專利名稱：生成超聲振動的裝置與方法及用其清洗晶片的裝置與方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種生成超聲振動的裝置與方法,以及用該裝置與方法清洗晶 片的裝置與方法。本發(fā)明尤其涉及一種對清洗晶片的清洗溶液施加超聲振動的 裝置與方法，以及使用該裝置與方法清洗晶片的裝置與方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體器件一般由重復(fù)進(jìn)行的單元工藝而制得。該單元工藝包括沉積工 藝、光刻工藝、蝕刻工藝、化學(xué)機(jī)械拋光工藝、清洗工藝、干燥工藝等。清洗 工藝中，從晶片上去除上述單元工藝期間在晶片上形成的顆粒及不需要的層。 近來，隨著晶片上形成圖形逐漸縮小，并且該圖形的縱橫比逐漸增大，清洗工 藝變得越發(fā)重要。
常見地，清洗晶片的裝置包括將清洗溶液供應(yīng)到晶片上的清洗溶液供應(yīng) 器，以及對該清洗溶液施加超聲振動的超聲振動器。
該超聲振動器僅傳遞超聲振動，而該超聲振動的強(qiáng)度與方向無任何的變 化。因此，當(dāng)該超聲振動的強(qiáng)度不均勻時(shí)，該超聲振動也不能均勻地清洗該晶 片。
此外，當(dāng)該晶片上分布的清洗溶液的厚度不足，且所施加的超聲振動強(qiáng)度 過大時(shí)，該超聲振動會極大地?fù)p壞該晶片上的圖形。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種生成超聲振動的裝置，其能夠控制傳遞至清洗溶液的超 聲振動的強(qiáng)度及方向。
本發(fā)明亦提供了一種生成超聲振動的方法，其能夠控制傳遞至清洗溶液的 超聲振動的強(qiáng)度及方向。
本發(fā)明提供了一種清洗晶片的裝置，其包括該生成超聲振動的裝置。 本發(fā)明提供了一種清洗晶片的方法，其包括該生成超聲振動的方法。 本發(fā)明的實(shí)施例中，所述生成超聲振動的裝置包括超聲振動生成器及傳遞 部件。所述超聲振動生成器生成超聲振動。所述傳遞部件位于所述超聲振動生 成器的一端部，并且包括一種用于控制所述超聲振動的強(qiáng)度與方向的材料。所 述超聲振動經(jīng)由所述傳遞部件傳遞至用于清洗晶片的清洗溶液。
根據(jù)實(shí)施例，所述傳遞部件的材料包括固相、液相、以及氣相中的一種。
根據(jù)實(shí)施例，所述材料設(shè)置為所述傳遞部件中的至少一材料層，并且根據(jù) 所述材料層的數(shù)量、各材料層的厚度、以及各材料層的寬度中的至少一個(gè)來改 變所述超聲振動的強(qiáng)度與方向。本發(fā)明的實(shí)施例中，提供了一種生成超聲振動 的方法。生成超聲振動。通過所述超聲振動經(jīng)由材料層傳遞而改變所述超聲振 動的強(qiáng)度及方向。根據(jù)實(shí)施例，所述傳遞部件的材料層包括固相、液相、以及 氣相中的一種。根據(jù)實(shí)施例，根據(jù)組份層的數(shù)量、各組份層的厚度、以及各組 份層的寬度中的至少一個(gè)來改變所述超聲振動的強(qiáng)度與方向。
本發(fā)明的實(shí)施例中，所述清洗晶片的裝置包括清洗溶液供給器、超聲振動 生成器、以及傳遞部件。所述清洗溶液供給器位于所述晶片的上方，并且將清 洗溶液供給到所述晶片上。所述超聲振動生成器位于所述晶片的上方，并且生 成超聲振動。所述傳遞部件位于所述超聲振動生成器的一端部，并且包括用于 控制所述超聲振動的強(qiáng)度與方向的材料。所述超聲振動經(jīng)由所述傳遞部件傳遞 至用于清洗晶片的清洗溶液。
根據(jù)實(shí)施例，所述傳遞部件的材料層包括固相、液相、以及氣相中的一種。
根據(jù)實(shí)施例，所述材料設(shè)置為所述傳遞部件中的至少一材料層，并且根據(jù) 所述材料層的數(shù)量、各材料層的厚度、以及各材料層的寬度中的至少一個(gè)來改 變所述超聲振動的強(qiáng)度與方向，以使所述超聲振動的強(qiáng)度及方向與所述晶片上 形成的圖形的形狀相對應(yīng)。
根據(jù)實(shí)施例，所述傳遞部件與所述超聲振動生成器在一本體中一體形成。
本發(fā)明的實(shí)施例中，提供了一種清洗晶片的方法。將清洗溶液供給至晶片 上。生成超聲振動。通過所述超聲振動經(jīng)由材料層傳遞而改變所述超聲振動的 強(qiáng)度及方向。將所述超聲振動施加至所述清洗溶液。
根據(jù)實(shí)施例，所述材料層包括固相、液相、以及氣相中的一種。根據(jù)實(shí)施 例，所述材料設(shè)置為所述傳遞部件中的至少一材料層，并且根據(jù)所述材料層的 數(shù)量、各材料層的厚度、以及各材料層的寬度中的至少一個(gè)來改變所述超聲振 動的強(qiáng)度與方向，以使所述超聲振動的強(qiáng)度及方向與所述晶片上形成的圖形的 形狀相對應(yīng)。
根據(jù)本發(fā)明，依據(jù)材料層的數(shù)量、各材料層的厚度、以及各材料層的寬度 這些參數(shù)中的至少一個(gè)來改變該超聲振動的強(qiáng)度與方向。對該超聲振動的強(qiáng)度 與方向進(jìn)行控制之后，將該超聲振動施加至該晶片上的清洗溶液。因此，可容 易地清洗該晶片。


結(jié)合附圖，參考下文的詳細(xì)描述，可清楚地了解本發(fā)明的上述及其他特征 與優(yōu)點(diǎn)，其中
圖1為示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的超聲振動生成裝置的剖視圖； 圖2 4為示出根據(jù)本發(fā)明其他實(shí)施例的傳遞部件的剖視圖； 圖5為示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例超聲振動生成方法的流程圖； 圖6為示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的晶片清洗裝置的剖視圖； 圖7為，示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的晶片清洗方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式
參見示出本發(fā)明實(shí)施例的附圖，下文將更詳細(xì)地描述本發(fā)明。然而，本發(fā) 明可以以許多不同的形式實(shí)現(xiàn)，并且不應(yīng)解釋為受在此提出之實(shí)施例的限制。 相反，提出這些實(shí)施例是為了達(dá)成充分及完整公開，并且使本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù) 人員完全了解本發(fā)明的范圍。這些附圖中，為清楚起見，可能放大了層及區(qū)域 的尺寸及相對尺寸。
應(yīng)理解，當(dāng)將元件或?qū)臃Q為在另一元件或?qū)?上"、與另一元件或?qū)?連接" 之時(shí)，其可為直接在另一元件或?qū)由稀⑴c其它元件或?qū)又苯舆B接或耦合，或者 存在居于其間的元件或?qū)?。與此相反，當(dāng)將元件稱為"直接在另一元件或?qū)由?、 與另一元件或?qū)?直接連接"之時(shí)，并不存在居于其間的元件或?qū)?。整份說明書 中相同標(biāo)號是指相同的元件。如本文中所使用的，用語"及/或"包括一或多個(gè)相 關(guān)的所列項(xiàng)目的任何或所有組合。
應(yīng)理解，盡管本文中使用第一、第二、第三等來描述多個(gè)元件、組件、區(qū) 域、層及/或部分，但這些元件、組件、區(qū)域、層及/或部分并非受到這些用語 的限制。這些用語僅用于使一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層或部分與另一個(gè)區(qū)域、 層或部分區(qū)別開來。由此，下文所稱之第一元件、組件、區(qū)域、層或部分可稱 為第二元件、組件、區(qū)域、層及/或部分，而不脫離本發(fā)明的教導(dǎo)。
與空間相關(guān)的表述，如"在…之下(beneath)"、"在...下方(below)"、"在…上 方(above)"、"上(upper)"等，在本文中的使用是為了容易地表述如圖所示 的一個(gè)元件或部件與另一元件或部件的關(guān)系。應(yīng)理解，這些與空間相關(guān)的表述 除圖中所示方位之外，還意欲涵蓋該設(shè)備在使用或工作中的不同方位。例如， 若圖中的該設(shè)備翻轉(zhuǎn)，描述為"在其它元件或部件之下"、"在其它元件或部件下 方"的元件則會確定為"在其它元件或部件上方"。由此，該示范性的表述"在... 下方"可同時(shí)涵蓋"在...上方"與"在...下方"兩者。該設(shè)備可為另外的朝向(旋轉(zhuǎn) 90度或其它朝向)，并且本文中所使用的這些與空間相關(guān)的表述亦作相應(yīng)的解 釋。
本文中所使用的表述僅用于描述特定的實(shí)施例，并且并不意欲限制本發(fā) 明。如本文中所述的，單數(shù)形式的冠詞意欲包括復(fù)數(shù)形式，除非其上下文明示。 還應(yīng)理解，當(dāng)本說明書中使用表述"包括"之時(shí)，明確說明了存在有所描述的部
件、整體、步驟、操作、元件及/或組件，但并不排除存在或附加有一個(gè)或多個(gè) 其它部件、整體、步驟、操作、元件、組件及/或它們的組合。
本發(fā)明的實(shí)施例，本文中是參照本發(fā)明的理想化實(shí)施例(以及中間結(jié)構(gòu)) 的示意剖視圖來描述的。照此，預(yù)期會產(chǎn)生例如因制造工藝及/或公差而造成形 狀上的變化。由此，本發(fā)明的實(shí)施例不應(yīng)解釋為將其限制成本文所示的特定區(qū) 域形狀，還應(yīng)包括例如，因制造而導(dǎo)致的形狀偏差。例如，示為或描述為矩形 的植入?yún)^(qū)域一般可能具有圓形或曲線特征，以及/或其邊緣呈梯度的植入濃度， 而非從注入?yún)^(qū)域到非注入?yún)^(qū)域的二元變化。同樣，因植入形成的隱埋區(qū)域，可 能導(dǎo)致在隱埋區(qū)域和通過它發(fā)生植入的表面之間的區(qū)域上形成一些植入。由 此，圖中所示的區(qū)域的本質(zhì)是示意性的，并且其形狀并不意欲示出部件區(qū)域的 精確形狀，也不意欲限制本發(fā)明的范圍。
除非另行詳細(xì)說明，本文所使用的所有術(shù)語(包括科技術(shù)語)的意思與本 技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員所通常理解的一致。還應(yīng)理解，諸如一般字典中所定義的 術(shù)語應(yīng)解釋為與相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域中的意思一致，并且不應(yīng)解釋為理想化的或過度 刻板的含義，除非在文中另有明確定義。
圖1為示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的超聲振動生成裝置100的剖視圖，并且圖
2 4為示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的圖1所示超聲振動生成裝置100的傳遞部 件120的剖視圖。
參見圖1 4，超聲振動生成裝置100包括超聲振動生成器110以及傳遞部 件120。
超聲振動生成器110位于待清洗的晶片上方，并且生成超聲振動。例如， 超聲振動生成器110可包括將電能轉(zhuǎn)換為物理振動能的壓電換能器。
傳遞部件120位于超聲振動生成器110的一個(gè)端部。傳遞部件120的形狀 可為尺寸類似于或等于該晶片的尺寸的盤形，或者可為長度接近或等于該晶片 的直徑的條形。傳遞部件120可與超聲振動生成器110在一個(gè)本體中一體形成。 傳遞部件120可與施加至該晶片的清洗溶液接觸。因此，傳遞部件120將由超 聲振動生成器110生成的超聲振動傳遞至該清洗溶液。該超聲振動可使得該清 洗溶液發(fā)生振動，并且由此容易地從該晶片去除顆粒及不需要的層等雜質(zhì)。
例如，傳遞部件120可包括石英、藍(lán)寶石、碳化硅、氮化硼、玻璃碳等。 可單獨(dú)使用這些材料或?qū)⑵浣M合使用。
傳遞部件120至少包括一種材料。傳遞部件120中的該材料可為固相、液 相或氣相。本實(shí)施例中，傳遞部件120中的該材料可設(shè)為薄層，藉此來形成傳 遞部件120中的材料層122。因此，傳遞部件120中，可設(shè)置單獨(dú)一種材料形 成單層材料層，且可設(shè)置多種材料形成多層材料層。材料層122與傳遞部件120 不同，由此經(jīng)由材料層122的振動傳遞與經(jīng)由傳遞部件120的振動傳遞不同。
因此，可根據(jù)材料層122的材料而改變該振動的強(qiáng)度與方向。因此，可通過諸
如材料層122的層數(shù)量、單層厚度以及單層寬度等物理特性來控制該超聲振動
的強(qiáng)度與方向。
實(shí)施例中，如圖1所示，可使用單層作為材料層122，如圖2 4所示，可 使用多層作為材料層122。當(dāng)使用多層作為材料層122時(shí)，材料層122中的各 層可包括固體材料、液體材料以及氣體材料之一。例如，材料層122中的各層 可具有同相或不同相的材料。材料層122可放置為與該晶片的上表面垂直或平 行。因此，可通過改變材料層122的層數(shù)以及組成來容易地控制該超聲振動的 強(qiáng)度與方向。
實(shí)施例中，當(dāng)材料層122中的各層形成為如圖1 3所示的均勻厚度時(shí)， 該經(jīng)由材料層122的振動傳遞的強(qiáng)度與方向的改變是不變的。反之，當(dāng)材料層 122中的各層的厚度不均勻時(shí)，由此可局部地改變傳遞部件120中的各層的厚 度，如圖4所示，可根據(jù)材料層122的局部厚度改變該振動的強(qiáng)度與方向。這 樣，可人工控制材料層122中的各層形成不均勻厚度，以改變該超聲振動的強(qiáng) 度與方向。例如，可通過控制材料層122各層的厚度，以相同的方向傳遞該超 聲振動藉此將該超聲振動集中在相同的位置、以多個(gè)方向傳遞該超聲振動藉此 將該超聲振動朝所有方向散射、或者使該超聲振動從材料層122反射藉此防止 該超聲振動經(jīng)由材料層122傳遞。
實(shí)施例中，材料層122的寬度可基本等于或小于傳遞部件120的寬度。當(dāng) 材料層122的寬度基本等于傳遞部件120的寬度時(shí)，可通過沿傳遞部件120的 整個(gè)表面的材料層122來改變該超聲振動的強(qiáng)度與方向。反之，當(dāng)材料層122 的寬度小于傳遞部件120的寬度時(shí)，可通過在該傳遞層中的每個(gè)設(shè)有材料層122 的位置處的材料層122來改變該超聲振動的強(qiáng)度與方向。
根據(jù)該晶片上圖形的形狀，可分別控制材料層122的層數(shù)、厚度、及寬度。 例如，當(dāng)該晶片包括較復(fù)雜及較小的圖形時(shí)，可采用這一方式控制材料層122 的層數(shù)、厚度、及寬度，S卩，將具有較大強(qiáng)度的該超聲振動施加在該晶片上， 或者，將該超聲振動充分集中至該晶片上的圖形上。反之，當(dāng)該晶片的包括較 簡單及較大的圖形時(shí)，可采用這一方式控制材料層122的層數(shù)、厚度、及寬度， 即，將具有較小強(qiáng)度的該超聲振動施加在該晶片上，或者，將該超聲振動以多 個(gè)方向散射在該整個(gè)晶片上，以使有盡可能多的該超聲振動施加至該晶片的圖 形上。
包括材料層122的傳遞部件120可控制該超聲振動的強(qiáng)度及方向，并且將 該超聲振動施加至該清洗溶液。因此，傳遞部件120可將最適宜清洗該晶片的 超聲振動傳遞至該清洗溶液。
此外，當(dāng)該晶片上并未分布有足夠厚度的該清洗溶液時(shí)，材料層122可補(bǔ)償該清洗溶液的厚度不足以防止該超聲振動對該晶片的圖形造成損害。 圖5為示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例超聲振動生成方法的流程圖。 參見圖5，提供了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的超聲振動生成方法。在步驟S110中
使用超聲振動生成器no生成該超聲振動。
例如，將電力輸入如壓電換能器的超聲振動生成器110，以使超聲振動生
成器iio通過將電能轉(zhuǎn)換為物理振動能而生成該超聲振動。
在步驟S120中，通過該超聲振動經(jīng)由傳遞部件120的材料層122傳遞而 控制該超聲振動的強(qiáng)度與方向。該超聲振動可經(jīng)由材料層122傳遞。材料層122 可位于傳遞部件120的內(nèi)部，并且可包括具有固相、液相、或者氣相的材料。 由于經(jīng)由材料層122的振動傳遞一般不同于經(jīng)由傳遞部件120的振動傳遞，可 通過諸如材料層122的層數(shù)、單層厚度以及單層寬度等材料層122的物理特性 來控制該超聲振動的強(qiáng)度與方向。因此，可以相同的方向傳遞該超聲振動且將 該超聲振動集中在相同的位置、可以多個(gè)方向傳遞該超聲振動藉此將該超聲振 動向所有方向散射、或者使該超聲振動從材料層122反射藉此防止該超聲振動 經(jīng)由材料層122傳遞。作為一個(gè)實(shí)施例，可使用單層作為材料層122，也可使 用多層作為材料層122。當(dāng)使用多層作為材料層122時(shí)，所述多層材料層122 可放置為與該晶片的上表面垂直或平行。作為另一實(shí)施例，材料層122中的各 層可具有均勻的厚度或者不均勻的厚度。作為再一實(shí)施例，材料層122的寬度 可基本等于或小于傳遞部件120的寬度。
根據(jù)該晶片上圖形的形狀，可分別控制材料層122的層數(shù)、厚度、及寬度。 例如，當(dāng)該晶片包括較復(fù)雜及較小的圖形時(shí)，可采用這一方式控制材料層122 的層數(shù)、厚度、及寬度，目卩，將具有較大強(qiáng)度的該超聲振動施加在該晶片上， 或者，將該超聲振動充分集中至該晶片上的復(fù)雜圖形上。反之，當(dāng)該晶片的包 括較簡單及較大的圖形時(shí)，可采用這一方式控制材料層122的層數(shù)、厚度、及 寬度，即，將具有較小強(qiáng)度的該超聲振動施加在該晶片上，或者，將該超聲振 動以多個(gè)方向散射在整個(gè)該晶片上，以使有盡可能多的該超聲振動施加至該圖 形。圖6為示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的晶片清洗裝置的剖視圖。
參見圖6，晶片清洗裝置200包括支架210、驅(qū)動器220、清洗溶液供給器 230、碗狀部240、出口 250、超聲振動生成器260、以及傳遞部件270。
支架210可為盤形，并且支撐其上的清洗晶片W。
驅(qū)動器220位于支架210的下方，并且經(jīng)由旋轉(zhuǎn)軸222將旋轉(zhuǎn)力施加至支 架210。例如，驅(qū)動器220可包括電機(jī)。
清洗溶液供給器230位于晶片W的上方，并且將用于清洗晶片W的清洗 溶液施加在晶片W上。作為一個(gè)實(shí)施例，該清洗溶液包括去離子水(H20)。作 為另一實(shí)施例，該清洗溶液包括氫氧化銨(NH40H)、過氧化氫(&02)與去離子水
(H20)的混合物，氟化氫(HF)與去離子水(H20)的混合物，氟化銨(NH4F)、氟化氫 (HF)與去離子水(H20)的混合物，磷酸(H3P04)與去離子水(H20)的混合物，等等。
碗狀部240圍繞支架210的側(cè)部，并且防止該清洗溶液因晶片W的旋轉(zhuǎn)而 撒在晶片W的周圍。碗狀部240具有容納旋轉(zhuǎn)軸222的開孔242。開孔242形 成為通過碗狀部240的底板的中央部。
出口 250位于碗狀部240的底板的側(cè)部。出口 250將從晶片W上散落的清 洗溶液排出。
超聲振動生成器260及傳遞部件270與圖1 4已示的超聲振動生成器110 傳遞部件120基本相同。由此，省略了進(jìn)一步的解釋。
裝置200通過使用傳遞部件270來控制該超聲振動的強(qiáng)度與方向，并且將 該超聲振動施加至該清洗溶液。因此，傳遞部件270可將最適宜清洗晶片W的 超聲振動傳遞至該清洗溶液。
此外，當(dāng)該晶片上并未分布有足夠厚度的該清洗溶液時(shí)，材料層272可補(bǔ) 償該清洗溶液的厚度不足以防止該超聲振動對晶片W的圖形造成損害。
圖7為示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的晶片清洗方法的流程圖。
參見圖7，提供了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的晶片清洗方法。將清洗晶片W裝載 在支架210上。驅(qū)動器220旋轉(zhuǎn)支架210，這樣，支架210使得支撐于其上的 晶片W旋轉(zhuǎn)。超聲振動生成器260位于晶片W的上方，并且傳遞部件270位 于超聲振動生成器260與晶片W之間。傳遞部件270連接至超聲振動生成器 260，或者與超聲振動生成器260在一個(gè)本體中一體形成。傳遞部件270可與 晶片W的上部隔開一定的間隔。在步驟S210中，清洗溶液供給器230將清洗 晶片W的清洗溶液供應(yīng)到晶片W上。
因晶片W的旋轉(zhuǎn)，該清洗溶液提供在傳遞部件270與晶片W之間。晶片 W的清洗處理過程中，連續(xù)地將該清洗溶液供給至晶片W，并且晶片W連續(xù) 地旋轉(zhuǎn)。
步驟S220中，由超聲振動生成器260的工作生成超聲振動。
例如，將電力輸入如壓電換能器的超聲振動生成器260，以使超聲振動生 成器260通過將電能轉(zhuǎn)換為物理振動能而生成該超聲振動。
步驟S230中，通過該超聲振動經(jīng)由傳遞部件270的材料層272傳遞而控 制該超聲振動的強(qiáng)度與方向。
步驟S230中的該超聲振動的強(qiáng)度與方向的控制與圖5中己示的步驟S120 的超聲振動的強(qiáng)度與方向的控制基本相同。由此，省略了進(jìn)一步的解釋。
對該超聲振動的強(qiáng)度與方向進(jìn)行控制之后，步驟S240中，將該超聲振動 通過傳遞部件270施加至該晶片W上的清洗溶液。
該超聲振動使該清洗溶液發(fā)生振動以加速該清洗溶液與晶片W上的雜質(zhì)
發(fā)生反應(yīng)。因此，該超聲振動可改善雜質(zhì)去除的效率。
該包含雜質(zhì)的清洗溶液從晶片W散落，并且被碗狀部240阻擋。該清洗溶
液移動至碗狀部240的底板以通過出口 250流出。
根據(jù)本發(fā)明，依據(jù)材料層的數(shù)量、各材料層的厚度、以及各材料層的寬度 這些參數(shù)中的一個(gè)來改變該超聲振動的強(qiáng)度與方向。對該超聲振動的強(qiáng)度與方 向進(jìn)行控制之后，將該超聲振動施加至該晶片上的清洗溶液。因此，可容易地 清洗該晶片。
此外，當(dāng)該晶片上并未分布有足夠厚度的該清洗溶液時(shí)，材料層122可補(bǔ) 償該清洗溶液的厚度不足以防止該超聲振動對該晶片的圖形造成損害。
已參考實(shí)施例對本發(fā)明作出了描述。然而，顯然本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)上述 描述可清楚地知道許多代替修改以及變化。因此，本發(fā)明包含落入后文權(quán)利要 求書所要求保護(hù)的本發(fā)明的精神及范圍之內(nèi)的所有代替修改及變化。
權(quán)利要求
1、一種生成超聲振動的裝置，所述裝置包括生成超聲振動的超聲振動生成器；及位于所述超聲振動生成器的一端部的傳遞部件，并且所述傳遞部件包括至少一種用于控制所述超聲振動的強(qiáng)度與方向的材料，所述超聲振動經(jīng)由所述傳遞部件傳遞至用于清洗晶片的清洗溶液。
2、 如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述傳遞部件的材料包括固相、液相、以及氣相中的一種。
3、 如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述材料設(shè)置為所述傳遞部件中的至少一材料層，并且根據(jù)所述材料層的數(shù)量、各材料層的厚度、以 及各材料層的寬度中的至少一個(gè)來改變所述超聲振動的強(qiáng)度與方 向。
4、 一種生成超聲振動的方法，所述方法包括生成超聲振動；及通過將所述超聲振動經(jīng)由材料層傳遞而改變所述超聲振動的強(qiáng) 度及方向。
5、 如權(quán)利要求4所述的方法，其中所述材料層包括具有固相、液相、 以及氣相中的一種的材料。
6、 如權(quán)利要求4所述的方法，其中根據(jù)組份層的數(shù)量、各組份層的厚 度、以及各組份層的寬度中的至少一個(gè)來改變所述超聲振動的強(qiáng)度 與方向。
7、 一種清洗晶片的裝置，所述裝置包括位于所述晶片上方的清洗溶液供給器，其將清洗溶液供給到所 述晶片上；位于所述晶片上方的超聲振動生成器，其生成超聲振動；及 位于所述超聲振動生成器一端部的傳遞部件，且所述傳遞部件包括用于控制所述超聲振動的強(qiáng)度與方向的材料，所述超聲振動經(jīng)由所述傳遞部件傳遞至用于清洗晶片的清洗溶液。
8、 如權(quán)利要求7所述的裝置，其中所述傳遞部件的材料層包括固相、 液相、以及氣相中的一種。
9、 如權(quán)利要求7所述的裝置，其中所述材料設(shè)置為所述傳遞部件中的 至少一材料層，并且根據(jù)所述材料層的數(shù)量、各材料層的厚度、以 及各材料層的寬度中的至少一個(gè)來改變所述超聲振動的強(qiáng)度與方 向，以使所述超聲振動的強(qiáng)度及方向與所述晶片上形成的圖形的形狀相對應(yīng)。
10、 如權(quán)利要求7所述的裝置，其中所述傳遞部件與所述超聲振動生成 器在一本體中一體形成。
11、 一種清洗晶片的方法，所述方法包括將清洗溶液供給至晶片上； 生成超聲振動；通過所述超聲振動經(jīng)由材料層傳遞而改變所述超聲振動的強(qiáng)度及方向；及將所述超聲振動施加至所述清洗溶液。
12、 如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述材料層包括固相、液相、以及 氣相中的一種。
13、 如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述材料設(shè)置為所述傳遞部件中的 至少一材料層，并且根據(jù)所述材料層的數(shù)量、各材料層的厚度、以 及各材料層的寬度中的至少一個(gè)來改變所述超聲振動的強(qiáng)度與方 向，以使所述超聲振動的強(qiáng)度及方向與所述晶片上形成的圖形的形 狀相對應(yīng)。
全文摘要
生成超聲振動的裝置及方法中，在超聲振動生成器中生成的超聲振動經(jīng)由材料層傳遞以控制所述超聲振動的強(qiáng)度及方向。清洗晶片的裝置及方法中，清洗溶液供給器將用于清洗所述晶片的清洗溶液供給至所述晶片上。超聲振動生成器生成超聲振動。所述超聲振動經(jīng)由傳遞部件的材料層傳遞以控制所述超聲振動的強(qiáng)度及方向。將所述超聲振動施加至所述清洗溶液。
文檔編號B08B3/12GK101391255SQ200810149050
公開日2009年3月25日 申請日期2008年9月18日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月19日
發(fā)明者安英基, 成保藍(lán)璨, 鄭載正 申請人:細(xì)美事有限公司