專利名稱：含有聚合物腐蝕抑制劑的非水的、無腐蝕性的微電子清潔組合物的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及用于清潔微電子襯底的方法和非水、基本上無腐蝕性的清潔組合物，具體地，本發(fā)明涉及對以銅金屬化(copper metalization)為特征的微電子襯底以及以鋁金屬化為特征的襯底有用且具有改善相容性的清潔組合物。本發(fā)明也涉及該清潔組合物用于剝離光致抗蝕劑，及清除來自蝕刻和等離子體處理過程所產生的有機化合物、有機金屬化合物和無機化合物的殘余物的用途。
背景技術：
在微電子領域中，已經(jīng)建議使用許多光致抗蝕劑剝離劑和殘余物去除劑作為生產生產線下游或后端的清潔劑。在制造過程中光致抗蝕劑薄膜沉積在晶片襯底上，然后在薄膜上成像電路圖案。烘焙后，未聚合的抗蝕劑用光致抗蝕劑展開劑除去。然后通過反應性等離子體蝕刻氣體或化學蝕刻劑溶液將所得到的圖像轉印至底層材料，該材料通常是電介質或金屬。蝕刻氣體或化學蝕刻劑溶液選擇地蝕刻襯底上未被光致抗蝕劑保護的區(qū)域。
另外，在蝕刻步驟終止后，抗蝕劑掩膜必須從晶片的保護區(qū)除去，從而可以進行最終的拋光操作。這可以在等離子體灰化步驟中通過采用合適的等離子體灰化氣體或濕法化學剝離劑完成。尋找用于除去這種抗蝕劑掩膜材料而對金屬電路沒有諸如腐蝕、溶解或鈍化等負面影響的合適清潔組合物，已證實是有問題的。
隨著微電子制造集成水平提高，和圖案化的微電子器件尺寸向原子尺寸減小，當電流流過電路時產生的熱已變成了嚴重的問題。在本領域中利用銅金屬化作為導體材料代替鋁，已經(jīng)變得愈加平常，因為銅更有利于減少熱產生。這些含銅的微電子材料已經(jīng)帶來了尋找可接受的清潔劑組合物的額外挑戰(zhàn)。利用銅金屬化的結構，不能使用以前開發(fā)出來的用于“傳統(tǒng)的”或“常規(guī)的”包含Al/SiO2或Al(Cu)/SiO2結構的半導體器件的許多加工工藝組合物。例如，羥胺類剝離劑或殘余物去除劑組合物成功地用于清潔具有Al金屬化的器件，但實際上不適于清潔具有銅金屬化的器件。同樣地，用于清潔具有銅金屬化的器件的許多剝離劑或殘余物去除劑組合物，也不適于Al金屬化的器件，除非對組合物進行重大的調整。
在對該銅和鋁金屬化的微電子結構，特別是對具有銅金屬化的襯底的微電子結構等進行等離子體蝕刻和/或灰化過程之后，這些蝕刻和/或灰化殘余物的去除證明是有問題的。無法完全除去或中和這些殘余物，可能導致水分的吸收和不希望的物質的形成，這能夠引起對金屬結構的腐蝕。不希望的物質腐蝕電路材料，并在電路線路中產生不連續(xù)和不希望地增加電阻。
至今，光致抗蝕劑剝離劑經(jīng)常含有胺，因為它們一般在腐蝕硬化的光致抗蝕劑方面和在從微電子襯底表面上剝去這種硬化的光致抗蝕劑的能力上，表現(xiàn)出較好的清潔性能。然而，胺一般也嚴重地腐蝕銅，并且如果利用未改良的這種常規(guī)光致抗蝕劑剝離劑，可以產生嚴重的金屬腐蝕。因此，非常希望提供一種用于微電子工業(yè)中與銅相容的光致抗蝕劑剝離劑或清潔劑，特別是用于銅金屬化的材料。也非常希望提供一種用于微電子工業(yè)中與銅相容的光致抗蝕劑剝離劑或清潔劑，特別是用于銅金屬化的材料，其也與鋁金屬化的材料相容。因為在平板顯示器的發(fā)展中觀察到由鋁向銅金屬化的技術上的相同轉換，所以也希望提供一種可以在制備這種平板顯示器中使用的剝離劑/清潔劑。
發(fā)明概述本發(fā)明的后端光致抗蝕劑剝離劑和清潔組合物是由非水、無腐蝕性的清潔組合物提供的，其基本上對銅以及鋁無腐蝕性，并且包含至少一種極性有機溶劑、至少一種羥基化的有機胺、和至少一種腐蝕抑制劑，該腐蝕抑制劑為具有在聚合物主鏈上的多個氨基或羥基官能團側基的聚合物。本發(fā)明的組合物還可以包含許多其它任選組分。本發(fā)明的清潔組合物可以用在各種范圍的pH和溫度的加工/操作條件下，并可以用于有效地除去光致抗蝕劑、后期等離子體蝕刻/灰化殘余物，犧牲性光吸收材料和抗反射涂層(ARC)。另外，發(fā)現(xiàn)本發(fā)明的清潔組合物可以容易清潔非常難于清潔的試樣，如包含鈦(如鈦、氧化鈦和氮化鈦)或鉭(如鉭、氧化鉭和氮化鉭)的高度交聯(lián)的或硬化的光致抗蝕劑和結構。
本發(fā)明的非水的、基本上無腐蝕性的微電子剝離劑/清潔劑組合物，一般包含約80％或更多的有機極性溶劑組分，約1％～約15％的有機羥基化胺，和抑制腐蝕量的腐蝕抑制劑聚合物組分，一般為約0.1％～約10％的具有多個羥基官能團的腐蝕抑制劑聚合物組分。在本說明書中提供的wt百分比是基于清潔組合物的總重。
本發(fā)明的非水的、基本上無腐蝕性的剝離/清潔組合物還可以任選地包含其它相容的組分，包括但并不限定于組分如螯合劑、含羥基的有機助溶劑、穩(wěn)定劑和金屬螯合劑或絡合劑、其它金屬腐蝕抑制劑、和表面活性劑。
發(fā)明詳述和優(yōu)選實施方式本發(fā)明的后端光致抗蝕劑剝離劑和清潔組合物是由非水組合物提供的，該清潔組合物對銅以及鋁基本上無腐蝕性，并且包含一種或多種極性有機溶劑、一種或多種有機羥基化胺、和一種或多種具有在聚合物主鏈上的多個羥基或氨基側基的腐蝕抑制劑聚合物。“非水”是指組合物基本上不含水且一般將僅含有作為其它組分中的雜質而存在的水，然后一般不超過組合物重量的約3％，且優(yōu)選更少。
本發(fā)明的清潔組合物可以用在各種范圍的pH和溫度的加工/操作條件下，并可以用于有效地除去光致抗蝕劑、后期等離子體蝕刻/灰化殘余物，犧牲性光吸收材料和抗反射涂層(ARC)。另外，發(fā)現(xiàn)本發(fā)明的清潔組合物可以容易清潔非常難于清潔的試樣，如包含鈦(如鈦、氧化鈦和氮化鈦)或鉭(如鉭、氧化鉭和氮化鉭)的高度交聯(lián)的或硬化的光致抗蝕劑和結構。
本發(fā)明的非水的、基本上無腐蝕性的微電子剝離劑/清潔劑組合物，一般包含約80％或更多、優(yōu)選地約85％或更多、且最優(yōu)選地90％或更多的有機極性溶劑組分；約1％～約15％、優(yōu)選地約2％～約10％、且更優(yōu)選地約2％～約5％的有機羥基化胺；和抑制腐蝕量的腐蝕抑制劑聚合物組分，一般為約0.1％～約10％、優(yōu)選為約0.3％～約5％、且更優(yōu)選為約0.3％～約3％。在本說明書中提供的wt百分比是基于清潔組合物的總重。
本發(fā)明的組合物可以包含一種或多種任何適宜的有機極性溶劑，優(yōu)選包括酰胺、砜、亞砜、飽和醇等的有機極性溶劑。該有機極性溶劑包括但并不限于，有機極性溶劑如環(huán)丁砜(四氫噻吩-1，1-二氧化物)，3-甲基環(huán)丁砜，正丙砜，二甲亞砜(DMSO)，甲砜，正丁砜，3-甲基環(huán)丁砜，酰胺如1-(2-羥乙基)-2-吡咯烷酮(HEP)、二甲基哌啶酮(DMPD)、N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)、二甲基乙酰胺(DMAc)和二甲基甲酰胺(DMF)及其混合物。特別優(yōu)選的有機極性溶劑為N-甲基吡咯烷酮、環(huán)丁砜、DMSO和這三種溶劑的兩種或多種的混合物。
有機羥基化胺組分可以是一種或多種任何適宜的羥基化胺，優(yōu)選羥胺或鏈烷醇胺，優(yōu)選為鏈烷醇胺。用于本發(fā)明組合物中的適宜的有機羥基化胺包括但并不限于羥胺，單乙醇胺，二乙醇胺，三乙醇胺，且具體為2-氨基乙醇，1-氨基-2-丙醇，1-氨基-3-丙醇，2-(2-氨基乙氧基)乙醇，二乙醇胺、2-(2-氨基乙基氨基)乙醇，2-(2-氨基乙基氨基)乙胺等，及其混合物。最優(yōu)選地，有機羥基化胺組分為單乙醇胺，二乙醇胺，三乙醇胺，2-(2-氨基乙基氨基)乙醇，和1-氨基-2-丙醇及其混合物。
本發(fā)明清潔組合物中的抑制腐蝕化合物為具有在聚合物主鏈上的多個羥基或氨基側基的聚合物。適宜的腐蝕抑制劑聚合物的實例包括但并不限于，聚乙烯亞胺聚合物和共聚物，聚乙烯醇聚合物和共聚物，聚苯乙烯聚合物和共聚物，聚(羥基烷基丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯)聚合物和共聚物等。聚合物優(yōu)選為聚乙烯亞胺聚合物、聚乙烯醇聚合物、和聚乙烯醇-乙烯共聚物。
本發(fā)明的組合物還可以任選地含有一種或多種任何適宜的含羥基或含多羥基的有機脂肪族化合物作為助溶劑。任何適宜的含羥基的有機助溶劑可以用在本發(fā)明的組合物中。該適宜的含羥基的助溶劑的實例包括但并不限于，適宜的腐蝕抑制劑的實例包括但并不限于阿糖醇、赤藻糖醇、木糖醇、甘露糖醇、山梨糖醇、乙二醇、甘油、1，4-丁二醇、1，2-環(huán)戊二醇、1，2-環(huán)己二醇和甲基戊二醇，果糖，二甘醇的單和二烷基醚，稱為卡必醇(2-(2-乙氧基乙氧基)乙醇)和卡必醇衍生物，和飽和醇如乙醇、丙醇、丁醇、己醇、和六氟異丙醇，及其混合物。特別優(yōu)選的助溶劑為2-(2-乙氧基乙氧基)乙醇(卡必醇)。以組合物的總重量計，助溶劑在本發(fā)明組合物中的存在量為0～約10wt％、優(yōu)選為約0.1～約10wt％、最優(yōu)選為約0.5～約5wt％。
本發(fā)明的組合物還可以包含一種或多種任何適宜的其它腐蝕抑制劑，優(yōu)選包含兩個或多個直接鍵合于芳環(huán)的OH、OR6、和/或SO2R6R7基團的芳基化合物，式中R6、R7和R8各自分別為烷基、優(yōu)選1～6個碳原子的烷基，或芳基、優(yōu)選6～14個碳原子的芳基。作為該優(yōu)選的腐蝕抑制劑的實例，可以提到兒茶酚、連苯三酚、沒食子酸、間苯二酚等。該其它腐蝕抑制劑的存在量可以為0～約10wt％、優(yōu)選為約0.1～約10wt％、最優(yōu)選為約0.5～約5wt％，以該組合物的重量為準計。
有機或無機螯合劑或金屬絡合劑不是必需的，但是其提供實質的效果，例如，改進的產品穩(wěn)定性。一種或多種該無機螯合劑或金屬絡合劑可以用在本發(fā)明的組合物中。適宜的螯合劑或絡合劑的實例包括但并非限定于反式-1，2-環(huán)己二胺四乙酸(CyDTA)、乙二胺四乙酸(EDTA)、錫酸鹽、焦磷酸鹽、亞烷基-二膦酸衍生物(例如乙烷-1-羥基-1，1-二膦酸鹽(ethane-1-hydroxy-1，1-diphosphonate))，包含乙二胺、二亞乙基三胺或三亞乙基四胺官能部分的膦酸酯[例如乙二胺四(亞甲基膦酸)(EDTMP)、二亞乙基三胺五(亞甲基膦酸)和三亞乙基四胺六(亞甲基膦酸)]，及其混合物。螯合劑在組合物中的存在量為0～約5wt％、優(yōu)選為約0.1～約2wt％，以組合物的重量為準計。各種膦酸鹽如乙二胺四(亞甲基膦酸)(EDTMP)的金屬螯合劑或絡合劑對本發(fā)明包含氧化劑的清潔組合物提供了在酸性和堿性條件下更加改善的清潔組合物穩(wěn)定性，因而一般是優(yōu)選的。
任選的其它不同的金屬腐蝕抑制劑，如苯并三唑，可以使用的量為0約5wt％、優(yōu)選為約0.1～約2wt％，以組合物的重量為準計。
清潔組合物任選地還可以包含一種或多種適宜的表面活性劑，例如二甲基己炔醇(Surfynol-61)，乙氧基化四甲基癸炔二醇(Surfynol-465)，聚四氟乙烯十六烷基丙基甜菜堿(Zonyl FSK)，Zonyl FSH等。表面活性劑一般存在的量為0～約5wt％，優(yōu)選為0.1～約3wt％，以組合物的重量為準計。
本發(fā)明的清潔組合物的實例包括但并不限于，下面表1中給出的組合物，并且在表2中給出了不具有聚合物腐蝕抑制劑的對比組合物。在表1和2中，使用的縮寫如下NMP＝N-甲基吡咯烷酮SFL＝環(huán)丁砜DMSO＝二甲亞砜AMP＝1-氨基-2-丙醇DEA＝二乙醇胺PEI＝聚乙烯亞胺，無水，高分子量-Aldrich 2003-2004目錄#40，872-7PVA-E＝聚(乙烯醇-共聚-乙烯)，乙烯含量445-Aldrich 2003-2004目錄#41，407-7表1組合物/重量份
表2組合物/重量份
利用本發(fā)明的含有抑制腐蝕聚合物的清潔組合物得到的抗腐蝕結果，在下面的本發(fā)明組合物的試驗中得到。
為實驗準備好一片鍍銅的硅晶片(大約20×20mm)。該片在緩沖氧化物腐蝕劑中清潔(其包含35w/w％NH4F和6w/w％HF)1分鐘，隨后在去離子水中沖洗1分鐘，并在氮氣噴射中干燥。隨后將晶片浸入其中裝有100g試驗溶液的150mL燒杯中，并在60℃下加熱溶液，用磁力攪拌器以200rpm的轉速攪拌，62或63分鐘后，從試驗溶液中取出該片，用去離子水沖洗1分鐘，并用氮氣噴射干燥。由ResMap(由Creative Design Engineering，Sunnyvale，CA制造)4-點探測系統(tǒng)測定銅層的厚度(試驗前和試驗后)。
試驗溶液(清潔組合物)為表1的本發(fā)明組合物1和2，且對比組合物為表2的組合物A和B。對比組合物類似于本發(fā)明的組合物，但是不含有本發(fā)明的抑制腐蝕的聚合物。
表3
對于光致抗蝕劑剝離，在相同的溫度(60℃)和相同的攪拌速度(200rpm)下使用本發(fā)明相同的試驗組合物。將一片其上沉積有正性光致抗蝕劑層(大概1000埃)的玻璃浸入到試驗溶液中，以測定光致抗蝕劑被本發(fā)明的組合物除去。
本發(fā)明的清潔組合物除了基本上對銅金屬化的微電子襯底無腐蝕性并能夠從該襯底上清除光致抗蝕劑、等離子體和蝕刻殘余物之外，該組合物還能以類似的無腐蝕性方式清潔鋁金屬化的微電子襯底。
盡管在此已經(jīng)參照其具體實施方式
描述了本發(fā)明，但是將會理解可以進行變化、修改和變更，而不脫離在此公開的發(fā)明思想的精神和范圍。因此，本發(fā)明意在包含落入所附權利要求書的精神和范圍內的所有變化、修改和變更。
權利要求
1.一種非水清潔組合物，其用于從微電子襯底上清除光致抗蝕劑和殘余物，所述清潔組合物包括一種或多種極性有機溶劑，一種或多種有機羥基化胺，和抑制腐蝕量的一種或多種腐蝕抑制劑聚合物，該聚合物在聚合物主鏈上具有多個官能團側基，且其中該官能團側基選自氨基和羥基。
2.權利要求1的清潔組合物，其中該有機溶劑組分構成該組合物的約80wt％或更多，該有機羥基化胺組分構成該組合物的約1wt％～約15wt％，且抑制腐蝕的聚合物組分在該組合物的存在量為該組合物的約0.1wt％～約10wt％。
3.權利要求1的清潔組合物，其中該極性有機溶劑選自環(huán)丁砜、3-甲基環(huán)丁砜、正丙砜、二甲亞砜、甲砜、正丁砜、環(huán)丁砜、3-甲基環(huán)丁砜、1-(2-羥乙基)-2-吡咯烷酮(HEP)、二甲基哌啶酮、N-甲基-2-吡咯烷酮、二甲基乙酰胺和二甲基甲酰胺。
4.權利要求1的清潔組合物，其中該羥基化胺選自羥胺和烷醇胺。
5.權利要求4的清潔組合物，其中該羥基化胺選自羥胺，單乙醇胺，二乙醇胺，三乙醇胺，2-氨基乙醇，1-氨基-2-丙醇，1-氨基-3-丙醇，2-(2-氨基乙氧基)乙醇，2-(2-氨基乙基氨基)乙醇和2-(2-氨基乙基氨基)乙胺及其混合物。
6.權利要求5的清潔組合物，其中該羥基化胺選自二乙醇胺，和1-氨基-2-丙醇。
7.權利要求1的清潔組合物，其中該有機極性溶劑選自N-甲基吡咯烷酮、環(huán)丁砜、二甲亞砜及其混合物，該羥基化胺選自二乙醇胺和1-氨基-2-丙醇。
8.權利要求1的清潔組合物，其中該聚合物腐蝕抑制劑選自聚乙烯亞胺和聚(乙烯醇-共聚-乙烯)。
9.權利要求7的清潔組合物，其中該聚合物腐蝕抑制劑選自聚乙烯亞胺和聚(乙烯醇-共聚-乙烯)。
10.權利要求1的清潔組合物，其中該聚合物腐蝕抑制劑為聚乙烯亞胺。
11.權利要求7的清潔組合物，其中該聚合物腐蝕抑制劑為聚乙烯亞胺。
12.權利要求1的清潔組合物，其中該聚合物腐蝕抑制劑為聚(乙烯醇-共聚-乙烯)。
13.權利要求7的清潔組合物，其中該聚合物腐蝕抑制劑為聚(乙烯醇-共聚-乙烯)。
14.權利要求1的清潔組合物，其包含N-甲基吡咯烷酮、環(huán)丁砜、二甲亞砜、二乙醇胺和聚(乙烯醇-共聚-乙烯)。
15.權利要求1的清潔組合物，其包含N-甲基吡咯烷酮、環(huán)丁砜、二甲亞砜、1-氨基-2-丙醇和聚乙烯亞胺。
16.權利要求1的清潔組合物，其包含一種或多種選自下列的附加組分(a)含羥基-或多羥基-的脂肪族助溶劑，(b)抑制腐蝕的芳基化合物，其含有兩個或多個直接鍵合于芳環(huán)的OH、OR6、和/或SO2R6R7基團，其中R6、R7和R8分別獨立地選自烷基和芳基，(c)金屬絡合劑，(d)不同的抑制金屬腐蝕的化合物，和(e)表面活性劑。
17.一種從微電子襯底上清除光致抗蝕劑或殘余物的方法，該方法包括使該襯底與清潔組合物接觸，接觸時間足以從襯底上清除光致抗蝕劑或殘余物，其中該清潔組合物包含權利要求1的組合物。
18.一種從微電子襯底上清除光致抗蝕劑或殘余物的方法，該方法包括使該襯底與清潔組合物接觸，接觸時間足以從襯底上清除光致抗蝕劑或殘余物，其中該清潔組合物包含權利要求2的組合物。
19.一種從微電子襯底上清除光致抗蝕劑或殘余物的方法，該方法包括使該襯底與清潔組合物接觸，接觸時間足以從襯底上清除光致抗蝕劑或殘余物，其中該清潔組合物包含權利要求3的組合物。
20.一種從微電子襯底上清除光致抗蝕劑或殘余物的方法，該方法包括使該襯底與清潔組合物接觸，接觸時間足以從襯底上清除光致抗蝕劑或殘余物，其中該清潔組合物包含權利要求4的組合物。
21.一種從微電子襯底上清除光致抗蝕劑或殘余物的方法，該方法包括使該襯底與清潔組合物接觸，接觸時間足以從襯底上清除光致抗蝕劑或殘余物，其中該清潔組合物包含權利要求5的組合物。
22.一種從微電子襯底上清除光致抗蝕劑或殘余物的方法，該方法包括使該襯底與清潔組合物接觸，接觸時間足以從襯底上清除光致抗蝕劑或殘余物，其中該清潔組合物包含權利要求6的組合物。
23.一種從微電子襯底上清除光致抗蝕劑或殘余物的方法，該方法包括使該襯底與清潔組合物接觸，接觸時間足以從襯底上清除光致抗蝕劑或殘余物，其中該清潔組合物包含權利要求7的組合物。
24.一種從微電子襯底上清除光致抗蝕劑或殘余物的方法，該方法包括使該襯底與清潔組合物接觸，接觸時間足以從襯底上清除光致抗蝕劑或殘余物，其中該清潔組合物包含權利要求8的組合物。
25.一種從微電子襯底上清除光致抗蝕劑或殘余物的方法，該方法包括使該襯底與清潔組合物接觸，接觸時間足以從襯底上清除光致抗蝕劑或殘余物，其中該清潔組合物包含權利要求9的組合物。
26.一種從微電子襯底上清除光致抗蝕劑或殘余物的方法，該方法包括使該襯底與清潔組合物接觸，接觸時間足以從襯底上清除光致抗蝕劑或殘余物，其中該清潔組合物包含權利要求10的組合物。
27.一種從微電子襯底上清除光致抗蝕劑或殘余物的方法，該方法包括使該襯底與清潔組合物接觸，接觸時間足以從襯底上清除光致抗蝕劑或殘余物，其中該清潔組合物包含權利要求11的組合物。
28.一種從微電子襯底上清除光致抗蝕劑或殘余物的方法，該方法包括使該襯底與清潔組合物接觸，接觸時間足以從襯底上清除光致抗蝕劑或殘余物，其中該清潔組合物包含權利要求12的組合物。
29.一種從微電子襯底上清除光致抗蝕劑或殘余物的方法，該方法包括使該襯底與清潔組合物接觸，接觸時間足以從襯底上清除光致抗蝕劑或殘余物，其中該清潔組合物包含權利要求13的組合物。
30.一種從微電子襯底上清除光致抗蝕劑或殘余物的方法，該方法包括使該襯底與清潔組合物接觸，接觸時間足以從襯底上清除光致抗蝕劑或殘余物，其中該清潔組合物包含權利要求14的組合物。
31.一種從微電子襯底上清除光致抗蝕劑或殘余物的方法，該方法包括使該襯底與清潔組合物接觸，接觸時間足以從襯底上清除光致抗蝕劑或殘余物，其中該清潔組合物包含權利要求15的組合物。
32.一種從微電子襯底上清除光致抗蝕劑或殘余物的方法，該方法包括使該襯底與清潔組合物接觸，接觸時間足以從襯底上清除光致抗蝕劑或殘余物，其中該清潔組合物包含權利要求16的組合物。
33.權利要求17的方法，其中該待清潔的微電子襯底的特征在于存在銅金屬化。
34.權利要求24的方法，其中該待清潔的微電子襯底的特征在于存在銅金屬化。
35.權利要求25的方法，其中該待清潔的微電子襯底的特征在于存在銅金屬化。
36.權利要求26的方法，其中該待清潔的微電子襯底的特征在于存在銅金屬化。
37.權利要求27的方法，其中該待清潔的微電子襯底的特征在于存在銅金屬化。
38.權利要求28的方法，其中該待清潔的微電子襯底的特征在于存在銅金屬化。
39.權利要求29的方法，其中該待清潔的微電子襯底的特征在于存在銅金屬化。
40.權利要求30的方法，其中該待清潔的微電子襯底的特征在于存在銅金屬化。
41.權利要求31的方法，其中該待清潔的微電子襯底的特征在于存在銅金屬化。
全文摘要
非水清潔組合物提供了本發(fā)明的光致抗蝕劑剝離劑和清潔組合物，其基本上對銅以及鋁無腐蝕性，且其包含至少一種極性有機溶劑、至少一種羥基化的有機胺、和至少一種在聚合物主鏈上有多個羥基－或氨基－官能團側基的腐蝕抑制劑聚合物。
文檔編號C11D3/37GK101076760SQ200580042541
公開日2007年11月21日 申請日期2005年2月1日 優(yōu)先權日2004年12月10日
發(fā)明者稻岡誠二 申請人:馬林克羅特貝克公司