專利名稱：襯底處理設(shè)備和襯底處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種襯底處理設(shè)備，其對諸如半導(dǎo)體襯底，用于液晶顯示器的玻璃襯底，以及用于光掩膜的玻璃襯底等襯底進(jìn)行預(yù)定處理，以及一種襯底處理方法。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)公知的襯底的制造步驟采用一種襯底處理設(shè)備，該襯底處理設(shè)備在腔室中執(zhí)行諸如襯底的清潔處理等處理。例如，公知一種襯底處理設(shè)備，其中，在設(shè)置在腔室中的清潔池中儲存有化學(xué)溶液，通過將襯底浸入到該化學(xué)溶液中來實(shí)現(xiàn)清潔處理。
這種襯底處理設(shè)備放置并使用在各種場合。因此，該襯底處理設(shè)備周圍的大氣壓不能總保持恒定。例如，當(dāng)將該襯底處理設(shè)備放置于低位時(shí)，其周圍的大氣壓不同于將其放置于高位時(shí)的大氣壓。該襯底處理設(shè)備周圍的大氣壓可以根據(jù)天氣狀況和放置于工廠中凈室中等因素而發(fā)生變化。
該襯底處理設(shè)備周圍大氣壓的變化將改變腔室中的壓力，除非該腔室中的壓力經(jīng)受特別的控制。如果該腔室中的壓力僅通過腔室的相對于外界大氣壓的相對壓力控制而受控，則外界大氣壓的改變還是可能會改變腔室中的壓力。因此，傳統(tǒng)的襯底處理設(shè)備難以不受所處大氣壓的影響而保持腔室中壓力的恒定。
此外，在傳統(tǒng)的襯底處理設(shè)備中，當(dāng)腔室中的壓力受控時(shí)，包括處理部分的整個(gè)腔室均經(jīng)受壓力控制。然而，由于腔室還包括除了處理部分以外的其它部分，因此覆蓋整個(gè)腔室的壓力控制的壓力控制效率很低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明致力于提供一種襯底處理設(shè)備，該襯底處理設(shè)備對襯底進(jìn)行預(yù)定處理。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方案，襯底處理設(shè)備包括a)腔室；b)分隔構(gòu)件，其分隔出部分地形成在所述腔室中的處理間；c)處理部，其使用所述處理間中的處理溶液處理所述襯底；d)測量部，其測量所述處理間中的壓力；以及e)壓力調(diào)節(jié)部，其根據(jù)所述測量部的測量結(jié)果調(diào)節(jié)所述處理間中的壓力。
無論該襯底處理設(shè)備所處的大氣壓如何，該處理間能夠受控至預(yù)定的壓力。由于處理間是部分地形成在腔室中的空間，所以該襯底處理設(shè)備還允許對最小需求量的區(qū)域進(jìn)行有效的壓力控制。
優(yōu)選地，所述壓力調(diào)節(jié)部包括e-1)氣體供應(yīng)部，其向所述處理間中供應(yīng)氣體；e-2)氣體排放部，其排放所述處理間中氣體；以及e-3)控制器，其控制所述氣體供應(yīng)部和所述氣體排放部的至少其中之一的氣流。
這樣，能夠快速并容易地控制處理間中的壓力。
優(yōu)選地，所述處理間為第一處理室，所述襯底在所述第一處理室中經(jīng)受化學(xué)溶液處理，以及所述分隔構(gòu)件將所述腔室的內(nèi)部分隔成所述第一處理室和第二處理室，所述第二處理室在所述第一處理室和使所述襯底相對于所述腔室載入和載出的門之間，所述襯底在所述第二處理室中經(jīng)受去離子水處理。
所述第二處理室設(shè)置于該腔室的門和第一處理室之間。這樣，防止了通過第一處理室中的化學(xué)溶液蒸發(fā)產(chǎn)生的氣體排放至腔室的外部。這樣同樣防止了腔室外部的空氣進(jìn)入到該第一處理室中，從而防止了化學(xué)溶液在第一處理室中變質(zhì)。
優(yōu)選地，所述第一處理室和所述第二處理室在所述腔室中豎直設(shè)置。
這樣允許該襯底處理設(shè)備的底部(footprint)(襯底的占地面積)減小。本發(fā)明還致力于提供一種襯底處理方法，該襯底處理方法用于對襯底進(jìn)行預(yù)定處理。
因此本發(fā)明的目的在于提供一種無論襯底處理設(shè)備所述的大氣壓如何，均能有效地控制腔室中的壓力至預(yù)定壓力的技術(shù)。
本發(fā)明的這些和其它目的、特征、方案和優(yōu)點(diǎn)將通過以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的詳細(xì)描述而變的更加清晰。


圖1為示出了根據(jù)本發(fā)明的襯底處理設(shè)備的結(jié)構(gòu)的簡圖；圖2為示出了在襯底處理設(shè)備中的化學(xué)溶液處理與清洗處理的流程的流程圖；以及圖3至圖9為分別示出了在襯底處理設(shè)備中的各相應(yīng)階段的處理情況的簡圖。
具體實(shí)施例方式
以下將參考附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施進(jìn)行描述。
首先描述襯底處理設(shè)備的構(gòu)造。
圖1為示出了根據(jù)本發(fā)明的襯底處理設(shè)備1的結(jié)構(gòu)的簡圖。襯底處理設(shè)備1對多個(gè)襯底(下文中將“多個(gè)襯底”簡稱為“襯底”)W進(jìn)行批量運(yùn)送，并且進(jìn)行化學(xué)溶液處理與清洗處理。襯底處理設(shè)備1主要包括腔室10、處理池20、提升器30、壓力調(diào)節(jié)部40、去離子水供應(yīng)部50、排泄部60以及控制器70。
腔室10為殼體，其內(nèi)部具有用于處理襯底W的空間。腔室10具有通過分隔構(gòu)件11豎直設(shè)置的兩個(gè)處理室。設(shè)置于分隔構(gòu)件11之下的處理室為化學(xué)溶液處理室12，所述襯底W在該化學(xué)溶液處理室中經(jīng)受化學(xué)溶液處理。設(shè)置于分隔構(gòu)件11之上的處理室為清洗處理室13，所述襯底W在該清洗處理室中經(jīng)受清洗處理。腔室10的外壁和分隔構(gòu)件11由氣密材料形成。
清洗處理室13的上表面(即腔室10的上表面)設(shè)有門14a，通過該門14a載入和載出襯底W；滑動門板14b，其用于打開與關(guān)閉門14a。該滑動門板14b通過圖1中概念性示出的驅(qū)動機(jī)構(gòu)14c所致的滑動門板14的滑動運(yùn)動來打開與關(guān)閉門14a。通過滑動門板14b將門14a關(guān)閉，則將腔室10內(nèi)部的大氣與腔室10外部的大氣隔離。另一方面，通過將門14a打開，則允許通過門14a載入和載出襯底W。
化學(xué)溶液處理室12與清洗處理室13之間的分隔構(gòu)件11設(shè)有傳遞門15a，襯底W通過該傳遞門傳遞；以及滑動門板15b，其用于打開與關(guān)閉該傳遞門15a。該滑動門板15b通過圖1中概念性示出的驅(qū)動機(jī)構(gòu)15c所致的滑動門板15b的滑動運(yùn)動來打開與關(guān)閉門15a。在滑動門板15b的與傳遞門15a形成接觸的部分上固定有諸如O形圈等密封構(gòu)件。因此，當(dāng)滑動門板15b將傳遞門15a關(guān)閉時(shí)，則化學(xué)處理室12內(nèi)部的大氣與化學(xué)處理室12外部的大氣隔離。另一方面，當(dāng)將傳遞門15a打開時(shí)，襯底W可以通過傳遞門15a傳遞。
化學(xué)處理室12為部分地形成于腔室10中的區(qū)域。換句話說，化學(xué)處理間12包含的氣體少于整個(gè)腔室10中的氣體。另外，不使用化學(xué)溶液的清洗處理室介于化學(xué)處理室12與門14a之間。這樣就消除了包含化學(xué)溶液的氣體直接從化學(xué)處理室12排放至腔室10外部的可能性。
處理池20設(shè)置于化學(xué)處理室12內(nèi)。處理池20為用于儲存化學(xué)溶液的容器。襯底處理設(shè)備1通過將襯底W浸入儲存于處理池20中的化學(xué)溶液中來對襯底W進(jìn)行化學(xué)溶液處理。在此所使用的化學(xué)溶液的實(shí)例為SPM溶液(硫酸與過氧化氫水的混合溶液)、氫氟酸、SC-1、SC-2、磷酸以及有機(jī)溶劑。并未示出的化學(xué)溶液供應(yīng)部與化學(xué)溶液排出部連接至處理池20。當(dāng)開始處理襯底W時(shí)，將化學(xué)溶液從化學(xué)溶液供應(yīng)部供至處理池20。在結(jié)束對襯底W的處理時(shí)，將化學(xué)溶液從處理池20排出至化學(xué)溶液排出部。處理池20可以設(shè)有循環(huán)部，其使處理池20內(nèi)的化學(xué)溶液循環(huán)。
提升器30為在腔室10中固持并豎直傳遞襯底W的機(jī)構(gòu)。提升器30具有平臺31，平臺31用于固持來自下方的襯底W，并將襯底W以豎立狀態(tài)固持于平臺31上。提升器30連接至圖1中概念性示出的驅(qū)動機(jī)構(gòu)32。當(dāng)驅(qū)動機(jī)構(gòu)32操作時(shí)，提升器30豎直地運(yùn)動，從而使襯底W在處理池20中的浸入位置(圖1中由實(shí)線所示的位置)與清洗處理室13中的提升位置(圖1中由虛線所示的位置)之間移動。
壓力調(diào)節(jié)部40為用于調(diào)節(jié)化學(xué)溶液處理室12內(nèi)的壓力的機(jī)構(gòu)。壓力調(diào)節(jié)部40具有氣體供應(yīng)部41，其用于將氮?dú)夤?yīng)入化學(xué)溶液處理室12中；氣體排放部42，其用于排放化學(xué)溶液處理室12內(nèi)的氣體；以及測量部43，其用于測量化學(xué)溶液處理室12內(nèi)的壓力。
氣體供應(yīng)部41構(gòu)造為管道41b在氮?dú)夤?yīng)源41a與化學(xué)溶液處理室12之間提供連接，并且管道41b中插入有閥41c。在化學(xué)溶液處理室12中，管道41b連接至氮?dú)馀懦霾?1d。因此，當(dāng)閥41c打開時(shí)，將氮?dú)鈴牡獨(dú)夤?yīng)源41a經(jīng)由管道41b和氮?dú)馀懦霾?1d供至化學(xué)溶液處理室12。閥41c可以采用可變流量閥。通過調(diào)節(jié)閥41c的開度以調(diào)節(jié)供至化學(xué)溶液處理室12的氮?dú)獾牧髁俊?br> 氣體排放部42構(gòu)造為管道42a在化學(xué)溶液處理室12與排放管線之間提供連接，并且在管道42a中插入有閥42b。排放管線具有預(yù)定的排放壓力。因此，當(dāng)閥42b打開時(shí)，化學(xué)溶液處理室12內(nèi)的氣體經(jīng)由管道42a排放至排放管線。閥42b可以采用可變流量閥。通過調(diào)節(jié)閥42b的開度以調(diào)節(jié)從化學(xué)溶液處理室12排放的氣體的流量。
去離子水供應(yīng)部50為用于將去離子水供應(yīng)至清洗處理室13中的機(jī)構(gòu)。去離子水供應(yīng)部50構(gòu)造為管道52在去離子水供應(yīng)源51與清洗處理室13之間提供連接，并且在管道52中插入有閥53。管道52連接至設(shè)置于清洗處理室13中的多個(gè)去離子水排出部54。因此，當(dāng)閥53打開時(shí)，去離子水從去離子水供應(yīng)源51經(jīng)由管道52和去離子水排出部54而供至清洗處理室13中。多個(gè)去離子水排出部54設(shè)置于清洗處理室13的左右兩側(cè)。各去離子水排出部54設(shè)有多個(gè)朝向提升至清洗處理室13中的襯底W的排出孔(未示出)。去離子水排出部54將去離子水通過所述多個(gè)排出孔以簇射的形式排出至襯底W。
排泄部60為用于排泄清洗處理室13內(nèi)的去離子水的機(jī)構(gòu)。排泄部60具有管道61，管道61在清洗處理室13與排泄管線之間提供連接。從去離子水排出部54排出的去離子水清洗襯底W的表面，隨后滴落在滑動門板15b與分隔構(gòu)件11的上表面上。隨后，滴落在滑動門板15b與分隔構(gòu)件11的上表面上的去離子水經(jīng)由管道61而被排泄到排泄管線。清洗處理室13還設(shè)有用于排放清洗處理室13內(nèi)的氣體的排放部(未示出)。
舉例來說，控制器構(gòu)造為裝備有CPU和存儲器的計(jì)算機(jī)?？刂破?0電連接至上述測量部43，并且接收來自測量部43的測量結(jié)果?？刂破?0還連接至上述多個(gè)驅(qū)動機(jī)構(gòu)14c、15c和32，并且連接至上述多個(gè)閥41c、42b和53，以便控制其各自的操作。尤其是，控制器70根據(jù)測量部43的測量結(jié)果來控制壓力調(diào)節(jié)部40中的閥41c和42b。因此，供至化學(xué)溶液處理室12的氣體量和從化學(xué)溶液處理室12排放的氣體量受控以便調(diào)節(jié)化學(xué)溶液處理室12內(nèi)的壓力。
其次描述襯底處理設(shè)備的操作。
圖2為示出了在襯底處理設(shè)備1中的化學(xué)溶液處理與清洗處理的流程的流程圖。圖3至圖9為分別示出了在襯底處理設(shè)備1中的各相應(yīng)階段的處理情況的簡圖。以下將參考圖2和圖3至圖9對襯底處理設(shè)備1的操作進(jìn)行描述。以下操作通過控制均受控制器70影響的驅(qū)動機(jī)構(gòu)14c、15c和32以及閥41c、42b和53來進(jìn)行。
當(dāng)利用襯底處理設(shè)備1來處理襯底W時(shí)，襯底處理設(shè)備1首先在處理池20中儲存化學(xué)溶液，并且等待載入襯底W(步驟S1，參考圖3)。具體而言，設(shè)置于清洗處理室13內(nèi)的提升器30等待載入襯底W。此時(shí)，化學(xué)溶液處理室12與清洗處理室13之間的滑動門板15b關(guān)閉。因此，通過處理池20內(nèi)的化學(xué)溶液蒸發(fā)所產(chǎn)生的氣體并不進(jìn)入清洗處理室13。在化學(xué)溶液處理室12中，氮?dú)馀懦霾?1d供應(yīng)氮?dú)猓⑶一瘜W(xué)溶液處理室12內(nèi)的氣體被排放至管道42a中。因此，通過處理池20內(nèi)的化學(xué)溶液蒸發(fā)所產(chǎn)生的氣體可從管道42a排放到排放管線。
在結(jié)束從預(yù)先步驟的裝置運(yùn)送襯底W時(shí)，襯底處理設(shè)備1打開滑動門板14b，并且將襯底W通過門14a載入腔室10中(步驟S2，參考圖4)。通過預(yù)定的運(yùn)送自動裝置80，將襯底W運(yùn)送至腔室10中，并隨后放置于正在清洗處理室13等候的提升器30上。這時(shí)，滑動門板15b保持關(guān)閉，并且在化學(xué)溶液處理室12中持續(xù)保持氮?dú)獾墓?yīng)和氣體的排放。
在將襯底W載入腔室10結(jié)束時(shí)，襯底處理設(shè)備1關(guān)閉腔室10上方的滑動門板14b。隨后，襯底處理設(shè)備1打開滑動門板15b并且放下提升器30以便將襯底W放入處理池20中(步驟S3，參考圖5)。襯底W與提升器30一起浸入處理池20內(nèi)的化學(xué)溶液中。此時(shí)，襯底處理設(shè)備1增加閥42b的開度，以使從化學(xué)溶液處理室12排放至管道42a的排放量增加，從而有力地排放化學(xué)溶液處理室12內(nèi)的氣體。這樣就避免通過化學(xué)溶液處理室12中的化學(xué)溶液蒸發(fā)而產(chǎn)生的氣體進(jìn)入清洗處理室13中。
在襯底W浸入化學(xué)溶液中時(shí)，襯底處理設(shè)備1關(guān)閉滑動門板15b，以使化學(xué)溶液處理室12再次進(jìn)入關(guān)閉狀態(tài)。隨后，襯底處理設(shè)備1在處理池20中進(jìn)行襯底W的化學(xué)溶液處理(步驟S4，參考圖6)。此時(shí)，襯底處理設(shè)備1通過使用測量部43來測量化學(xué)溶液處理室12內(nèi)的壓力，并且根據(jù)測量值來控制閥41和閥42b的開度。因此，供至化學(xué)溶液處理室12中的氣體量、和從化學(xué)溶液處理至12排放的氣體量就經(jīng)受調(diào)節(jié)，從而將化學(xué)溶液處理內(nèi)12內(nèi)的壓力控制至預(yù)定值。例如，供至化學(xué)溶液處理室12中的氣體量增加，并且從化學(xué)溶液處理室12排放的氣體量減少，就會使化學(xué)溶液處理室12內(nèi)的壓力增大。供至化學(xué)溶液處理室12中的氣體量減少，并且從化學(xué)溶液處理室12排放的氣體量增加，就會使化學(xué)溶液處理室12內(nèi)的壓力減小。這種壓力控制為根據(jù)測量部43的測量結(jié)果的絕對控制，而非根據(jù)環(huán)境氣壓的相對控制。因此，化學(xué)溶液處理室12內(nèi)的壓力可以被精確地控制，而與外部大氣壓無關(guān)。
在結(jié)束預(yù)定時(shí)間的化學(xué)溶液處理時(shí)，襯底處理設(shè)備1打開滑動門板15b并且提升提升器30，以便將襯底W從處理池20中提起(步驟S5，參考圖7)。此時(shí)，襯底處理設(shè)備1增加閥42b的開度，以使從化學(xué)溶液處理室12排放至管道42a的氣體量增加，從而有力地排放化學(xué)溶液處理室12內(nèi)的氣體。這樣就避免通過化學(xué)溶液處理室12中的化學(xué)溶液蒸發(fā)而產(chǎn)生的氣體進(jìn)入清洗處理室13中。
在結(jié)束將襯底W提升入清洗處理室13中時(shí)，襯底處理設(shè)備1關(guān)閉滑動門板15b，并且通過去離子水排出部54排出去離子水，以便進(jìn)行襯底W的清洗處理(步驟S6，參考圖8)。去離子水通過去離子水排出部54以簇射的形式排出至襯底W，從而清洗襯底W的表面。滴落在滑動門板15b與分隔構(gòu)件11的上表面上的去離子水經(jīng)由管道61而被排泄到排泄管線。
在結(jié)束預(yù)定時(shí)間的清洗處理時(shí)，襯底處理設(shè)備1停止通過去離子水排出部54排出去離子水。隨后，襯底處理設(shè)備1打開腔室10上方的滑動門板14b，并且通過門14a將襯底W載出至腔室10的外部(步驟S7，參考圖9)。襯底W從提升器30傳遞至運(yùn)送自動裝置80，隨后在腔室10上方載出。這樣完成了在襯底處理設(shè)備1中對襯底W組的處理。
如上所述，襯底處理設(shè)備1關(guān)閉滑動門板15b，以便在進(jìn)行化學(xué)溶液處理期間密封化學(xué)溶液處理室12。襯底處理設(shè)備1測量化學(xué)溶液處理室12內(nèi)的壓力，并根據(jù)測量結(jié)果調(diào)節(jié)化學(xué)溶液處理室12內(nèi)的壓力。無論襯底處理設(shè)備1所處的大氣壓如何，均可將化學(xué)溶液處理室12內(nèi)的壓力控制至預(yù)定壓力。此外，因?yàn)榛瘜W(xué)溶液處理室12為部分地形成于腔室10中的區(qū)域，所以襯底處理設(shè)備1還允許對最小需求量的區(qū)域進(jìn)行有效的壓力控制。
控制器70可以根據(jù)化學(xué)溶液處理的情況控制化學(xué)溶液處理室12內(nèi)的壓力。這樣使得襯底處理設(shè)備1能夠?qū)⒒瘜W(xué)溶液處理室12內(nèi)的壓力調(diào)節(jié)至最適用于襯底W處理的壓力。例如，襯底處理設(shè)備1可以改善化學(xué)溶液處理的效果，并且還通過對化學(xué)溶液處理室12的內(nèi)部增壓或減壓來有利于化學(xué)反應(yīng)?？刂破?0可以根據(jù)化學(xué)溶液處理的進(jìn)展改變化學(xué)溶液處理室12內(nèi)的壓力。
此外，在襯底處理設(shè)備1中，不使用化學(xué)溶液的清洗處理室13介于化學(xué)溶液處理室12與門14a之間。這樣，避免了通過化學(xué)溶液處理室12中的化學(xué)溶液蒸發(fā)而產(chǎn)生的氣體被排放至腔室10的外部。這樣同樣避免了腔室10外部的空氣進(jìn)入到化學(xué)溶液處理室12中。因此，當(dāng)使用易受空氣影響而變質(zhì)的化學(xué)溶液時(shí)，就可以避免化學(xué)溶液的變質(zhì)。
而且，在襯底處理設(shè)備1中，化學(xué)溶液處理室12與清洗處理室13在腔室10中豎直設(shè)置。這樣允許襯底處理設(shè)備1的底部(襯底1的占地面積)減小。
再次描述本發(fā)明的改型。
盡管已經(jīng)公開并描述了本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，但是顯然本發(fā)明可以存在有其它實(shí)施例和改型。例如，盡管上述襯底處理設(shè)備1根據(jù)測量部43的測量值而同時(shí)控制供至化學(xué)溶液處理室12中的氣體量和從化學(xué)溶液處理室12排放的氣體量，然而并非始終需要同時(shí)對兩者進(jìn)行控制。就是說，襯底處理設(shè)備1可以通過控制供至化學(xué)溶液處理室12中的氣體量和從化學(xué)溶液處理室12排放的氣體量中的至少其中一個(gè)氣體量來調(diào)節(jié)化學(xué)溶液處理間12內(nèi)的壓力。例如，在由氣體供應(yīng)部41供應(yīng)的氮?dú)饬勘３趾愣ǖ那闆r下，襯底處理設(shè)備1可以控制由氣體排放部42排放的氣體量。選擇性地，在由氣體排放部42排放的氣體量保持恒定的情況下，襯底處理設(shè)備1可以控制由氣體供應(yīng)部41供應(yīng)的氮?dú)饬俊?br> 盡管在前述的襯底處理設(shè)備1中，腔室10被豎直地分隔，從而使清洗處理室13置于上側(cè)，而化學(xué)溶液處理室12置于下側(cè)，然而并非必須這樣設(shè)置。例如，在腔室10的內(nèi)部還可以設(shè)置一個(gè)其它的小腔室，以便使用該小腔室作為化學(xué)溶液處理室，并且該小腔室的上部位置用作清洗處理室。
盡管上述襯底處理設(shè)備1對襯底W進(jìn)行批處理，然而也可以對襯底W一個(gè)接一個(gè)地進(jìn)行處理。盡管前述襯底處理設(shè)備1通過將襯底W浸入存儲于處理池20中的化學(xué)溶液中來進(jìn)行化學(xué)溶液處理，然而化學(xué)溶液處理也可以通過對著襯底W排出化學(xué)溶液來進(jìn)行。
盡管已經(jīng)詳細(xì)地示出與描述了本發(fā)明，但是上述描述并非全方位的描述并且為非限制性。因此，應(yīng)當(dāng)理解在不背離本發(fā)明范圍的情況下，可以做出各種修改與變化。
權(quán)利要求
1.一種襯底處理設(shè)備，其對襯底進(jìn)行預(yù)定處理，所述襯底處理設(shè)備包括a)腔室；b)分隔構(gòu)件，其分隔出部分地形成在所述腔室中的處理間；c)處理部，其使用所述處理間中的處理溶液處理所述襯底；d)測量部，其測量所述處理間中的壓力；以及e)壓力調(diào)節(jié)部，其根據(jù)所述測量部的測量結(jié)果調(diào)節(jié)所述處理間中的壓力。
2.如權(quán)利要求1所述的襯底處理設(shè)備，其中，所述分隔構(gòu)件設(shè)有傳遞門，其允許所述襯底通過，并且具有打開和關(guān)閉所述傳遞門的門板；以及所述壓力調(diào)節(jié)部在所述門板關(guān)閉的情況下調(diào)節(jié)所述處理間內(nèi)的壓力。
3.如權(quán)利要求2所述的襯底處理設(shè)備，其中，所述壓力調(diào)節(jié)部包括e-1)氣體供應(yīng)部，其向所述處理間中供應(yīng)氣體；e-2)氣體排放部，其排放所述處理間中的氣體；以及e-3)控制器，其控制所述氣體供應(yīng)部和所述氣體排放部的至少其中之一的氣流。
4.如權(quán)利要求3所述的襯底處理設(shè)備，其中，所述處理部包括c-1)處理池，其儲存處理溶液，并且所述處理池設(shè)置于所述處理間中；以及c-2)固持部，其將所述襯底固持并浸入儲存在所述處理池中的處理溶液中。
5.如權(quán)利要求4所述的襯底處理設(shè)備，其中，所述處理間為第一處理室，所述襯底在所述第一處理室中經(jīng)受化學(xué)溶液處理；以及所述分隔構(gòu)件將所述腔室分隔成所述第一處理室和第二處理室，所述第二處理室在所述第一處理室和使所述襯底相對于所述腔室載入和載出的門之間，所述襯底在所述第二處理室中經(jīng)受去離子水處理。
6.如權(quán)利要求5所述的襯底處理設(shè)備，其中，所述固持部在所述第一處理室和所述第二處理室之間運(yùn)送所述襯底。
7.如權(quán)利要求6所述的襯底處理設(shè)備，其中，所述第一處理室和所述第二處理室在所述腔室內(nèi)豎直設(shè)置。
8.如權(quán)利要求7所述的襯底處理設(shè)備，其中，所述第二處理室設(shè)有多個(gè)去離子水排出部，去離子水通過所述去離子水排出部供至所述襯底。
9.如權(quán)利要求8所述的襯底處理設(shè)備，其中，所述控制器根據(jù)所述處理部中的處理情況調(diào)節(jié)所述第一處理室中的壓力。
10.一種襯底處理方法，其用于對襯底進(jìn)行預(yù)定處理，所述襯底處理方法包括以下步驟a)將所述襯底載入部分地形成在所述腔室中的處理間中；b)密封所述處理間；c)在所述處理間中測量壓力，并且根據(jù)測量值調(diào)節(jié)所述處理間中的壓力；以及d)使用所述處理間中的處理溶液處理所述襯底。
11.如權(quán)利要求10所述的襯底處理方法，其中，在所述c)步驟中，所述處理間中的壓力通過控制供至所述處理間的氣體量和從所述處理間排放的氣體量中的至少一個(gè)氣體量來進(jìn)行調(diào)節(jié)。
12.如權(quán)利要求11所述的襯底處理方法，其中，在所述a)步驟中，排放所述處理間中的氣體。
13.如權(quán)利要求12所述的襯底處理方法，其中，在所述d)步驟之后還包括以下步驟e)在所述處理間和使所述襯底相對于所述腔室載入和載出的門之間對該襯底進(jìn)行去離子水處理。
全文摘要
一種襯底處理設(shè)備，其在部分地形成于腔室中的化學(xué)溶液處理室中進(jìn)行化學(xué)溶液處理。在該化學(xué)溶液處理的過程中，該襯底處理設(shè)備密封該化學(xué)溶液處理室，測量該化學(xué)溶液處理室中的壓力，并且根據(jù)測量值控制化學(xué)溶液處理室中的壓力。無論該襯底處理設(shè)備所處的大氣壓如何，該化學(xué)溶液處理室能夠受控至預(yù)定的壓力。該襯底處理設(shè)備還允許對最小需求量的區(qū)域進(jìn)行有效的壓力控制。
文檔編號B08B3/04GK1917143SQ20061011107
公開日2007年2月21日 申請日期2006年8月18日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月19日
發(fā)明者我孫子良隆, 廣江敏朗 申請人:大日本網(wǎng)目版制造株式會社