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      石英改板清洗方法

      文檔序號:1493363閱讀:360來源:國知局
      專利名稱:石英改板清洗方法
      技術領域
      本發(fā)明涉及半導體制造領域,特別涉及一種石英改板清洗方法。
      背景技術
      隨著電子設備的廣泛應用,半導體的制造工藝得到了飛速的發(fā)展,半導體的制造 流程涉及兩種基本的刻蝕工藝干法刻蝕和濕法刻蝕。其中,干法刻蝕是把晶圓曝露于刻蝕 氣體所產(chǎn)生的等離子體中,等離子體與晶圓發(fā)生物理或化學反應,從而有選擇性地從晶圓 表面去除不需要的材料。圖1為現(xiàn)有技術中干法刻蝕裝置的剖面結構圖。如圖1所示,通過轉換耦合功率 發(fā)生器101在電感線圈102上施加轉換耦合功率,從而在電感線圈102的周圍產(chǎn)生電磁場, 然后刻蝕氣體從進氣口 103被通入上部腔體104中,刻蝕氣體在電磁場的作用下發(fā)生電離 并形成等離子體,石英改板105將電感線圈102與放置于靜電吸盤106上的晶圓W隔離開, 而且石英改板105是可拆卸的。由于石英改板105具有絕緣性,這樣就可減弱電磁場對晶 圓W的影響。石英改板105還包括若干個圓孔,用于使等離子體中的離化基進入下部腔體 107,同時,通過偏置功率發(fā)生器108在晶圓W上施加偏置功率,這樣就使得晶圓W與等離子 體之間存在一個較大的電壓差,從而使朝晶圓W運動的離化基具有方向性。然而,在實際應用中,當對晶圓進行刻蝕時,等離子體與晶圓上的金屬層或介質層 發(fā)生化學反應,反應生成的聚合物會逐漸沉積在石英改板上,隨著刻蝕的進行,越來越多的 聚合物沉積在石英改板上,由于重力的作用,聚合物很容易掉落到正在刻蝕的晶圓上,這就 需要對石英改板進行經(jīng)常性地清洗,以去除石英改板上的聚合物。在現(xiàn)有技術中,一般對石英改板進行清洗的方法為將石英改板從干法刻蝕裝置 中拆卸下來,使用酸性溶液對石英改板進行清洗,然后使用去離子水(DIW)對石英改板進 行噴淋清洗,以去除反應生成物,最后使用流動的氮氣(N2)對清洗后的石英改板進行干燥。然而,在實際應用中,由于酸性溶液會對石英改板有腐蝕作用,所以要求酸性溶液 的濃度不可過大,但是使用濃度較小的酸性溶液又無法使聚合物與酸性溶液進行充分的反 應,因此采用現(xiàn)有技術中對石英改板進行清洗的方法往往不能達到很好的清洗效果,沉積 在石英改板上的聚合物還是不能被徹底地去除。

      發(fā)明內容
      有鑒于此,本發(fā)明的目的在于提供一種石英改板清洗方法,能夠徹底地去除石英 改板上的聚合物。為達到上述目的,本發(fā)明的技術方案具體是這樣實現(xiàn)的一種石英改板清洗方法,干法刻蝕停止后,該方法包括將石英改板從干法刻蝕裝 置中拆卸下來,對石英改板進行烘焙。所述烘焙的方法為將石英改板放置于烤箱中,并在烤箱中通入空氣;或,使用電 阻絲對石英改板進行烘焙。
      該方法進一步包括對石英改板烘焙后,對石英改板進行噴淋清洗。所述噴淋清洗 的方法為采用去離子水DIW對石英改板進行噴淋清洗。該方法進一步包括對石英改板進行噴淋清洗后,對石英改板進行干燥。所述干燥的方法為采用流動的氮氣N2或氬氣Ar對石英改板進行干燥。所述烘焙的方法為每隔一小時烘焙溫度升高50°C至100°C,當烘焙溫度達到 1000°C時停止烘焙。該方法進一步包括對石英改板烘焙后,對石英改板進行噴淋清洗。所述噴淋清洗的方法為采用去離子水DIW對石英改板進行噴淋清洗。該方法進一步包括對石英改板進行噴淋清洗后,對石英改板進行干燥。所述干燥的方法為采用流動的氮氣N2或氬氣Ar對石英改板進行干燥??梢?,在本發(fā)明所提供的方法中,采用對石英改板進行烘焙的方法將沉積在石英 改板表面的聚合物去除掉,當對石英改板烘焙時,聚合物中的Si和AlCl3均會與空氣中的 O2生化學反應,反應產(chǎn)物分別為易于清洗的SiO2和Al2O3,這樣,就可將石英改板上的聚合物 徹底地去除。


      圖1為現(xiàn)有技術中干法刻蝕裝置的剖面結構圖。圖2為本發(fā)明所提供的石英改板清洗方法的流程圖。
      具體實施例方式為使本發(fā)明的目的、技術方案及優(yōu)點更加清楚明白,以下參照附圖并舉實施例,對 本發(fā)明進一步詳細說明。圖2為本發(fā)明所提供的石英改板清洗方法的流程圖,該方法包括以下步驟步驟201,將石英改板從干法刻蝕裝置中拆卸下來,對石英改板進行烘焙。在本步驟中,當干法刻蝕停止后,對石英改板進行烘焙的目的在于聚合物的主要 成分為硅(Si)和氯化鋁(AlCl3),當對石英改板進行烘焙時,聚合物中的Si和AlCl3均會 與空氣中的氧氣(O2)發(fā)生化學反應,反應產(chǎn)物分別為二氧化硅(SiO2)和氧化鋁(Al2O3),而 SiO2為結晶體,Al2O3為絮狀體,也就是說,這兩種反應產(chǎn)物都是易于清洗的,因此,這樣就可 將石英改板上的聚合物徹底地去除。烘焙的實現(xiàn)方法可采用現(xiàn)有技 中的方法,例如,可將石英改板放置于烤箱中,并 在烤箱中通入空氣,也可使用電阻絲對石英改板進行烘焙。需要說明的是,當對石英改板進行烘焙時,應避免烘焙的溫度驟然升高,否則,有 可能引起石英改板的變形,甚至破裂,因此,本發(fā)明還可提供一種對石英改板進行烘焙的方 法每隔一小時烘焙溫度升高50°C至100°C,當烘焙溫度達到1000°C時停止烘焙。步驟202,對石英改板進行噴淋清洗。由于在步驟201中對石英改板進行了烘焙,聚合物中的Si和AlCl3與空氣中的O2 發(fā)生化學反應,反應產(chǎn)物分別為結晶體的SiO2和絮狀體的Al2O3,因此,在本步驟中,可采用 DIff對石英改板進行噴淋清洗,從而將反應產(chǎn)物從石英改板表面清洗掉。步驟203,對石英改板進行干燥。
      當對石英改板進行干燥時,可采用流動的N2或其他惰性氣體,例如氬氣Ar??梢姡诒景l(fā)明中,采用對石英改板進行烘焙的方法將沉積在石英改板表面的聚 合物去除掉,當對石英改板烘焙時,聚合物中的Si和AlCl3均會與空氣中的O2生化學反應, 反應產(chǎn)物分別為易于清洗的SiO2和Al2O3,這樣,就可將石英改板上的聚合物徹底地去除。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已,并非用于限定本發(fā)明的保護范圍。凡在 本發(fā)明的精神和原則之內,所作的任何修改、等同替換以及改進等,均應包含在本發(fā)明的保 護范圍之內。
      權利要求
      一種石英改板清洗方法,干法刻蝕停止后,該方法包括將石英改板從干法刻蝕裝置中拆卸下來,對石英改板進行烘焙。
      2.根據(jù)權利要求1所述的方法,其特征在于,所述烘焙的方法為將石英改板放置于烤 箱中,并在烤箱中通入空氣;或,使用電阻絲對石英改板進行烘焙。
      3.根據(jù)權利要求2所述的方法,其特征在于,該方法進一步包括對石英改板烘焙后, 對石英改板進行噴淋清洗。
      4.根據(jù)權利要求3所述的方法,其特征在于,所述噴淋清洗的方法為采用去離子水 DIff對石英改板進行噴淋清洗。
      5.根據(jù)權利要求4所述的方法,其特征在于,該方法進一步包括對石英改板進行噴淋 清洗后,對石英改板進行干燥。
      6.根據(jù)權利要求5所述的方法,其特征在于,所述干燥的方法為采用流動的氮氣N2 或氬氣Ar對石英改板進行干燥。
      7.根據(jù)權利要求1所述的方法,其特征在于,所述烘焙的方法為每隔一小時烘焙溫度 升高50°C至100°C,當烘焙溫度達到1000°C時停止烘焙。
      8.根據(jù)權利要求7所述的方法,其特征在于,該方法進一步包括對石英改板烘焙后, 對石英改板進行噴淋清洗。
      9.根據(jù)權利要求8所述的方法,其特征在于,所述噴淋清洗的方法為采用去離子水 DIff對石英改板進行噴淋清洗。
      10.根據(jù)權利要求9所述的方法,其特征在于,該方法進一步包括對石英改板進行噴 淋清洗后,對石英改板進行干燥。
      11.根據(jù)權利要求10所述的方法,其特征在于,所述干燥的方法為采用流動的氮氣隊 或氬氣Ar對石英改板進行干燥。
      全文摘要
      本發(fā)明公開了一種石英改板清洗方法,干法刻蝕停止后,該方法包括將石英改板從干法刻蝕裝置中拆卸下來,對石英改板進行烘焙。采用該方法能夠徹底地去除石英改板上的聚合物。
      文檔編號B08B3/02GK101958225SQ200910054800
      公開日2011年1月26日 申請日期2009年7月14日 優(yōu)先權日2009年7月14日
      發(fā)明者孫長勇 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
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