專利名稱：從基片去除污染的方法和設(shè)備的制作方法
從基片去除污染的方法和i史備
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體器件(如集成電路、存儲單元等)制造中，執(zhí)
行一系列制造操作以在半導(dǎo)體晶片("晶片")上形成特征。這些晶 片包括具有限定在硅基片上的多層結(jié)構(gòu)形式的集成電路器件。在基 片層，形成具有擴(kuò)散區(qū)的晶體管器件。在后面的層中，使互連的金 屬線形成圖案并且電連接到這些晶體管器件以形成需要的集成電 路器件。并且，圖案化的導(dǎo)電層通過介電材料與其他導(dǎo)電層絕緣。在該 一 系列制造操作過程中，晶片表面暴露于各種類型 的污染物。實(shí)質(zhì)上在制造操作中出現(xiàn)的任何材料都是潛在的污染 源。例如，污染源可包4舌，尤其是，處理氣體、4t學(xué)制劑、沉積材 料和液體。各種污染物會以粒子形式沉積在該晶片表面。如果不去
除該粒子污染，在該污染附近的器件將;f艮可能不能工作。因此，必 須基本上徹底地將污染從晶片表面清除，而不損傷限定在該晶片上 的特征。然而，粒子污染尺寸往往處于制造在晶片上的特4正的關(guān)4建 尺寸大小的量級。去除如此小的粒子污染而不會不利地影響晶片上 的特征是十分困難的。傳統(tǒng)的晶片清潔方法非常依賴機(jī)械力以從晶片表面去除
粒子污染。隨著特征尺寸持續(xù)減小并且變得更加易碎，由于向晶片 表面施加才幾械力而導(dǎo)致特征損傷可能性增加。例如，當(dāng)受到足夠的 機(jī)械力沖擊時，具有高縱橫比的特征容易崩塌或者《皮碎。為了進(jìn)一 步使清潔問題復(fù)雜化，特征尺寸的減d、也導(dǎo)致粒子污染尺寸減小。 尺寸足夠小的粒子污染會進(jìn)入晶片表面上難以到達(dá)的區(qū)域，如在被
高縱^黃比特征圍繞的溝槽中。因此，在現(xiàn)代半導(dǎo)體制造過程中的污 染物的有效及無損去除代表了晶片清潔技術(shù)的持續(xù)發(fā)展中遇到的 持續(xù)的挑戰(zhàn)。

發(fā)明內(nèi)容
在一個實(shí)施方式中，7>開用于乂人基片去除污染的方法。 該方法包括用于將清潔材料設(shè)在基片上的操作。該清潔材料包括許 多分散在液體媒介中的固體成分。該方法還包括操作，用于向固體 成分施加力以使該固體成分接近該基片上存在的污染物，從而在該 固體成分和該污染物之間建立相互作用。該方法進(jìn)一步包括操作， 用于移動該固體成分遠(yuǎn)離該基片，從而將與該固體成分相互作用的 污染物從該基片去除。在另 一個實(shí)施方式，公開一種用于從基片去除污染的設(shè) 備。該設(shè)備包括通道，用于接收基片。該通道限定為包括約束表面， 其定向?yàn)榕c該基片的表面相對且平行放置。該設(shè)備還包括清潔材 泮+， i殳在該通道內(nèi)，乂人而由該通道4妄收的基片浸入該清潔才才津+。該 清潔材料限定為包括分散的固體成分的液體^某介。該設(shè)備進(jìn)一步包 括不溶成分生成器，設(shè)在該通道內(nèi)以在該清潔材料內(nèi)生成不溶成 分。該不-容成分在該清潔材并牛內(nèi)生成，乂人而施加原動力以在該通道 的約束表面和待從其上去除污染的該基片表面之間移動該不溶成 分。在另 一個實(shí)施方式，公開一種用于從基片上去除污染方 法。該方法包括操作，用于將基片浸入清潔材料從而待從其上去除 污染的該基片表面設(shè)為與約束表面相對且基本上平行。該清潔材料 限定為包括分散在液體媒介中的固體成分。該方法還包括操作，用 于將該基片連同該約束表面相對于水平面傾斜。該方法進(jìn)一步包括 操作，用于在該清潔材料內(nèi)對應(yīng)于高度低于該基片的位置生成不溶成分。rF用吞i夏^f、谷風(fēng)勿、上白"'/^刀i更T"褒^r、浴風(fēng)為、在》豕丞/T上。 該約束表面和該基片之間移動。該不溶成分在該基片上的移動導(dǎo)致 向該液體々某介內(nèi)的固體成分施力口力，/人而該固體成分與該基片上存 在的污染物相互作用。本發(fā)明的這些和其他特4正將在下面連同附圖、作為本發(fā) 明示例i兌明的具體描述中變得更加明顯。


圖i是示出按照本發(fā)明一個實(shí)施方式、用于從半導(dǎo)體晶片去除 污染的清潔材料的實(shí)體圖的圖解；
圖2A-2B是示出按照本發(fā)明 一個實(shí)施方式、該清潔材料如何從 該晶片去除污染物的圖解；
圖3是示出按照本發(fā)明一個實(shí)施方式、用于從基片去除污染的 方法流程圖的圖解；
圖4 A是示出按照本發(fā)明 一 個實(shí)施方式、用于從晶片去除污染的 i殳備的圖解；
圖4B是示出按照本發(fā)明 一個實(shí)施方式、晶片設(shè)在其中的通道的 側(cè)面剖^L圖的圖解；
圖4C是示出按照本發(fā)明一個實(shí)施方式，該不溶成分、該固體成 分、該污染物和該晶片之間的關(guān)系的圖解，；
圖4D是示出按照本發(fā)明一個實(shí)施方式、該不溶成分如何驅(qū)使該 固體成分至該污染物附近的圖解；
圖4E是示出按照本發(fā)明一個實(shí)施方式、該不溶成分在該晶片表 面上4黃向移動后將該污染物乂人該晶片表面去除的圖解；
圖4F是示出按照本發(fā)明另 一個實(shí)施方式將該污染物從該晶片 表面去除的圖解；以及
圖5是示出按照本發(fā)明另一個實(shí)施方式、用于從基片表面上去 除污染的方法的流禾呈圖。
具體實(shí)施例方式在下面的描述中，闡述許多具體細(xì)節(jié)以提供對本發(fā)明的 徹底理解。然而，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員，顯然，本發(fā)明可不利用這 些具體細(xì)節(jié)的一些或者全部而實(shí)施。在有的情況下，7>4口的工藝步 驟和/或結(jié)構(gòu)沒有說明，以避免不必要的混淆本發(fā)明。圖l是示出4要照本發(fā)明一個實(shí)施方式、用于/人半導(dǎo)體晶片 ("晶片")105去除污染103的清潔材料101的實(shí)體圖的圖解。本發(fā) 明的清潔材料IOI包括連續(xù)液體々某介107,固體成分109和不溶成分
在各種不同的實(shí)施方式中，該連續(xù)液體々某介107可以是含水的或者 無7K的。依賴于特定的實(shí)施方式，該不溶成分lll可限定為氣相、液 相、固相或氣、液和固相的組合。在一個實(shí)施方式中，該不溶成分 111限定為多種不溶成分lll的混和物，其中該混合物中每種不溶成 分lll具有共同的物理狀態(tài)或者不同的物理狀態(tài)。例如，在各種不同 的實(shí)施方式中，不溶成分lll的混合物中的不溶成分lll的物理狀態(tài) 可包4舌氣體和液體、氣體和固體、液體和固體，或者多種氣體、多 種液體和多種固體的組合。
-該小谷風(fēng)分lll》丁丁該遷殊收,沐"l 的。在一個示范性實(shí)施方式中，該不溶成分lll限定為在該連續(xù)液體
媒介107內(nèi)的氣泡。在另一個示范性實(shí)施方式中，該不溶成分lll限 定為該連續(xù)液體^某介107中的液滴。與關(guān)于該連續(xù)液體J 某介107和不 溶成分lll的特定的實(shí)施方式無關(guān)，該固體成分109懸浮分散在該連 續(xù)液體4某介107中。應(yīng)當(dāng)理解，依賴于該特定的實(shí)施方式，該清潔材料IOI
性，其中該固相定義為不同于液體或氣體的相。例如，如彈性和塑 性物理屬性在不同類型的該清潔材料IOI中的固體成分109之間可 變化。另外，應(yīng)當(dāng)理解在各種不同的實(shí)施方式中，該固體成分109 可限定為晶體或者非晶體。與它們特定的物理屬性無關(guān)，該清潔材 料IOI中的固體成分109應(yīng)當(dāng)能夠避免當(dāng)非常接近或者接觸該晶片 105表面設(shè)置時粘附在該晶片105表面。另外，該固體成分109的機(jī) 械屬性應(yīng)當(dāng)不會在該清潔工藝期間導(dǎo)致對該晶片105表面的損傷。 此夕卜，當(dāng)該固體成分109i殳為非常才妄近或者才妄觸該污染物103時，該 固體成分應(yīng)當(dāng)能夠建立與該晶片105表面存在的污染物103材料的 相互作用。例如，該固體成分109的大小和形狀應(yīng)當(dāng)有利于在該固 體成分109和該污染物103之間建立該相互作用。該清潔材料101中的固體成分109應(yīng)當(dāng)能夠與該晶片105 上的污染物103相互作用，同時避免粘附于以及損傷該晶片105。并 且，該固體成分109應(yīng)當(dāng)避免在該液體4某介107內(nèi)分解，以及應(yīng)當(dāng)具 有能夠分散到整個液體々某介107的表面功能性。對于那些不具有能 夠分散到整個液體々某介107內(nèi)的表面功能性的固體成分109,可向該 液體々某介107添加化學(xué)分散劑以使該固體成分109能夠分散。依賴于 它們具體的化學(xué)特性以及它們與周圍液體々某介107的相互作用，該 固體成分109可具有一種或多種不同的形式。例如，在各種不同的
實(shí)施方式中，該固體成分109可形成聚集體、膠質(zhì)體、凝膠體、結(jié) 合J求體(coalesced sphere ), 或者實(shí)質(zhì)上4壬^T類型的凝集 (agglutination )、 凝結(jié)、絮凝、凝聚(agglomeration ) 或聚結(jié) (coalescence )。應(yīng)當(dāng)理解上面標(biāo)出的固體成分109形式的示范性列 表并不是為了表示包括一切的列表。在其他實(shí)施方式中，該固體成 分109可采用沒有在其中具體標(biāo)出的形式。所以，需要理解一點(diǎn)， 該固體成分109可限定為實(shí)質(zhì)上任何能夠以之前討論的關(guān)于它們與 該晶片105和該污染物103相互作用的方式起作用的固體才才泮牛?！┦痉缎怨腆w成分109包括脂族酸、羧酸、石蠟、蠟、 聚合物、聚苯乙烯、多肽和其他粘彈性材料。該固體成分109材料 應(yīng)當(dāng)以超過其在該液體媒介107中的溶解度的濃度存在。并且，應(yīng) 當(dāng)理解與特定固體成分109材并牛有關(guān)的處理效果可作為溫度的函彩: 而變化。該脂族酸實(shí)質(zhì)上表示任何由有機(jī)化合物形成的酸，其中 >暖原子形成開》文的《連。脂肪酸是可以用作該清潔材申卜101中的固體 成分109的脂族酸的一個例子。可用作該固體成分109的脂肪酸的例 子包括，尤其是，癸酸，月桂酸，棕櫚酸，豆蔻酸，硬脂酸，油酸， 花生酸山崳酸，二十四(烷)酸和蠟酸。在一個實(shí)施方式中，該固 體成分109可表示由各種不同碳鏈長度(從C-l到大約C-26)形成的 脂肪酸的混合物。羧酸由實(shí)質(zhì)上4壬何有4幾酸形成，其包4舌一個或多 個羧基(COOH)。當(dāng)用作該固體成分109時，該羧酸可包括各種不 同碳鏈長度(從C-1達(dá)到大約C-100)的混合物。并且，該羧S臾可包 括高于在液體媒介107中溶解度限制的長鏈的醇、醚和/或酮。在某些實(shí)施方式中，可要求向該液體々某介107添加分散劑 材泮牛以z使特定類型的固體成分109 (如脂肪酸)能夠分散在整個液 體J 某介107中。例如，可向該'液體i某介107添加石咸(base )以佳j尋由 如羧酸或^更脂酸材沖午形成的固體成分109能夠懸浮，所述材并牛的量 少于化學(xué)計(jì)量。另外，該固體成分109材料的表面功能性會受到可 溶于該液體纟某介107的那部分的影響，如羧酸鹽、磷酸鹽、石克酸根 基團(tuán)、多羥基基團(tuán)、環(huán)氧乙烷等。需要理解一點(diǎn)，該固體成分109 應(yīng)當(dāng)以基本上均勻的方式分散整個液體々某介107中，/人而該固體成 分109避免結(jié)成不能〗吏其與該晶片105上存在的污染物103相互作用 的形式。如先前提到的，該連續(xù)液體纟某介107可以是含水的或者不 含水的。例如，在一個實(shí)施方式中，含水的液體4某介107可由去離 子7jc形成。在另一個實(shí)施方式，不含水的液體媒介107可由，特別 是，碳?xì)浠衔?、碳氟化合物、礦物油或酒精形成。不論該液體i某 介107是含水的或是不含水的，應(yīng)當(dāng)理解該液體々某介107可修改為包 括離子或非離子溶劑和其他化學(xué)添加劑。例如，對該液體媒介107 的化學(xué)添加劑可包括輔助溶劑、pH調(diào)節(jié)劑、螯合劑、極性溶劑、表 面活性劑、氫氧化銨、氫氟酸、四曱基氫氧化銨和流變調(diào)節(jié)劑(如 聚合體、粒子和多肽)的任4可組合。如先前提到的，該清潔材料101內(nèi)的不溶成分lll可以氣 相、液相、固相，或其組合而形成。在以氣相形成該不溶成分lll 的實(shí)施方式，該不溶成分lll限定為分散在整個連續(xù)液體々某介107中 的氣泡。在一個實(shí)施方式中，該氣泡限定為占據(jù)該清潔材沖牛101體 積的5%到99.9%。在另一個實(shí)施方式，該氣泡限定為占據(jù)該清潔材 料101重量的50%到95%。形成該不溶成分lll的氣體可以是惰性氣 體(例如N2， Ar等)，或者反應(yīng)性氣體(例3。02， 03, H202,空氣， H2, NH3, HF等)。在以液相形成該不卩容成分的實(shí)施方式中，該不;容成分lll 限定為分散在整個連續(xù)液體^某介107中的液滴，其中該液滴不溶于 該'液體4某介107 。形成該不;容成分lll的液體可以是惰性或反應(yīng)性的。 例如，己烷或礦物油可用作形成該不溶成分lll的惰性液體，其中該
液體々某介107是含水的。在另一個例子中，可溶于油的表面調(diào)節(jié)劑 可用作形成該不溶成分lll的反應(yīng)性液體。在該清潔工藝期間，向下的力施加到該液體々某介107內(nèi)的 固體成分109上，從而^f吏該固體成分109十分接近或接觸該晶片105 上的污染物103。該清潔材料101內(nèi)的不溶成分11L提供這樣的機(jī)制， 通過該才幾制將該向下的力施力口到該固體成分109上。當(dāng)迫l吏該固體 成分109足夠4lr近或者4妄觸該污染物103時，就在該固體成分109和 該污染物103之間建立相互作用。該固體成分109和該污染物103之 間的相互作用足以克服該污染物103和該晶片105之間的粘附力。所 以，當(dāng)移動該固體成分109遠(yuǎn)離該晶片105，也將與該固體成分109 相互作用的污染物103移動遠(yuǎn)離該晶片105，即，將該污染物103從 該晶片105清除。圖2A-2B是示出按照本發(fā)明 一個實(shí)施方式、該清潔材料 IOI如祠V人該晶片105去除該污染物103的圖解。應(yīng)當(dāng)理解圖2A-2B中 描述的清潔材舉FlOl具備與先前關(guān)于圖l描述的相同的特性。如圖2A 所示，在該清潔材沖+101的液體力某介107中，該固體成分109介于該 污染物103和該不;容成分111之間。該液體々某介內(nèi)的不溶成分111，不 ^侖氣泡或液滴，具有相關(guān)聯(lián)的表面張力。所以，當(dāng)該不溶成分lll 向下壓該固體成分109時，該不'溶成分lll變形并且在該固體成分109 上施加向下的力(F)。這個向下的力(F)用來使該固體成分109 向該晶片105和其上的污染物103移動。在一個實(shí)施方式中，當(dāng)迫4吏 該固體成分109足夠4妄近該污染物103時，在該固體成分109和污染 物103之間發(fā)生相互作用。在另一個實(shí)施方式，當(dāng)該固體成分109實(shí) 際4妄觸該污染物103時，在該固體成分109和污染物103之間發(fā)生相 互作用。該固體成分109和該污染物103之間的相互作用力大于將 該污染物103連4妄到該晶片105的力。另外，在該固體成分109與該污染物103聯(lián)結(jié)的實(shí)施方式中，用來移動該固體成分109遠(yuǎn)離該晶片 105的力大于將該污染物103連"^妄到該晶片105的力。所以，如圖2B 所描述的，當(dāng)移動該固體成分109遠(yuǎn)離該晶片105時，與該固體成分 109粘結(jié)的污染物103也移動遠(yuǎn)離該晶片105。應(yīng)當(dāng)理解，因?yàn)樵摴?體成分109與該污染103相互作用以影響該清潔工藝，在整個晶片 105上污染103的去除將依賴于該固體成分109在整個該晶片105如 何分布。在一個優(yōu)選實(shí)施方式，該固體成分109非常好的分布以致 實(shí)際上該晶片105上的每個污染物103靠近至少一個固體成分109。 還應(yīng)當(dāng)理解一個固體成分109可同時或順序接觸超過一個的污染物 103，或與之相互作用。該固體成分109和該污染物103之間的相互作用開通過一 種或者多種機(jī)制建立，包括，特別是，粘結(jié)、碰撞和引力。該固體 成分109和污染物103之間的粘結(jié)可通過化學(xué)相互作用和/或物理相 互作用建立。例如，在一個實(shí)施方式中，化學(xué)相互作用佳j尋在該固 體成分109和該污染物103之間產(chǎn)生類似月交水的效果。在另一個實(shí)施 方式，該固體成分109的初4成屬性促進(jìn)該固體成分109和該污染物 103之間的物理相互作用。例如，該固體成分109可以是韌性的，乂人 而當(dāng)其壓該污染物103時，該污染物103變成壓印在該韌性的固體成 分109中。在另一個實(shí)施方式中，該污染物103可變成巻入固體成分 109的網(wǎng)中。在這個實(shí)施方式，枳4成壓力可通過固體成分109的網(wǎng)傳 遞到該污染物103,由此4是供/人該晶片105去除該污染物103所必需 的枳4成力。由于該污染物103壓印導(dǎo)致的該固體成分109的變形在該 固體成分109和該污染物103之間產(chǎn)生才凡械連接。例如，該污染物103 的表面形貌(topography)可以是這才羊的，即當(dāng)該污染4勿103壓入i亥 固體成分109，該固體成分109材料部分進(jìn)入該污染物103表面形貌 中的區(qū)域，這樣該固體成分109材料不容易逃脫，由此產(chǎn)生鎖緊沖幾
構(gòu)。另外，當(dāng)該污染物103壓入該固體成分109,建立真空力以4氐抗 /人該固體成分109去除該污染物103 。在另一個實(shí)施方式中，從該固體成分109通過直接或者間 4妄才妄觸傳遞到該污染物103的能量會導(dǎo)致該污染物103#1移出該晶 片105。在這個實(shí)施方式中，該固體成分109可比該污染物103更專欠 或者更硬。如果該固體成分109該比污染物103軟，該在石並撞過程中 固體成分109很可能發(fā)生較大的變形，導(dǎo)致傳遞較少的用于從該晶 片105移走該污染物103的動能。然而，在該固體成分109比該污染 物103壽t的情況中，該固體成分109和該污染物103之間的粘性連4妄 更強(qiáng)。相反地，如果該固體成分109至少與該污染物103—樣力更，在 該固體成分109和該污染物103之間可發(fā)生基本上完全的能量傳遞， 因此增加用作乂人該晶片105移走該污染物103的力。然而，該固體成 分109至少與該污染物103—樣石更的情況中，依賴于該固體成分109 變形的相互作用力會減小。應(yīng)當(dāng)理解與該固體成分109和該污染物 103相關(guān)的物理屬性和相對速度會影響它們之間的相互作用。除了前面闡述的，在一個實(shí)施方式中，該固體成分109 和污染物103之間的相互作用可由省爭電引力產(chǎn)生。例3n， 3。果該固 體成分109和該污染物103具有相反的表面電荷，它們將4皮此電吸 引。有可能該固體成分109和該污染物103之間的靜電引力足以克服 將該污染物103連接到該晶片105的力。在另 一個實(shí)施方式，該固體成分109和該污染物103之間 可存在l爭電斥力。例如，該固體成分109和該污染物103可能都是負(fù) 表面電荷或正表面電荷。如果該固體成分109和該污染物103可足夠 接近，它們之間的靜電斥力可通過范德華引力克服。由該不溶成分 lll施力口到該固體成分109的力可足以克月良該,爭電斥力，乂人而在該固 體成分109和該污染物103建立范德華引力。另外，在另一個實(shí)施方 式，可調(diào)節(jié)該液體々某介107的pH以補(bǔ)償該固體成分109和污染物103
的一個或兩個上存在的表面電荷，乂人而減小它們之間的靜電斥力以 促進(jìn)相互作用。圖3是示出按照本發(fā)明一個實(shí)施方式、用于從基片去除污 染的方法流程圖的圖解。應(yīng)當(dāng)理解的是圖3的方法提到的基片可代 表半導(dǎo)體晶片或任何其他類型的需要從其上去除與半導(dǎo)體制造過
程有關(guān)的污染物的基片。并且，圖3的方法4是到的污染物可代表實(shí) 質(zhì)上任何類型的與該半導(dǎo)體晶片制造過程有關(guān)的污染物，包括但不 限于粒子污染，微量金屬污染，有機(jī)污染，光刻膠碎片，來自晶片 處理設(shè)備的污染和晶片背部粒子污染。圖3的方法包括操作301,用于將清潔材料設(shè)置在基片上， 其中該清潔材料包括分散在液體媒介中的固體成分。該圖3的方法 提到的清潔材料與之前關(guān)于圖l, 2A和2B描述的相同。所以，清潔 材料中的固體成分懸浮分散在該液體媒介中。并且，該固體成分限 定為避免損傷該基片并且避免粘結(jié)于該基片。在一個實(shí)施方式中， 該固體成分限定為晶體。在另一個實(shí)施方式，該固體成分限定為非 晶體。在又一個實(shí)施方式中，該固體成分表示為晶體與非晶體的結(jié) 合。另夕卜，在各種實(shí)施方式中，該液體々某介可以是含水的或不含水 的。該方法還包括才喿作303，用于向固體成分施加力以4吏該固 體成分接近該基片上存在的污染物，從而在該固體成分和該污染物 之間建立相互作用。如之前討論的，在該清潔材料內(nèi)提供不溶成分 以向該固體成分施加^f吏該固體成分^妄近該污染物所需的力。在一個 實(shí)施方式中，該方法可包括用于控制該不溶成分以向該固體成分施 加受控量的力的#喿作。該不溶成分可限定為氣泡或不溶于該液體J 某
液滴的組合。在該方法的一個實(shí)施方式中，在將該清潔材^H殳置在該
基片上之前，在該液體々某介中形成該不溶成分。然而，在另一個實(shí) 施方式，該方法可包凌舌在將該清潔材^H殳在該基片上之后在原位形
成該不溶成分的梯:作。例如，該不溶成分可通過相7十于該清潔材沖牛
降低環(huán)境壓力而由該液體媒介中溶解的氣體形成。應(yīng)當(dāng)理解的是在 原位形成該不〉容成分可增強(qiáng)該污染去除工藝。例如，在一個實(shí)施方 式中，在該不溶成分形成之前，重力用來將該固體成分4立向該基片。 然后，降低環(huán)境壓力從而原先溶解于該液體々某介的氣體從溶液中出 來形成氣泡。因?yàn)樵摴腆w成分^皮重力拉向該基片，氣泡的大部分將 在該固體成分之上形成。在該固體成分已經(jīng)朝向該基片安放的情況 下，在該固體成分上形成該氣泡可用來增強(qiáng)該固體成分移動至該基 片上污染物附近。在各種不同的實(shí)施方式中，該固體成分和該污染物之間
的相互作用可通過粘結(jié)力、碰撞力、引力或其組合來建立。并且， 在一個實(shí)施方式中，該方法可包括用改變該液體J 某介的化學(xué)制劑以 增強(qiáng)該固體成分和該污染物之間的相互4乍用的才喿作。例30,可調(diào)節(jié)
該液體J 某介的pH以消除在該固體成分和污染物的 一個或兩個上的 表面電荷，^人而;咸小靜電斥力。另夕卜，在一個實(shí)施方式中，該方法可包括控制該清潔材 泮+溫度以增強(qiáng)該固體成分和該污染物之間的相互作用的才喿作。更具 體地，可控制該清潔材料的溫度以控制該固體成分的屬性。例如， 在4交高的溫度下，該固體成分會更有韌性乂人而當(dāng)壓著該污染物時其 更加一f丈。然后， 一旦該固體成分一皮壓至該污染物并且與該污染物 共形，降低溫度使該固體成分韌性降低以更好的保持其相對該污染 物共形的形狀，因此有效地將該固體成分和污染物鎖緊在一起。溫 度還可用來控制溶解度及由此的該固體成分的濃度。例如，在較高 的溫度下，該固體成分更可能溶解在該液體媒介中。溫度還可用來 控制和/或4吏固體成分乂人液-液懸浮原位形成于晶片上。在一個單獨(dú)的實(shí)施方式中，該方法可包括用于沉淀溶解 在該連續(xù)液體+某介中的固體的操作。這個沉淀操作通過將該固體溶 解在〉容劑中，然后添加與該溶劑混溶4旦是不與該固體混溶的成分來 完成。添加與該溶劑混溶但是不與該固體混溶的成分導(dǎo)致固體成分沉淀。該方法進(jìn)一步包括才喿作305，用于移動該固體成分遠(yuǎn)離該 基片從而將與該固體成分相互作用的污染物從該基片去除。在一個 實(shí)施方式中，該方法包4舌用于4空制該基片之上的清潔才才并牛:流率以4空 制或者增強(qiáng)該固體成分和/或污染物遠(yuǎn)離該基片的移動的操作。
式實(shí)現(xiàn)，只要有用于向該清潔材料的固體成分施加力從而該固體成 分建立與待去除的污染物相互作用的手段。圖4是示出按照本發(fā)明 一個實(shí)施方式用于從晶片去除污染的設(shè)備的圖解。該設(shè)備包括用于 4妄收該晶片105的通道401，由箭頭403標(biāo)示。應(yīng)當(dāng)理解的是通道401 內(nèi)部的長度402和高度404限定為容納該晶片105。并且，在一個實(shí) 施方式中該通道401的高度404是可調(diào)的。該通道401限定為包含如 先前描述的清潔材豸牛IOI。因此，該晶片105移入該通道401時，該 晶片105浸入該清潔材料101。應(yīng)當(dāng)理解的是該通道401可由任^f可具 有足夠強(qiáng)度的、與該清潔材申卜101和晶片105化學(xué)相容的材并+制成。圖4B是示出按照本發(fā)明 一個實(shí)施方式、其中設(shè)有該晶片 105的通道401的側(cè)面剖浮見圖的圖解。該通道401包4舌約束表面406, 該表面設(shè)為對著該將從其上去除污染的晶片105表面并且基本上相 對其平^f亍定向。該通道401和晶片105以相乂于水平面408的角度412傾
斜。在該通道401的較低端/向上，提供不溶成分生成器409用于在該 液體々某介107內(nèi)生成不溶成分lll。如之前討i侖的，該不溶成分lll可由不溶于該液體i某介 107的氣體或液體形成。該不溶成分lll材料/人源405通過管線407才是 供到該不溶成分生成器409。在該清潔才喿作過程中，施加原動力而 以速度V在該晶片105上移動該不溶成分111。應(yīng)當(dāng)理解的是隨著該 不溶成分lll在該晶片105上移動，該不溶成分相對于該晶片105的位 置受到該通道401的約束表面406的約束。在一個實(shí)施方式中，所施 加的用以在該晶片105上移動該不溶成分lll的原動力是浮力。在另 一個實(shí)施方式，該不溶成分生成器409的分配壓力(dispensing pressure ) ^是供用于在該晶片105上移動該不〉容成分111的原動力。在各種不同的實(shí)施方式中，該不溶成分生成器409可配置 為具有單個生成點(diǎn)或多個生成點(diǎn)。例如，在一個實(shí)施方式中，該不
溶成分生成器409限定為歧管，其配置為包括許多不溶成分lll生成 點(diǎn)。另外，應(yīng)當(dāng)理解的是該設(shè)備可包括基片支架，限定為在該清潔 工藝期間，在該通道4爭動和/或平移該晶片105。圖4C是示出該不溶成分111、該固體成分109、該污染物 103和該晶片105之間相互關(guān)系的圖解。隨著該不溶成分lll在該晶片 105表面上移動，清潔材料的厚度410將該對液體^某介不溶的成分界 面與該晶片105表面分開。應(yīng)當(dāng)理解的是在浮力驅(qū)使該不溶成分lll 在該晶片105上移動的實(shí)施方式中，傾存牛角412的增加將導(dǎo)致該浮力 相應(yīng)增力口。隨著該不溶成分111的浮力和對應(yīng)的速度V增加，該不溶 成分lll會變得細(xì)長，因此增加該清潔材料厚度410。如果該清潔材 料的厚度410變得足夠大，該不溶成分111就不能在該固體成分109 上施加足夠的力以使其能夠與該污染物103相互作用。并且，隨著 該不〉容成分111速度V增加，該不〉容成分111在該晶片105表面上癥會定 位的4亭留時間減少。所以，該傾斜角412應(yīng)當(dāng)適當(dāng)i殳置以控制該不
溶成分111速度V。并且，應(yīng)當(dāng)控制該約束表面406和該晶片105之間 的間距404， 乂人而該清潔材料厚度410不會變得過大。圖4D是示出按照本發(fā)明 一個實(shí)施方式，該不溶成分lll 如4可驅(qū)4吏該固體成分1094l:近該污染物103。隨著該不〉容成分111在該 液體々某介107內(nèi)4黃穿該固體成分109和污染物103，該不溶成分通過 力F迫^f吏該固體成分109朝向該污染物103。如之前討-論的，當(dāng)它們 受力^皮此足夠接近時，在該固體成分109和污染物103之間發(fā)生相互 作用。由該不溶成分lll施加在該固體成分109上的力F與該不溶成 分111和該液體々某介107的壓力差有關(guān)。另夕卜，該污染物103進(jìn)一步暴 露于該清潔材料厚度410內(nèi)的剪切應(yīng)力。并且，該污染物103暴露于 該不溶成分111和該液體i某介107之間邊界上存在的界面張力。這些 剪切應(yīng)力和界面張力用作幫助乂人該晶片105表面移走該污染物103。圖4E是示出按照本發(fā)明一個實(shí)施方式，該不溶成分lll 在該晶片表面上4黃向移動后^1夸該污染物103乂人該晶片105表面去除 的圖解。在圖4E的實(shí)施方式中，該固體成分109和污染物103在如之 前討i侖的剪切應(yīng)力和界面張力的影響下作為集合的單元,人該晶片 105去除。在另一個實(shí)施方式中，該固體成分109與該污染物103相 互作用以乂人該晶片105去除該污染物103而實(shí)際上不與該污染物103 結(jié)合。在這個實(shí)施方式，該固體成分109和該污染物103的每個將單 獨(dú)移動遠(yuǎn)離該晶片105。在一個實(shí)施方式中，從該晶片105去除該污 染物103可由與該清潔材料經(jīng)過該通道401的流動(flow)相關(guān)的剪 切力來增強(qiáng)。在這個實(shí)施方式中，該設(shè)備可包括清潔材料循環(huán)器， 限定為在該清潔材料中引起流動，從而移動與該固體成分109相互 4乍用的污染物103遠(yuǎn)離該晶片105。圖4F是示出按照本發(fā)明另 一個實(shí)施方式將該污染物103 從該晶片105表面去除的圖解。在圖4F的實(shí)施方式中，該液體+某介 107是含水的，該不溶成分lll是不含水的，以及該固體成分109是表
面活性的。隨著該不溶成分1114黃穿該固體成分109,該不溶成分不 ^U奪力F施加到該固體成分109，而且弄濕該固體成分109， /人而3尋 該固體成分1094i入該不溶成分lll和該液體々某介107之間的界面區(qū) i或。因此，/人該晶片105去除該固體成分109和污染物103組合由該 固體成分109吸附到該不溶液體界面來增強(qiáng)。盡管該圖4 A-4F的設(shè)備關(guān)于特定的示范性實(shí)施方式來描 述，應(yīng)當(dāng)理解的是/人該晶片去除污染物的原理可同樣應(yīng)用在該設(shè)備 的其他實(shí)施方式中。例如，圖4A-4F的設(shè)備可修改為將該晶片保持 為水平、垂直或顛倒的方向，只要提供用于該不溶成分lll的原動力， 從而該不溶成分lll將力F施加到該固體成分109以<吏它們能夠與該 污染物103相互作用。并且，在各種不同的實(shí)施方式中，可連同該 不溶成分111在該晶片105上的^黃向移動而旋轉(zhuǎn)、拉、推或用其他方 式才覺動該晶片105。另外，使用圖4A-4F的設(shè)備與圖3的方法共同執(zhí)行的清潔 工藝才艮據(jù)為參數(shù)(如溫度、壓力、流率和時間)^L定了特定控制^殳 置的制法執(zhí)行。在一個實(shí)施方式中，該設(shè)備可包括清潔材料控制系 統(tǒng)，限定為監(jiān)^L和調(diào)節(jié)該清潔材料的化學(xué)制劑以增強(qiáng)該固體成分 109和該污染物103之間的相互作用，以及增強(qiáng)該污染物103乂人該晶 片105的去除。并且，在一個實(shí)施方式中，該設(shè)備可包括溫度控制 系統(tǒng)，限定為控制該通道401內(nèi)該清潔材料的溫度。此外，使用圖 4A-4F的設(shè)備與圖3的方法共同執(zhí)行的清潔工藝可以迭代的方式執(zhí) 行，即多步驟方式。并且，關(guān)于圖4A-4F的該單個晶片105設(shè)備描述 的原理可擴(kuò)展到配置為同時處理多個晶片105的i殳備。圖5是示出按照本發(fā)明另 一個實(shí)施方式、用于從基片上去 除污染的方法的流程圖。該方法包括才喿作501,用于將基片浸入清 潔材料從而污染有待從其上去除的該基片表面設(shè)為對著并且基本 上關(guān)于該約束表面平行定向。圖4A-4F,如之前討^侖的，示意性顯 示該基片定向?yàn)榕c該限制表面相對且基本平行，同時浸入該清潔材
料的例子。應(yīng)當(dāng)理解的是，圖5的方法提到的清潔材料代表與之前 描述相同的清潔材料IOI。所以，該清潔材料包括分散在液體媒介 107中的固體成分109。該方法還包括操:作503，用于將該基片與該約束表面一起 相對水平面傾斜。在各種不同的實(shí)施方式中，可在將該基片i殳為在 將基片定向?yàn)榕c該限制表面相對且基本平行之前或之后執(zhí)行該傾 斜。該方法進(jìn)一步包括操作505用于在清潔材料內(nèi)在對應(yīng)于低于基 片的高度生成不溶成分。圖4B,如之前討論的，說明在該清潔材料 內(nèi)高度低于該基片的位置產(chǎn)生該不溶成分lll的例子，其中該晶片 105表示該基片。作用在該不溶成分上的浮力侵j尋該不溶成分在基片上在 該約束表面和該基片之間移動。該不溶成分在該基片上的移動使力 施加到該液體々某介內(nèi)的固體成分從而該固體成分與該基片上存在 的污染物相互作用。圖4C-4F,如之前討i侖的，i兌明該不溶成分如 4可在該固體成分上施加力以促進(jìn)該固體成分和該污染物之間相互 作用、/人而將污染物/人該基片去除的例子。如圖5的流程圖中描述的方法可包括許多額外的操作以 增強(qiáng)該污染去除工藝。在一個實(shí)施方式中，可包括用于調(diào)節(jié)該基片 連同該約束表面的傾斜角以能夠控制該不溶成分在該基片上速度 的才乘作。并且，可包4舌用于隨著該不;容成分在該基片上移動而調(diào)節(jié) 該約束表面和該基片之間間距以能夠控制該不溶成分和該基片之 間距離的操作。在另 一個才喿作中，可以循環(huán)該清潔材沖牛以引起清潔材庫牛 在該基片上的流動。應(yīng)當(dāng)理解的是引起清潔材料在該基片上的流動 可容i午補(bǔ)充該清潔材并牛內(nèi)的化學(xué)物質(zhì)并增強(qiáng)去除的污染物遠(yuǎn)離該
基片的移動。該方法可進(jìn)一步包括:操作，用于監(jiān)^L和調(diào)節(jié)該清潔材 料化學(xué)制劑以增強(qiáng)該固體成分和該污染物之間的相互作用，因此增 強(qiáng)該污染物乂人該基片的去除。另外，可監(jiān)3見和調(diào)節(jié)該清潔材并午的溫 度以增強(qiáng)該固體成分和該污染物之間的相互作用。還應(yīng)當(dāng)理解隨著 該不溶成分在該基片上的移動，可執(zhí)4亍一個才喿作以通過轉(zhuǎn)動、平移 或者轉(zhuǎn)動和平移來才喿縱該基片。盡管在從半導(dǎo)體晶片去除污染物的背景下描述本發(fā)明， 應(yīng)當(dāng)理解的是該之前描述的本發(fā)明的原理和4支術(shù)可同樣應(yīng)用于清 潔半導(dǎo)體晶片之外的表面。例如，本發(fā)明可用來清潔任何在半導(dǎo)體
制造中使用的設(shè)備表面，其中任何設(shè)備表面指的是任何與該晶片環(huán) 境相通的表面，例如，與該晶片共享氣腔。本發(fā)明還可用在其它技 術(shù)領(lǐng)域，其中污染去除是重要的。例如，本發(fā)明可用來去除在空間 技術(shù)或其它高技術(shù)領(lǐng)域(如表面科學(xué)、能源、光學(xué)、微電子、MEMS、 平面處理、太陽能電池、存儲i殳備等) -使用的部件上的污染。應(yīng)當(dāng) 理解的是前面提到的本發(fā)明可以使用的示范性領(lǐng)域的列表并不是 代表包含一切的列表。此外，應(yīng)當(dāng)理解的是用在這里的示范性描述 中的晶片可概括為代表實(shí)質(zhì)上任何其它結(jié)構(gòu)，如基片、部件、面板 等。盡管本發(fā)明依照多個實(shí)施方式描述，但是可以理解，本 領(lǐng)域的技術(shù)人員在閱讀之前的說明書以及研究了附圖之后將會實(shí) 現(xiàn)各種改變、增加、置換及其等同方式。所以，其意圖是下面所附 的權(quán)利要求解釋為包括所有這樣的落入本發(fā)明主旨和范圍內(nèi)的改 變、增加、置換和等同物。
權(quán)利要求
1.一種用于從基片去除污染的方法，包括將清潔材料設(shè)在基片上。該清潔材料包括多種分散在液體媒介中的固體成分；向多種固體成分中的一種固體成分施加力以使該固體成分接近該基片上存在的污染物，從而在該固體成分和該污染物之間建立相互作用；以及移動該固體成分遠(yuǎn)離該基片，從而將與該固體成分相互作用的污染物從該基片去除。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于從基片去除污染的方法，其中該多 種固體成分懸浮分散在該液體媒介中。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于從基片去除污染的方法，其中該多 種固體成分限定為避免損傷該基片，并且避免粘附于該基片。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于從基片去除污染的方法，其中該固 體成分是晶體。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于從基片去除污染的方法，其中該固 體成分是非晶體。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于從基片去除污染的方法，其中該固 體成分是脂族酸、羧酸、聚合物、蠟、石蠟、聚苯乙烯、多肽 或粘彈性材料之一。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于從基片去除污染的方法，其中該固 體成分形成為凝集、凝結(jié)、絮凝、凝聚或聚結(jié)之一。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于從基片去除污染的方法，其中該多 種固體成分的一部分在該液體々某介內(nèi)形成固體成分的網(wǎng)，其中 通過固體成分的網(wǎng)傳遞的積4成應(yīng)力建立該固體成分和該污染 物之間的4目互4乍用。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于從基片去除污染的方法，其中該液 體媒介是含水的。
10. 4艮據(jù)一又利要求1所述的用于從基片去除污染的方法，其中該液 體々某介是不含水的。
11. 才艮據(jù)權(quán)利要求1所述的用于從基片去除污染的方法，其中該清 潔材料進(jìn)一步包括多種不溶成分，其限定為向該固體成分施加物之間建立相互4乍用。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的用于從基片去除污染的方法，進(jìn)一步 包括控制該不溶成分以向該固體成分施加受控量的力。
13. 才艮據(jù)^=又利要求11所述的用于乂人基片去除污染的方法，其中該 不溶成分限定為該液體4某介內(nèi)的氣泡。
14. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的用于從基片去除污染的方法，其中該 不;容成分限定為該液體J 某介內(nèi)的液滴。
15. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的用于從基片去除污染的方法，其中該 多種不溶成分限定為不溶成分的混合物，該多種不溶成分混合態(tài)<
16. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的用于從基片去除污染的方法，其中在 將該清潔材料設(shè)置在該基片上之前，將該不溶成分限定在該液 體々某介內(nèi)。
17. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的用于從基片去除污染的方法，進(jìn)一步 包括在將該清潔材料設(shè)在該基片上之后，在該液體媒介內(nèi)形 成該不溶成分。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的用于從基片去除污染的方法，其中當(dāng) 相對于該清潔材^+減小環(huán)境氣壓時，由溶解在該液體々某介內(nèi)的 氣體形成該不;容成分。
19. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于從基片去除污染的方法，其中該固 體成分和該污染物之間的相互作用是由粘附力、碰撞力和引力 中的 一個或多個建立的。
20. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于從基片去除污染的方法，進(jìn)一步包 括改變該液體媒介的化學(xué)制劑以增強(qiáng)該固體成分和該污染 物之間的相互4乍用。
21. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于從基片去除污染的方法，進(jìn)一步包 括控制該清潔材一牛的溫度以增強(qiáng)該固體成分和該污染物之 間的一目互4乍用。
22. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于從基片去除污染的方法，進(jìn)一步包 括控制該清潔材料在該基片上的流率以控制該固體成分遠(yuǎn) 離該基片的移動。
23. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于從基片去除污染的方法，其中該基 片是半導(dǎo)體晶片。
24. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于從基片去除污染的方法，進(jìn)一步包 括控制該液體J 某介的溫度以能夠在該基片上在該液體々某介 內(nèi)原位形成該多種固體成分。
25. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于從基片去除污染的方法，進(jìn)一步包 括向該液體々某介可I入;冗淀劑以在該液體々某介內(nèi)形成該多種 固體成分。
26. 根據(jù)權(quán)利要求25所述的用于從基片去除污染的方法，其中在 虧1入該沉淀劑之前，該固體成分溶解在該液體々某介內(nèi)的溶劑 內(nèi)，該沉淀劑溶于該溶劑并且不::容于該固體成分。
27. —種用于從基片去除污染的設(shè)備，包括通道，用于4妄收基片，該通道限定為包括約束表面，該 約束表面定向?yàn)榕c待從其上去除污染的該基片表面相對且基本上平行；設(shè)在該通道內(nèi)的清潔材料，從而將由該通道接收的基片 浸入該清潔材料，該清潔材料限定為包括分散的固體成分的液 體媒介；以及不溶成分生成器，其i殳在該通道內(nèi)以在該清潔材泮牛內(nèi)生成不溶成分，從而施力。原動力以在該通道的約束表面和祠:/人其 上去除污染的該基片表面之間移動該不溶成分。
28. 根據(jù)權(quán)利要求27所述的用于從基片去除污染的設(shè)備，其中該 不溶成分向該液體々某介內(nèi)的該固體成分施力o力以^f吏該固體成 分才妄近該基片上存在的污染物，,人而在該固體成分和該污染物 之間建立相互4乍用。
29. 根據(jù)權(quán)利要求27所述的用于從基片去除污染的設(shè)備，其中該與污染物相互作用的固體成分移動遠(yuǎn)離該基片，從而將該污染 物/人該基片去除。
30. 根據(jù)權(quán)利要求27所述的用于從基片去除污染的設(shè)備，進(jìn)一步 包括清潔材料循環(huán)器，限定為在該清潔材料內(nèi)引入流動，乂人 而將與污染物相互作用的固體成分移動遠(yuǎn)離該基片。
31. 根據(jù)權(quán)利要求27所述的用于從基片去除污染的設(shè)備，其中該 通道限定為設(shè)為與水平面成角度，乂人而該用于移動該不溶成分 的原動力是浮力。
32. 根據(jù)權(quán)利要求27所述的用于從基片去除污染的設(shè)備，其中該 通道限定為能夠調(diào)節(jié)該通道約束表面和該基片表面之間的間 距。
33. 根據(jù)權(quán)利要求27所述的用于從基片去除污染的設(shè)備，進(jìn)一步 包括清潔材并+控制系統(tǒng)，限定為監(jiān)^L和調(diào)節(jié)該清潔材并牛的化 學(xué)制劑以增強(qiáng)該固體成分和該污染物之間的相互作用，和增強(qiáng) 該污染物/人該基片的去除。
34. 根據(jù)權(quán)利要求27所述的用于從基片去除污染的設(shè)備，進(jìn)一步 包括溫度控制系統(tǒng)，限定為控制該通道內(nèi)清潔材庫牛的溫度。
35. 根據(jù)權(quán)利要求27所述的用于從基片去除污染的設(shè)備，其中該 不溶成分生成器限定為生成液相或氣相的不溶成分。
36.根據(jù)權(quán)利要求27所述的用于從基片去除污染的設(shè)備，其中該 不溶成分生成器限定為歧管，用于縱貫該基片表面生成許多不 溶成分列。
37. 根據(jù)權(quán)利要求27所述的用于從基片去除污染的設(shè)備，進(jìn)一步 包括基片支架，限定為在該通道內(nèi)轉(zhuǎn)動或平移，或轉(zhuǎn)動和平移該基片。
38. 根據(jù)權(quán)利要求27所述的用于從基片去除污染的設(shè)備，其中該 設(shè)備限定為同時從多個基片去除污染。
39. 一種用于乂人基片上去除污染方法，包4舌將基片浸入清潔材料以便待從其上去除污染的該基片表 面定向?yàn)榕c約束表面相對且基本上平行，該清潔材料包括分散 在液體々某介中的固體成分；該基片連同該約束表面相對于水平面傾斜；以及 在該清潔材料內(nèi)對應(yīng)于高度低于該基片的位置生成不溶 成分，從而作用在該不溶成分上的浮力使該不溶成分在該基片 上在該約束表面和該基片之間移動，該不溶成分在該基片上的 移動導(dǎo)致向該'液體々某介內(nèi)的固體成分施力口力，乂人而該固體成分 與該基片上存在的污染物相互作用。
40. 根據(jù)權(quán)利要求39所述的用于從基片去除污染的方法，其中該 固體成分限定為脂族酸、羧酸、聚合物、蠟、石蠟、聚苯乙烯、 多肽和粘彈性材料的 一種或多種。
41. 根據(jù)權(quán)利要求39所述的用于從基片去除污染的方法，其中該 固體成分形成為凝集、凝結(jié)、絮凝、凝聚和聚結(jié)的一種或多種。
42. 根據(jù)權(quán)利要求39所述的用于從基片去除污染的方法，其中該 固體成分在該液體々某介內(nèi)形成固體成分的網(wǎng)，其中通過該固體 成分的網(wǎng)傳遞的積4成應(yīng)力與該污染物相互作用。
43. 根據(jù)權(quán)利要求39所述的用于從基片去除污染的方法，其中該 不溶成分限定為該液體+某介內(nèi)的氣泡。
44. 根據(jù)權(quán)利要求39所述的用于從基片去除污染的方法，其中該 不、溶成分限定為該液體々某介內(nèi)的液滴。
45. 根據(jù)權(quán)利要求39所述的用于從基片去除污染的方法，其中該 不溶成分限定為不溶成分的混合物，該不溶成分的混合物中的
46. 根據(jù)權(quán)利要求39所述的用于從基片去除污染的方法，進(jìn)一步 包括 調(diào)節(jié)該基片連同該約束表面的傾殺牛角以控制該不卩容成分 在該基片上的速度。
47. 根據(jù)權(quán)利要求39所述的用于從基片去除污染的方法，進(jìn)一步 包括隨著該不溶成分在該基片上移動，調(diào)節(jié)該約束表面和該 基片之間的間距以控制該不溶成分和該基片之間的距離。
48. 根據(jù)權(quán)利要求39所述的用于從基片去除污染的方法，進(jìn)一步 包括循環(huán)該清潔材料以引起清潔材料在該基片上的流動。
49. 根據(jù)權(quán)利要求39所述的用于從基片去除污染的方法，進(jìn)一步 包括監(jiān)^L該清潔材剩-化學(xué)制劑；以及調(diào)節(jié)該清潔材料化學(xué)制劑以增強(qiáng)該固體成分和該污染物 之間的相互作用并增強(qiáng)該污染物AU亥基片的去除。
50. 根據(jù)權(quán)利要求39所述的用于從基片去除污染的方法，進(jìn)一步 包括監(jiān)4見該清潔樹^牛的溫度；以及調(diào)節(jié)該清潔材沖牛溫度以增強(qiáng)該固體成分和該污染物之間 的相互作用并增強(qiáng)該污染物乂人該基片的去除。
51. 才艮據(jù)權(quán)利要求39所述的用于乂人基片去除污染的方法，進(jìn)一步 包括隨著該不;容成分在該基片上移動，通過轉(zhuǎn)動、平移之一， 或者轉(zhuǎn)動和平移來操縱該基片。
全文摘要
清潔材料設(shè)置在基片上。該清潔材料包括分散在液體媒介內(nèi)的固體成分。力施加到該液體媒介內(nèi)的固體成分上以使該固體成分接近該基片上存在的污染物。施加到該固體成分上的力可由該液體媒介內(nèi)的不溶成分施加。當(dāng)使該固體成分足夠接近該污染物時，在該固體成分和該污染物之間建立相互作用。然后，移動該固體成分遠(yuǎn)離該基片從而將與該固體成分相互作用的該污染物從該基片去除。
文檔編號B08B7/00GK101351282SQ200680050024
公開日2009年1月21日 申請日期2006年12月8日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月30日
發(fā)明者克林特·托馬斯, 卡特里娜·米哈利欽科, 埃里克·M·弗里爾, 弗雷德·C·雷德克, 米哈伊爾·科羅利克, 約翰·M·德拉里奧斯, 約翰·帕克斯, 邁克爾·拉夫金 申請人:朗姆研究公司