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      一種掩膜版清洗裝置的制作方法

      文檔序號(hào):1488114閱讀:155來源:國(guó)知局
      專利名稱:一種掩膜版清洗裝置的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本實(shí)用新型屬于清洗裝置技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種掩膜版清洗裝置。
      背景技術(shù)
      掩膜版制作過程中,尤其是鉻板掩膜版的制作過程,清洗是要求非常高的 一道工序,即要求清洗掩膜版正反兩面的塵粒、臟印、水漬。現(xiàn)有的手工清洗 槽多屬于浸泡式,操作不方便且易造成第二次污染和劃痕等缺陷。

      實(shí)用新型內(nèi)容
      本實(shí)用新型的目的在于提供一種掩膜版清洗裝置,旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中的 掩膜版清洗裝置在清洗時(shí)容易產(chǎn)生產(chǎn)品缺陷的問題。
      本實(shí)用新型是這樣實(shí)現(xiàn)的, 一種掩膜版清洗裝置,包括一清洗槽,所述清 洗槽中設(shè)有一梯形架和與所述梯形架一端連接的一平臺(tái),所述掩膜版兩端分別 以線接觸的方式置于所述梯形架的斜面和所述平臺(tái)上。
      本實(shí)用新型通過^f吏掩膜版兩端分別以線接觸的方式置于梯形架的斜面和 平臺(tái)上,與傳統(tǒng)浸泡式的面接觸方式相比,可以避免因掩膜版的背面摩4察而導(dǎo)
      致的劃痕缺陷,有效地保證了產(chǎn)品質(zhì)量,提高了產(chǎn)品的良品率;另外,去 離子水通過溢流槽后在梯形架的斜面上形成一均勻水幕,可使去離子水以 漫流方式自上而下均勻沖洗掩膜版表面,掩膜版表面的水漬以及臟印即可 得到有效的清洗。

      圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種掩膜版清洗裝置的示意圖。
      具體實(shí)施方式
      為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白,
      以下結(jié)合附圖 及實(shí)施例,對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的具體 實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型,并不用于限定本實(shí)用新型。
      圖1所示為本實(shí)用新型提供的一種掩膜版清洗裝置,其包括一清洗槽l、兩
      進(jìn)水口 5、 一溢流槽4、 一梯形架3、 一平臺(tái)9。所述溢流槽4、梯形架3和平 臺(tái)9都設(shè)置于所述清洗槽1里,所述溢流槽4和平臺(tái)9分別位于所述梯形架3 的兩端,且所述溢流槽4的出水口位于所述梯形架3上方;所述掩膜版2兩端 分別以線接觸的方式置于所述梯形架3的斜面和所述平臺(tái)9上,與傳統(tǒng)浸泡式 的面接觸方式相比,避免了因掩膜版2的背面摩擦而導(dǎo)致的劃痕缺陷;所述進(jìn) 水口 5設(shè)在清洗槽1的一側(cè)面下方,且與所述溢流槽4連通;所述清洗槽1固 定在一支架8上。
      清洗時(shí),去離子水通過與進(jìn)水口 5接通的進(jìn)水管6進(jìn)入溢流槽4,通過溢流 槽4后在梯形架3的斜面上形成一均勻水幕,這樣去離子水以漫流方式均勻沖 洗掩膜版2表面,掩膜版2表面的水漬以及臟印即可得到有效的清洗。清洗完 后,去離子水再通過出水管7回收處理,避免了直接排放對(duì)環(huán)境的污染。
      以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已,并不用以限制本實(shí)用新型, 凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等,均應(yīng) 包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
      權(quán)利要求1、一種掩膜版清洗裝置,包括一清洗槽,其特征在于所述清洗槽中設(shè)有一梯形架和與所述梯形架一端連接的一平臺(tái),所述掩膜版兩端分別以線接觸的方式置于所述梯形架的斜面和所述平臺(tái)上。
      2、 如權(quán)利要求1所述的一種掩膜版清洗裝置,其特征在于所述清洗槽中 還設(shè)有一溢流槽,所述溢流槽出水口位于所述梯形架上方。
      3、 如權(quán)利要求2所述的一種掩膜版清洗裝置,其特征在于所述清洗槽的 一側(cè)面下方開設(shè)有進(jìn)水口 ,所述進(jìn)水口與所述溢流槽連通。
      專利摘要本實(shí)用新型適用于清洗裝置技術(shù)領(lǐng)域,提供了一種掩膜版清洗裝置,包括一清洗槽,所述清洗槽中設(shè)有一梯形架和與所述梯形架一端連接的一平臺(tái),所述掩膜版兩端分別以線接觸的方式置于所述梯形架的斜面和所述平臺(tái)上。在本實(shí)用新型中,掩膜版兩端分別以線接觸的方式置于梯形架的斜面和平臺(tái)上,與傳統(tǒng)浸泡式的面接觸方式相比,本實(shí)用新型可以避免因掩膜版的背面摩擦而導(dǎo)致的劃痕缺陷;另外,去離子水通過溢流槽后在梯形架的斜面上形成一均勻水幕,使去離子水以漫流方式均勻沖洗掩膜版表面,掩膜版表面的水漬以及臟印即可得到有效的清洗。
      文檔編號(hào)B08B3/04GK201235357SQ20082014715
      公開日2009年5月13日 申請(qǐng)日期2008年9月10日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月10日
      發(fā)明者熊啟龍 申請(qǐng)人:清溢精密光電(深圳)有限公司
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