專利名稱：：半導(dǎo)體基板洗滌液組合物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種用于清洗半導(dǎo)體基板的洗滌液組合物，具體地，涉及一種在半導(dǎo)體制備工序中的具有銅布線的半導(dǎo)體基板的清洗工序，特別是經(jīng)化學(xué)機(jī)械拋光后的銅布線裸露的半導(dǎo)體基板的清洗工序中，用于去除附著在基板表面上的金屬雜質(zhì)等的洗滌液組合物。
背景技術(shù)：
：隨著集成電路(IC)的高集成化，微量雜質(zhì)給設(shè)備的性能和合格率帶來了大的影響，因此，需要嚴(yán)格控制污染。即，需要嚴(yán)格控制基板的污染，由此，在制備半導(dǎo)體的各工序中使用各種洗滌液。在半導(dǎo)體用基板洗滌液中，通常將作為堿性洗滌液的氨水-過氧化氫水-水(SC-1)用于粒子污染的去除，將作為酸性洗滌液的硫酸-過氧化氫水、鹽酸-過氧化氫水-水(SC-2)、稀氫氟酸等用于金屬污染的去除，根據(jù)不同的目的可以單獨(dú)或組合使用各洗滌液。另一方面，隨著設(shè)備的微細(xì)化和多層布線結(jié)構(gòu)化的發(fā)展，在各個工序中要求基板表面的平坦化更為嚴(yán)密，作為半導(dǎo)體制備工序中的新技術(shù)，引進(jìn)了化學(xué)機(jī)械拋光(以下、又稱為CMP)技術(shù)。CMP是指一面供給研磨粒子和化學(xué)藥品的混合物漿料，一面將基片壓緊在稱之為拋光輪的拋光布上，通過使其旋轉(zhuǎn)而并用化學(xué)作用和物理作用，對絕緣膜或金屬材料進(jìn)行研磨使其平坦化的技術(shù)。與此同時，構(gòu)成平坦化基板表面或漿料的物質(zhì)也在不斷變化。因此，CMP后的基板表面，被以漿料中所含有的氧化鋁或二氧化硅、氧化鈰為代表的粒子，或源自被拋光表面的構(gòu)成物質(zhì)或漿料中所含有的藥品的金屬雜質(zhì)所污染。這些污染物，會引起圖案缺陷或密著性不良、電氣特性不良等，因此，在進(jìn)入后續(xù)工序前必須完全去除。作為用于去除這些污染物的3一般的CMP后洗滌，進(jìn)行并用洗滌液的化學(xué)作用和由聚乙烯醇制成的海綿刷等的物理作用的刷洗。作為洗滌液，過去在粒子的去除中使用氨水之類的堿性水溶液。此外，在專利文獻(xiàn)1或?qū)＠墨I(xiàn)2中提及了在金屬污染的去除中使用有機(jī)酸和絡(luò)合劑的技術(shù)。并且，專利文獻(xiàn)3中還提及了以有機(jī)酸和表面活性劑組成的洗滌液同時去除金屬污染和粒子污染的技術(shù)。CMP被限定在層間絕緣膜或連接孔的平坦化時，為了不在基板表面露出耐藥品性差的材料，可以以釆用氟化氨水溶液或上述有機(jī)酸水溶液的洗滌來應(yīng)對。但是，在作為半導(dǎo)體元件的高速響應(yīng)化所需的銅布線的形成技術(shù)而引進(jìn)了金屬鑲嵌布線技術(shù)，與此同時，在層間絕緣膜中，使用介電常數(shù)低的芳香族芳基聚合物之類的有機(jī)膜、MSQ(MethylSilsesquioxane)、HSQ(HydrogenSilsesquioxane)等桂氧烷膜、多孔質(zhì)二氧化硅膜等。由于這些材料的化學(xué)強(qiáng)度不充分，因此，作為洗滌液的上述的堿性物質(zhì)、氟化物受到限制。另一方面，使用上述有機(jī)酸的洗滌液，對于介電常數(shù)低的絕緣膜腐蝕性小，被認(rèn)為是最佳之選。到目前為止，作為CMP的后洗滌液，以使用草酸或檸檬酸之類的有機(jī)酸的酸系洗滌液為主流。但是，隨著作為銅的布線材料的導(dǎo)入的正規(guī)化，在絕緣膜上形成微小的溝槽，形成Ta或TaN之類的勢壘金屬(BarrierMetal)膜，再通過電鍍形成銅膜，填上溝槽后，研磨除去由CMP在絕緣膜上形成的多余的銅的金屬鑲嵌布線技術(shù)中，隨著銅布線寬度的微細(xì)化、薄膜化，即使使用上述的有機(jī)酸，也存在如下問題引起少量的銅表面的腐蝕(膜減少及表面粗糙)；洗滌液與棵露的Cu布線接觸，沿Ta、TaN之類的墊壘金屬和Cu的表面形成楔狀的Cu的微小腐蝕等，從而降低設(shè)備的可靠性，引起所謂的側(cè)縫(sideslit)。作為解決上述問題的方法，可以列舉在洗滌液中添加防腐劑來抑制銅表面腐蝕的方法。作為防腐劑一般廣泛使用苯并三唑或其衍生物。它們的結(jié)構(gòu)中的N原子與銅原子進(jìn)行配位，在表面形成不溶性的牢固的疏水性覆膜，以此來防止腐蝕。但是，由于該覆膜堅(jiān)固，在洗滌后需要增加去除工序，而這是不可取的。此外，當(dāng)因去除不充分而殘留在銅表面上時，可能會導(dǎo)致電氣特性的降低。并且，這些防腐劑生分解性低，有過變異原性的報告，對環(huán)境或人體存在安全性上的問題。此外，作為能夠去除基板表面的金屬雜質(zhì)等而不會引起銅表面的腐蝕或側(cè)縫的洗滌液，本發(fā)明人等在專利文獻(xiàn)4中提及了含有脂肪族多元羧酸類和乙醛酸、抗壞血酸、葡萄糖、果糖、乳糖及甘露糖等的還原性物質(zhì)洗滌液。乙醛酸、抗壞血酸、葡萄糖、果糖、乳糖及甘露糖具有還原性，因此可以通過自身被氧化來防止銅的氧化及腐蝕。但是，在其之后的研究中，明顯可以看出，即使是脂肪族多元羧酸類和上述還原物質(zhì)的組合，根據(jù)布線形成中的工序條件或洗滌條件，存在對銅的防腐蝕效果未必充分的情況。進(jìn)而，如專利文獻(xiàn)5中提及了一種洗滌液，其在分子內(nèi)含有具有硫醇基的氨基酸或其衍生物作為銅的防腐劑。但是，像半胱氨酸等的具有硫醇基的氨基酸，雖然對銅的防腐蝕效果高，但分子內(nèi)的硫醇基與銅反應(yīng)而析出從而殘留在銅布線上，因此不適合用作洗滌劑。此外，如專利文獻(xiàn)6中提及了一種在分子內(nèi)含有具有帶非共價電子對的氮原子的特定化合物，且不腐蝕銅布線的半導(dǎo)體表面用洗滌劑，作為該化合物的一個實(shí)例，記載了作為非環(huán)狀氨基酸類的酸性氨基酸、氨基酸劑堿性氨基酸等。但是，并沒有對使用堿性氨基酸的優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行特別地說明，也沒有公開任何具體表示非環(huán)狀氨基酸自身效果的實(shí)施例。進(jìn)而，如專利文獻(xiàn)7中提及了一種含有氨基羧酸作為銅的防腐劑且對銅的耐腐蝕性高的保護(hù)層(resist)除去用洗滌液，作為該氨基羧酸的一個實(shí)例，記載了酸性氨基酸、中性氨基酸及堿性氨基酸等。但是，實(shí)施例中雖然公開了pH6.0的中性氨基酸甘氨酸的效果，但是，并沒有指出使用堿性氨基酸的優(yōu)點(diǎn)，且有關(guān)以強(qiáng)酸性方面對銅的防腐效果還不明確。此外，如專利文獻(xiàn)8中提及了一種含有氨基酸化合物作為鎢和鋁的螯合防腐劑的半導(dǎo)體基板洗滌用組合物，作為該氨基酸化合物的一個實(shí)例，記載了酸性氨基酸、中性氨基酸及堿性氨基酸。但是，實(shí)施例中雖然公開了作為酸性氨基酸的谷氨酸的效果，可是并沒有指出使用堿性氨基酸的優(yōu)點(diǎn)，且對于銅的防腐效果不充分。綜上所述，目前，以使用以往的有機(jī)酸的半導(dǎo)體基板的洗滌液，還不能充分地防止銅布線表面的微細(xì)腐蝕(膜減少和表面粗糙)或?qū)︺~和異種金屬的表面的微細(xì)腐蝕(側(cè)縫)等。此外，雖然提出了含有氨基酸等作為防蝕劑的洗滌液，但是，它們幾乎都是中性氨基酸或酸性氨基酸，并且在以去除基板表面的金屬雜質(zhì)而不腐蝕銅布線為目的的洗滌液中，并不能充分了解在有機(jī)酸和氨基酸并存時對銅的防蝕效果，并且也沒有進(jìn)行過相關(guān)的討論研究。專利文獻(xiàn)l:日本特開平10-72594號公報專利文獻(xiàn)2:日本特開平11-131093號公報專利文獻(xiàn)3:日本特開2001-7071號公報專利文獻(xiàn)4:日本特開2003-332290號公報專利文獻(xiàn)5:日本特開2003-13266號公報專利文獻(xiàn)6:國際公開2001-071789號公報專利文獻(xiàn)7:日本特開2004-94203號公報專利文獻(xiàn)8:日本特開2006-49881號公報
發(fā)明內(nèi)容發(fā)明要解決的技術(shù)問題因此，本發(fā)明要解決的技術(shù)問題，是在表面具有銅布線的半導(dǎo)體基板的洗滌，特別是CMP后的銅布線裸露的半導(dǎo)體基板的洗滌中，提供一種不腐蝕銅布線，并且對附著在基板表面的金屬雜質(zhì)的去除性能良好的洗滌液組合物。解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案本發(fā)明人等，在為解決上述技術(shù)問題而進(jìn)行的反復(fù)的銳意研究中，發(fā)現(xiàn)草酸等的脂肪族多元羧酸類和精氨酸等堿性氨基酸類的按照特定的組合而組成的洗滌液組合物，可以有效抑制銅布線的腐蝕，并且具有良好的去除基板表面的金屬雜質(zhì)的能力，進(jìn)一步進(jìn)行了研究的結(jié)果，完成了本發(fā)明。即，本發(fā)明涉及一種清洗半導(dǎo)體基板的洗滌液組合物，所述洗滌液組合物含有一種或兩種以上的脂肪族多元羧酸類和一種或兩種以上的堿性氨基酸類。此外，本發(fā)明所述的洗滌液組合物，其pH值不足4.0。進(jìn)而，本發(fā)明所述的洗滌液組合物中，所述脂肪族多元羧酸類為草酸、丙二酸、蘋果酸、酒石酸或檸檬酸。此外，本發(fā)明所述的洗滌液組合物中，所述堿性氨基酸類為精氨酸、組氨酸或賴氨酸。進(jìn)而，本發(fā)明所述的洗滌液組合物中，脂肪族多元羧酸類的質(zhì)量百分濃度為0.01%-30%。此外，本發(fā)明所述的洗滌液組合物中，堿性氨基酸的質(zhì)量百分濃度為0.001%-10%。進(jìn)而，本發(fā)明所述的洗滌液組合物，還含有一種或兩種以上的陰離子表面活性劑或非離子表面活性劑。此外，本發(fā)明所述的洗滌液組合物，用于化學(xué)機(jī)械拋光后的具備銅布線的半導(dǎo)體基板中。進(jìn)而，本發(fā)明涉及一種使用所述洗滌液組合物清洗經(jīng)化學(xué)機(jī)械拋光后的具有銅布線的半導(dǎo)體基板的方法。本發(fā)明的洗滌液組合物，由于含有堿性氨基酸類，與含有中性氨7基酸或酸性氨基酸作為防腐蝕劑的洗滌液相比，對銅布線的防腐蝕效果高的理由未必明確，而由于與堿性氨基酸、中性氨基酸及酸性氨基酸相比具有更多側(cè)鏈的氨基等的含氮結(jié)構(gòu)，因此，與中性氨基酸和酸性氨基酸相比對于銅可以更牢固地配位，從而達(dá)到提高防蝕效果的目發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明的洗滌液組合物，在本導(dǎo)體制備工序中的具有銅布線的半導(dǎo)體基板的洗滌工序、特別是CMP后的銅布線裸露的半導(dǎo)體基板的洗滌工序中，可以有效地去除附著在基板表面的金屬雜質(zhì)而不損壞銅布線。此外，本發(fā)明的洗滌液組合物，不會殘留在銅表面而污染基板。因此，即使設(shè)備的微細(xì)化不斷地發(fā)展，通過使用本發(fā)明的洗滌液組合物對基板進(jìn)行清洗，既不會影響電氣特性的性能，又能夠獲得良好的基板。本發(fā)明的具體實(shí)施例方式以下對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。本發(fā)明的洗滌液組合物，含有一種或兩種以上的脂肪族多元羧酸類和一種或兩種以上的堿性氨基酸類，在半導(dǎo)體及其他電子設(shè)備的制備中，是一種用于去除附著在具有銅布線的基板表面的金屬雜質(zhì)或微粒子的洗滌液組合物，特別是用于CMP后的銅布線棵露的半導(dǎo)體基板的洗滌工序中的洗滌液組合物。此外，本發(fā)明的洗滌液組合物，不僅應(yīng)用于上述CMP后的銅布線裸露的半導(dǎo)體基板的洗滌工序中，還可以應(yīng)用于去除在金屬鑲嵌布線形成中產(chǎn)生的干腐蝕殘?jiān)墓ば蛑?。此外，使用本發(fā)明的洗滌液組合物進(jìn)行洗滌的基板是指，在半導(dǎo)體及其他電子設(shè)備的制備中所使用的、表面具有銅布線的基板，特別是CMP后的銅布線裸露的半導(dǎo)體基板、金屬鑲嵌布線形成中對絕緣膜進(jìn)行干腐蝕時銅布線裸露的半導(dǎo)體基板等。本發(fā)明的洗滌液組合中使用的脂肪族多元羧酸類，具體地可以列舉草酸及丙二酸等二羧酸類、或酒石酸、蘋果酸及檸檬酸等羥基羧酸類，更優(yōu)選草酸及丙二酸。其中，草酸對金屬雜質(zhì)的去除能力強(qiáng)，為作為本發(fā)明中使用的脂肪族多元羧酸類的最佳之選。此外，根據(jù)用途的不同，可以含有一種或兩種以上的上述脂肪族多元羧酸類物質(zhì)。洗滌液中的脂肪族多元羧酸類的質(zhì)量百分濃度可以根據(jù)溶解度、金屬雜質(zhì)的去除效果及結(jié)晶析出等進(jìn)行適當(dāng)?shù)剡x擇，優(yōu)選O.010-30%，更優(yōu)選0.02-20%，最優(yōu)選0.03-10%。此外，作為本發(fā)明中使用的堿性氨基酸，具體地，可以列舉精氨酸、組氨酸及賴氨酸，更優(yōu)選精氨酸和組氨酸。此外，根據(jù)用途的不同，可以含有一種或兩種以上的上述堿性氨基酸。洗滌液中的堿性氨基酸的質(zhì)量百分濃度可以根據(jù)溶解度、對銅布線的腐蝕抑制效果及側(cè)縫的抑制效果等進(jìn)行適當(dāng)?shù)剡x擇，優(yōu)選0.001-10%，更優(yōu)選0.005-5%，最優(yōu)選0.01-1%。從不腐蝕銅布線，且對附著于基片表面的金屬雜質(zhì)具有良好的去除能力的觀點(diǎn)出發(fā)，本發(fā)明的洗滌液組合物的pH值，優(yōu)選不足4.0，最優(yōu)選1.0-3.0。此外，本發(fā)明的洗滌液組合物，在不妨礙所述的效果的范圍內(nèi)，可以含有賦予微粒子的去除能力、對Low-k膜之類的疏水性膜具有親和性的表面活性劑。作為用于上述目的的表面活性劑，可以列舉如垸基苯磺酸型及其鹽、烷基磷酸酯型、聚氧烯烷基苯基醚磺酸及其鹽、聚氧烯烷基醚磺酸及其鹽、萘磺酸和甲醛的縮合物及其鹽。此外，作為非離子型表面活性劑，可以列舉如聚氧烯烷基醚型和聚氧烯烷基苯基醚型等。的表面活性劑的質(zhì)量百分濃度，優(yōu)選0.0001-10%，最優(yōu)選0.001-0.1%。此外，根據(jù)用途的不同，可以含有一種或兩種以上的上述的表面活性進(jìn)而，本發(fā)明的洗滌液組合物，在不妨礙所述的效果的范圍內(nèi)，為了防止銅布線的腐蝕、或銅側(cè)縫的發(fā)生，還可以含有更多的物質(zhì)。作為用于上述目的成分，優(yōu)選乙醛酸、抗壞血酸、葡萄糖、果糖、乳糖及甘露糖等還原性物質(zhì)。它們不僅能夠抑制銅表面的腐蝕，也具有側(cè)縫的抑制效果。其作用機(jī)制尚未明確，但由于這些化合物為還原性物質(zhì)，通過自身被氧化，可以達(dá)到防止銅的氧化及腐蝕的目的。但是，作為還原性物質(zhì)其他還有肼或羥胺的各種胺類，它們有使側(cè)縫增長的傾向，因此并非所有的還原性物質(zhì)都可以使用于本發(fā)明的洗滌液組合物中。本發(fā)明的洗滌液組合物中為了取得充分的防腐蝕效果而添加的還原性物質(zhì)的質(zhì)量百分濃度，優(yōu)選0.0005-10%,最優(yōu)選0.03-5%。此外，根據(jù)用途的不同，可以含有一種或兩種以上的上述還原性物質(zhì)。此外，本發(fā)明的洗滌液組合物通常以水作為溶劑，在不妨礙所述效果的范圍內(nèi)，可以含有為了使其對于裸露硅壓膜或low-k膜之類的疏水性膜具有親和性而使用的有機(jī)溶劑。作為以上述目的而使用的有機(jī)溶劑，優(yōu)選具有羥基和/或醚基的有機(jī)溶劑。本發(fā)明的洗滌液組合物中為了使其對于裸露硅壓膜或low-k膜之類的疏水性膜具有親和性而使用的有機(jī)溶劑的質(zhì)量百分濃度，優(yōu)選0.01-50%,最優(yōu)選0.1-30%。此外，根據(jù)用途的不同，可以含有一種或兩種以上的上述有機(jī)溶劑。作為使用本發(fā)明的洗滌液組合物對化學(xué)機(jī)械拋光后的具有銅布線的半導(dǎo)體基板的洗滌方法，可以列舉用洗滌液直接浸漬基板的批次式清洗、使基板自旋轉(zhuǎn)動的同時由噴嘴向基板表面供應(yīng)洗滌液的枚葉式清洗等。此外，還可以列舉將聚乙烯醇制的海綿刷等的刷洗滌或兆頻超聲波(Megasonic)清洗等的物理清洗，與上述的清洗方法并用的方法等。以下表示為本發(fā)明的實(shí)施例和比較例，對本發(fā)明進(jìn)行了更詳細(xì)的說明，但本發(fā)明不限于上述的實(shí)施例，可以在不脫離本發(fā)明的技術(shù)思想的范圍內(nèi)作出各種改變。實(shí)施例(銅的溶解速度測定)使用水為溶劑，配制表1所示的含有脂肪族多元羧酸和氨基酸的洗滌液。用酸清洗鍍銅膜(膜厚度為16000A)成膜的表面積已知的硅晶片，使洗凈的銅表面裸露，用各種洗滌液在25'C下無攪拌浸漬處理300分鐘后，取出晶片，用ICP質(zhì)量分析裝置(ICP-MS)分析洗滌液中的銅濃度，由測得的銅濃度計算出溶解速度。銅的溶解速度(單位A/分)表示鍍銅膜的膜厚度在單位時間的減少率。結(jié)果如表l所示。銅的溶解速度測定結(jié)果<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>如表l所示，比較例1-2的只含有草酸的洗滌液，以及比較例3的含有草酸及中性氨基酸或酸性氨基酸的洗滌液中，溶解速度均表示在1A/分以上，實(shí)施例1-3的含有草酸及堿性氨基酸的洗滌液中，溶解速度表示在1A/分以下，可見堿性氨基酸對銅的抗腐蝕作用極其有效。在實(shí)際的半導(dǎo)體制備工序中的CMP后的銅布線裸露的半導(dǎo)體基板的清洗工序中，由于銅布線的Aorder的腐蝕也成為大問題，因此，可見本發(fā)明的洗滌液組合物對銅布線的抗腐蝕性極為有效。(銅的表面粗糙度測定及表面狀態(tài)評價)使用水為溶劑，配制表2所示的含有脂肪族多元羧酸和氨基酸的洗滌液。用酸清洗濺射銅膜(膜厚度為2000A)成膜的硅晶片，使洗凈的銅表面裸露，用各種洗滌液在25t:下無攪拌浸漬處理30分鐘后，取出晶片用超純水進(jìn)行流水沖洗處理，進(jìn)行氮?dú)獯蹈?，使用原子力顯微鏡(AFM)測定銅的表面粗糙度(平均面粗糙度Ra),以及使用掃描電子顯微鏡(FE-SEM)評價表面污染性。結(jié)果如表2所示。[表2]銅的表面粗糙度測定及表面狀態(tài)評價結(jié)果<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>※(表面污染性的評價標(biāo)準(zhǔn))O銅表面無附著物x銅表面有附著物如表2所示，比較例l-2和比較例15的只含有草酸的洗滌液、以及比較例7、8、13和14的含有草酸及中性氨基酸或酸性氨基酸的洗滌液的銅的表面粗糙度，與未進(jìn)行洗滌液浸漬處理的銅的表面粗糙度相比，Ra值增加，可見出現(xiàn)了表面粗糙。此外，比較例14的洗滌液中，除了Ra值的增加外，在表面還有來自半胱氨酸的附著物。與此相對，在實(shí)施例1-4的含有脂肪族多元羧酸和堿性氨基酸的洗滌液中，Ra值的變化極小，由此可見，堿性氨基酸對銅的抗腐蝕性極其有效。(去除金屬雜質(zhì)能力的評價)使用水為溶劑，配制表3所示的含有脂肪族多元羧酸和氨基酸的洗滌液。將硅晶片用氨水(29重量％)-過氧化氫水(30重量％)-水混合液(體積比1:1:6)清洗后，用旋涂法，將鐵、鎳、銅和鋅以成1013atoms/cm2的表面濃度進(jìn)行污染。對污染后的晶片用各種洗滌液在25匸下無攪拌浸漬處理3分鐘后，去除晶片，用超純水進(jìn)行流水沖洗處理3分鐘，干燥，用全反射X射線熒光分析儀測定晶片表面的金屬濃度，從而評價金屬雜質(zhì)的去除能力。結(jié)果如表3所示。金屬雜質(zhì)去除能力的評價結(jié)果例No,洗滌液組合物金屬表面濃度(x1010atoms/cm2)*娛^氨基酸種類濃度(wt%)FeNiCuZn一清洗前3400460044004600實(shí)施例20.04精氨酸0.030.80.30.3測定界限以下實(shí)施例50.04組氨酸0.030.30.50.2測定界限以下比較例20.04一一0.40.30.2測定界限以下比較例16—精氨酸0.03200060801013如表3所示，比較例16的僅含有堿性氨基酸的洗滌液中，各金屬殘留在10"atoms/cr^程度以上，與此相對，實(shí)施例2和5的含有草酸和堿性氨基酸的洗滌液，具有與比較例2的只含有草酸的洗滌液同等的金屬雜質(zhì)去除能力。由上述表1-3的結(jié)果可見，本發(fā)明的洗滌液組合物，可有效地防止銅布線的腐蝕，對附著在晶片表面的金屬雜質(zhì)具有良好的去除能力。工業(yè)實(shí)用性本發(fā)明中，使用含有一種或兩種以上的脂肪族多元羧酸和一種或兩種以上的堿性氨基酸的洗滌液組合物，對具有銅布線的基板進(jìn)行清洗，由此可以去除金屬雜質(zhì)而不腐蝕銅布線，在不影響電氣特性性能的前提下取得優(yōu)質(zhì)的基板，因此，在微細(xì)化不斷發(fā)展的半導(dǎo)體制備
技術(shù)領(lǐng)域：
中的具有銅布線的基板的清洗工序中，特別是化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)后的銅布線裸露的半導(dǎo)體基板的清洗工序中很有作用。權(quán)利要求1、一種清洗半導(dǎo)體基板的洗滌液組合物，其特征在于，所述洗滌液組合物含有一種或兩種以上的脂肪族多元羧酸類和一種或兩種以上的堿性氨基酸類。2、如權(quán)利要求l所述的洗滌液組合物，其特征在于，pH值不足4.0。3、如權(quán)利要求1或2所述的洗滌液組合物，其特征在于，所述脂肪族多元羧酸類為草酸、丙二酸、蘋果酸、酒石酸或檸檬酸。4、如權(quán)利要求1或2所述的洗滌液組合物，其特征在于，所述堿性氨基酸類為精氨酸、組氨酸或賴氨酸。5、如權(quán)利要求1或2所述的洗滌液組合物，其特征在于，所述脂肪族多元羧酸類的質(zhì)量百分濃度為0.01%-30%。6、如權(quán)利要求1或2所述的洗滌液組合物，其特征在于，所述堿性氨基酸的質(zhì)量百分濃度為0.001%-10%。7、如權(quán)利要求1或2所述的洗滌液組合物，其特征在于，還含有一種或兩種以上的陰離子表面活性劑或非離子表面活性劑。8、如權(quán)利要求1或2所述的洗滌液組合物，其特征在于，用于化學(xué)機(jī)械拋光后的具備銅布線的半導(dǎo)體基板中。9、一種半導(dǎo)體基板的洗滌方法，該半導(dǎo)體基板具有化學(xué)機(jī)械拋光后的銅布線，其特征在于，該方法使用權(quán)利要求l或2所述的洗滌液組合物。全文摘要本發(fā)明的目的是提供一種半導(dǎo)體基板洗滌液組合物，其在半導(dǎo)體電路元件的制備工序中，可以去除基板表面的金屬雜質(zhì)而不腐蝕銅布線。本發(fā)明的清洗半導(dǎo)體基板的洗滌液，為含有一種或兩種以上的脂肪族多元羧酸類和一種或兩種以上的堿性氨基酸類的洗滌液組合物，由此，在具有銅布線的半導(dǎo)體基板的清洗工序中，特別是在化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)后的銅布線裸露的半導(dǎo)體基板的清洗工序中，可以去除金屬雜質(zhì)而不腐蝕銅布線。文檔編號C11D7/26GK101580774SQ20091013654公開日2009年11月18日申請日期2009年5月6日優(yōu)先權(quán)日2008年5月16日發(fā)明者村上豐,石川典夫申請人:關(guān)東化學(xué)株式會社