專利名稱：：基體的保護方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及一種通過在基體表面賦予正電荷及負電荷的組合來實現(xiàn)防止或降低該表面污染及保護該表面的方法。
背景技術：
：迄今為止，已知被著色的各種基體(例如，印刷品、建材、纖維、有機高分子樹脂制品等)會經(jīng)時發(fā)生褪色或變色。作為上述褪色或變色的原因，可以舉出光引起的劣化、基體表面附著污染物質(zhì)等，作為其對策，考慮了各種方法。例如，為了防止光引起的劣化，采用在基體中混入紫外線吸收劑等的方法。另一方面，為了防止及除去基體表面的污染物質(zhì)的附著，也開發(fā)了在基體表面形成具有防污功能或自清潔功能的被膜的方法。作為該方法，例如有特開平9-262481號公報中記載的使用銳鈦礦型氧化鈦形成光觸媒層的方法等。專利文獻l:特開平9-262481號公報
發(fā)明內(nèi)容但是，在基體中混入紫外線吸收劑時，有時因基體中成分的作用導致紫外線吸收劑分解，無法充分發(fā)揮紫外線吸收效果。另外，賦予基體表面光觸媒功能時，因基體種類的不同，可能導致在光觸媒作用下基體自身分解劣化。還由于具有光觸媒功能的基體帶有負電荷而存在靜電吸附具有正電荷的污染物的問題。本發(fā)明的目的在于提供防止或降低基體的經(jīng)時性褪色或變色、同時防止或降低污染物附著的新方法。本發(fā)明的目的通過在基體表面上或基體表面層中配置正電荷物質(zhì)及負電荷物質(zhì)而實現(xiàn)。正電荷物質(zhì)優(yōu)選為選自下述物質(zhì)中的1種或2種以上具有正電荷的物質(zhì)(1)陽離子；(2)具有正電荷的導電體或電介質(zhì)；及(3)具有正電荷的導電體與電介質(zhì)或半導體的復合體。質(zhì)(4)陰離子；(5)具有負電荷的導電體或電介質(zhì)；(6)具有負電荷的導電體與電介質(zhì)或半導體的復合體；及(7)具有光觸媒功能的物質(zhì)。另外，上述基體表面的帶電壓優(yōu)選在-50V至50V的范圍內(nèi)。上述基體優(yōu)選是親水性或疏水性或拒水性或拒油性的。上述正電荷物質(zhì)及負電荷物質(zhì)優(yōu)選一起形成層，此時，可以在上述基體表面和上述正電荷物質(zhì)及負電荷物質(zhì)的層之間形成中間層。另選擇上述中間層及上述被覆層的材料特性，能夠賦予基體任意的表面特性。浮游于大氣中的污染物質(zhì)及/或附著于基體上的污染物質(zhì)在太陽光等的作用下被光氧化，帶有正電荷，但由于實施了本發(fā)明方法的基體表面也存在正電荷，所以上述污染物質(zhì)受到靜電排斥而自然從基體表面脫離。因此，可以自清潔基體表面。高呤土粘土微粉末、自來水中的氯化物離子等之類具有負電荷的污染誘發(fā)物質(zhì)靜電地排斥，能夠防止附著在基體表面。所以，能夠防止由上述雜質(zhì)附著導致的基體表面特性的變化，維持基體表面清凈。另一方面，許多霉等微生物、花粉、藻類等植物性細胞帶有正與負兩性的電荷，另外，上述具有正電荷的污染物質(zhì)也與位于帶電序列上游的物質(zhì)摩擦接觸，由此有時一部分正電荷反轉(zhuǎn)為負電荷，從而具有正電荷及負電荷兩者的電荷特性。需要說明的是，棉花、絲綢等纖維片也可以通過與其它物質(zhì)摩擦顯示可轉(zhuǎn)化的正與負的電荷特性。由于在實施了本發(fā)明方法的基體的表面存在正電荷及負電荷，所以即使為具有正電荷及負電荷兩者的電荷特性的污染物質(zhì)及花粉、藻類、霉、纖維片等物質(zhì)，也能夠減少它們附著在基體上。但是，正電荷量或負電荷量中一者大量過剩時，吸附具有負電荷的雜質(zhì)或由光氧化而帶正電荷的污染物質(zhì)的傾向增強，結(jié)果有可能污染基體表面，因此優(yōu)選基體表面為表觀上正電荷量及負電荷量均衡的狀態(tài)，具體而言優(yōu)選基體表面的帶電壓在-50V至50V的范圍內(nèi)。在上述基體、上述中間層及/或上述被覆層是親水性或疏水性或拒水性或拒油性的情況下，利用上述性質(zhì)，能夠更長期防止或降低污染物質(zhì)附著在基體表面。并且，根據(jù)本發(fā)明方法處理的基體對太陽光等的作用本身也具有高抵抗性，可以良好地保護基體免受由太陽光等導致的光劣化。另外，根據(jù)本發(fā)明的方法處理的基體不僅對空氣中的污染而且對水中的污染也具有高抵抗性。通過上述作用，本發(fā)明可長期地防止或降低基體的—逸色或變色。另外，實施了本發(fā)明的方法的基體穩(wěn)定水中的礦物成分及氯化合物例如三卣曱烷類及鎘等重金屬離子，另外抑制菌類或藻類的產(chǎn)生，從而能夠凈化水。表示本發(fā)明中賦予正電荷及負電荷的機制的一例的概念表示本發(fā)明中賦予正電荷及負電荷的機制的其它例的概念圖表示金屬摻雜氧化鈦的第l制備方法的一例的簡圖表示基體上配置正電荷物質(zhì)和負電荷物質(zhì)的各種狀態(tài)的圖。；，一、。人。、，于、"人、機制的概念圖表示評價l中硅樹脂密封劑(siliconesealant)的涂布狀況的圖具體實施例方式作為基體表面褪色或變色的原因之一的污染物質(zhì)是通過浮游于大氣中的碳等無機物質(zhì)及/或油等有機物質(zhì)慢慢地堆積在基體表面從而附著在基體表面。本發(fā)明通過靜電排斥作用，能從基體上除去上述污染物質(zhì)，或者避免或降低上述污染物質(zhì)附著于基體。代表的各種電磁波的作用下發(fā)生所謂的光氧化反應，處于被"氧化"的狀態(tài)。光氧化反應是指在以太陽光為代表的電磁波的作用下，由有機物或無機物表面的水分(H20)、氧(02)產(chǎn)生羥基自由基('OH)或單態(tài)氧(102)時，從該有機物或無機物中奪走電子(el而使該有機物或無機物被氧化的現(xiàn)象。通過該氧化，有機物分子結(jié)構(gòu)發(fā)生變化而呈現(xiàn)出被稱為劣化的變色或脆化現(xiàn)象，無機物特別是金屬會生銹。上述被"氧化"的有機物或無機物的表面由于電子(e—)被奪走而帶正電。本發(fā)明中，通過首先賦予基體表面正電荷，利用靜電排斥力使上述有機物或無機物從基體表面自然地脫離。作為賦予基體表面正電荷的方法，例如可以舉出在基體表面上或基體表面層中配置選自陽離子、具有正電荷的導電體或電介質(zhì)、具有正電荷的導電體與電介質(zhì)或半導體的復合體、或上述物質(zhì)的混合物中的正電荷物質(zhì)的方法。作為上述陽離子，沒有特別限定，優(yōu)選鈉、鉀等堿金屬的離子；4丐等堿土金屬的離子；鋁、錫、銫、銦、鈰、硒、鉻、鈷、鎳、銻、鐵、銅、錳、鴒、鋯、鋅等其它金屬元素的離子，特別優(yōu)選銅離子。還可以使用甲基紫、俾斯麥棕、亞曱藍、孔雀綠等陽離子染料、被含有季氮原子的基團改性的硅氧烷等具有陽離子基團的有機分子。離子的價數(shù)也沒有特別限定，例如可以使用14價的陽離子。作為上述金屬離子的供給源，也可以使用金屬鹽。具體而言，可7以舉出氯化鋁、氯化亞錫及氯化錫、氯化鉻、氯化鎳、氯化亞銻及氯化銻、氯化亞鐵及氯化鐵、氯化銫、三氯化銦、氯化亞鈰、四氯化硒、氯化銅、氯化錳、四氯化鎢、二氯氧化鎢、鎢酸鉀、氯氧化鋯、氯化鋅、碳酸鋇等各種金屬鹽。還可以使用氫氧化鋁、氫氧化鐵、氫氧化鉻、氫氧化銦等金屬氫氧化物、硅鴒酸等的氫氧化物、或者油脂氧化物等氧化物等。作為具有正電荷的導電體或電介質(zhì)，可以舉出除上述陽離子以外的產(chǎn)生正電荷的導電體或電介質(zhì)，例如可以舉出由下述各種導電體形成的電池的正電極、以及通過摩#^而帶正電的羊毛、尼龍等電介質(zhì)。帶有正電荷的污染物質(zhì)如上所述通過賦予基體表面正電荷能夠避免附著在基體表面上。但是，另一方面，在污染物質(zhì)中存在下述物質(zhì)如自來水中的氯化物離子等之類帶負電荷的物質(zhì)；最初帶有正電荷，但通過與其它物體的相互作用(摩擦等)變?yōu)閹в胸撾姾傻奈镔|(zhì)；以及如霉等微生物、花粉、藻類等植物性細胞之類既帶有正電荷又帶有負電荷的物質(zhì)。上述帶有負電荷的污染物質(zhì)容易被吸附在僅帶有正電荷的基體表面。因此，本發(fā)明中，通過賦予基體表面正電荷和負電荷，也能夠防止具有負電荷的污染物質(zhì)等附著在基體表面。另外，根據(jù)正電荷與負電荷的電位差，也能夠降低或防止霉、藻類等的繁殖。需要說明的是，由正電荷或負電荷的帶電量較少的絕緣體(例如硅油)構(gòu)成的污染物質(zhì)根據(jù)該物質(zhì)的種類的不同，在基體表面僅存在強正電荷或負電荷時，該污染物質(zhì)的表面電荷反轉(zhuǎn)，結(jié)果可能使該污染物質(zhì)吸附在該基體表面，因此通過使正電荷及負電荷兩者共存，能夠避免上述吸附。作為賦予基體表面負電荷的方法，例如可以舉出在基體表面配置選自下述物質(zhì)中的負電荷物質(zhì)的方法陰離子；帶有負電荷的導電體或電介質(zhì)；帶有負電荷的導電體和電介質(zhì)或半導體的復合物；或者上述的混合物；以及具有光觸媒功能的物質(zhì)。作為上述陰離子，沒有特殊的限定，可以舉出氟化物離子、氯化物離子、械化物離子等囟化物離子；氫氧化物離子、硫酸離子、硝酸離子、碳酸離子等無機類離子；乙酸離子等有機類離子。離子的價數(shù)也沒有特殊的限定，例如可以使用1~4價陰離子。作為具有負電荷的導電體或電介質(zhì)，可以舉出除上述陰離子以外的、產(chǎn)生負電荷的導電體或電介質(zhì)，例如可以舉出金、銀、鉑等金屬；金屬氧化物；石墨、硫、硒、碲等元素；硫化砷、硫化銻、硫化汞等硫化物；粘土、玻璃粉、石英粉、石棉、淀粉、棉花、絲綢、羊毛等；普魯士藍、靛藍、苯胺藍、曙紅、萘酚黃等染料的膠體。其中，優(yōu)選金、銀、鉑等金屬及金屬氧化物的膠體，特別是更優(yōu)選銀膠體。除此之外，可以舉出由下述各種導電體構(gòu)成的電池的負極、以及帶有負電的鹵素、氟樹脂、氯乙烯、聚乙烯、聚酯等電介質(zhì)、以及上述的化合物及復合體。作為具有光觸媒功能的物質(zhì)，可以使用含有特定的金屬化合物、具有通過光激發(fā)氧化分解該層表面的有機及/或無機化合物的功能的物質(zhì)。光觸媒的原理，一般可以理解為特定的金屬化合物通過光激發(fā)由空氣中的水或氧生成OH—或0—的自由基種，此自由基種氧化還原分解有機及/或無機化合物。作為上述金屬化合物，除代表性的氧化鈦(Ti02)之外，已知有ZnO、SrTiOP3、CdS、CdO、CaP、InP、ln203、CaAs、BaTi03、K2Nb03、Fe203、Ta205、W03、NiO、Cu20、SiC、Si02、MoS3、InSb、Ru02、Ce。2等。具有光觸媒功能的物質(zhì)可以含有提高光觸媒性能的金屬(Ag、Pt)。另外，可以在不使光觸媒功能失活的程度的范圍內(nèi)含有金屬鹽等各種物質(zhì)。作為上述金屬鹽，例如有鋁、錫、鉻、鎳、銻、鐵、銀、銫、銦、鈰、硒、銅、錳、釣、柏、鴒、鋯、鋅等的金屬鹽，除此之外也可以使用部分金屬或非金屬等的氫氧化物或氧化物。具體而言，可以舉出氯化鋁、氯化亞錫及氯化錫、氯化鉻、氯化鎳、氯化亞銻及氯化銻、氯化亞鐵及氯化鐵、硝酸銀、氯化銫、三氯化銦、氯化亞鈰、四氯化硒、氯化銅、氯化錳、氯化鉤、氯化鉑、四氯化鴒、二氯氧化鶇、鴒酸鉀、氯化金、氧氯化鋯、氯化鋅等各種金屬鹽。另外，作為金屬鹽以外的化合物，可以舉出氫氧化銦、硅鴒酸、硅溶膠、氫氧化鈣等。上述具有光觸媒功能的物質(zhì)在激發(fā)狀態(tài)下從該物質(zhì)表面的物理的吸附水或氧吸附OH(氫氧自由基)、02(氧自由基)，其表面具有陰離子的特性，其中共存正電荷物質(zhì)時，與其濃度比相對應地發(fā)生所謂的光觸媒活性降低或喪失。但是，本發(fā)明中，具有光觸媒功能的物質(zhì)沒有必要具有對污染物質(zhì)的氧化分解作用，因此能夠用作負電荷物質(zhì)。并且，通過使正電荷物質(zhì)共存，能夠避免具有光觸媒功能的物質(zhì)因粘合劑(典型的粘合劑為無機類高分子及有機類高分子)氧化分解導致的劣化。所以，即使在利用粘合劑固定具有光觸媒功能的物質(zhì)進行使用的情況下，通過使其與正電荷物質(zhì)共存，也能夠抑制該粘合劑劣化，同時呈現(xiàn)由正.負兩種電荷特性產(chǎn)生的防污功能。圖l表示賦予基體表面正電荷及負電荷的方案之一的概念圖。圖l是表示本發(fā)明中賦予正電荷及負電荷的機制的一例的概念圖，在省略圖示的基體上存在電介質(zhì)或半導體-具有負電荷的導電體-電介質(zhì)或半導體-具有正電荷的導電體的組合。以使用上述物質(zhì)。電體表面電荷狀態(tài)的影響而發(fā)生電介質(zhì)極化。結(jié)果導致電介質(zhì)或半導體中與具有負電荷的導電體鄰接的一側(cè)產(chǎn)生正電荷，另外，在與具有正電荷的導電體鄰接的一側(cè)產(chǎn)生負電荷。在上述作用下，圖l所示的電介質(zhì)或半導體-導電體-電介質(zhì)或半導體-導電體的組合的表面在帶有正電荷的同時帶有負電荷，正電荷數(shù)和負電荷數(shù)相同時，基體表面表觀上電性保持中性。上述導電體和電介質(zhì)或半導體的復合體的大小(是指通過復合體的最長軸的長度)為lnm至100iim、優(yōu)選lnm至10iim、較優(yōu)選lnm至lfim、更優(yōu)選lnm至100nm的范圍。圖2是表示賦予基體表面正電荷及負電荷的其它方案的概念圖。圖2為具有負電荷的導電體和具有正電荷的導電體鄰接，正電荷10及負電荷進行接觸抵消等而減少的狀態(tài)。需要說明的是，作為帶有負電荷的導電體及帶有正電荷的導電體，可以使用上述物質(zhì)。從耐久性的觀點考慮，本發(fā)明中使用的導電體優(yōu)選為金屬，可以舉出鋁、錫、銫、銦、鈰、硒、鉻、鎳、銻、鐵、銀、銅、錳、鉑、鴒、鋯、鋅等金屬。另外，也可以使用上述金屬的氧化物或復合體或合金。導電體的形狀沒有特別限定，可以為粒子狀、薄片狀、纖維狀等任意形狀。作為導電體，也可以使用部分金屬的金屬鹽。具體地可以列舉氯化鋁、氯化亞錫及氯化錫、氯化鉻、氯化鎳、氯化亞銻及氯化銻、氯化亞鐵及氯化鐵、硝酸銀、氯化銫、三氯化銦、氯化亞鈰、四氯化硒、氯化銅、氯化錳、氯化鉑、四氯化鵠、二氯氧化鎢、鎢酸鉀、氯化金、氯氧化鋯、氯化鋅等各種金屬鹽。另外，也可以使用氫氧化銦、硅鎢酸等氫氧化物或氧化物等。作為導電體，也可以使用聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩、聚噻吩維尼綸、聚異硫茚、聚乙炔、聚烷基吡咯、聚烷基噻吩、對聚苯、聚苯撐維尼綸、聚曱氧基苯撐、聚苯硫醚、聚苯醚、聚蒽、聚萘、聚芘、聚奧等導電性高分子。作為本發(fā)明中使用的構(gòu)成復合體的半導體，例如有C、Si、Ge、Sn、GaAs、I叩、GeN、ZnSe、PbSnTe等，也可以使用半導體氧化金屬或光半導體金屬、光半導體氧化金屬。優(yōu)選氧化鈦(Ti02)，除此之外還優(yōu)選使用ZnO、SrTiOP3、CdS、CdO、CaP、InP、ln203、CaAs、BaTi03、K2Nb03、Fe203、Ta203、W03、NiO、Cu20、SiC、Si02、MoS3、InSb、Ru02、Ce02等，作為半導體使用時，用Na等使光觸媒功能失活的物質(zhì)較理想。作為本發(fā)明中使用的構(gòu)成復合體的電介質(zhì)，可以使用強電介質(zhì)鈦i酸銅(PZT)、所謂的SBT、BLT或以下所歹iJ舉的PZT、PLZT—(Pb、La)(Zr、Ti)03、SBT、SBTN-SrBi2(Ta、Nb)209、BST-(Ba、Sr)Ti03、LSCO-(La、Sr)Co03、BLT、BIT-(Bi、La)4Ti3012、BSO-Bi2SiOs等復合金屬。另外，也可使用作為有機硅化合物的硅烷ii化合物、硅氧烷化合物、所謂的有機改性二氧化硅化合物、及有機聚合物絕緣膜丙炔醚類聚合物(allyleneetherpolymer)、苯并環(huán)丁烯、氟類聚合物聚對二甲笨N或F、氟化非晶型碳等各種低電介質(zhì)材料。能賦予基體表面正電荷及負電荷，可以使用任意的導電體與電介質(zhì)或半導體的組合，但是從基體表面的自清潔化方面考慮，優(yōu)選使用金屬摻雜氧化鈦。作為上述金屬，優(yōu)選選自金、銀、柏、銅、錳、鎳、鈷、鐵及鋅中的至少一種金屬元素，更優(yōu)選至少兩種，特別優(yōu)選銀和銅。作為氧化鈦，可以使用Ti02、Ti03、TiO、Ti03/nH20等各種氧化物、過氧化物。特別優(yōu)選具有過氧基的過氧化鈦。氧化鈦可以為非晶型、銳鈦礦型、板鈦礦型、金紅石型中的任一種，上述類型可以混合存在，但是優(yōu)選非晶型氧化鈦。非晶型氧化鈦不具有光觸媒功能。另一方面，銳鈦礦型、板鈦礦型及金紅石型氧化鈦雖然具有光觸媒功能，但是如果使其與一定濃度以上的銅、錳、鎳、鈷、鐵或鋅復合，則喪失光觸媒功能。因此上述金屬摻雜鈦氧化物不具有光觸媒功能。另外，非晶型氧化鈦因被太陽光加熱等而經(jīng)時性地轉(zhuǎn)化為銳鈦礦型氧化鈦，但是與銅、錳、鎳、鈷、鐵或鋅復合時，由于銳鈦礦型氧化鈦會喪失光觸媒功能，因此上述金屬摻雜鈦氧化物不會經(jīng)時性地呈現(xiàn)光觸媒功能。另一方面，對于摻雜金、銀、鉑的鈦氧化物，氧化鈦從非晶型變?yōu)殇J鈦礦型時，具有光觸媒性能，但正電荷物質(zhì)以一定濃度以上共存時不顯示光觸媒性能，因此，即使在使用上述金屬摻雜鈦氧化物時也不會經(jīng)時地具有光觸媒功/'匕叱。作為上述金屬摻雜鈦氧化物的制備方法，可以采用以作為通常的二氧化鈦粉末的制備方法的鹽酸法或硫酸法為基礎的制備方法，也可以采用各種液體分散二氧化鈦溶液的制備方法。上述金屬不論在任何制備階段都可以與鈦氧化物復合。例如，作為上述金屬摻雜鈦氧化物的具體制備方法，可以舉出以下的第1~第3制備方法及迄今為止已知的溶膠-凝膠法。第l制備方法首先，使四氯化鈦等四價鈦化合物與氨等堿反應形成氬氧化鈦。然后用氧化劑使該氫氧化鈦過氧化，形成非晶型過氧化鈦的超微細粒子。該反應優(yōu)選在水性介質(zhì)中進行。也可以進一步通過任意加熱處理使其轉(zhuǎn)化為銳鈦礦型過氧化鈦。在上述各工序的任一工序中，混合金、銀、鉑、銅、錳、鎳、鈷、鐵、鋅或上述金屬的化合物中的至少任意〗種。過氧化用氧化劑沒有特別限定，只要能形成鈦的過氧化物即過氧化鈦即可，可以使用各種氧化劑，但是優(yōu)選過氧化氫。使用過氧化氫水溶液作為氧化劑時，過氧化氫的濃度沒有特別限定，但優(yōu)選為30~40%。優(yōu)選在進行過氧化前冷卻氫氧化鈦。此時的冷卻溫度優(yōu)選為1~5。C。圖3表示上述第1制備方法之一例。在圖示的制備方法中，在金、銀、鉑、銅、錳、鎳、鈷、鐵、鋅的化合物中的至少l種的存在下混合四氯化鈦水溶液與氨水，使其生成該金屬的氫氧化物及鈦的氫氧化物的混合物。對此時的反應混合液的濃度及溫度沒有特別限定，優(yōu)選為稀薄溶液且常溫。該反應為中和反應，反應混合液的pH優(yōu)選最終調(diào)節(jié)至7左右。將如上所得的金屬及鈦的氫氧化物用純水清洗后，冷卻至5。C左右，然后，用過氧化氫水溶液進行過氧化。由此，可以制備含有摻雜了金屬的非晶型的具有過氧基的鈦氧化物微細粒子的水性分散液，即含有金屬摻雜鈦氧化物的水性分散液。第2制備方法用氧化劑使四氯化鈦等四價鈦化合物過氧化，使其與氨等堿反應形成非晶型過氧化鈦的超微細粒子。該反應優(yōu)選在水性介質(zhì)中進行。也可進一步通過任意加熱處理而轉(zhuǎn)化成銳鈦礦型過氧化鈦。在上述各工序的任一工序中，混合金、銀、柏、銅、錳、鎳、鈷、鐵、鋅或上述金屬的化合物中的至少任意1種。第3制備方法使四氯化鈦等四價鈦化合物與氧化劑及堿同時反應，進而同時進行氫氧化鈦的形成與氫氧化鈦的過氧化，形成非晶型過氧化鈦的超微細粒子。該反應優(yōu)選在水性介質(zhì)中進行。也可以進一步通過^[壬意加熱處理轉(zhuǎn)化為銳鈦礦型過氧化鈦。在上述各工序的任一工序中，混合金、銀、鉬、銅、錳、鎳、鈷、鐵、鋅或上述金屬的化合物中的至少任意1種。需要說明的是，在第1第3制備方法中，當然可以使用非晶型過氧化鈦與將其加熱所得的銳鈦礦型過氧化鈦的混合物作為金屬摻雜鈦氧化物。利用溶膠-凝膠法的制備方法在烷氧基鈦中混合攪拌水、醇等溶劑、酸或堿催化劑，使烷氧基鈦水解，生成鈦氧化物超微粒子的溶膠溶液。在該水解前后的任一方中混合金、銀、柏、銅、錳、鎳、鈷、鐵、鋅或上述金屬的化合物中的至少任意l種。需要說明的是，如上所得的鈦氧化物為具有過氧基的非晶型鈦氧化物。作為上述烷氧基鈦，優(yōu)選為用通式Ti(OR')4(其中R'為烷基)表示的化合物，或用羧基或P-二羰基取代上述通式中的l或2個烷氧基(OR')得到的化合物或上述化合物的混合物。作為上述烷氧基鈦的具體例，可以舉出Ti(O-isoC3H7)4、Ti(O-nC4H9)4、Ti(O-CH2CH(C2H5)C4H9)4、Ti(O-C7H35)4、Ti(O-isoC3H7)2[CO(CH3)CHCOCH3]2、Ti(O-nC4H9)2[OC2H4N(C2H4OH)2]2、Ti(OH)2[OCH(CH3)COOH]2、Ti(OCH2CH(C2H5)CH(OH)C3H7)4、Ti(0-nC4H9)2(OCOC7H35)等。四價鈥化合物作為用于制備金屬摻雜鈦氧化物的四價鈦化合物，只要是與堿反應時可形成也被稱為原鈦酸(H4Ti04)的氬氧化鈦的化合物即可，可以使用各種鈦化合物，例如有四氯化鈦、硫酸鈦、硝酸鈦、磷酸鈦等鈦的水溶性無機酸鹽。此外，也可使用草酸鈦等鈦的水溶性有機酸鹽。需要說明的是，上述各種鈦化合物中，從水溶性特別優(yōu)良且在金屬摻14雜鈦氧化物的分散液中不殘留鈦以外的成分方面考慮，優(yōu)選四氯化鈦。另外，使用四價鈦化合物的溶液時，該溶液的濃度只要為可以形成氫氧化鈦的凝膠的范圍即可，沒有特別限定，但是優(yōu)選比較稀薄的溶液。具體而言，四價鈦化合物的溶液濃度優(yōu)選為50.01wt。/。，更優(yōu)選為0.90.3wt0/0。械與上述四價鈦化合物反應的堿只要能與四價鈦化合物反應形成氫氧化鈦即可，可以使用各種堿，其中，可以舉出氨、氫氧化鈉、碳酸鈉、氫氧化鉀等，優(yōu)選氨。另外，使用上述堿的溶液時，該溶液的濃度只要為可形成氫氧化鈦凝膠的范圍即可，沒有特別限定，但是優(yōu)選比較稀薄的溶液。具體而言，堿溶液濃度優(yōu)選為10~0.01wt%,更優(yōu)選為1.0~0.1wt%。特別是使用氨水作為堿溶液時的氨濃度優(yōu)選為10~0.01wt%,更優(yōu)選為1.0~0.1wt%。金屬化合物作為金、銀、柏、銅、錳、鎳、鈷、鐵或鋅的化合物，可以分別列舉以下化合物。Au化合物AuCl、AuCl3、AuOH、Au(OH)2、Au20、Au203Ag化合物:AgN03、AgF、AgC103、AgOH、Ag(NH3)OH、Ag2S04Pt化合物PtCl2、PtO、Pt(NH3)Cl2、Pt02、PtCl4、[Pt(OH)6]2Ni化合物:Ni(OH)2、NiCl2Co化合物Co(OH)N03、Co(OH)2、CoS04、CoCl2Cu化合物Cu(OH)2、Cu(N03)2、CuS04、CuCl2、Cu(CH3COO)2Mn化合物MnN03、MnS04、MnCl2Fe化合物Fe(OH)2、Fe(OH)3、FeCl3Zn化合物Zn(N03)2、ZnS04、ZnCl2按照第1至第3制備方法所得的水性分散液中過氧化鈦的濃度(含有共存的金、銀、鉬、銅、錳、鎳、鈷、鐵或鋅的總量)優(yōu)選為0.05~15wt%，更優(yōu)選為O.l~5wt%。另外，關于金、銀、柏、銅、錳、鎳、鈷、鐵或鋅的配合量，以鈦與金屬成分的摩爾比計算，本發(fā)明優(yōu)選為1:1，從水性分散液的穩(wěn)定性方面考慮，優(yōu)選為l:0.01-1:0.5,更優(yōu)選為l:0.031:0.1。圖4為表示在基體上配置正電荷物質(zhì)和負電荷物質(zhì)的各種方案的圖。圖4A表示在基體表面上形成僅由正電荷物質(zhì)和負電荷物質(zhì)構(gòu)成的層的方案。層厚沒有特殊的限定，優(yōu)選為10nml(im的范圍，更優(yōu)選為10簡100nm的范圍。圖4A所示的正電荷物質(zhì)和負電荷物質(zhì)的配置可以通過例如'踐射法、噴鍍法、離子鍍法(陰極電弧放電型)、CVD涂布、電沉積涂敷形成。另外，通過至少進行l(wèi)次下述工序也可以形成即，將基體浸漬在上述各物質(zhì)的溶液、懸浮液或乳液中進行浸漬涂布、或者用噴霧器、輥、刷毛、海綿等將上述溶液、懸浮液或乳液涂布在基體上后，干燥，使溶劑或介質(zhì)揮散的工序。具體而言，例如，經(jīng)過下述工序，能夠在基體上如圖4A所示配置正電荷物質(zhì)和負電荷物質(zhì)，所述工序為混合含有銅離子等陽離子的溶液和銀膠體等具有負電荷的導電體的分散液，將基體浸漬在混合液中后進行干燥的工序；或混合銅、鎳、鈷、錳、鐵、鋅等金屬摻雜非晶型氧化鈦分散液和銀、金、鉑等的金屬摻雜非晶型氧化鈦分散液，將混合液涂布在基體上后進行干燥的工序。圖4B表示在基體表面上形成由正電荷物質(zhì)和負電荷物質(zhì)及其他成分構(gòu)成的層的方案。層厚沒有特殊的限定，優(yōu)選為10nmlpm的范圍，更優(yōu)選為10nm100nm的范圍。圖4B所示的正電荷物質(zhì)和負電荷物質(zhì)的配置例如可以通過進行至少l次下述工序而形成，所述工序是將基體浸漬到含有上述各物質(zhì)的溶液、懸浮液或乳液中進行浸漬涂布，或者采用噴霧器、輥、刷毛、海綿等將上述溶液、懸浮液或乳液涂布在基體上后進行干燥。面活性劑或分散劑作為上述其它成分與正電荷物質(zhì)及負電荷物質(zhì)共存。表面活性劑或分散劑的配合量可以為正電荷物質(zhì)及負電荷物質(zhì)的總量的0.001~1.0重量％、優(yōu)選為O.l~1.0重量％的范圍。作為表面活性劑或分散劑，可以使用各種有機硅化合物。作為有機硅化合物，可以使用各種硅烷化合物及各種硅油、硅橡膠及有機硅樹脂，但優(yōu)選分子中具有硅酸烷基酯結(jié)構(gòu)或聚醚結(jié)構(gòu)的化合物、或具有硅酸烷基酯結(jié)構(gòu)與聚醚結(jié)構(gòu)二者的化合物。此處，所謂硅酸烷基酯結(jié)構(gòu)，是指烷基鍵合在硅氧烷骨架的硅原子上的結(jié)構(gòu)。另一方面，聚醚結(jié)構(gòu)具體可以舉出聚環(huán)氧乙烷、聚環(huán)氧丙烷、聚四氫呋喃、聚環(huán)氧乙烷-聚環(huán)氧丙烷嵌段共聚物、聚乙烯-聚丁二醇共聚物、聚丁二醇-聚環(huán)氧丙烷共聚物等分子結(jié)構(gòu)，但并不限定于此。其中，從可以通過其嵌段度及分子量控制潤濕性的觀點考慮，更優(yōu)選聚環(huán)氧乙烷-聚環(huán)氧丙烷嵌段共聚物。特別優(yōu)選分子中同時具有硅酸烷基酯結(jié)構(gòu)與聚醚結(jié)構(gòu)的有機物質(zhì)。具體優(yōu)選聚醚改性聚二曱基硅氧垸等聚醚改性硅氧烷?？梢圆捎霉姆椒ㄟM行制備，例如，可以根據(jù)特開平4-242499號公報的合成例1、2、3、4或特開平9-165318號公報的參考例記載的方法等進行制備。特別優(yōu)選使兩末端曱代烯丙基聚環(huán)氧乙烷-聚環(huán)氧丙烷嵌段共聚物與二氫聚二曱基硅氧烷反應所得的聚環(huán)氧乙烷-聚環(huán)氧丙烷嵌段共聚物改性聚二甲基硅氧烷。具體可以使用TSF4445、TSF4446(GE東芝有機硅(抹)制)、SH200、SH3746M(東麗'道康寧(抹)制)、KP系列(信越化學工業(yè)(抹)制)及DC3PA、ST869A(東麗道康寧(抹)制)等。上述物質(zhì)為涂料用添加劑，但除了涂料用添加劑外，只要是能賦予上述性能的添加劑，均可適當使用。圖4B所示的正電荷物質(zhì)和負電荷物質(zhì)的配置例如可以經(jīng)過下述工序獲得即，混合帶有銅離子等陽離子的溶液和銀膠體等具有負電荷的導電體分散液，進而，相對于兩分散液的總重量配合O.Ol~1.0%的聚酯改性有機硅，在所得混合液中浸漬基體后，進行干燥的工序，或者將銅、鎳、鈷、錳、鐵、鋅等金屬摻雜非晶型氧化鈦分散液和銀、金、鉑等金屬摻雜非晶型氧化鈦分散液混合，進而相對于兩分散液的總重量配合0.01~1.0%聚酯改性有機硅，將所得的混合液涂布在基體上后，進行干燥的工序。需要說明的是，上述其它成分即使為基體的構(gòu)成材料時，例如在鑄塑成型中，向構(gòu)成基體的成分的未固化液中混入比重比該液體高或低的、規(guī)定量的上述正電荷物質(zhì)及負電荷物質(zhì)，放置規(guī)定時間后，使該液體固化，由此也能夠得到圖4(b)所示的配置。需要說明的是，涂裝基體時，此外，作為上述其它成分，也可以使用紅外線吸收劑或反射劑、紫外線吸收劑或反射劑、電磁波屏蔽劑等各種添加劑。另外，也可以分別單獨與功能涂膜劑混合進行造膜。此時，考慮與正電荷物質(zhì)或負電荷物質(zhì)的一致性，確定使用量。圖4C表示在基體表面與正電荷物質(zhì)及負電荷物質(zhì)的層之間設置中間層的狀態(tài)。圖4D表示在基體表面上設置正電荷物質(zhì)及負電荷物質(zhì)的層之后，進而設置被覆層的狀態(tài)。此時，通過靜電誘導，可以在被覆層上形成上述中間層及被覆層例如可以由能夠賦予基體親水性或疏水'性或拒水性或拒油性的各種有機或無機物質(zhì)形成。作為親水性有機物質(zhì)，可以舉出聚乙二醇、聚丙二醇、聚乙二醇-聚丙二醇嵌段共聚物等聚醚；聚乙烯醇；聚丙烯酸(包括堿金屬鹽、銨鹽等鹽)、聚曱基丙烯酸(包括堿金屬鹽、銨鹽等鹽)、聚丙烯酸-聚曱基丙烯酸(包括堿金屬鹽、銨鹽等鹽)共聚物；聚丙烯酰胺；聚乙烯基吡咯烷酮；羧曱基纖維素(CMC)、甲基纖維素(MC)等親水性纖維素類；多糖類等天然親水性高分子化合物等。也可以使用在上述高分子材料中配合玻璃纖維、碳纖維、二氧化硅等無機類電介質(zhì)復合化得到的物質(zhì)。另外，作為上述高分子材料，也可以使用涂料。18作為親水性無機材料，例如可以舉出Si02或其它硅化合物。作為拒水性有機物質(zhì)，可以舉出聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯等聚烯烴；聚丙烯酸酯、丙烯腈'苯乙烯共聚物(AS)、丙烯腈'丁二烯'苯乙烯共聚物(ABS)等丙烯酸類樹脂；聚丙烯腈；聚氯乙烯、聚偏氯乙烯等聚卣代乙烯；聚四氟乙烯、氟乙烯.丙烯共聚物、聚氯三氟乙烯(PCTFE)、聚偏氟乙烯(PVDF)、偏氟乙烯.三氟乙烯共聚物等氟樹脂；聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯等聚酯；酚醛樹脂；脲樹脂；三聚氰胺樹脂；聚酰亞胺樹脂；尼龍等聚酰胺樹脂；環(huán)氧樹脂；聚氨酯等。作為拒水性有機物質(zhì)，優(yōu)選氟樹脂，特別優(yōu)選具有強電介質(zhì)性和拒水性的偏氟乙烯.三氟乙烯共聚物、聚偏氟乙烯的p型結(jié)晶及含有該結(jié)晶的物質(zhì)。作為氟樹脂，可以使用市場上銷售的氟樹脂，作為市場上銷售的產(chǎn)品，例如可以舉出NTT-AT抹式會社制的HIREC1550等。還可以使用由氟樹脂乳液以及固化劑(參見特開平5-124880號公報、特開平5-117578號公報、特開平5-179191號公報)及/或上述有機硅樹脂類拒水劑組成的組合物(參見特開2000-121543號公報、特開2003-26461號公報)，所述氟樹脂乳液由至少一種氟樹脂和表面活性劑形成，所述氟樹脂選自由2種以上含有氟原子的烯烴形成的共聚物、含有氟原子的烯烴和烴單體的共聚物以及由2種以上含有氟原子的烯烴形成的共聚物和熱塑性丙烯酸樹脂的混合物。作為該氟樹脂乳液，可以使用市場上銷售的氟樹脂乳液，可以從大金工業(yè)(抹)購入Zeffum系列、從旭硝子(抹)購入Lumiflon系列。作為上述固化劑，優(yōu)選使用三聚氰胺類固化劑、胺類固化劑、多元異氰酸酯類固化劑及嵌段多元異氰酸酯類固化劑。作為拒水性無機材料，例如可以舉出硅烷類、硅酸酯(siliconate)類、硅氧烷類及硅烷復合類或氟類拒水劑或防吸水劑等。特別優(yōu)選氟類拒水劑，作為例子可以舉出含有全氟烷基的化合物等含氟化合物或含有含氟化合物的組合物。需要說明的是，中間層含有對基材表面的吸附性高的含氟化合物時，適用于基材表面后，不一定需要拒水劑或19防吸水劑的化學成分和基材反應，生成化學鍵，或化學成分之間交聯(lián)。能用作上述氟類拒水劑的含氟化合物優(yōu)選分子中含有全氟烷基的分子量為1，00020，000的含氟化合物，具體而言，可以舉出全氟磺酸鹽、全氟磺酸銨鹽、全氟羧酸鹽、全氟烷基甜菜堿、全氟烷基環(huán)氧乙烷加成物、全氟烷基氧化胺、全氟烷基磷酸酯及全氟烷基三曱基銨鹽等。其中，從對基材表面的吸附性優(yōu)異的觀點來看，優(yōu)選全氟烷基磷酸酯及全氟烷基三曱基銨鹽。作為上述材料，市場上銷售有SurflonS-112、及SurflonS-121(均為商品名，清美化工(Seimichemical)(抹)制)等。此外，為吸水性高的基體時，優(yōu)選在正電荷物質(zhì)及負電荷物質(zhì)的層之下在基板上預先形成含有硅炕化合物的中間層。該中間層由于含有大量Si-O鍵，所以能提高正電荷物質(zhì)及負電荷物質(zhì)的層的強度及與基體的密接性。另外，上述中間層還具有防止水分浸入基體的功能。作為上述硅烷化合物，可以列舉水解性硅烷、其水解產(chǎn)物及上述化合物的混合物。作為水解性硅烷，可以使用各種烷氧基硅烷，具體可以列舉四烷氧基硅烷、烷基三烷氧基硅烷、二烷基二烷氧基硅烷、三烷基烷氧基硅烷。其中，可以單獨使用l種水解性硅烷，也可以根據(jù)需要混合使用2種以上水解性硅烷。另外，也可以在上述硅烷化合物中配合各種聚有機硅氧烷。作為含有上述硅烷化合物的中間層的構(gòu)成材料，例如有DrysealS(東麗道康寧(抹)制)。另外，作為中間層的構(gòu)成材料，也可以使用甲基有機硅樹脂及曱基苯基有機硅樹脂等室溫固化型有機硅樹脂。作為上述室溫固化型有機硅樹脂，例如有AY42-170、SR2510、SR2406、SR2410、SR2405、SR2411(東麗道康寧(才朱)制)。上述中間層及被覆層可以為無色透明，或者也可以為著色的透明、半透明或不透明。此處的著色不僅包括紅、藍、綠等顏色，也包括利用白色形成的著色。為了獲得著色的中間層及被覆層，優(yōu)選在中間層及被覆層中配合無機或有機顏料或染料等各種著色劑。作為無機顏料，可以列舉炭黑、石墨、鉻黃、氧化鐵黃、紅丹、氧化鐵紅、群青、氧化鉻綠、氧化鐵等。作為有機顏料，可以使用偶氮類有機顏料、酞菁類有機顏料、士林類有機顏料、喹吖啶酮類有機顏料、二噁。秦類有機顏料、異吲哚滿酮類有機顏料、二酮吡咯并吡咯及各種金屬配位化合物，但優(yōu)選耐光性優(yōu)良的有機顏料。作為有耐光性的有機顏料，例如，可以舉出作為不溶性偶氮類有機顏料的漢撒黃、甲苯胺紅，作為酞菁類有機顏料的酞菁藍B、酞菁綠，作為喹吖啶酮類有機顏料的喹吖啶酮紅等。作為染料，可以舉出堿性染料、直接染料、酸性染料、植物性染料等，但優(yōu)選耐光性優(yōu)良的染料，例如，紅色特別優(yōu)選直接大紅、石蕊紫、偶氮玉紅，橙色特別優(yōu)選直接橙RConc.、酸性橙，黃色特別優(yōu)選直接菊黃NS、間胺黃，茶色特別優(yōu)選直接褐KGG、酸性褐R,藍色特別優(yōu)選直接藍B，黑色特別優(yōu)選直接黑GX、苯胺黑BHL等。中間層及被覆層由硅烷化合物或有機硅樹脂構(gòu)成時，該硅烷化合物或有機硅樹脂與顏料的混合比(重量比)優(yōu)選為l:2~1:0.05的范圍，更優(yōu)選為l:1~1:O.l的范圍。另外，可以在中間層及被覆層中進一步配合分散劑、穩(wěn)定劑、勻涂劑等添加劑。上述添加劑具有容易形成中間層及被覆層的作用。另外，配合顏料.染料等著色劑時，也可以添加該著色劑的固色輔助用粘合劑。作為該情況下的粘合劑，可以使用以耐氣候性優(yōu)良的丙烯酸酯或丙烯酸酯共聚樹脂為主要成分的各種涂料用粘合劑，例如可以舉出PolysolAP—3720(昭和高分子(抹)制)、PolysolAP-609(昭和高分子(抹)制)等。作為在基體上形成中間層及被覆層的方法，可以使用公知的任意方法，例如噴霧涂敷法、浸涂法、流涂法、旋涂法、輥涂法、刷涂法、海綿涂敷法等。另外，為了提高中間層及被覆層的硬度、與其他物體的密接性等物理性能，優(yōu)選形成中間層及被覆層后，在允許范圍內(nèi)的溫度下將其加熱。按照上述操作所形成的中間層及被覆層的厚度沒有特別限定，但是優(yōu)選為0.01~100(im,較優(yōu)選為0.0550iim，特別優(yōu)選為0.1~lOpm。21需要說明的是，如圖4(C)及圖4(d)所示，不僅可以形成中間層和被覆層中的一個，而且也可以形成中間層和一皮覆層兩者。為了方便，圖4中正電荷物質(zhì)及負電荷物質(zhì)的層可以配置多層，也可以為單層。各層的厚度優(yōu)選為0.01pm2.0(im、較優(yōu)選為0.03jim1.(^m。另外，含有正電荷物質(zhì)及負電荷物質(zhì)的層不需要為如圖4所示的連續(xù)層，也可以為不連續(xù)層。并且，正電荷物質(zhì)及負電荷物質(zhì)也可以成團(電荷物質(zhì)的集合體)在基體上不連續(xù)地分散進行配置。接下來，從帶有正電荷的基體表面除去污染物質(zhì)的結(jié)構(gòu)如圖5所1旦也可以為多層。首先，如圖5所示，賦予基體表面正電荷及負電荷(圖5(1))。污染物質(zhì)堆積在基體表面，經(jīng)太陽光等電磁波作用導致光氧化。如上所述污染物質(zhì)也被賦予正電荷(圖5(2))。在基體表面和污染物質(zhì)之間，正電荷之間產(chǎn)生靜電排斥，污染物質(zhì)內(nèi)產(chǎn)生排斥脫離力。由此，污染物質(zhì)對基體表面的粘著力降低(圖5(3))。經(jīng)風雨等的物理作用，污染物質(zhì)易于從基體上除去(圖5(4))。由此，基體可以進行自清潔。需要說明的是，由于基體表面也存在負電荷，所以高嶺土粘土微粉末、氯化物離子等之類帶有負電荷的污染物質(zhì)或誘發(fā)污染的物質(zhì)也相同地發(fā)生排斥，從而對基體表面的粘著力降低。作為本發(fā)明對象的基體沒有特殊的限定，可以使用各種親水性或疏水性的無機類基體及有機類基體、或它們的組合。作為無機類基體，例如可以舉出由鈉鈣玻璃等透明或不透明玻璃、氧化鋯等金屬氧化物、陶瓷、混凝土、灰漿、石材、金屬等物質(zhì)構(gòu)成的基體。另外，作為有機類基體，例如可以舉出由有機樹脂、木材、紙等物質(zhì)構(gòu)成的基體。如果進一步具體列舉有機樹脂，則例如可以舉出聚乙烯、聚丙烯、聚碳酸酯、丙烯酸類樹脂、PET等聚酯、聚酰胺、聚氨酯、ABS樹脂、聚氯乙烯、聚硅氧烷、三聚氰胺樹脂、尿22素樹脂、有機硅樹脂、氟樹脂、纖維素、環(huán)氧改性樹脂等。基體的形狀也沒有特別限定，可以采用立方體、長方體、球形、薄片形、纖維狀等任意形狀。另外，基體也可以為多孔質(zhì)?；w表面可以通過電暈放電處理或紫外線照射處理等進行親水化。作為基體，建筑.土木用基板或密封材料、儀器、裝置搬運用機身、顯示畫面是適合的?？梢詫w的表面進行涂裝，作為涂裝材料，可優(yōu)選使用含有醇酸樹脂、丙烯酸類樹脂、氨基樹脂、聚氨酯樹脂、環(huán)氧樹脂、有機硅樹脂、氟樹脂、丙烯酸有機硅樹脂、不飽和聚酯樹脂、紫外線固化樹脂、酚醛樹脂、氯乙烯樹脂、合成樹脂乳膠等合成樹脂和著色劑的所謂油漆涂料。上述涂裝膜的厚度優(yōu)選為O.Ol~10(Vm，較優(yōu)選為O.l~50jim,特別優(yōu)選為0.5)imlO(im。另外，作為涂裝方法，例如可以適用噴霧涂敷法、浸涂法、流涂法、旋涂法、輥涂法、刷涂法、海綿涂敷法等。需要說明的是，為了提高涂裝膜的硬度、與基體的密接性等物理性能，優(yōu)選在基體與涂裝膜的允許范圍內(nèi)加熱。目前，也通過用具有優(yōu)異的拒水性拒油性或親水性疏水性的有機或無機物質(zhì)被覆基體表面來保護基體表面，但由于該有機或無機物質(zhì)通常具有負電荷，所以存在經(jīng)時附著污染物質(zhì)，使其保護特性顯著喪失的問題。但是，本發(fā)明中如上所述地賦予基體表面正電荷及負電荷，所以不存在上述問題。另外，由于不破壞基體表面的化學特性，所以能夠在維持該有機或無機物質(zhì)的特性的狀態(tài)下，賦予自清潔特性。即，本發(fā)明中能得到下述產(chǎn)品，該產(chǎn)品利用被賦予到基體表面的正電荷及負電荷，發(fā)揮基體本身的功能性，同時持續(xù)發(fā)揮"防污防霧功能"。該技術可以用于所有基體，特別是由于通過將正電荷及負電荷賦予具有優(yōu)異的拒水性或親水性的有機物質(zhì)的表面，能夠長期維持該功能，所以優(yōu)選用于塑料制基體。由此，"無污染塑料"成為可臺匕叱。另外，基體表面的正電荷可降低電磁波引起的基體的氧化劣化。即，基體的氧化劣化的原因在于在基體表面或基體中，因紫外線等電磁波而產(chǎn)生102、.OH等自由基，發(fā)生氧化分解反應，但基體的正電荷表面可以使上述自由基成為穩(wěn)定的分子。因此，認為可防止或降低基體的氧化劣化。另外，在基體為金屬制基體的情況下，可采用相同處理降低銹的生成。本發(fā)明可以用于要求各種裝飾性及高防水.防污性能的任意領域，優(yōu)選用于玻璃、金屬、陶瓷、混凝土、木材、石材、高分子樹脂罩、高分子樹脂薄片、纖維(衣服、窗簾等)、密封劑等或由其組合所構(gòu)成的建材、空調(diào)室外機、廚房器具、衛(wèi)生器具、照明器具、汽車、自行車、機車、航空器、火車、船舶等用于室內(nèi)外的物品，并優(yōu)選用于各種器械、電子儀器、電視機等的面板。尤其適用于建材，使用該建材所建造的房屋、大樓、公路、隧道等建筑物可以經(jīng)時性地發(fā)揮高防水-防污效果。另外，本發(fā)明也可以適用于空氣凈化裝置(也包括空調(diào)機等)、水凈化裝置(也包括水瓶、水壺等)，能夠分別發(fā)揮防止或減低空氣及水中的污染的效果。實施例以下，根據(jù)實施例更詳細地舉例證明本發(fā)明，但本發(fā)明并不限定于實施例。(實施例l-1)準備下述溶液。將0.463g97。/。CuCl2'2H20(日本化學產(chǎn)業(yè)(林)制)完全溶解于500ml純水的溶液中，再加入10g50%四氯化鈦溶液(住友Sitix(抹)制)，加入純水至1000ml。向其中滴入將25%氨水(高杉制藥(林)制)稀釋10倍的氨水，調(diào)節(jié)至pH7.0,使氫氧化銅和氫氧化鈦的混合物沉淀。用純水繼續(xù)洗滌此沉淀物使上清液中的導電率為0.8mS/m以下，導電率為0.8mS/m時結(jié)束洗滌，制作340g濃度為0.81wt。/。的含有氫氧化物的溶液。然后，一邊將此含有氫氧化物的溶液冷卻至l~5°C，一邊加入25g35M過氧化氫(Taiki藥品工業(yè)(抹)制)，攪拌16小時，得到365g綠色透明的摻雜銅的0.90wt%濃度的非晶型過氧化鈦的分散液。將其用純水稀釋，配制385g0.85wt。/o的摻雜銅的非晶型過氧化鈥分散液。(實施例l-2)準備下述溶液。將0.594gNiCl2.6H20(日本化學產(chǎn)業(yè)(抹)制)完全溶解于500ml純水的溶液中，再加入10g50%四氯化鈦溶液(住友Sitix(林)制)，加入純水至1000ml。向其中滴入將25%氨水(高杉制藥(株)制)稀釋10倍的氨水，調(diào)節(jié)至pH7.0,使氫氧化鎳和氫氧化鈦的混合物沉淀。用純水繼續(xù)洗滌此沉淀物使上清液中的導電率為0.8mS/m以下，導電率為0.65mS/m時結(jié)束洗滌，制作343g濃度為0.77wt%的含有氫氧化物的溶液。然后，一邊將此含有氫氧化物的溶液冷卻至l~5°C,一邊加入25g35。/。過氧化氬(Taiki藥品工業(yè)(抹)制)，攪拌16小時，得到374g淡黃色透明的摻雜鎳的濃度為0.87wt%的非晶型過氧化鈦的分散液。將其用純水稀釋，配制381g0.85wt。/。的鎳摻雜的非晶型過氧化鈦的分散液。(實施例l-3)準備下述溶液。將0.626gCoCl2'6H20(關東化學(林)制)完全溶解于500ml純水的溶液中，再加入10g50%四氯化鈥溶液(住友Sitix(抹)制)，加入純水至1000ml。向其中滴入將25%氨水(高杉制藥(株)制)稀釋10倍的氨水，調(diào)節(jié)至pH7.0,使氫氧化鈷和氫氧化鈦的混合物沉淀。用純水繼續(xù)洗滌此沉淀物使上清液中的導電率為0,8mS/m以下，導電率為0.68mS/m時結(jié)束洗滌，制作341g濃度為0.72wt。/c)的含有氫氧化物的溶液。然后，一邊將此含有氫氧化物的溶液冷卻至l~5"C，一邊加入25g35。/。過氧化氫(Taiki藥品工業(yè)(林)制)，攪拌16小時，得到364g暗綠色半透明的摻雜鈷的0.85wt%非晶型過氧化鈦的分散液'，(實施例l-4)準備下述溶液。將0,521gMnCl2.4H20(小宗化學藥品(林)制)完全溶解于500ml純水的溶液中，再加入10g50%四氯化4太溶液(住友Sitix(抹)制)，加入純水至1000ml。向其中滴入將25%氨水(高杉制藥(抹)制)稀釋10倍的氨水，調(diào)節(jié)至pH7.0，使氫氧化錳和氳氧化鈦的混合物沉淀。用純水繼續(xù)洗滌此沉淀物使上清液中的導電率為0.8mS/m以下，導電率為0.65mS/m時結(jié)束洗滌，制作343g濃度為0.77wtM濃度的含有氫氧化物的溶液。然后，一邊將此含有氫氧化物的溶液冷卻至l~5°C,—邊加入25g35%過氧化氬(Taiki藥品工業(yè)(抹)制)，攪拌16小時，可以得到367g黑褐色半透明的摻雜錳的0.87wt%的非晶型過氣化鈦的分散液。將其用純水稀釋，配制375g0.85wto/o的摻雜錳的非晶型過氧化鈦分散液。(實施例l-5)準備下述溶液。將0.712gFeCl36H2O完全溶解于500ml純水的溶液中，再加入10g50%四氯化鈦溶液(住友Sitix(才朱)制)，加入純水至1000ml。向其中滴入將25%氨水(高杉制藥(抹)制)稀釋IO倍的氨水，調(diào)節(jié)至pH7.0，使氫氧化鐵和氫氧化鈦的混合物沉淀。用純水繼續(xù)洗滌此沉淀物使上清液中的導電率為0.8mS/m以下，導電率為0.744mS/m時結(jié)束洗滌，制作420g濃度為0.47wt%的含有氫氧化物的溶液。然后，一邊將此含有氬氧化物的溶液冷卻至l~5°C,—邊加入25g35%過氧化氫(Taiki藥品工業(yè)(抹)制)，攪拌16小時，此時可以得到440g濃黃褐色透明的摻雜鐵的0.44wt%非晶型過氧化鈦的分散液。用超濾濃縮裝置將其濃縮，配制220g濃度為0.85wt。/。的上述分散液。(實施例l-6)準備下述溶液。將0.359gZnCl2完全溶解于500g純水的溶液中，再加入10g50%四氯化鈦溶液(住友Sitix(林)制)，加入純水至1000g。向其中滴入將25%氨水(高杉制藥(抹)制)稀釋10倍的氨水，調(diào)節(jié)至pH7.0,使氬氧化鋅和氫氧化鈦的混合物沉淀。用純水繼續(xù)洗滌此沉淀物至上清液的導電率為0.8mS/m以下。導電率為0.713mS/m時結(jié)束洗滌，制作409g濃度為0.48wtM的氫氧化物。然后，一邊將其冷卻至l~5°C，一邊加入25g35%過氧化氫水溶液(Taiki藥品工業(yè)(抹)制)，攪拌16小時，得到430g黃褐色透明的摻雜鋅的非晶型過氧化鈦水溶液。(實施例2)準備下述溶液。1000g純水中加入20g50%四氯化鈥溶液(住友Sitix(抹)制)，加入純水混合至2000g。向其中滴入將25%氨水(高杉制藥(抹)制)稀釋10倍的氨水，調(diào)節(jié)至pH7.0，使氫氧化鈦的混合物沉淀。用純水繼續(xù)洗滌此沉淀物至上清液的導電率為0.8mS/m以下。導電率為0.738mS/m時結(jié)束洗滌，制作860g固態(tài)成分濃度為0.73wt%的氫氧化物。然后，一邊將其冷卻至l~5°C,—邊加入50g35%過氧化氫水溶液(Taiki藥品工業(yè)(抹)制)，攪拌16小時，得到905g淡黃褐色透明的固態(tài)成分濃度為0.86wt%的非晶型過氧化鈦溶液。取100g該非晶型過氧化鈦溶液，加入2.0g調(diào)節(jié)為0.05摩爾/升的硝酸銀水溶液，攪拌混合，制作102g黃色透明的分散有硝酸銀的非晶型過氧化鈦分散液。(評價液l~6)分別將實施例l-1~實施例l-6中制作的金屬摻雜非晶型過氧化鈦分散液、與實施例2中制作的摻雜銀的非晶型過氧化鈦分散液以1:l的體積比混合，向此液體中添加O.l%SH3746M(東麗道康寧(抹)制)作為有機硅化合物，制作評價液l~6。(評價基板l~6)將各評價液l~6刷涂在白色100方形瓷磚(DANTO社制)或透明IOO方形浮法玻璃(厚度3mm)上，在350。C下加熱15分鐘，干燥，制成評價基板l~6。各評價基板l6的表面上形成厚度約為80nm的層。(比較基板l~7)化合物添加SH3746M(東麗道康寧(抹)制)，將得到的液體刷涂在白色100方形瓷磚(DANTO社制)或透明100方形浮法玻璃(厚度3mm)上，在350。C下加熱15分鐘，千燥，形成比較基板1~6。在各比較基板l~6的表面上形成厚度約為80nm的層。(比較基板8及9)將光觸媒功能賦予液(B50:SustainableTechnology社制)及正電荷賦予液(Z18-IOOOA，B:SustainableTechnology社制)分別刷涂在白色100方形瓷磚(DANTO社制)或透明100方形浮法玻璃(厚度3mm)上，在350。C下加熱15分鐘，干燥，形成比較基板8及9。在各比較基板8及9的表面上形成厚度約為80mn的層。(評價l)將評價基板l~6及比較基板1~9各準備2組(浮法玻璃)，在各玻璃基板的表面如圖7所示涂布建筑用硅樹脂密封劑(SE-960:東麗.道康寧(抹)制)。將其中一組在室內(nèi)放置48小時，進而將另一組在室外(九州佐賀縣嬉野市)暴露3個月(2006年2月~2006年5月)，在各基板表面用市場上銷售的噴霧器噴灑純水，測定密封劑向上下方的擴散寬度。結(jié)果如表1~表3所示。評價評價評價評價評價評價基板l基板2基板3基板4基板5基板6室內(nèi)放置上方擴散寬度2mm2mm2mm2mm4mm2mm48小時下方擴散寬度2mm2mm2mm2mm4mm2mm室外放置上方擴散寬度8mm1lmm10mm10mm9mm10mm3個月下方擴散寬度3mm5mm5mm5mm6nim6mm比較比較比較比較比較比較比較基板l基板2基板3基板4基板5基板6基板7室內(nèi)放置上方擴散寬度5mm8mm8mm8mm8mm8mm2mm48小時下方擴散寬度5mm8mm8mm8mm8mm8mm2mm室外放置上方擴散寬度15mm24tnin22mm20mm25mm25mm30mm3個月下方擴散寬度10mm20mm18mm15mm20mm20mm10mm28[表3]比較基板8比較基板9寬內(nèi)放置48小時上方擴散寬度10mm5mm下方擴散寬度10mm5mm室外放置3個月上方擴散寬度40mm12mm下方擴散寬度30mm7mm密封劑向上下方的擴散主要是以密封劑中所含的拒水性硅油成分的擴散為基礎的，在表面同時具有正電荷和負電荷的評價基板l~6與表面僅有正電荷或負電荷的比較基板l~9相比，擴散寬度小。所以，評價基板l6與比較基板1~9相比，經(jīng)時的防污染性能優(yōu)異。(評價2)分別準備2組評價基板16及比較基板1~9(資磚)，與2L東京都澀谷區(qū)自來水一起放入聚丙烯容器中，不加蓋，在室外放置6個月(2005年5月2005年10月)。需要說明的是，每l個月補充l次自來水，維持總量為2L。l個月后取出其中一組，6個月后取出另一組，用自來水沖洗，洗滌表面后，評價生成的藻類附著在水中的基板上的附著(吸附)即水的懸濁狀況。結(jié)果如表4及表5所示。[表4]評價基板l評價基板2評價基板3評價基板4評價基板5評價基板6放置l個月—一一一—一放置6個月一++一++比較基板l比較基板2比較基板3比較基板4比較基板5比較基板6比較基板7比較基板8比較基板9玄內(nèi)放置l個月一++一++-+++室外放置6個月+++++++++++++++++++++++h:附著在基板上的藻類的量70%~100%(水的懸濁度最高)h:附著在基板上的藻類的量40%~70%(水的懸濁度高)i:附著在基板上的藻類的量10%~40%(水的懸濁度低)-:附著在基板上的藻類的量0%~10%(水的懸濁度最低)表面同時具有正電荷和負電荷的評價基板l6與表面僅有正電荷或負電荷的比較基板l~9相比，藻類的附著量少，水的透明度高。29所以，與比較基板l~9相比，評價基板l6的經(jīng)時的防污染性能優(yōu)異。特別是，與評價基板1及4接觸的水即使放置6個月也不懸濁，可知評(評價3)在評價基板l6及比較基板19的表面上用滴液吸移管(Spuit)從距離基板約10mm處滴下1滴純水，立即用萬能角度尺目視評價水接觸角。然后，將各基板在東京都澀谷區(qū)的自來水流水中浸漬5分鐘后，使其常溫干燥，在其表面上用滴液吸移管從距離基板約10mm處滴下l滴純水，立即用萬能角度尺目視評價水接觸角。對基板的3處反復進行該評價，得到平均值、結(jié)果如表6及表7所示。<table>tableseeoriginaldocumentpage30</column></row><table>另一方面，使用不含氯類化合物的純水代替含有氯類化合物的自來水，進行相同的評價，結(jié)果浸漬5分鐘后，基板上的水接觸角無變化。所以，在表面同時具有正電荷和負電荷的評價基板l~6與表面僅有正電荷或負電荷的比較基板l~9相比，氯類化合物的吸附程度小，所以可知由此產(chǎn)生的拒水化程度少。(評價4)測定評價基板l、比較基板8及比較基板9的靜電電壓(帶電壓)。將各基板用靜電消除器(SJ-F020:(株)Keyence制)消除靜電，以5mm的距離平放在設置于接地SUS板上的靜電傳感器(SK:(林)Keyence制)上，在氣溫26。C、濕度70%、浮游電離子-50V的條件下，測定3次基板表面的靜電壓，將其平均值作為測定值。結(jié)果如表8所示。[表8]靜電電壓(帶電壓)V評價基板l+35比較基板8-162比較基板9+120由上述結(jié)果可知，評價基板l的表面狀態(tài)在較小的帶電壓下帶正電，與其相對比較基板8的表面帶有強負電荷，另外，比較基板9的表面帶有強正電荷。3權(quán)利要求1、一種防止或降低基體表面的污染的方法，其特征在于，使基體表面上或基體表面層中配置正電荷物質(zhì)及負電荷物質(zhì)。2、一種基體表面的保護方法，其特征在于，使基體表面上或基體表面層中配置正電荷物質(zhì)及負電荷物質(zhì)。3、如權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，所述正電荷物質(zhì)為選自(1)陽離子；(2)具有正電荷的導電體或電介質(zhì)；及4、如權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，所述負電荷物質(zhì)為選自(4)陰離子；(5)具有負電荷的導電體或電介質(zhì)；(6)具有負電荷的導電體與電介質(zhì)或半導體的復合體；及(7)具有光觸媒功能的物質(zhì)。5、如權(quán)利要求1至4中任一項所述的方法，其特征在于，所述基體表面的帶電壓為-50V~十50V的范圍。6、如權(quán)利要求1至5中任一項所述的方法，其特征在于，所述基體是親水性或疏水性或拒水性或拒油性的。7、如權(quán)利要求1至6中任一項所述的方法，其特征在于，所述正電荷物質(zhì)及負電荷物質(zhì)形成層。8、如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，在所述基體表面和所述正電荷物質(zhì)及負電荷物質(zhì)的層之間形成中間層。9、如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，在所述正電荷物質(zhì)及負電荷物質(zhì)的層上形成被覆層。10、如權(quán)利要求8或9所述的方法，其特征在于，所述中間層及/或被覆層是親水性或疏水性或拒水性或拒油性的。11、一種物品，具有通過權(quán)利要求1至10中任一項所述的方法使表面污染被防止或降低、或者使表面被保護的基體。12、前述物品在防止或降低空氣中或水中的污染的應用。13、一種基體的表面防污.保護劑，含有正電荷物質(zhì)及負電荷物質(zhì)。14、如權(quán)利要求13所述的表面防污.保護劑，含有有機硅物質(zhì)。全文摘要本發(fā)明的目的在于提供一種防止或降低基體經(jīng)時的附著污漬及退色或變色的新方法，其特征在于，在基體表面上或基體表面層中配置正電荷物質(zhì)及負電荷物質(zhì)。文檔編號B08B17/02GK101489695SQ20078002769公開日2009年7月22日申請日期2007年7月23日優(yōu)先權(quán)日2006年7月25日發(fā)明者緒方四郎申請人:薩斯堤那普爾科技股份有限公司