢的方法還包括利用氣刀來(lái)干燥基板。
通過(guò)將激光束直射到附著的材料上并使該材料的強(qiáng)度以及該材料和掩模之間的結(jié)合強(qiáng)度變?nèi)酰瑏?lái)去除附于掩模的材料，例如利用現(xiàn)有工藝，使得制造費(fèi)用的增加可最少，并且去除該材料所需的時(shí)間可從大于48小時(shí)或更多顯著地減少到大約5分鐘。
圖2是示意性地示出根據(jù)另一實(shí)施例的對(duì)掩模除垢的方法的流程圖，圖3是示意性地示出根據(jù)又一實(shí)施例的對(duì)掩模除垢的方法的流程圖。
參照?qǐng)D2和圖3，對(duì)掩模除垢的方法包括將激光束直射到附于掩模的材料上；將該掩模浸泡在去離子水中；將該掩模浸泡在有機(jī)溶劑中。掩模在去離子水中的浸泡可包括掩模浸泡在去離子水中的同時(shí)將超聲波引入到該去離子水中。
根據(jù)本實(shí)施例的對(duì)掩模除垢的方法還包括將激光束直射到附于掩模的材料上。在這種情況下，由激光束產(chǎn)生的等離子體擴(kuò)展，從而產(chǎn)生在很多方向傳播的沖擊波。這種沖擊波使得附于掩模的材料的強(qiáng)度變?nèi)?。其后，該掩?？山菰谌ルx子水中，如果需要，該掩模浸泡在去離子水中的同時(shí)可將超聲波引入到該去離子水中。超聲波可被調(diào)整以在去離子水的表面上形成焦點(diǎn)。
當(dāng)超聲波被調(diào)整以在去離子水的表面上形成焦點(diǎn)時(shí)，由引入的超聲波在去離子水中產(chǎn)生沖擊波，產(chǎn)生的沖擊波作用于附于掩模的材料，這樣使得該材料的強(qiáng)度變?nèi)跻约霸摬牧虾脱谀Ｖg的結(jié)合強(qiáng)度變?nèi)?。因此，利用有機(jī)溶劑可更有效地去除該材料。
當(dāng)掩模浸泡在去離子水中時(shí)，對(duì)超聲波到去離子水中的引入可執(zhí)行一次、兩次、三次、四次、五次、六次、七次、八次、九次、十次或更多，或根本不執(zhí)行。
通過(guò)將激光束直射到附于掩模的材料上，從而使該材料的強(qiáng)度變?nèi)?，將該掩模浸泡在去離子水中，并且將超聲波引入到該去離子水中以在該去離子水的表面上形成焦點(diǎn)，來(lái)去除該材料，從而將制造費(fèi)用最小化并且將去除該材料所需的時(shí)間從大約48個(gè)小時(shí)或更多顯著地減少到大約5分鐘。
圖4是一系列根據(jù)在圖1、圖2和圖3中示出的對(duì)掩模除垢的方法的已除垢的掩模的照片。對(duì)于已除垢的掩模，制造了五十四個(gè)掩模單元來(lái)確認(rèn)利用激光束的掩模除垢時(shí)間的減少。
圖4示出了保持掩模中切口形狀的同時(shí)明顯地去除了附于掩模的材料。
圖5是示出根據(jù)圖1、圖2和圖3中示出的對(duì)掩模除垢的方法的未除垢的掩模的總間距數(shù)據(jù)的曲線圖。圖6和圖7是示出根據(jù)圖1、圖2和圖3中示出的對(duì)掩模除垢的方法的已除垢的掩模的總間距數(shù)據(jù)的曲線圖。
附于掩模的材料可通過(guò)將激光束直射到該材料上來(lái)去除。然而，當(dāng)這樣做時(shí)，由直射的激光束產(chǎn)生的熱使得掩模變形，這樣導(dǎo)致掩模中的切口變形。這種切口的變形使得該掩模難以被循環(huán)利用。因此，通過(guò)在將激光束直射到掩模后將該掩模浸泡在有機(jī)溶劑中會(huì)更容易地去除附于掩模的材料，從而該掩模不會(huì)變形并且只有附著的材料的強(qiáng)度變?nèi)酢?br> 參照?qǐng)D5，圖5是示出表示根據(jù)圖1、圖2和圖3中示出的對(duì)掩模除垢的方法的未除垢的掩模的變形程度的總間距數(shù)據(jù)的曲線圖，總間距的誤差率是3.98。圖6和圖7是示出根據(jù)圖1、圖2和圖3中示出的對(duì)掩模除垢的方法的已除垢的掩模的兩次測(cè)量的總間距數(shù)據(jù)的曲線圖。
關(guān)于掩模的除垢條件，激光束直射到附于掩模的材料上，該掩模在去離子水中浸泡5分鐘，100kHz的超聲波被引入到去離子水中1分鐘，然后該掩模在丙酮中浸泡1分鐘以去除附于掩模的材料。
根據(jù)除垢條件已除垢的掩模的兩次測(cè)量的總間距的誤差率分別為4.12μm和3.84μm。因此，未除垢的掩模和已除垢的掩模的總間距的誤差率之間存在很小的差異，因而根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的對(duì)掩模除垢的方法將對(duì)掩模除垢的時(shí)間從大約48個(gè)小時(shí)顯著地減少到大約5分鐘。
本發(fā)明實(shí)施例的對(duì)掩模除垢的方法具有如下的效果首先，通過(guò)利用激光束使附于掩模的材料弱化并將該掩模浸泡在有機(jī)溶劑中來(lái)去除該材料，從而將去除該材料的時(shí)間從大約48小時(shí)顯著地減少到大約5分鐘。
其次，通過(guò)將激光束直射到附于掩模的材料，使該材料弱化，將該掩模浸泡在去離子水中，然后將超聲波引入到去離子水中以在去離子水的表面上形成焦點(diǎn)來(lái)去除該材料，從而將制造費(fèi)用最小化并且將去除該材料所需的時(shí)間從大約48個(gè)小時(shí)或更多顯著地減少到大約5分鐘。
盡管已經(jīng)參照本發(fā)明的示例性實(shí)施例具體地示出和描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解，在不脫離由權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可對(duì)形式和細(xì)節(jié)作出各種改變。
權(quán)利要求
1.一種對(duì)掩模除垢的方法，所述方法包括將激光束直射到附于所述掩模的材料上；去除附于所述掩模的所述材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，附于所述掩模的所述材料的所述去除步驟包括將所述掩模浸泡在去離子水中；將所述掩模浸泡在有機(jī)溶劑中。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述掩模在所述去離子水中的所述浸泡步驟包括所述掩模浸泡在所述去離子水中的同時(shí)將超聲波引入到所述去離子水中。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述掩模浸泡在所述去離子水中的同時(shí)將所述超聲波引入到所述去離子水中在所述去離子水的表面上形成焦點(diǎn)。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述掩模在所述去離子水中的所述浸泡步驟包括所述掩模浸泡在所述去離子水中的同時(shí)將超聲波引入到所述去離子水中至少兩次。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述掩模在所述有機(jī)溶劑中的所述浸泡去除了附于所述掩模的所述材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，附于所述掩模的所述材料的所述去除步驟包括將所述掩模浸泡在所述有機(jī)溶劑中至少大約1分鐘。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括將所述掩模干燥。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種快速并有效地去除附于掩模的材料的對(duì)掩模除垢的方法。該方法包括將激光束直射到附于掩模的材料上；去除附于掩模的材料。
文檔編號(hào)B08B3/10GK1776524SQ20051012331
公開日2006年5月24日 申請(qǐng)日期2005年11月17日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月18日
發(fā)明者金義圭, 金泰亨 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社